JPH06103683B2 - 静電吸着方法 - Google Patents

静電吸着方法

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JPH06103683B2 JP20755190A JP20755190A JPH06103683B2 JP H06103683 B2 JPH06103683 B2 JP H06103683B2 JP 20755190 A JP20755190 A JP 20755190A JP 20755190 A JP20755190 A JP 20755190A JP H06103683 B2 JPH06103683 B2 JP H06103683B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、例えば半導体装置の製造で用いられる静電吸
着方法に関するもので、特に詳細には残留電荷の影響を
少なくした静電吸着方法に関する。
（従来の技術） 第２図は従来の静電吸着装置における絶縁体の断面図で
ある。同図において、21は、例えば薄Cu板で作られた静
電極、22は絶縁体である。静電極21は、絶縁体22内に埋
め込まれている。絶縁体22上には静電吸着される物体、
例えば半導体基板23が載置されている。24は直流電源、
25および26は各々直流電源24の正および負の端子、27は
スイッチである。上記構成を有する静電吸着装置におい
て、半導体基板23と絶縁体22とを静電吸着させるには、
スイッチ27を端子26に切り換える。これにより静電極21
に正電位が印加され半導体基板23は絶縁体22に静電吸着
され固定される。半導体基板23に対する所定の処理が完
了し、静電吸着を解除するにはスイッチ27を端子25へ切
り換える。これにより半導体基板23と絶縁体22との吸着
が解除されるので半導体基板23を絶縁体22から取りはず
すことができる。これにより静電吸着が終了する。
ところで、上記した従来の静電吸着方法では、静電吸着
がくり返される毎に、半導体基板23から絶縁体22への電
荷が移動し、絶縁体22上の残留電荷が増加するという現
象が生じていた。残留電が絶縁体22上に蓄積すると絶縁
体22と半導体基板23との吸着力が低下する。よって半導
体基板23はわずかな力を受けた場合であっても絶縁体22
から離れてしまうことになり問題となっていた。上記し
た従来例では静電極21に正電位を印加する場合について
説明したが、第３図に示すように、絶縁体31内に静電極
を２つ設け（32および33）、例えば静電極32と直流電源
34の正電位端子35とを、さらに静電極33と直流電源34の
負電位の端子36とを各スイッチ37および38を介して接続
し、静電極32および33へ同時に正・負電位を印加した場
合であっても絶縁体31上には残留電荷が蓄積して上記し
た問題の解決とはならないでいた。
（発明が解決しようとする課題） 以上説明したように、従来の静電吸着方法では絶縁体上
に残留電荷が蓄積し、これが半導体基板等との吸着力を
低下させるという問題があった。
そこで本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり静
電吸着力の低下を抑え、安定した静電吸着力を積層得る
ことのできる静電吸着方法を提供することを目的とす
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の請求項１記載の静電吸着方法は吸着部材上に被
吸着部材を載置し該吸着部材に設けられた電極に正負い
ずれかの電位を印加し該吸着部材と該被吸着部材とを静
電吸着させ所定の処理を行う工程と、前記被吸着部材を
前記吸着部材から取りはずす工程と、前記吸着部材をガ
スプラズマにさらすことにより前記吸着部材をスパッタ
させ該吸着部材上の残留電荷を該吸着部材と共に除去さ
せる工程とを有することを特徴としており、請求項２記
載の静電吸着方法は、請求項１記載の静電吸着方法にお
いて前記プラズマ気体は、前記吸着部材に対しエッチン
グ効果を有する気体であることを特徴としている。
（作用） 本発明では、静電吸着工程の後に吸着部材、例えば絶縁
体を所定時間プラズマ気体中におく。これにより、絶縁
体の残留電荷はプラズマのスパッタリングにより吸着部
材と共に除去されるので静電吸着力が低下することはな
い。
また、絶縁体に対しエッチング効果を有する気体を用い
てプラズマ処理を行えば、絶縁体上の残留電荷は絶縁体
共々除去される。また絶縁体表面は、不活性ガスを用い
た場合に比べフラットな面になる。従って半導体製造で
特に嫌われるゴミの発生源とはならない。
また、本発明の静電吸着方法を用いれば、絶縁体の厚み
はスパッタ、或いはエッチングにより薄くなっていく
が、この量は絶縁体表面をプラズマにさらす条件を最適
化することにより、例えば100Å程度に抑えることがで
きるので、実用上とくに吸着部材の寿命が短くなること
がない。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例である静電吸着方法で用いられる
静電吸着装置を示す。同図の要部である静電極１、吸着
部材例えば絶縁体２および被吸着部材例えば半導体基板
３に関してそれらの断面図を示している。同図におい
て、高周波電極４は高周波電源５と接続されている。高
周波電源５は、例えば、13.56MHzの高周波を発生する。
高周波電極４は、絶縁体２と電気的に接触されている。
絶縁体２中には従来例と同様に静電極１が埋め込まれて
いる。絶縁体２上には半導体基板３が載置されている。
そして高周波電極４、絶縁体２および半導体基板３はチ
ャンバー６内に収納されている。７はプラズマ放電のた
めの気体の導入口である。12は、チャンバー６内の圧力
を調節するためのコンダクタンスバルブであり、その後
段には排気ポンプ（図示せず）が接続されている。チャ
ンバー６は接地されている。また、静電極１はスイッチ
８と接続されている。スイッチ８は直流電源９の静電極
端子10あるいは負電極端子11とのいずれか一方と接続さ
れることにより絶縁体２に電圧を印加したり絶縁体２を
接地したりする。直流電源９の電圧は従来例と同様に約
1000Vである。
上記構成を有する静電吸着装置を用いて、本実施例の静
電吸着方法を説明する。絶縁体２上に半導体基板６を載
置する（載置工程）。そして、スイッチ８を正電極端子
10に切り換える。これにより、絶縁体２と半導体基板６
とは静電吸着する。この状態のまま、半導体基板６に対
し所定の処理を行なう（静電吸着工程）。この工程が完
了すると、スイッチ８を負電極端子11に切り換える。こ
れにより絶縁体２に印加される電圧はOVとなり静電吸着
は終了する。次に半導体基板６を取り去り（取りはずし
工程）、気体導入口７からプラズマ処理のための気体、
例えば不活性気体であるN2ガスを導入する。チャンバー
６内が例えば約1Paの圧力になる様コンダクタンスバル
ブを調節する。そして、高周波電極４に高周波電源５か
らの高周波電圧を約30秒間印加し、チャンバー６内でプ
ラズマ放電を生じさせる。チャンバー６内のN2ガスは励
起状態となり、絶縁体２の面上にたたきつけられ絶縁体
２の表面はスパッタされる（残留電荷除去工程）。これ
により、絶縁体２面上の残留電荷は除去される。最後に
チャンバー６内のプラズマ気体を排気ポンプにより排気
させる。以上で本実施例の静電吸着方法を完了する。
上記した本実施例の静電吸着方法を用いれば絶縁体上の
残留電荷はほとんど除去されるので従来例で示したよう
に絶縁体２面上の静電吸着力が低下することはなく安定
した静電吸着力を得ることができる。
ところで、スパッタリングにより絶縁体２の面上は損傷
を受け粗れる。このため半導体製造では特に嫌われるゴ
ミの原因となる場合がある。そこで、プラズマ気体とし
て、絶縁体２に対しエッチング効果を有する気体を用い
る。例えば、絶縁体２の材質が石英の場合、プラズマ気
体として弗素系ガスを用いる。これにより絶縁体２面上
の残留電荷は絶縁体共々除去される。この時この面上は
エッチングされてフラットな面となり、半導体製造では
特に嫌うゴミの発生源にならない。従来例による静電吸
着力は平均して20回程度の静電吸着が行なわれると、半
導体基板を絶縁体から約1000gの力で取りはずすことが
できた。これに対し本実施例により得られる静電吸着力
は平均して1000回以上の静電吸着を行なった後でもなお
約1000gの力では半導体基板を絶縁体から取りはずすこ
とができない。このように本実施例の静電吸着方法を用
いると安定した強力な静電吸着力を得ることができる。
尚、プラズマ放電による残留電荷除去工程は静電吸着工
程終了後毎回行なう必要はなく、残留電荷の量に応じて
適切な回数を決定し行なえばよい。
また、上記した実施例においては、プラズマ気体として
N2ガス、吸着部材として絶縁体そして、被吸着部材とし
て半導体基板を用いたが、本発明はこれらに限定される
ものではない。さらに、高周波電源の周波数は、チャン
バーの体積、絶縁体の材質等の条件に応じて適当に変化
させることができる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の静電吸着方法は、静電吸着
の終了後、吸着部材をプラズマ放電によりスパッタさせ
る。これにより吸着部材上に蓄積された残留電荷は除去
されるので静電吸着力は劣化しない。またプラズマ気体
として吸着部材に対してエッチング効果を有する気体を
用いれば、スパッタリング効果を利用した場合では粗れ
てしまう吸着部材の表面をエッチング効果によりフラッ
トな面にでき、半導体製造で特に嫌われるゴミの発生源
とはならない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例の静電吸着方法に用いられる静電吸着
装置の該略図、第２図および第３図は従来の静電吸着方
法に用いられている静電吸着装置の該略図である。 １…静電極 ２…絶縁体（吸着部材） ３…半導体基板（被吸着部材） ４…高周波電極 ５…高周波電源 ６…チャンバー ７…プラズマ気体導入口 ８…スイッチ ９…直流電源 10,11…電極 12…コンダクタンスバルブ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】吸着部材上に被吸着部材を載置し該吸着部
    材に設けられた電極に正負いずれかの電位を印加し該吸
    着部材と被吸着部材とを静電吸着させ所定の処理を行う
    工程と、 前記被吸着部材を前記吸着部材から取り外す工程と、 前記吸着部材をガスプラズマにさらして、前記吸着部材
    をスパッタし該吸着部材と共に該吸着部材上の残留電荷
    を除去する工程と を有することを特徴とする静電吸着方法。
  2. 【請求項２】吸着部材上に被吸着部材を載置し該吸着部
    材に設けられた電極に正負いずれかの電位を印加し該吸
    着部材と被吸着部材とを静電吸着させ所定の処理を行う
    工程と、 前記被吸着部材を前記吸着部材から取り外す工程と、 前記吸着部材にエッチング効果のあるガスプラズマにさ
    らして、前記吸着部材をエッチングし、該吸着部材と共
    に該吸着部材上の残留電荷を除去する工程と を有することを特徴とする静電吸着方法。
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