JPH06103606A - 有機光記録媒体とその製法 - Google Patents
有機光記録媒体とその製法Info
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- JPH06103606A JPH06103606A JP4251201A JP25120192A JPH06103606A JP H06103606 A JPH06103606 A JP H06103606A JP 4251201 A JP4251201 A JP 4251201A JP 25120192 A JP25120192 A JP 25120192A JP H06103606 A JPH06103606 A JP H06103606A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基板上1に光による情報記録が可能な有機光記
録材料からなる記録層2と、該記録層2上に記録層の極
大反射率を維持する反射率維持層3を設けた有機光記録
媒体であって、前記反射率維持層が結晶性高分子材料で
形成されていることを特徴とする有機光記録媒体。 【効果】結晶性高分子膜からなる反射率維持層3は、厚
膜化しても極大反射率を維持することができ、該反射率
維持層は記録層の損傷や汚染等も防ぐ保護層となるの
で、取扱い時の信頼性が高い有機光記録媒体が得られ
る。
録材料からなる記録層2と、該記録層2上に記録層の極
大反射率を維持する反射率維持層3を設けた有機光記録
媒体であって、前記反射率維持層が結晶性高分子材料で
形成されていることを特徴とする有機光記録媒体。 【効果】結晶性高分子膜からなる反射率維持層3は、厚
膜化しても極大反射率を維持することができ、該反射率
維持層は記録層の損傷や汚染等も防ぐ保護層となるの
で、取扱い時の信頼性が高い有機光記録媒体が得られ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光によって情報を記録、
再生する有機光記録媒体に係り、特に、記録層の極大反
射率を損なうことのない反射率維持層を記録層上に設け
た有機光記録媒体とその製法に関する。
再生する有機光記録媒体に係り、特に、記録層の極大反
射率を損なうことのない反射率維持層を記録層上に設け
た有機光記録媒体とその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスクが記録媒体として広く
用いられている。これはディスク面上に形成した記録層
に、半導体レーザーに変換しタ情報をピットに形成し、
該ピットの有無による光の反射率の変化を再生する。従
って、光ディスクでは記録層への傷や汚れは記録情報の
エラーとなる可能性が高い。このような傷や汚れの発生
を防止するためには、保護層が不可欠である。
用いられている。これはディスク面上に形成した記録層
に、半導体レーザーに変換しタ情報をピットに形成し、
該ピットの有無による光の反射率の変化を再生する。従
って、光ディスクでは記録層への傷や汚れは記録情報の
エラーとなる可能性が高い。このような傷や汚れの発生
を防止するためには、保護層が不可欠である。
【0003】光ディスクにおける保護層の形成法として
は、有機高分子をスピンコートする、高分子のフイルム
を貼付ける、または、金属を蒸着する等の方法がが知ら
れている(特開平2−137138号、同2−1929
90号公報、特公平3−78699号公報、特開平4−
8584号公報)。
は、有機高分子をスピンコートする、高分子のフイルム
を貼付ける、または、金属を蒸着する等の方法がが知ら
れている(特開平2−137138号、同2−1929
90号公報、特公平3−78699号公報、特開平4−
8584号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクが市場のニ
ーズに答えるためにはディスクが安価に量産できなけれ
ばならない。記録層材料として有機溶媒に可溶な有機色
素を用い、記録層の形成法に簡便なスピンコート法を用
いることができればこうした光ディスクを量産すること
ができる。
ーズに答えるためにはディスクが安価に量産できなけれ
ばならない。記録層材料として有機溶媒に可溶な有機色
素を用い、記録層の形成法に簡便なスピンコート法を用
いることができればこうした光ディスクを量産すること
ができる。
【0005】このような目的に合致した有機材料として
シアニン系色素が考えられるが、太陽光に対する安定性
に問題がない訳ではない。耐光性の良い材料としてはナ
フタロシアニン(特開平4−8584号公報)及びフタ
ロシアニン系色素が有望視されている。しかし、いずれ
の有機色素を用いるにしても、記録層が有機材料である
かぎり該記録層が傷つき易いと云う問題が生ずる。
シアニン系色素が考えられるが、太陽光に対する安定性
に問題がない訳ではない。耐光性の良い材料としてはナ
フタロシアニン(特開平4−8584号公報)及びフタ
ロシアニン系色素が有望視されている。しかし、いずれ
の有機色素を用いるにしても、記録層が有機材料である
かぎり該記録層が傷つき易いと云う問題が生ずる。
【0006】記録層を保護する簡便な方法として、スピ
ンコート法により有機高分子膜を記録層上に形成する方
法が考えられる。しかし、この方法ではスピンコートに
用いる溶剤によっては記録層自体が溶解すると云う問題
がある。そこで有機色素の記録層を溶解しない溶剤とし
て、水、アルコール等が選ばれる。これらの溶剤に可溶
な高分子としてはポリビニルアルコール(PVA)、ラ
テックス等がよく知られている。
ンコート法により有機高分子膜を記録層上に形成する方
法が考えられる。しかし、この方法ではスピンコートに
用いる溶剤によっては記録層自体が溶解すると云う問題
がある。そこで有機色素の記録層を溶解しない溶剤とし
て、水、アルコール等が選ばれる。これらの溶剤に可溶
な高分子としてはポリビニルアルコール(PVA)、ラ
テックス等がよく知られている。
【0007】PVAを保護層とした場合、PVAが大気
中の水分を吸収して、記録層と保護層との界面に水の層
が形成され、反射率が低下すると云う問題がある。ま
た、ラテックス膜の場合、膜自身ははっ水性を有する
が、保護層としての機能を十分に発揮するにはある程度
以上の膜厚が必要である。しかし、ラテックス膜の膜厚
を大きくすると反射率が大幅に低下してしまい、今度
は、反射率維持層としての機能が損なわれるという問題
が生ずる。
中の水分を吸収して、記録層と保護層との界面に水の層
が形成され、反射率が低下すると云う問題がある。ま
た、ラテックス膜の場合、膜自身ははっ水性を有する
が、保護層としての機能を十分に発揮するにはある程度
以上の膜厚が必要である。しかし、ラテックス膜の膜厚
を大きくすると反射率が大幅に低下してしまい、今度
は、反射率維持層としての機能が損なわれるという問題
が生ずる。
【0008】また、水、アルコール等に可溶な有機高分
子を保護層として用いる場合、記録層の色素の種類によ
っては記録層の表面がはっ水性となるために、該保護層
を均一に塗布できないと云う問題もある。更にまた、高
分子のフイルムを貼付ける方法が簡便ではあるが、フイ
ルムの種類によってはレーザー光によるピットの形成が
できなかったり、高パワーのレーザー光を照射すること
が必要であるなどの問題がある。
子を保護層として用いる場合、記録層の色素の種類によ
っては記録層の表面がはっ水性となるために、該保護層
を均一に塗布できないと云う問題もある。更にまた、高
分子のフイルムを貼付ける方法が簡便ではあるが、フイ
ルムの種類によってはレーザー光によるピットの形成が
できなかったり、高パワーのレーザー光を照射すること
が必要であるなどの問題がある。
【0009】なお、無機材料の保護層ではその形成には
蒸着法等によらざるを得ないため、量産性が悪く安価な
ディスクは望めない。
蒸着法等によらざるを得ないため、量産性が悪く安価な
ディスクは望めない。
【0010】有機光記録材料を記録層に用いた光ディス
クは、前記のように量産性が優れたものでなければ実用
的ではない。
クは、前記のように量産性が優れたものでなければ実用
的ではない。
【0011】図1は、有機光記録層を形成した光ディス
クの構成を示す模式断面図である。基板1上に記録層
2、該記録層2の上に反射率維持層3がスピンコート等
により形成されている。基板1の材料としては、通常プ
ラスチック、ガラス等が多く用いられるが、軽量で破損
しにくいプラスチックが望ましく、特に、ポリカーボネ
ートが光の透過性などの点でも優れている。
クの構成を示す模式断面図である。基板1上に記録層
2、該記録層2の上に反射率維持層3がスピンコート等
により形成されている。基板1の材料としては、通常プ
ラスチック、ガラス等が多く用いられるが、軽量で破損
しにくいプラスチックが望ましく、特に、ポリカーボネ
ートが光の透過性などの点でも優れている。
【0012】前記のように構成された光ディスクは、透
明な基板1側から半導体レーザー光5を集光レンズ4に
よって記録層2に集光させる。集光されたレーザー光の
熱により記録層2は溶融、分解等の熱変化を起こし、記
録層2にピットを形成することによって情報が記録され
る。記録された情報の再生は、ピットと、ピットが形成
されていない部分の光の反射率の差を読み取ることによ
って行なわれる。
明な基板1側から半導体レーザー光5を集光レンズ4に
よって記録層2に集光させる。集光されたレーザー光の
熱により記録層2は溶融、分解等の熱変化を起こし、記
録層2にピットを形成することによって情報が記録され
る。記録された情報の再生は、ピットと、ピットが形成
されていない部分の光の反射率の差を読み取ることによ
って行なわれる。
【0013】この場合、反射率維持層3は、光ディスク
取扱時に記録層2の損傷や汚染を防止する。更に、記録
層のピット形成時に適度に熱変形等を起して、記録層の
ピット形成を阻害しないことも要求される。こうした反
射率維持層3としては適度の軟らかさを備えている材料
が望まれる。こうした条件を満たす反射率維持層の形成
法として、形成時に基板1や記録層2を溶かさず、ま
た、膜質を適度の軟らかさにコントロールできるものと
して、水性ラテックスの使用を本発明者らは既に提案し
ている(特願平2−238736号)。
取扱時に記録層2の損傷や汚染を防止する。更に、記録
層のピット形成時に適度に熱変形等を起して、記録層の
ピット形成を阻害しないことも要求される。こうした反
射率維持層3としては適度の軟らかさを備えている材料
が望まれる。こうした条件を満たす反射率維持層の形成
法として、形成時に基板1や記録層2を溶かさず、ま
た、膜質を適度の軟らかさにコントロールできるものと
して、水性ラテックスの使用を本発明者らは既に提案し
ている(特願平2−238736号)。
【0014】しかし、水性ラテックスを用いて反射率維
持層3を形成するに当たっては、記録層2の表面を親水
性に改質しないと、均一な膜に形成できない。また、こ
のラテックス膜は膜厚が20nm以上の厚さになると、
250〜1500nmの波長で反射率を10%以下に低
下させてしまうこと、また、膜厚20nm以下では傷等
から記録層2を守ることができないと云う問題があるこ
とが分かった。
持層3を形成するに当たっては、記録層2の表面を親水
性に改質しないと、均一な膜に形成できない。また、こ
のラテックス膜は膜厚が20nm以上の厚さになると、
250〜1500nmの波長で反射率を10%以下に低
下させてしまうこと、また、膜厚20nm以下では傷等
から記録層2を守ることができないと云う問題があるこ
とが分かった。
【0015】本発明の目的は、広い波長領域で十分な反
射率と記録層の保護機能とを有する有機光記録媒体とそ
の製法を提供することにある。
射率と記録層の保護機能とを有する有機光記録媒体とそ
の製法を提供することにある。
【0016】本発明の他の目的は、上記有機光記録媒体
を構成する記録層、保護層及び反射率維持層の優れた形
成法を提供することにある。
を構成する記録層、保護層及び反射率維持層の優れた形
成法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明者らは反射率維持
層の形成に伴う前記の問題点を解決すべく鋭意検討を重
ね本発明に到達した。本発明の要旨は次のとおりであ
る。
層の形成に伴う前記の問題点を解決すべく鋭意検討を重
ね本発明に到達した。本発明の要旨は次のとおりであ
る。
【0018】(1) 基板上に光による情報記録が可能な
有機光記録材料からなる記録層と、該記録層上に記録層
の極大反射率を維持する反射率維持層を設けた有機光記
録媒体であって、前記反射率維持層が結晶性高分子材料
で形成されていることを特徴とする有機光記録媒体。
有機光記録材料からなる記録層と、該記録層上に記録層
の極大反射率を維持する反射率維持層を設けた有機光記
録媒体であって、前記反射率維持層が結晶性高分子材料
で形成されていることを特徴とする有機光記録媒体。
【0019】(2) 前記反射率維持層が42kV,20
0mA,銅ターゲットによるX線回折した場合、結晶ピ
ークが回折角15〜25度に強度が0.5〜3kcps
である結晶性高分子材料で形成されている。
0mA,銅ターゲットによるX線回折した場合、結晶ピ
ークが回折角15〜25度に強度が0.5〜3kcps
である結晶性高分子材料で形成されている。
【0020】上記において、反射率維持層として使用さ
れる結晶性高分子材料は水またはアルコールを分散媒と
するエマルジョンからなり、該エマルジョンを塗布する
ことにより形成される。なお、前記記録層および反射率
維持層はスピンコート法により形成するのがよい。
れる結晶性高分子材料は水またはアルコールを分散媒と
するエマルジョンからなり、該エマルジョンを塗布する
ことにより形成される。なお、前記記録層および反射率
維持層はスピンコート法により形成するのがよい。
【0021】前記記録層としての特性を低下させないよ
う、プラズマ処理等により表面を改質し、その上に反射
率維持層を形成するのがよい。プラズマ処理は、水との
接触角が50度以下となる程度に実施することが望まし
い。これにより均一で密着性の優れた反射率維持層を形
成することができ、記録層本来の反射率を損なうことな
く記録・再生特性の優れた有機光記録媒体が得られる。
う、プラズマ処理等により表面を改質し、その上に反射
率維持層を形成するのがよい。プラズマ処理は、水との
接触角が50度以下となる程度に実施することが望まし
い。これにより均一で密着性の優れた反射率維持層を形
成することができ、記録層本来の反射率を損なうことな
く記録・再生特性の優れた有機光記録媒体が得られる。
【0022】また、本発明の光記録媒体の記録・再生に
使用される半導体レーザー光の波長は400〜1000
nmが望ましい。
使用される半導体レーザー光の波長は400〜1000
nmが望ましい。
【0023】前記記録層材料としては、ナフタロシアニ
ン系色素、フタロシアニン系色素が耐光性および耐湿性
の点で望ましい。
ン系色素、フタロシアニン系色素が耐光性および耐湿性
の点で望ましい。
【0024】また、前記反射率維持層材料としては、結
晶性を示す有機高分子材料、特にポリエチレン、ナイロ
ン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリスチレン等が選ばれる。な
お、結晶性高分子は結晶性が高くなるほど透明度が低下
(高分子材料:29頁:オーム社発行)し、また、情報
を記録するピットの形成のレーザー光の出力等を考慮す
ると、その膜厚は0.5〜1.5μmが望ましい。
晶性を示す有機高分子材料、特にポリエチレン、ナイロ
ン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリスチレン等が選ばれる。な
お、結晶性高分子は結晶性が高くなるほど透明度が低下
(高分子材料:29頁:オーム社発行)し、また、情報
を記録するピットの形成のレーザー光の出力等を考慮す
ると、その膜厚は0.5〜1.5μmが望ましい。
【0025】また、図2に示すように、前記記録層2と
前記反射率維持層3との間に両者の密着性向上のため、
水性のカップリング剤からなる密着層6を設けるのが好
ましい。
前記反射率維持層3との間に両者の密着性向上のため、
水性のカップリング剤からなる密着層6を設けるのが好
ましい。
【0026】
【作用】本発明による反射率維持層が反射率の維持と記
録層の保護と云う両特性が、なぜ発現するのかその理由
は明らかではない。結晶性高分子の膜中では結晶質の部
分と非晶質の部分が混在しているため、屈折率の分布が
生じている。この分布が反射率維持層の上記の特異な特
性を発現する原因ではないかと考える。
録層の保護と云う両特性が、なぜ発現するのかその理由
は明らかではない。結晶性高分子の膜中では結晶質の部
分と非晶質の部分が混在しているため、屈折率の分布が
生じている。この分布が反射率維持層の上記の特異な特
性を発現する原因ではないかと考える。
【0027】
〔実施例1〕化1式で示されるテトラキス(n−オクチ
ルオキシカルボニル)−ビス−(トリブチルシロキシ)ゲ
ルマニウムナフタロシアニン色素を四塩化炭素に溶解
し、濃度0.7重量%の溶液を調製した。
ルオキシカルボニル)−ビス−(トリブチルシロキシ)ゲ
ルマニウムナフタロシアニン色素を四塩化炭素に溶解
し、濃度0.7重量%の溶液を調製した。
【0028】
【化1】
【0029】厚さ1.2mm×外径130mm×内径1
5mmの板にピッチ1.6μm×深さ90nmのスパイ
ラル状の溝が形成されたポリカーボネート製の基板1
を、溝面を上にしてスピンコータに取付け、2000r
pmで回転させながら、上記溶液を該基板1上に滴下し
てスピンコートし、記録層2を形成した。該記録層2の
膜厚は0.07μmであった。
5mmの板にピッチ1.6μm×深さ90nmのスパイ
ラル状の溝が形成されたポリカーボネート製の基板1
を、溝面を上にしてスピンコータに取付け、2000r
pmで回転させながら、上記溶液を該基板1上に滴下し
てスピンコートし、記録層2を形成した。該記録層2の
膜厚は0.07μmであった。
【0030】この記録層2の表面は若干はっ水性を有す
るので、反射率が低下しない程度に窒素プラズマ処理を
行い、表面を親水性に改質した。改質された記録層表面
の水の接触角は50度以下であり、記録層の反射率の低
下は5%以下であった。
るので、反射率が低下しない程度に窒素プラズマ処理を
行い、表面を親水性に改質した。改質された記録層表面
の水の接触角は50度以下であり、記録層の反射率の低
下は5%以下であった。
【0031】次に、ナイロンのエマルジョンであるトレ
ジンF−30(帝国化学産業製)をメタノール7部、水
3部の混合溶剤で20%に希釈し、これを記録層2の場
合と同様にスピンコートした。塗布された基板を100
℃,1時間乾燥し、記録層2上に膜厚1.2μmの反射
率維持層3を形成した。
ジンF−30(帝国化学産業製)をメタノール7部、水
3部の混合溶剤で20%に希釈し、これを記録層2の場
合と同様にスピンコートした。塗布された基板を100
℃,1時間乾燥し、記録層2上に膜厚1.2μmの反射
率維持層3を形成した。
【0032】上記の光記録媒体を所定の寸法に切断し、
分光光度計(日立製:340型)により反射率を測定し
たところ、830nmの波長における反射率は30%で
あった。また、反射率維持層単独膜(膜厚1.2μm)
の400〜1000nmの波長領域での透過率は97%
であった。
分光光度計(日立製:340型)により反射率を測定し
たところ、830nmの波長における反射率は30%で
あった。また、反射率維持層単独膜(膜厚1.2μm)
の400〜1000nmの波長領域での透過率は97%
であった。
【0033】該光記録媒体を光学評価装置(ナカミチ
製:OMS−2000型)を用いて、図1に示すように
基板1の裏側からレーザー光5を照射し、集光レンズ4
で記録層2に集光して光学特性を評価した。その結果、
記録周波数3.7MHz、デユーティ比50:50、記
録レーザーのパワー6mWで記録し、再生レーザーのパ
ワー1mWで、CN比が53dBであった。
製:OMS−2000型)を用いて、図1に示すように
基板1の裏側からレーザー光5を照射し、集光レンズ4
で記録層2に集光して光学特性を評価した。その結果、
記録周波数3.7MHz、デユーティ比50:50、記
録レーザーのパワー6mWで記録し、再生レーザーのパ
ワー1mWで、CN比が53dBであった。
【0034】また、レーザーパワー1mWにおけるバイ
トエラー特性は、1×106回以上でもエラー無しと確
認された。
トエラー特性は、1×106回以上でもエラー無しと確
認された。
【0035】上記の特性評価結果は、反射率維持層3を
形成しない場合とほゞ同じであることを確認した。前記
光記録媒体の塗布面に表面性測定装置(ヘイドン製:1
4D型)を用い、10gの荷重を乗せた直径10mm鋼
球を接触させ、30m/分の速度で掃引させ耐擦過性を
調べたところ、傷跡深さは0.1μmで、反射率維持層
3が十分に記録層2の保護層として効果があることが分
かった。ちなみに、前記トレジンF−30膜をX線回折
装置(理学電機製:RU200型)で40kV、200
mA、Cuターゲットと云う条件でX線回折したとこ
ろ、回折角20.2度に強度2.5kcpsの結晶のピー
クがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
形成しない場合とほゞ同じであることを確認した。前記
光記録媒体の塗布面に表面性測定装置(ヘイドン製:1
4D型)を用い、10gの荷重を乗せた直径10mm鋼
球を接触させ、30m/分の速度で掃引させ耐擦過性を
調べたところ、傷跡深さは0.1μmで、反射率維持層
3が十分に記録層2の保護層として効果があることが分
かった。ちなみに、前記トレジンF−30膜をX線回折
装置(理学電機製:RU200型)で40kV、200
mA、Cuターゲットと云う条件でX線回折したとこ
ろ、回折角20.2度に強度2.5kcpsの結晶のピー
クがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
【0036】〔実施例2〕実施例1の基板1を用い、化
2式で示すフタロシアニン色素の1.0重量%四塩化炭
素溶液を用いて、実施例1と同様にして基板1上にスピ
ンコートし記録層2を形成した。
2式で示すフタロシアニン色素の1.0重量%四塩化炭
素溶液を用いて、実施例1と同様にして基板1上にスピ
ンコートし記録層2を形成した。
【0037】
【化2】
【0038】上記の記録層2の膜厚は0.1μmであっ
た。次に、実施例1と同様にポリエチレンエマルジョン
のエレンゾールN−31(昭和高分子製)を水で20%
に希釈し、これを記録層2上に塗布し、反射率維持層3
を形成した。該反射率維持層3の膜厚は0.8μmであ
った。
た。次に、実施例1と同様にポリエチレンエマルジョン
のエレンゾールN−31(昭和高分子製)を水で20%
に希釈し、これを記録層2上に塗布し、反射率維持層3
を形成した。該反射率維持層3の膜厚は0.8μmであ
った。
【0039】上記光記録媒体の分光光度計で調べた最大
反射率ピークは波長780nmにあり、その反射率は3
4%であった。反射率維持層単独膜(膜厚0.8μm)
の400〜1000nmの波長領域での透過率は98%
であった。
反射率ピークは波長780nmにあり、その反射率は3
4%であった。反射率維持層単独膜(膜厚0.8μm)
の400〜1000nmの波長領域での透過率は98%
であった。
【0040】上記光記録媒体を用いて、実施例1と同様
に光学特性および耐擦過特性を評価したところ、6mW
でCN比が52dB、バイトエラーは1mWで1×10
6回以上、また、傷跡深さは0.1μmであり、十分に記
録層2を保護できることが分かった。特に、光学特性は
反射率維持層3の無い場合と同程度の値を示す。ちなみ
に、前記エレンゾールN−31の膜をX線回折で調べた
ところ回折角21.5度に強度2.1kcpsの結晶のピ
ークがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
に光学特性および耐擦過特性を評価したところ、6mW
でCN比が52dB、バイトエラーは1mWで1×10
6回以上、また、傷跡深さは0.1μmであり、十分に記
録層2を保護できることが分かった。特に、光学特性は
反射率維持層3の無い場合と同程度の値を示す。ちなみ
に、前記エレンゾールN−31の膜をX線回折で調べた
ところ回折角21.5度に強度2.1kcpsの結晶のピ
ークがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
【0041】〔実施例3〕実施例1と同様に記録層2を
基板1に形成し、ポリエステルのエマルジョンであるガ
ブセンES−9020(帝国化学産業製)を水で20%
に希釈し、記録層2上に実施例1と同様に形成し、1.
1μmの膜厚の反射率維持層3を得た。このディスクを
実施例1と同様に評価したところ、反射率が23%、透
過率が91%、CN比が48dB、バイトエラーが1×
106回以上でエラー無であった。また、耐擦過性試験
の結果、傷跡深さは0.1μmで記録層2を十分保護で
きる反射率維持層3であることを確認した。また、X線
回折結果も、回折角20.5度に強度2.9kcpsの結
晶ピークがみられ、結晶性高分子であることを確認し
た。
基板1に形成し、ポリエステルのエマルジョンであるガ
ブセンES−9020(帝国化学産業製)を水で20%
に希釈し、記録層2上に実施例1と同様に形成し、1.
1μmの膜厚の反射率維持層3を得た。このディスクを
実施例1と同様に評価したところ、反射率が23%、透
過率が91%、CN比が48dB、バイトエラーが1×
106回以上でエラー無であった。また、耐擦過性試験
の結果、傷跡深さは0.1μmで記録層2を十分保護で
きる反射率維持層3であることを確認した。また、X線
回折結果も、回折角20.5度に強度2.9kcpsの結
晶ピークがみられ、結晶性高分子であることを確認し
た。
【0042】〔実施例4〕実施例1と同様に記録層2を
基板1に形成し、ポリスチレンのエマルジョンであるポ
リゾールC−10(昭和高分子製)を水で20%に希釈
し、記録層2上に実施例1と同様に形成し、1.3μm
の反射率維持層3を形成した。このディスクを実施例1
と同様に評価したところ、反射率20.3%、透過率9
0%、CN比が48dB、バイトエラーが1×106回
以上でエラー無であった。また、耐擦過性試験の結果、
傷跡深さは0.15μmで記録層2を十分保護できる反
射率維持層3であることを確認した。また、X線回折結
果も、回折角19.6度に強度0.56kcpsの結晶ピ
ークがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
基板1に形成し、ポリスチレンのエマルジョンであるポ
リゾールC−10(昭和高分子製)を水で20%に希釈
し、記録層2上に実施例1と同様に形成し、1.3μm
の反射率維持層3を形成した。このディスクを実施例1
と同様に評価したところ、反射率20.3%、透過率9
0%、CN比が48dB、バイトエラーが1×106回
以上でエラー無であった。また、耐擦過性試験の結果、
傷跡深さは0.15μmで記録層2を十分保護できる反
射率維持層3であることを確認した。また、X線回折結
果も、回折角19.6度に強度0.56kcpsの結晶ピ
ークがみられ、結晶性高分子であることを確認した。
【0043】〔実施例5〕前記実施例1と同様に、基板
1上に記録層2を形成しプラズマ処理をした。実施例1
と同様に記録層2の上にスピンコータでアミノシランS
330(チッソ製)0.1gを水10gで希釈した溶液
で、図2に示す密着層6を形成した。この上にナイロン
エマルジョンのトレジンFS−500(帝国化学産業
製)をメタノール1部、水1部の混合溶剤で20%に希
釈した溶液で実施例1と同様に、膜厚1.1μmの反射
率維持層3を形成し、図2に示すようなディスクを作製
した。このディスクを実施例1と同様に評価したとこ
ろ、同じ結果が得られた。
1上に記録層2を形成しプラズマ処理をした。実施例1
と同様に記録層2の上にスピンコータでアミノシランS
330(チッソ製)0.1gを水10gで希釈した溶液
で、図2に示す密着層6を形成した。この上にナイロン
エマルジョンのトレジンFS−500(帝国化学産業
製)をメタノール1部、水1部の混合溶剤で20%に希
釈した溶液で実施例1と同様に、膜厚1.1μmの反射
率維持層3を形成し、図2に示すようなディスクを作製
した。このディスクを実施例1と同様に評価したとこ
ろ、同じ結果が得られた。
【0044】次に、外径26mm×厚さ1.2mmのポ
リカーボネート基板1に前記図2のよう反射率維持層3
を形成し、その表面をスーパーテープT−H12(コク
ヨ製)を用いて剥離試験を行ったところ、FS−500
単体よりも若干密着性が向上した。ちなみに、前記トレ
ジンFS−500膜をX線回折で調べたところ、回折角
20.5度のところに強度1.2kcpsの結晶のピーク
がみられ、結晶性高分子であることを確認した。
リカーボネート基板1に前記図2のよう反射率維持層3
を形成し、その表面をスーパーテープT−H12(コク
ヨ製)を用いて剥離試験を行ったところ、FS−500
単体よりも若干密着性が向上した。ちなみに、前記トレ
ジンFS−500膜をX線回折で調べたところ、回折角
20.5度のところに強度1.2kcpsの結晶のピーク
がみられ、結晶性高分子であることを確認した。
【0045】〔比較例1〕前記実施例1で用いた化1式
で示す色素の0.7重量%四塩化炭素溶液を調製し、基
板1上に記録層2を形成した。該記録層2の膜厚は0.
07μmで、最大反射率は波長820nmで38%であ
る。
で示す色素の0.7重量%四塩化炭素溶液を調製し、基
板1上に記録層2を形成した。該記録層2の膜厚は0.
07μmで、最大反射率は波長820nmで38%であ
る。
【0046】この記録層2の上に水性のポリアクリレー
トラテックス20%水溶液(特公平3−78699号)
を用いて、前記実施例1と同様に膜厚0.6μmの保護
層を形成した。該保護層を形成した記録媒体の最大反射
率は、波長900nm付近で10%程度であり、ピーク
もブロードであった。保護膜単体の膜厚0.6μmの4
00〜1000nmの波長領域での透過率は98%であ
った。反射率が小さいため、光学特性の測定ができなか
った。ちなみに、前記ポリアクリレートラテックス膜を
X線回折で調べたところ、回折角28.5度で、X線強
度が0.25kcpsで非常に小さい結晶のピークがみ
られ、極めて結晶度が小さい高分子膜であることを確認
した。
トラテックス20%水溶液(特公平3−78699号)
を用いて、前記実施例1と同様に膜厚0.6μmの保護
層を形成した。該保護層を形成した記録媒体の最大反射
率は、波長900nm付近で10%程度であり、ピーク
もブロードであった。保護膜単体の膜厚0.6μmの4
00〜1000nmの波長領域での透過率は98%であ
った。反射率が小さいため、光学特性の測定ができなか
った。ちなみに、前記ポリアクリレートラテックス膜を
X線回折で調べたところ、回折角28.5度で、X線強
度が0.25kcpsで非常に小さい結晶のピークがみ
られ、極めて結晶度が小さい高分子膜であることを確認
した。
【0047】〔比較例2〕実施例1と同様に基板1に記
録層2を形成し、該記録層2の上に反射率維持層3を形
成した。但し、反射率維持層3はF−30の50%を用
いて膜厚3.4μmに形成した。該記録媒体の反射率は
13%、透過率は85%であった。
録層2を形成し、該記録層2の上に反射率維持層3を形
成した。但し、反射率維持層3はF−30の50%を用
いて膜厚3.4μmに形成した。該記録媒体の反射率は
13%、透過率は85%であった。
【0048】光特性では6mWの記録レーザーパワーで
は記録されないため15mWで記録した。再生光レーザ
ーパワー1mWでCN比は36dB、バイトエラーは1
×104回であった。耐擦過性は満足できるものゝ、X
線回折では回折角20.2度に強度3.6kcpsを示す
結晶性高分子であることを確認した。しかし、あまりに
も膜厚が大きいため、上記のように反射率、透過率が低
下し、光記録・再生特性でも高パワーを要する割には、
低CN比である。
は記録されないため15mWで記録した。再生光レーザ
ーパワー1mWでCN比は36dB、バイトエラーは1
×104回であった。耐擦過性は満足できるものゝ、X
線回折では回折角20.2度に強度3.6kcpsを示す
結晶性高分子であることを確認した。しかし、あまりに
も膜厚が大きいため、上記のように反射率、透過率が低
下し、光記録・再生特性でも高パワーを要する割には、
低CN比である。
【0049】前記の実施例及び比較例のX線強度と反射
率との関係を纏めて図3に示した。図の横軸は反射率維
持層3の結晶性の目安であるX線強度を示し、縦軸はデ
ィスクの反射率を示している。現在、市販されている光
学評価装置で検出できる反射率は20%である。結晶性
高分子としてこれ以上の反射率を得るには、X線強度で
0.5〜3kcpsが望ましい。
率との関係を纏めて図3に示した。図の横軸は反射率維
持層3の結晶性の目安であるX線強度を示し、縦軸はデ
ィスクの反射率を示している。現在、市販されている光
学評価装置で検出できる反射率は20%である。結晶性
高分子としてこれ以上の反射率を得るには、X線強度で
0.5〜3kcpsが望ましい。
【0050】
【発明の効果】本発明の結晶性高分子膜からなる反射率
維持層は、厚膜化しても極大反射率を維持することがで
きる有機光記録媒体が得られる。また、前記反射率維持
層は記録層の損傷や汚染等を防ぐ保護層を兼ねるので、
取扱い時の信頼性が高い有機光記録媒体を提供すること
ができる。
維持層は、厚膜化しても極大反射率を維持することがで
きる有機光記録媒体が得られる。また、前記反射率維持
層は記録層の損傷や汚染等を防ぐ保護層を兼ねるので、
取扱い時の信頼性が高い有機光記録媒体を提供すること
ができる。
【図1】本発明の一実施例である光記録媒体の部分模式
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の他の一実施例である光記録媒体の部分
模式断面図である。
模式断面図である。
【図3】結晶性の目安であるX線強度と反射率との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
1…基板、2…記録層、3…反射率移動層、4…集光レ
ンズ、5…レーザー光、6…密着層。
ンズ、5…レーザー光、6…密着層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今関 周治 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 村尾 健二 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (12)
- 【請求項1】 基板上に光による情報記録が可能な有機
光記録材料からなる記録層と、該記録層上に記録層の極
大反射率を維持する反射率維持層を設けた有機光記録媒
体であって、前記反射率維持層が結晶性高分子材料で形
成されていることを特徴とする有機光記録媒体。 - 【請求項2】 基板上に光による情報記録が可能な有機
光記録材料からなる記録層と、該記録層上に記録層の極
大反射率を維持する反射率維持層を設けた有機光記録媒
体であって、前記反射率維持層が42kV,200m
A,銅ターゲットによるX線回折した場合、結晶ピーク
が回折角15〜25度に強度が0.5〜3kcpsであ
る結晶性高分子材料で形成されていることを特徴とする
有機光記録媒体。 - 【請求項3】 前記反射率維持層の厚さが100μmの
場合、400〜1000nmの波長領域において、透過
率が80〜95%である請求項1または2に記載の有機
光記録媒体。 - 【請求項4】 前記反射率維持層の厚さが0.5〜1.5
μmで400〜1000nmの波長領域において、透過
率が90〜98%の結晶性高分子で形成されている請求
項1または2に記載の有機光記録媒体。 - 【請求項5】 前記反射率維持層がポリエチレン、ナイ
ロン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリスチレンの結晶性高分子のい
ずれかで形成されている請求項1〜4に記載の有機光記
録媒体。 - 【請求項6】 前記記録層と前記反射率維持層との間に
両者の密着性を向上させる密着層が設けられている請求
項1〜5に記載の有機光記録媒体。 - 【請求項7】 前記記録層が波長400〜1000nm
半導体レーザ光で光記録可能な光特性を有する請求項1
〜6に記載の有機光記録媒体。 - 【請求項8】 前記記録層がナフタロシアニン系色素ま
たはフタロシアニン系色素を含む請求項7に記載の有機
光記録媒体。 - 【請求項9】 基板上に光による情報記録が可能な有機
光記録材料からなる記録層を塗布し、該記録層上に記録
層の極大反射率を維持する反射率維持層を塗布した有機
光記録媒体の製法において、前記反射率維持層は結晶性
高分子材料の水またはアルコール系溶媒を用いたエマル
ジョンを塗布することを特徴とする有機光記録媒体の製
法。 - 【請求項10】 前記記録層および反射率維持層のそれ
ぞれをスピンコート法により形成する請求項9に記載の
有機光記録媒体の製法。 - 【請求項11】 前記記録層表面を水との接触角が50
度以下となるよう改質し、その上に前記反射率維持層を
形成する請求項9または10に記載の有機光記録媒体の
製法。 - 【請求項12】 前記記録層表面の改質手段がプラズマ
処理である請求項11に記載の有機光記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251201A JPH06103606A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 有機光記録媒体とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251201A JPH06103606A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 有機光記録媒体とその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103606A true JPH06103606A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17219196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4251201A Pending JPH06103606A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 有機光記録媒体とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103606A (ja) |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4251201A patent/JPH06103606A/ja active Pending
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