JPH0610360U - Ion implanter - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 真空状態にされたターゲットチャンバ２内で
イオン注入処理されたウエハ６は、真空状態のエアロッ
クチャンバ１内に搬入される。この後、ウエハ６を大気
側に搬出するため、エアロックチャンバ１はＮ2 ガスで
ベントされるが、このベント開始時に、シンクロトロン
放射装置１１より７０〜１１０ｎｍの波長の放射光がＮ
2 ガスに照射される。
【効果】 上記放射光の照射によりＮ2 分子がイオン化
され、このとき生成された正イオン（Ｎ2 + ）あるいは
Ｎ2 分子から放出された電子により、ウエハ６の帯電面
の電荷が中和されるので、静電気によるウエハ６表面へ
のパーティクルの付着が防止される。
(57) [Summary] [Structure] The wafer 6 which has been subjected to the ion implantation process in the target chamber 2 in a vacuum state is carried into the airlock chamber 1 in a vacuum state. Thereafter, since the wafer 6 is carried out to the atmosphere side, the airlock chamber 1 is vented with N 2 gas. At the start of the venting, the synchrotron radiation device 11 emits the radiated light with the wavelength of 70 to 110 nm to N 2
Irradiated with 2 gases. [Effect] N 2 molecules are ionized by the irradiation of the synchrotron radiation, and the positive ions (N 2 + ) generated at this time or the electrons emitted from the N 2 molecules neutralize the charge on the charged surface of the wafer 6. Therefore, particles are prevented from adhering to the surface of the wafer 6 due to static electricity.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、ウエハに不純物イオンを注入するイオン注入装置に関し、特に、イ オン注入処理が行われるターゲットチャンバに隣接して設けられ、注入処理済の ウエハが搬入されるエアロックチャンバを備えているイオン注入装置に関するも のである。 The present invention relates to an ion implantation apparatus for implanting impurity ions into a wafer, and more particularly, it is provided with an airlock chamber that is provided adjacent to a target chamber in which ion implantation processing is performed and into which an implanted wafer is loaded. It concerns ion implanters.
【０００２】[0002]
イオン注入装置は、不純物をイオン化した後、これを磁界を用いた質量分析法 により選択的に取り出してイオンビームとし、ウエハに照射することで、ウエハ 内に不純物を注入するものであり、半導体プロセスにおいてデバイスの特性を決 定する不純物を任意の量および深さに制御性良く注入できることから、現在の集 積回路の製造に重要な装置になっている。 Ion implanters implant impurities into the wafer by ionizing the impurities and then selectively extracting them by mass spectrometry using a magnetic field to form an ion beam and irradiating the wafer with the impurities. Since the impurities that determine the characteristics of the device can be injected into an arbitrary amount and depth with good controllability, it is an important device for manufacturing the current integrated circuit.
【０００３】 上記イオン注入装置では、ウエハへのイオンビームの照射は、高真空状態のタ ーゲットチャンバにおいて行われる。従って、ターゲットチャンバは、イオン注 入時に高真空状態である必要があり、ウエーハの搬入時および搬出時にターゲッ トチャンバの真空度が低下した場合には、真空ポンプ等によって高真空状態に復 帰させた後にイオン注入を行なうことが必要になる。In the above ion implantation apparatus, the irradiation of the wafer with the ion beam is performed in a target chamber in a high vacuum state. Therefore, the target chamber needs to be in a high vacuum state at the time of ion implantation, and when the vacuum degree of the target chamber is lowered at the time of wafer loading and unloading, it is restored to a high vacuum state by a vacuum pump or the like. It becomes necessary to perform ion implantation later.
【０００４】 ところが、ターゲットチャンバを高真空状態に復帰させながらイオン注入を行 なった場合には、ターゲットチャンバが大きな容積を有し、高真空状態への復帰 に長時間を要するため、生産性の低下を招来することになる。そこで、ターゲッ トチャンバの搬入搬出部には、小さな容積のエアロックチャンバが設けられてお り、このエアロックチャンバの内部状態を大気圧と真空とに選択的に切り換える ことにより、ターゲットチャンバ内を常に真空状態に保ったまま、大気側のウエ ハをターゲットチャンバ内に搬入したり、注入処理されたウエハをターゲットチ ャンバから大気側へ取り出すことができるようになっている。However, when ion implantation is performed while returning the target chamber to the high vacuum state, the target chamber has a large volume, and it takes a long time to return to the high vacuum state, which results in high productivity. Will lead to a decline. Therefore, an airlock chamber with a small volume is provided at the loading / unloading part of the target chamber, and by selectively switching the internal state of this airlock chamber between atmospheric pressure and vacuum, the inside of the target chamber is always kept. With the vacuum kept, the wafer on the atmosphere side can be loaded into the target chamber, and the implanted wafer can be taken out from the target chamber to the atmosphere side.
【０００５】[0005]
ところで、上記エアロックチャンバの内部には、微細な塵（パーティクル）が 多数存在している。パーティクルが発生する原因としては、例えば、ウエハのエ アロックチャンバへの搬入出の際、ウエハの表面に塗布されているレジストが擦 れて剥離したり、あるいは外部（大気側）からパーティクルが侵入すること等が 考えられる。また、エアロックチャンバが真空状態から大気圧状態へと戻される とき、通常、窒素ガスでベントされるが、このベント時にも発塵がある。 By the way, a large number of fine dust (particles) exist inside the airlock chamber. The cause of generation of particles is, for example, when the wafer is carried in and out of the air lock chamber, the resist applied to the surface of the wafer is rubbed and peeled off, or the particles enter from the outside (atmosphere side). Things can be considered. Further, when the airlock chamber is returned from the vacuum state to the atmospheric pressure state, it is normally vented with nitrogen gas, but dust is also generated during this venting.
【０００６】 また、半導体であるウエハの表面は、ターゲットチャンバ内でのイオン注入処 理により帯電する。この帯電されたウエハは、静電気力により帯電表面へ微細な 塵（パーティクル）が付着し易い状態となる。そして、注入処理後、帯電されて パーティクルが付着され易い状態のウエハは、エアロックチャンバ内に搬入され ることになるが、上記のようにエアロックチャンバの内部にはパーティクルが多 数存在しているため、静電気によるウエハ表面へのパーティクルの付着は免れな い。Further, the surface of the semiconductor wafer is charged by the ion implantation process in the target chamber. This charged wafer is in a state in which fine dust (particles) easily adheres to the charged surface due to electrostatic force. After the implantation process, a wafer that is charged and particles are likely to adhere to it is carried into the airlock chamber.However, as described above, many particles exist inside the airlock chamber. Therefore, particles must be attached to the wafer surface due to static electricity.
【０００７】 上記ウエハへのパーティクルの付着は、製品の品質や歩留りに著しい悪影響を 及ぼす。特に、最近においては、ウエハの素子構造が微細化され、パーティクル のウエハへの付着低減が極めて重要視されている。The adhesion of particles to the wafer has a significant adverse effect on product quality and yield. Particularly, in recent years, the device structure of the wafer has been miniaturized, and reduction of adhesion of particles to the wafer has been very important.
【０００８】 本考案は、上記に鑑みなされたものであり、その目的は、静電気によるウエハ 表面へのパーティクルの付着を防止することが可能なイオン注入装置を提供する ことにある。The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide an ion implantation apparatus capable of preventing particles from adhering to the wafer surface due to static electricity.
【０００９】[0009]
本考案のイオン注入装置は、上記の課題を解決するために、高真空状態のイオ ン注入処理室を形成するターゲットチャンバと、このターゲットチャンバの搬入 出部に設けられ、窒素ガスによりベントが行われるエアロックチャンバとを備え 、上記エアロックチャンバ内を真空状態と大気状態とに選択的に切り替えること により、イオン注入処理室を高真空状態に保持したままイオン注入処理室へのウ エハの搬入出を行うイオン注入装置であって、以下の手段を講じている。 In order to solve the above problems, the ion implantation apparatus of the present invention is provided in a target chamber forming an ion implantation processing chamber in a high vacuum state, and a loading / unloading portion of the target chamber, and venting is performed by nitrogen gas. The air lock chamber is equipped with an air lock chamber, and by selectively switching the inside of the air lock chamber between a vacuum state and an atmospheric state, the wafer is carried into the ion implantation processing chamber while the ion implantation processing chamber is kept in a high vacuum state. This is an ion implantation apparatus for taking out, and the following means are taken.
【００１０】 即ち、上記エアロックチャンバにおけるベント中に、７０〜１１０ｎｍの波長 の光をエアロックチャンバ内に流入する窒素ガスに照射する光照射手段を備えて いる。That is, the vent in the airlock chamber is provided with a light irradiation means for irradiating nitrogen gas flowing into the airlock chamber with light having a wavelength of 70 to 110 nm.
【００１１】[0011]
上記の構成によれば、高真空状態のイオン注入処理室においてイオン注入処理 が行われたウエハは、帯電してパーティクルが付着し易い状態で、真空状態のエ アロックチャンバ内に搬入される。この後、上記注入処理済ウエハを大気側に搬 出するため、エアロックチャンバを窒素ガスでベントしてチャンバ内を大気状態 に戻すのであるが、このベント開始時には、光照射手段から７０〜１１０ｎｍの 波長の光が発され、この光がエアロックチャンバ内に流入する窒素ガスに照射さ れる。これにより、窒素分子がイオン化し、Ｎ2 + が生成される。上記注入処理 済ウエハが正に帯電している場合、窒素分子から放出された電子がウエハの帯電 面の電荷を中和する一方、上記ウエハが負に帯電している場合、Ｎ2 + がウエハ の帯電面の電荷を中和する。このように、エアロックチャンバ内において注入処 理済ウエハが除電されるので、静電気によるウエハ表面へのパーティクルの付着 が防止される。According to the above configuration, the wafer that has undergone the ion implantation process in the ion implantation chamber in the high vacuum state is loaded into the air lock chamber in the vacuum state in a state where the wafer is electrically charged and particles are easily attached. After that, in order to carry out the implantation-processed wafer to the atmosphere side, the airlock chamber is vented with nitrogen gas to return the inside of the chamber to the atmospheric state. At the start of the venting, 70 to 110 nm is emitted from the light irradiation means. Light having a wavelength of is emitted, and this light is applied to the nitrogen gas flowing into the airlock chamber. As a result, nitrogen molecules are ionized and N 2 + is produced. If the implanted wafer is positively charged, the electrons emitted from the nitrogen molecules neutralize the charge on the charged surface of the wafer, while if the wafer is negatively charged, N 2 + is Neutralizes the charge on the charged surface of. In this way, since the implantation-processed wafer is neutralized in the airlock chamber, particles are prevented from adhering to the wafer surface due to static electricity.
【００１２】[0012]
本考案の一実施例について図１に基づいて説明すれば、以下の通りである。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１３】 本実施例に係るイオン注入装置は、エンドステーションにイオン注入処理室を 形成するターゲットチャンバを備えている。ウエハは高真空状態に保たれた上記 イオン注入処理室内のウエハ保持部材に保持されて、イオンビームの照射を受け るようになっている。The ion implantation apparatus according to this embodiment includes a target chamber that forms an ion implantation processing chamber at the end station. The wafer is held by a wafer holding member in the ion implantation processing chamber kept in a high vacuum state, and is irradiated with an ion beam.
【００１４】 図１に示すように、上記エアロックチャンバ１は、上記ターゲットチャンバ２ の搬入出部２ａに隣接して設けられている。上記エアロックチャンバ１のターゲ ットチャンバ２側の搬入出部１ｂには、ゲートバルブ４が設けられており、両チ ャンバ１・２間のウエハ６の移動は、このゲートバルブ４を介して行われる。As shown in FIG. 1, the airlock chamber 1 is provided adjacent to the loading / unloading part 2 a of the target chamber 2. A gate valve 4 is provided at the loading / unloading part 1b of the air lock chamber 1 on the target chamber 2 side, and the movement of the wafer 6 between the chambers 1 and 2 is performed via the gate valve 4. .
【００１５】 また、エアロックチャンバ１の大気側の搬入出部１ｃには、チャンバ内と大気 側とを隔離するためのフラップバルブ３が設けられており、カセット５に装着さ れたウエハ６…の大気側への搬出、および大気側からエアロック室１への搬入は 、このフラップバルブ３を介して行なわれる。Further, a flap valve 3 for isolating the inside of the chamber from the atmosphere side is provided at the atmosphere side loading / unloading section 1c of the airlock chamber 1, and the wafers 6 mounted on the cassette 5 ... Is carried out through the flap valve 3 to the atmosphere side and to the air lock chamber 1 from the atmosphere side.
【００１６】 上記エアロックチャンバ１内の複数のウエハ６…が装着されたカセット５は、 カセット昇降機構９に駆動されて上下移動するようになっている。このカセット 昇降機構９は、エアロック室１の外からカセット５の上下駆動を行うものであり 、駆動モータ９ａに駆動されて上下に移動する駆動軸９ｂは、Ｏリングにより軸 シールが施されたエアロック室１の底壁を貫通してエアロック室１内へと延びて おり、駆動軸９ｂの軸端には、カセット５が載置されるステージ９ｃが設けられ ている。The cassette 5 in which a plurality of wafers 6 in the air lock chamber 1 are mounted is driven by a cassette elevating mechanism 9 to move up and down. The cassette lifting mechanism 9 drives the cassette 5 up and down from the outside of the airlock chamber 1. The drive shaft 9b driven by the drive motor 9a to move up and down is sealed by an O-ring. It extends through the bottom wall of the airlock chamber 1 into the airlock chamber 1, and a stage 9c on which the cassette 5 is placed is provided at the shaft end of the drive shaft 9b.
【００１７】 上記エアロックチャンバ１の底部には、真空排気を行う真空ポンプ１５とつな がる真空排気バルブ８が設けられている。また、上記エアロックチャンバ１の上 部には、Ｎ2 ガス供給部１０と接続されているベントバルブ７が取り付けられて おり、ベントバルブ７を開くことにより、ガス流入口１ａよりＮ2 ガスがエアロ ックチャンバ１内に流入するようになっている。At the bottom of the airlock chamber 1, a vacuum exhaust valve 8 connected to a vacuum pump 15 for vacuum exhausting is provided. Further, in the upper portion of the air lock chamber 1, and the vent valve 7 is attached which is connected to the N 2 gas supply unit 10, by opening the vent valve 7, the N 2 gas from the gas inlet 1a It is designed to flow into the air chamber 1.
【００１８】 また、エアロックチャンバ１の上部には、上記ガス流入口１ａよりチャンバ内 に流入するＮ2 ガスに７０〜１１０ｎｍの波長のシンクロトロン軌道放射光（以 下、放射光と称する）を照射するシンクロトロン放射管を備えたシンクロトロン 放射装置（光照射手段）１１が設けられている。尚、図中では、シンクロトロン 放射装置１１がエアロックチャンバ１外に設けられ、チャンバ壁に形成された貫 通孔を通して放射光を照射するようになっているが、シンクロトロン放射装置１ １は、エアロックチャンバ１内に設けられていてもよい。また、放射光が直接ウ エハ６に照射された場合、ウエハ６表面が荒れたり、ウエハ６に塗布されている レジストが焼損するので、シンクロトロン放射装置１１は、放射光が直接ウエハ ６へ照射されないように設置する必要がある。Further, in the upper part of the airlock chamber 1, synchrotron orbital radiation (hereinafter referred to as radiation) having a wavelength of 70 to 110 nm is introduced into the N 2 gas flowing into the chamber through the gas inlet 1a. A synchrotron radiation device (light irradiation means) 11 having a synchrotron radiation tube for irradiation is provided. In the figure, a synchrotron radiation device 11 is provided outside the airlock chamber 1 and radiates radiated light through a through hole formed in the chamber wall, but the synchrotron radiation device 11 is , May be provided in the airlock chamber 1. Moreover, when the wafer 6 is directly irradiated with the radiated light, the surface of the wafer 6 is roughened or the resist applied to the wafer 6 is burned. Therefore, the synchrotron radiation device 11 irradiates the wafer 6 directly with the radiated light. It is necessary to install so that it will not be done.
【００１９】 また、エアロックチャンバ１の外部には、カセット５のエアロックチャンバ１ への搬入出を行う大気側ロボットアーム（図示せず）が設けられていると共に、 ターゲットチャンバ２内には、エアロックチャンバ１とターゲットチャンバ２と の間のウエハ６の搬送を行う真空側ロボットアーム（図示せず）が設けられてい る。これらのロボットアームは、アームの旋回とフォークの伸縮動作とによりウ エハ６の搬送を行うようになっている。Further, an atmosphere side robot arm (not shown) for loading / unloading the cassette 5 to / from the airlock chamber 1 is provided outside the airlock chamber 1, and inside the target chamber 2, A vacuum side robot arm (not shown) for carrying the wafer 6 between the airlock chamber 1 and the target chamber 2 is provided. These robot arms carry the wafer 6 by rotating the arms and expanding and contracting the forks.
【００２０】 また、イオン注入装置のホストコンピュータは、上記のロボットアーム、フラ ップバルブ３、ゲートバルブ４、ベントバルブ７、真空排気バルブ８、カセット 昇降機構９、真空ポンプ１５、およびシンクロトロン放射装置１１の各動作を制 御して、ウエハ６のターゲットチャンバ２への搬入出を自動的に行わせるように なっている。Further, the host computer of the ion implantation apparatus includes the robot arm, flap valve 3, gate valve 4, vent valve 7, vacuum exhaust valve 8, cassette lifting mechanism 9, vacuum pump 15, and synchrotron radiation device 11 described above. By controlling each of the above operations, the loading / unloading of the wafer 6 to / from the target chamber 2 is automatically performed.
【００２１】 上記のロボットアーム、フラップバルブ３、ゲートバルブ４、ベントバルブ７ 、真空排気バルブ８、カセット昇降機構９、真空ポンプ１５、およびシンクロト ロン放射装置１１の各動作は、イオン注入装置のホストコンピュータによって制 御され、ウエハ６のターゲットチャンバ２への搬入出は自動的に行われる。この エアロックチャンバ１を介して行われるウエハ６のターゲットチャンバ２への搬 入出動作を以下に説明する。Each operation of the robot arm, flap valve 3, gate valve 4, vent valve 7, vacuum exhaust valve 8, cassette elevating mechanism 9, vacuum pump 15, and synchrotron radiation device 11 is performed by the host of the ion implantation device. It is controlled by a computer, and the loading and unloading of the wafer 6 to and from the target chamber 2 is automatically performed. The loading / unloading operation of the wafer 6 to / from the target chamber 2 through the airlock chamber 1 will be described below.
【００２２】 先ず、ゲートバルブ４が閉状態にされ、エアロックチャンバ１が図示しない真 空排気手段によって高真空状態にされることになる。この後、フラップバルブ３ が開かれて、複数のウエハ６…が装着されたカセット５が、大気側ロボットアー ムによってエアロック室１に搬入され、ステージ９ｃの上面に載置される。First, the gate valve 4 is closed, and the airlock chamber 1 is brought to a high vacuum state by a vacuum exhaust unit (not shown). After that, the flap valve 3 is opened, and the cassette 5 having the plurality of wafers 6 mounted thereon is carried into the airlock chamber 1 by the atmospheric side robot arm and placed on the upper surface of the stage 9c.
【００２３】 次に、フラップバルブ３が閉じられると共に、真空排気バルブ８が開かれ、真 空ポンプ１５によりエアロックチャンバ１内が真空状態にされる。この後、ゲー トバルブ４が開かれ、カセット昇降機構９によって、カセット５の高さが１ステ ップ上げられる毎に、真空側ロボットアームによって、ゲートバルブ４の高さと 一致するウエハ６が、カセット５から順次取り出され、ターゲットチャンバ２内 のウエハ保持部材（例えば、複数枚のウエハ６を保持可能な回転ディスク）にセ ットされる。この後、ゲートバルブ４が閉じられ、イオン注入処理が行なわれる 。 注入処理後は、ゲートバルブ４が開かれ、処理されたウエハ６…が、カセッ ト昇降機構９と同期して動作する真空側ロボットアームによって、カセット５の 元のスリットに戻される。尚、イオン注入処理されたウエハ６…の表面は帯電し ており、静電気力により微細な塵（パーティクル）が付着し易い状態になってい る。Next, the flap valve 3 is closed, the vacuum exhaust valve 8 is opened, and the air pump chamber 15 is evacuated by the vacuum pump 15. Thereafter, every time the gate valve 4 is opened and the cassette lifting mechanism 9 raises the height of the cassette 1 by one step, the vacuum side robot arm causes the wafer 6 that matches the height of the gate valve 4 to be transferred to the cassette. The wafers are sequentially taken out from the wafer 5 and set on a wafer holding member (for example, a rotating disk capable of holding a plurality of wafers 6) in the target chamber 2. After that, the gate valve 4 is closed and the ion implantation process is performed. After the implantation process, the gate valve 4 is opened, and the processed wafers 6 are returned to the original slits of the cassette 5 by the vacuum side robot arm that operates in synchronization with the cassette lifting mechanism 9. The surface of the ion-implanted wafer 6 is charged, and fine dust (particles) is easily attached to the surface due to electrostatic force.
【００２４】 この後、ゲートバルブ４が閉じられ、続いてベントバルブ７が開かれて、Ｎ2 ガスによるベントが開始される。このベントの開始と同時に、ガス流入口１ａよ り吐出されるＮ2 ガスに対して、シンクロトロン放射装置１１より放射光が照射 される。After this, the gate valve 4 is closed, the vent valve 7 is subsequently opened, and the venting with N 2 gas is started. Simultaneously with the start of the vent, the synchrotron radiation device 11 irradiates the N 2 gas discharged from the gas inlet 1a with radiation light.
【００２５】 上記のように、Ｎ2 分子に７０〜１１０ｎｍの波長の放射光が照射されること により、Ｎ2 分子はイオン化し、Ｎ2 + が生成される。上記ウエハ６…が正に帯 電している場合、Ｎ2 分子から放出された電子がウエハ６の帯電面の電荷を中和 する。また、上記ウエハ６…が負に帯電している場合、Ｎ2 + がウエハ６の帯電 面の電荷を中和する。ベント開始時の減圧下では、電子やＮ2 + の移動度が大き いので、電子やＮ2 + は短時間でウエハ６の帯電面へ到達し、帯電ウエハ６の除 電は短時間で終了する。尚、電子の方がＮ2 + よりも移動度が大きいので、正に 帯電しているウエハ（以下、正帯電ウエハと称する）を除電するときの方が、負 に帯電しているウエハ（以下、負帯電ウエハと称する）を除電するときよりも除 電時間が短い。As described above, by irradiating the N 2 molecule with radiant light having a wavelength of 70 to 110 nm, the N 2 molecule is ionized and N 2 + is generated. When the wafers 6 ... Are positively charged, the electrons emitted from the N 2 molecules neutralize the charges on the charged surface of the wafer 6. Further, when the wafers 6 ... Are negatively charged, N 2 + neutralizes the charges on the charged surface of the wafer 6. The reduced pressure at the beginning of the vent, electronic or N 2 + mobility in Ino big, electrons and N 2 + is a short time reach the charged surface of the wafer 6, dividing electrostatic charging wafer 6 is completed in a short time To do. Since electrons have a higher mobility than N 2 + , when a positively charged wafer (hereinafter referred to as a positively charged wafer) is neutralized, a negatively charged wafer (hereinafter , Which is called a negatively-charged wafer).
【００２６】 このように、ベント開始時にＮ2 ガスに放射光を照射して分子をイオン化する ことにより、迅速にウエハ６の帯電面の電荷を中和することができ、静電気によ るウエハ表面へのパーティクルの付着が防止される。Thus, by irradiating the N 2 gas with radiant light to ionize the molecules at the start of venting, the charge on the charged surface of the wafer 6 can be quickly neutralized, and the wafer surface due to static electricity can be neutralized. Particles are prevented from adhering to the surface.
【００２７】 この後、エアロックチャンバ１内が大気圧状態になると、ベントバルブ７が閉 じられて、フラップバルブ３が開かれ、大気側ロボットアームによって、注入処 理されたウエハ６…を収納したカセット５が大気側に搬出される。続いて注入処 理が行なわれる場合、上記の動作が繰り返されることになる。After that, when the inside of the airlock chamber 1 becomes atmospheric pressure, the vent valve 7 is closed, the flap valve 3 is opened, and the wafer 6 that has been subjected to the implantation process is stored by the atmosphere side robot arm. The cassette 5 is discharged to the atmosphere side. When the injection process is subsequently performed, the above operation is repeated.
【００２８】 このように、本実施例のエアロックチャンバは、７０〜１１０ｎｍの波長の放 射光を放射するシンクロトロン放射装置１１を備え、ベントに用いられるＮ2 ガ スに放射光を照射して、Ｎ2 分子をイオン化し、これにより生成された正イオン （Ｎ2 + ）あるいは電子によりウエハ６の帯電面の電荷を中和するようになって いる。したがって、エアロックチャンバ１内に存在するパーティクル、あるいは Ｎ2 ガスベント時に発塵するパーティクルが、静電気によってウエハ６の表面へ 付着するのを防止することができ、製品の品質や歩留りの向上を図ることが可能 である。As described above, the airlock chamber of the present embodiment is equipped with the synchrotron radiation device 11 that radiates the radiant light having the wavelength of 70 to 110 nm, and irradiates the N 2 gas used for the vent with the radiant light. , N 2 molecules are ionized, and the positive ions (N 2 + ) or electrons generated thereby are used to neutralize the charge on the charged surface of the wafer 6. Therefore, it is possible to prevent particles existing in the airlock chamber 1 or particles generated at the time of N 2 gas vent from adhering to the surface of the wafer 6 due to static electricity, and to improve product quality and yield. Is possible.
【００２９】 尚、本実施例では、光照射手段としてシンクロトロン放射管を備えたシンクロ トロン放射装置１１を用いているが、これに限定されるものではない。即ち、光 照射手段は、７０〜１１０ｎｍの波長の光を放射するものであれば良く、例えば 軟Ｘ線管や紫外線管等であっても良い。In this embodiment, the synchrotron radiation device 11 provided with the synchrotron radiation tube is used as the light irradiation means, but it is not limited to this. That is, the light irradiation means may be any one as long as it emits light having a wavelength of 70 to 110 nm, and may be, for example, a soft X-ray tube or an ultraviolet ray tube.
【００３０】[0030]
本考案のイオン注入装置は、以上のように、高真空状態のイオン注入処理室を 形成するターゲットチャンバと、このターゲットチャンバの搬入出部に設けられ 、窒素ガスによりベントが行われるエアロックチャンバとを備え、上記エアロッ クチャンバ内を真空状態と大気状態とに選択的に切り替えることにより、イオン 注入処理室を高真空状態に保持したままイオン注入処理室へのウエハの搬入出を 行うイオン注入装置であって、上記エアロックチャンバにおけるベント中に、７ ０〜１１０ｎｍの波長の光をエアロックチャンバ内に流入する窒素ガスに照射す る光照射手段を備えた構成である。 As described above, the ion implantation apparatus of the present invention includes a target chamber that forms an ion implantation processing chamber in a high vacuum state, and an airlock chamber that is provided at the loading / unloading part of the target chamber and is vented by nitrogen gas. By selectively switching the inside of the air lock chamber between a vacuum state and an atmospheric state, the ion implantation apparatus can carry the wafer in and out of the ion implantation processing chamber while keeping the ion implantation processing chamber in a high vacuum state. Thus, the vent of the airlock chamber is provided with a light irradiation means for irradiating the nitrogen gas flowing into the airlock chamber with light having a wavelength of 70 to 110 nm.
【００３１】 それゆえ、ベント中にエアロックチャンバ内に流入する窒素ガスが７０〜１１ ０ｎｍの波長の光によりイオン化され、この結果正イオン（Ｎ2 + ）あるいは窒 素分子から放出された電子により、ウエハの帯電面の電荷が中和されるので、静 電気によるウエハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるという効 果を奏する。Therefore, the nitrogen gas flowing into the airlock chamber during venting is ionized by the light having a wavelength of 70 to 110 nm, and as a result, the positive ions (N 2 + ) or electrons released from the nitrogen molecule are used. Since the charge on the charged surface of the wafer is neutralized, it is possible to prevent particles from adhering to the wafer surface due to static electricity.
【図１】本考案の一実施例を示すものであり、エアロッ
クチャンバの概略の縦断面図である。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of an airlock chamber according to an embodiment of the present invention.
１ エアロックチャンバ ２ ターゲットチャンバ ６ ウエハ ７ ベントバルブ １０ 窒素ガス供給部 １１ シンクロトロン放射装置（光照射手段） 1 Air Lock Chamber 2 Target Chamber 6 Wafer 7 Vent Valve 10 Nitrogen Gas Supply Section 11 Synchrotron Radiator (Light Irradiation Means)
Claims (1)
ターゲットチャンバと、このターゲットチャンバの搬入
出部に設けられ、窒素ガスによりベントが行われるエア
ロックチャンバとを備え、上記エアロックチャンバ内を
真空状態と大気状態とに選択的に切り替えることによ
り、イオン注入処理室を高真空状態に保持したままイオ
ン注入処理室へのウエハの搬入出を行うイオン注入装置
であって、 上記エアロックチャンバにおけるベント中に、７０〜１
１０ｎｍの波長の光をエアロックチャンバ内に流入する
窒素ガスに照射する光照射手段を備えていることを特徴
とするイオン注入装置。1. An air lock chamber, comprising: a target chamber forming an ion implantation processing chamber in a high vacuum state; and an air lock chamber provided at a loading / unloading portion of the target chamber and vented by nitrogen gas. Is selectively switched between a vacuum state and an atmospheric state by loading and unloading a wafer to and from the ion implantation processing chamber while maintaining the ion implantation processing chamber in a high vacuum state. During the venting at 70-1
An ion implantation apparatus comprising a light irradiation means for irradiating a nitrogen gas flowing into the airlock chamber with light having a wavelength of 10 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4808692U JPH0610360U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4808692U JPH0610360U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Ion implanter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610360U true JPH0610360U (en) | 1994-02-08 |
Family
ID=12793516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4808692U Pending JPH0610360U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610360U (en) |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP4808692U patent/JPH0610360U/en active Pending
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