JPH06103698B2 - 多数の回路要素を取り付けうる両面回路板 - Google Patents
多数の回路要素を取り付けうる両面回路板Info
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、両面に多数の回路要素を取り付け、それらの
回路要素を回路板を介して電気的に接続した回路板に関
するものである。この種の回路板は、モジュール、半導
体チップ、その他の個別エレメント、ならびに通常回路
板のシートをエッチングしたまたは回路板に直接メッキ
または塗布した薄層の回路リードを、構造的に支持する
薄いパネルである。実際問題として、パネルの両側のエ
レメント間の電気的相互接続は、薄い回路板を貫通する
通路によらなければならない。この方法でなければ、通
路は回路板の周囲にまたは回路板から離して通さなけれ
ばならず、いずれも相互接続の複雑さと通路の長さが増
大するため、回路板の製造費が上昇する。
回路要素を回路板を介して電気的に接続した回路板に関
するものである。この種の回路板は、モジュール、半導
体チップ、その他の個別エレメント、ならびに通常回路
板のシートをエッチングしたまたは回路板に直接メッキ
または塗布した薄層の回路リードを、構造的に支持する
薄いパネルである。実際問題として、パネルの両側のエ
レメント間の電気的相互接続は、薄い回路板を貫通する
通路によらなければならない。この方法でなければ、通
路は回路板の周囲にまたは回路板から離して通さなけれ
ばならず、いずれも相互接続の複雑さと通路の長さが増
大するため、回路板の製造費が上昇する。
B.従来技術及びその問題点 このような相互接続は、通路となる、導電材料でメッキ
または充填した、回路板を貫通する穴(バイアと称す
る)によって行なわれる。しかし、回路板が金属中間層
を含む場合、このような金属層は各バイアの部分で絶縁
されなければならないので、この方法は適当でないこと
がある。このような絶縁を行なうと経費が増大し、また
各バイアに微小な穴やその他の欠陥が生じる可能性があ
り、回路板の欠陥の原因になる。このような絶縁は通常
湿式メッキ浴でのメッキによって行なわれるため、湿式
メッキ浴では、浸漬中に薬品を汚染せず、残渣を中和ま
たは除去するために、浸漬前の洗浄、浸漬、浸漬後の洗
浄、乾燥等の工程が必要なので、高密度の回路板が大部
分乾式工程で製造できる場合は、このようなバイアを絶
縁することは特に望ましくない。
または充填した、回路板を貫通する穴(バイアと称す
る)によって行なわれる。しかし、回路板が金属中間層
を含む場合、このような金属層は各バイアの部分で絶縁
されなければならないので、この方法は適当でないこと
がある。このような絶縁を行なうと経費が増大し、また
各バイアに微小な穴やその他の欠陥が生じる可能性があ
り、回路板の欠陥の原因になる。このような絶縁は通常
湿式メッキ浴でのメッキによって行なわれるため、湿式
メッキ浴では、浸漬中に薬品を汚染せず、残渣を中和ま
たは除去するために、浸漬前の洗浄、浸漬、浸漬後の洗
浄、乾燥等の工程が必要なので、高密度の回路板が大部
分乾式工程で製造できる場合は、このようなバイアを絶
縁することは特に望ましくない。
回路板の両端間で電気エレメントを接続する自立導体
は、一般の使用が知られていないが、米国特許第397707
4号に記載されている。その接続は、接続用金属タブを
バイア中に押し込んでバイアの側面に接着し、または回
路板の反対側で平らになるようワイヤを曲げることによ
り行なう。ここで接着は、たとえばはんだ付け、抵抗溶
接または超音波溶接により行なう。
は、一般の使用が知られていないが、米国特許第397707
4号に記載されている。その接続は、接続用金属タブを
バイア中に押し込んでバイアの側面に接着し、または回
路板の反対側で平らになるようワイヤを曲げることによ
り行なう。ここで接着は、たとえばはんだ付け、抵抗溶
接または超音波溶接により行なう。
C.問題点を解決するための手段 本発明は、銅やアルミニウム等の金属基礎層を有する回
路板に特に有用である。基礎層として金属を使用する目
的は、金属が容易に熱を伝導するため、熱を急速に放散
させることである。したがって、熱は金属によって放散
され、それにより容易に周囲に伝達される。金属を基礎
として使用すると、回路エレメントを塗布するのに使用
する化学薬品の量が最少になる。
路板に特に有用である。基礎層として金属を使用する目
的は、金属が容易に熱を伝導するため、熱を急速に放散
させることである。したがって、熱は金属によって放散
され、それにより容易に周囲に伝達される。金属を基礎
として使用すると、回路エレメントを塗布するのに使用
する化学薬品の量が最少になる。
特に、ポリイミドの薄い絶縁層は、従来技術により、銅
の回路パターンをそれにメッキまたは塗装することがで
きる。代替方法として、ポリイミド層に金属シートを接
着剤で接着し、従来方法と同様に湿式エッチングで回路
パターンを形成する。次に標準の湿式メッキにより、接
点を形成する個所にニッケル・メッキを行なった後、金
メッキを行なう。次にこの積層品を銅の基礎シート上に
移動し、回路パターンを外側にして接着剤で接着する。
次に個別回路エレメントを、表面装着技術により回路パ
ターンに取り付ける。
の回路パターンをそれにメッキまたは塗装することがで
きる。代替方法として、ポリイミド層に金属シートを接
着剤で接着し、従来方法と同様に湿式エッチングで回路
パターンを形成する。次に標準の湿式メッキにより、接
点を形成する個所にニッケル・メッキを行なった後、金
メッキを行なう。次にこの積層品を銅の基礎シート上に
移動し、回路パターンを外側にして接着剤で接着する。
次に個別回路エレメントを、表面装着技術により回路パ
ターンに取り付ける。
通常、基礎層には、接地電位に接続するために1つまた
は複数の接続が行なわれるが、基礎層は電気回路の一部
ではなく、熱交換器と接地面の両方に使用される。回路
密度が増大するにつれて、熱の放散の重要性が増してき
ている。
は複数の接続が行なわれるが、基礎層は電気回路の一部
ではなく、熱交換器と接地面の両方に使用される。回路
密度が増大するにつれて、熱の放散の重要性が増してき
ている。
最終の回路板の両面間で、構成部品を電気的に接続する
ために選択した位置に穴を有する銅または他の金属基板
を形成する。金属基板の穴の位置に対応する穴を有し、
穴の片側を銅で橋かけしたポリイミド等の絶縁材料の積
層品を形成する。この積層品を金属層と共に、得られた
金属・絶縁材料・金属の積層品の外側に金属層がくるよ
うにして金属基板に接着する。ポリイミド上の銅は、穴
を横切ると共に、従来品と全く同様の回路パターンを形
成する。回路銅は、ワイヤ・ボンディング接続を行なう
場所に、好ましくは金の薄い層と共にメタライズする。
ために選択した位置に穴を有する銅または他の金属基板
を形成する。金属基板の穴の位置に対応する穴を有し、
穴の片側を銅で橋かけしたポリイミド等の絶縁材料の積
層品を形成する。この積層品を金属層と共に、得られた
金属・絶縁材料・金属の積層品の外側に金属層がくるよ
うにして金属基板に接着する。ポリイミド上の銅は、穴
を横切ると共に、従来品と全く同様の回路パターンを形
成する。回路銅は、ワイヤ・ボンディング接続を行なう
場所に、好ましくは金の薄い層と共にメタライズする。
銅の回路パターンを有する側に表面装着技術により構成
部品を取り付ける。金属基板の反対側には、金属基板の
穴に隣接する所定の位置に、電気モジュール、具体的に
はシリコン・チップまたはダイを取り付ける。チップか
らの1本または複数の自立するリードまたは線を、これ
らの個別の穴を通し、たとえば超音波溶接で穴を横切る
銅に接続する。バイア・ホールを横切る金属は、平坦な
表面に置くことにより、溶接中支持される。
部品を取り付ける。金属基板の反対側には、金属基板の
穴に隣接する所定の位置に、電気モジュール、具体的に
はシリコン・チップまたはダイを取り付ける。チップか
らの1本または複数の自立するリードまたは線を、これ
らの個別の穴を通し、たとえば超音波溶接で穴を横切る
銅に接続する。バイア・ホールを横切る金属は、平坦な
表面に置くことにより、溶接中支持される。
リードを間に有する回路位置間の接続(一般にクロスオ
ーバ接続またはクロスオーバと称する)は、上述のよう
な2つの穴からのワイヤ・ボンディングにより行なう。
これにより、回路板の中間リードと反対側にクロスオー
バ接続を行なうことによって、中間リードを避けること
ができる。
ーバ接続またはクロスオーバと称する)は、上述のよう
な2つの穴からのワイヤ・ボンディングにより行なう。
これにより、回路板の中間リードと反対側にクロスオー
バ接続を行なうことによって、中間リードを避けること
ができる。
ワイヤ・ボンディング位置の金メッキ等のメタライゼー
ションを除いて、湿式化学工程は必要なく、得られる回
路板は高集積度で費用効率が高く、しかも金属基板の回
路板の良好な放熱特性が保持される。シリコン・チップ
は、チップからの放熱を最適にするために、熱伝導性接
着剤で金属基板に直接取り付けることができる。さら
に、積層品の形成及びワイヤ・ボンディングに既存の技
術が使用できるため、効率の良い製造が実現される。
ションを除いて、湿式化学工程は必要なく、得られる回
路板は高集積度で費用効率が高く、しかも金属基板の回
路板の良好な放熱特性が保持される。シリコン・チップ
は、チップからの放熱を最適にするために、熱伝導性接
着剤で金属基板に直接取り付けることができる。さら
に、積層品の形成及びワイヤ・ボンディングに既存の技
術が使用できるため、効率の良い製造が実現される。
D.実施例 第1図は、1つの標準的シリコン・ダイまたはチップ3
を示すために選択したこれよりはるかに大きい回路板
1、たとえばモータ・ドライバその他の高出力電源回路
または高出力電気システム全体の切欠き図である。チッ
プ3は、通常0.25ないし1.52mmの厚みの銅シート5に接
着剤で接着される。銅シート5は回路板1用の構造的基
板で、さらに回路エレメントが発生する熱のヒート・シ
ンクとしても機能する。厚みが約0.025mmないし0.050mm
のポリイミド皮膜7が銅シート5に接着される。(通常
厚みは約0.025mmで十分であるが、物理的及び絶縁性の
要件によってはそれ以上とする。) 銅シート5には、穴9が設けてあり、これは放電加工や
打抜きなど通常の金属成形法により形成する。この実施
例では、各穴9はポリイミド層7に接する側よりチップ
3を支持する側のほうが大きくなるように傾斜部11が設
けてある。この形状は、後述の超音波ワイヤ・ボンディ
ング・ツール用の余地を残すためで、したがって穴9は
ポリイミド層7の穴13より大きくする。銅シート5が物
理的な支持及び放熱という本来の機能を果たすように、
各穴9にはできるだけ多くの銅シート5を残すようにす
る。
を示すために選択したこれよりはるかに大きい回路板
1、たとえばモータ・ドライバその他の高出力電源回路
または高出力電気システム全体の切欠き図である。チッ
プ3は、通常0.25ないし1.52mmの厚みの銅シート5に接
着剤で接着される。銅シート5は回路板1用の構造的基
板で、さらに回路エレメントが発生する熱のヒート・シ
ンクとしても機能する。厚みが約0.025mmないし0.050mm
のポリイミド皮膜7が銅シート5に接着される。(通常
厚みは約0.025mmで十分であるが、物理的及び絶縁性の
要件によってはそれ以上とする。) 銅シート5には、穴9が設けてあり、これは放電加工や
打抜きなど通常の金属成形法により形成する。この実施
例では、各穴9はポリイミド層7に接する側よりチップ
3を支持する側のほうが大きくなるように傾斜部11が設
けてある。この形状は、後述の超音波ワイヤ・ボンディ
ング・ツール用の余地を残すためで、したがって穴9は
ポリイミド層7の穴13より大きくする。銅シート5が物
理的な支持及び放熱という本来の機能を果たすように、
各穴9にはできるだけ多くの銅シート5を残すようにす
る。
ポリイミド層7の穴13は、この穴を横切って延びる銅片
15を、回路板1の第1図に示した側とは反対側に有す
る。これを第2図にさらにわかりやすく示す。第2図
は、回路板1を製作するのに使用する中間エレメントで
あるポリイミド層7と銅15の積層品の断面図である。第
2図のエレメントは、電気絶縁体であるポリイミド層
に、電気回路のリードの形状の銅15を接着したものであ
る。銅15中のたて線は、銅15が各穴13を横切って延びて
いるが、回路パターンを形成ししたがって不連続である
ことを示している。第2図は特に、1つの断面に断面を
銅15が横切って橋かけをしている穴13aの中心と、銅15
が断面に垂直に橋かけをしている穴13bの中心がある場
合を示しているが、実際に1つの断面でこのようなこと
が起こることはまれである。
15を、回路板1の第1図に示した側とは反対側に有す
る。これを第2図にさらにわかりやすく示す。第2図
は、回路板1を製作するのに使用する中間エレメントで
あるポリイミド層7と銅15の積層品の断面図である。第
2図のエレメントは、電気絶縁体であるポリイミド層
に、電気回路のリードの形状の銅15を接着したものであ
る。銅15中のたて線は、銅15が各穴13を横切って延びて
いるが、回路パターンを形成ししたがって不連続である
ことを示している。第2図は特に、1つの断面に断面を
銅15が横切って橋かけをしている穴13aの中心と、銅15
が断面に垂直に橋かけをしている穴13bの中心がある場
合を示しているが、実際に1つの断面でこのようなこと
が起こることはまれである。
第2図のポリイミドと銅の積層製品は本発明の一部では
なく、市販されているもので、得られる製品は標準の柔
軟性回路と技術的に類似している。大まかに言えば、穴
13を打ち抜いたポリイミド7の連続したシート上にまず
銅15を連続したシートとして接着剤で接着することによ
って作られる。(代替方法として、シート7を連続的に
し、穴13のパターンを通常の光学的技術によりポリイミ
ド層7上にレジスト・パターンとして画定し、パターン
で覆われていないポリイミド層7を湿式浸漬法によりエ
ッチングして除去してもよい。)次に銅の回路パターン
を標準の光学技術によりレジスト・パターンとして画定
し、パターンで被覆されていない銅は、湿式浸漬法によ
りエッチングして除去する。次に加工品を洗浄し、ワイ
ヤ・ボンディングを行なう場所、すなわち穴13における
銅15の橋かけ部分に、標準の浸漬メッキ、たとえばニッ
ケル・メッキ後外層に金メッキを行なう等の方法でメタ
ライズを行なう。(通常ワイヤ・ボンディングを行なわ
ない部分はマスクをかけ、メッキを行なわない。)この
金までのメタライゼーションを、第3図及び第4図では
単一の薄層16として示す。最後に、加工品を洗浄し乾燥
する。得られたエレメントは少なくとも回路板1とほぼ
同じ広がりを有し、第2図と同じ断面を有するシートで
ある。
なく、市販されているもので、得られる製品は標準の柔
軟性回路と技術的に類似している。大まかに言えば、穴
13を打ち抜いたポリイミド7の連続したシート上にまず
銅15を連続したシートとして接着剤で接着することによ
って作られる。(代替方法として、シート7を連続的に
し、穴13のパターンを通常の光学的技術によりポリイミ
ド層7上にレジスト・パターンとして画定し、パターン
で覆われていないポリイミド層7を湿式浸漬法によりエ
ッチングして除去してもよい。)次に銅の回路パターン
を標準の光学技術によりレジスト・パターンとして画定
し、パターンで被覆されていない銅は、湿式浸漬法によ
りエッチングして除去する。次に加工品を洗浄し、ワイ
ヤ・ボンディングを行なう場所、すなわち穴13における
銅15の橋かけ部分に、標準の浸漬メッキ、たとえばニッ
ケル・メッキ後外層に金メッキを行なう等の方法でメタ
ライズを行なう。(通常ワイヤ・ボンディングを行なわ
ない部分はマスクをかけ、メッキを行なわない。)この
金までのメタライゼーションを、第3図及び第4図では
単一の薄層16として示す。最後に、加工品を洗浄し乾燥
する。得られたエレメントは少なくとも回路板1とほぼ
同じ広がりを有し、第2図と同じ断面を有するシートで
ある。
第2図のポリイミド層7と銅15の積層品は、銅シート5
に接着剤で接着する。ポリイミド層7の穴13は穴9に対
応し、傾斜部11からは離してあける。次に回路チップ3
及び最終製品である回路板に必要な他のチップを、やは
り標準のダイ・ボンド接着剤4、たとえばエポキシまた
はポリイミドを主体とする接着剤で、銅シート5に取り
付ける。ポリイミド系接着剤を使用するのは、熱安定性
を改善するためである。接着剤は通常金属粉末等の伝導
性フィラーを充填し、接着剤に導電性及び伝熱性を付与
する。この方法は、銅シート5が接地電位に接触し、チ
ップ3の底面が接地電位になるよう設計されている場合
に行なうことができる。チップ3がこのような接地電位
に適合せず、銅シート5が接地される場合には、接着剤
は、熱伝導性ができるだけ高く、しかも電気的には絶縁
性のものを選択する。
に接着剤で接着する。ポリイミド層7の穴13は穴9に対
応し、傾斜部11からは離してあける。次に回路チップ3
及び最終製品である回路板に必要な他のチップを、やは
り標準のダイ・ボンド接着剤4、たとえばエポキシまた
はポリイミドを主体とする接着剤で、銅シート5に取り
付ける。ポリイミド系接着剤を使用するのは、熱安定性
を改善するためである。接着剤は通常金属粉末等の伝導
性フィラーを充填し、接着剤に導電性及び伝熱性を付与
する。この方法は、銅シート5が接地電位に接触し、チ
ップ3の底面が接地電位になるよう設計されている場合
に行なうことができる。チップ3がこのような接地電位
に適合せず、銅シート5が接地される場合には、接着剤
は、熱伝導性ができるだけ高く、しかも電気的には絶縁
性のものを選択する。
次にチップ3の接続端子19から、標準のアルミニウムか
らなる導線17を接着する。第3図はこの操作を説明する
もので、ワイヤ・ボンディング装置21(輪郭を点線で示
す)が、導線17の一端を銅15に接続するため、穴9内に
配置されたところを示している。第3図のボンディング
装置の形状及び相対寸法は、この実施例に使用するため
に選択した市販のボンディング装置とほぼ一致する。し
たがって、ボンディング装置21の片側は上向きの傾斜を
有するため、穴9を大きくせずに、傾斜部11を設けるこ
とが可能なことが明らかである。それにもかかわらず、
穴9はボンディング装置21が入るように、穴13に比べて
大きくしてある。
らなる導線17を接着する。第3図はこの操作を説明する
もので、ワイヤ・ボンディング装置21(輪郭を点線で示
す)が、導線17の一端を銅15に接続するため、穴9内に
配置されたところを示している。第3図のボンディング
装置の形状及び相対寸法は、この実施例に使用するため
に選択した市販のボンディング装置とほぼ一致する。し
たがって、ボンディング装置21の片側は上向きの傾斜を
有するため、穴9を大きくせずに、傾斜部11を設けるこ
とが可能なことが明らかである。それにもかかわらず、
穴9はボンディング装置21が入るように、穴13に比べて
大きくしてある。
ボンディング装置21としは、メク・エル・インダストリ
ーズ(Mech−EI Industries Inc.)の2909A自動ウェッ
ジ・ボンダを使用することができる。この装置は、供給
源からの導線17をつかみ、垂直及び水平に移動させて導
線17と超音波溶接ウェッジ23を接着位置に合わせた後、
ウェッジ23を下降させ、超音波により溶接を行なう。次
に装置は垂直及び水平に移動して線を滑らせ、ウェッジ
23と導線17の他の部分を第2の所定の接着位置に合わ
せ、再びウェッジ23を下降させて超音波溶接を行なう。
最後に、ボンディング装置は導線17をつかみ、2点間に
接続された導線17の部分を残して第2の接続位置で切断
する。この最後の接続状態を第3図に示す。上記の超音
波溶接は、操作員の制御の下で行なっても、マイクロプ
ロセッサ制御により自動的に行なってもよく、この実施
例では、全く周知の方法で行なう。
ーズ(Mech−EI Industries Inc.)の2909A自動ウェッ
ジ・ボンダを使用することができる。この装置は、供給
源からの導線17をつかみ、垂直及び水平に移動させて導
線17と超音波溶接ウェッジ23を接着位置に合わせた後、
ウェッジ23を下降させ、超音波により溶接を行なう。次
に装置は垂直及び水平に移動して線を滑らせ、ウェッジ
23と導線17の他の部分を第2の所定の接着位置に合わ
せ、再びウェッジ23を下降させて超音波溶接を行なう。
最後に、ボンディング装置は導線17をつかみ、2点間に
接続された導線17の部分を残して第2の接続位置で切断
する。この最後の接続状態を第3図に示す。上記の超音
波溶接は、操作員の制御の下で行なっても、マイクロプ
ロセッサ制御により自動的に行なってもよく、この実施
例では、全く周知の方法で行なう。
このような超音波溶接の間、穴9にある銅15は、アセン
ブリを載せたチップ3が重力または真空により載ってい
る平坦面25によって底面で物理的に支持される。平坦面
25は、回路板1全体と同一の広がりを持つものであれ
ば、大きい台でも他の平坦な表面でもよい。
ブリを載せたチップ3が重力または真空により載ってい
る平坦面25によって底面で物理的に支持される。平坦面
25は、回路板1全体と同一の広がりを持つものであれ
ば、大きい台でも他の平坦な表面でもよい。
回路板1全体のワイヤ・ボンディングを完了し、ボンデ
ィング装置を除去した後、回路板1のチップ3を装着し
た側を標準の方法で不動態化する。不動態化は基本的に
は保護皮膜(たとえばポリパラキシリレン)によるカプ
セル封じで行ない、これは、蒸着、または充填エポキシ
等の材料によるドーム形成(「グロブ・トップ」ともい
う)によって行なってもよい。この実施例では、不動態
化は各チップ3を個別に被覆するエポキシ・グロブで行
なうのが好ましい。
ィング装置を除去した後、回路板1のチップ3を装着し
た側を標準の方法で不動態化する。不動態化は基本的に
は保護皮膜(たとえばポリパラキシリレン)によるカプ
セル封じで行ない、これは、蒸着、または充填エポキシ
等の材料によるドーム形成(「グロブ・トップ」ともい
う)によって行なってもよい。この実施例では、不動態
化は各チップ3を個別に被覆するエポキシ・グロブで行
なうのが好ましい。
次に、回路板1を銅15が上向きになるよう反転し、通常
の表面装置生産ラインで回路板1を加工する。この工程
で、表面装置エレメント27は、ソルダ・アイランド上に
置き、アタッチメントとともに、はんだのリフローのみ
により表面に接着する。この実施例の表面装置操作はす
べて従来の方法によって行なわれる。第5図は、表面装
着エレメント27に向かって見た高集積度カードの一部分
を示す。銅15で形成したリードは、通常の回路相互接続
を形成するが、銅15の穴13を横切る部分は、穴9中に位
置し、導線17でチップ3に接続される。
の表面装置生産ラインで回路板1を加工する。この工程
で、表面装置エレメント27は、ソルダ・アイランド上に
置き、アタッチメントとともに、はんだのリフローのみ
により表面に接着する。この実施例の表面装置操作はす
べて従来の方法によって行なわれる。第5図は、表面装
着エレメント27に向かって見た高集積度カードの一部分
を示す。銅15で形成したリードは、通常の回路相互接続
を形成するが、銅15の穴13を横切る部分は、穴9中に位
置し、導線17でチップ3に接続される。
穴9a及び9b(第1図)は、本発明によるクロスオーバ接
続を示す。穴9a、9b間の線17a、及び他の穴9について
説明したように接続した線により、反対側の銅15a及び1
5bのリード間の銅15のリードは全く不要となる。反対側
のこのような接続には、電気絶縁材料の層を追加するこ
とが必要になるため、これが不要になると費用効率が極
めて高くなる。
続を示す。穴9a、9b間の線17a、及び他の穴9について
説明したように接続した線により、反対側の銅15a及び1
5bのリード間の銅15のリードは全く不要となる。反対側
のこのような接続には、電気絶縁材料の層を追加するこ
とが必要になるため、これが不要になると費用効率が極
めて高くなる。
したがって、回路板は両側に回路エレメントが高密度に
装着され、しかも熱を放散するのに有効な大型で分布し
た銅のシート5を有する。両側にエレメントを装置した
回路板1は、必然的に同じ部品を片側に接着した回路板
より小さくなる。チップ3は直接銅5に接続されるた
め、銅シート5が容易にチップ3のヒート・シンクとし
て機能することができる。チップ3を収容するための余
分の材料は不要である。最後に、この実施例は、周知の
実用的で効率のよい技術を用いるため、特に現行の方法
に効率良く適用できる。
装着され、しかも熱を放散するのに有効な大型で分布し
た銅のシート5を有する。両側にエレメントを装置した
回路板1は、必然的に同じ部品を片側に接着した回路板
より小さくなる。チップ3は直接銅5に接続されるた
め、銅シート5が容易にチップ3のヒート・シンクとし
て機能することができる。チップ3を収容するための余
分の材料は不要である。最後に、この実施例は、周知の
実用的で効率のよい技術を用いるため、特に現行の方法
に効率良く適用できる。
E.発明の効果 パネルの両側を利用した場合の、エレメント間の電気的
接続が低コスト、かつ欠陥を生じる恐れなく実現され
る。
接続が低コスト、かつ欠陥を生じる恐れなく実現され
る。
第1図は、本発明による高集積度回路板の一部分を銅基
板側から見た透視図である。 第2図は、金属基板に付着させる前のポリイミド及び銅
の回路パターンの断面図である。 第3図は、製造の中間段階と、電線を接続するために使
用する超音波ワイヤ・ボンディング装置に関する開口部
の説明図であるる 第4図は、高集積度の回路板の断面図である。 第5図は、表面装着エレメントを有する側から見た高集
積度の回路板の一部の平面図である。 1……回路板、3……シリコン・チップ、5……銅シー
ト、7……ポリイミド層、9、13……穴、11……傾斜
部、15……銅、17……導線。
板側から見た透視図である。 第2図は、金属基板に付着させる前のポリイミド及び銅
の回路パターンの断面図である。 第3図は、製造の中間段階と、電線を接続するために使
用する超音波ワイヤ・ボンディング装置に関する開口部
の説明図であるる 第4図は、高集積度の回路板の断面図である。 第5図は、表面装着エレメントを有する側から見た高集
積度の回路板の一部の平面図である。 1……回路板、3……シリコン・チップ、5……銅シー
ト、7……ポリイミド層、9、13……穴、11……傾斜
部、15……銅、17……導線。
Claims (2)
- 【請求項1】両面間にまたがる複数個の穴を有する金属
支持層と、 上記金属支持層の一方の面上に設けた電気的絶縁層と、 上記金属支持層の他方の面上に支持された回路要素と、 上記絶縁層によって上記金属支持層から離隔されて上記
絶縁層上に支持された導電性回路パターンと、 一端が上記回路要素に電気的に接続され、かつ他端は上
記穴を通して上記導電性回路パターンに接続された導線
と、 を備えた多数の回路要素を取りつけうる両面回路板。 - 【請求項2】両面間にまたがる複数個の穴を有する支持
層と、 上記支持層の一方の面上に、上記穴を横切って設けられ
た導電性回路パターンと、 上記支持層の他方の面上に支持された回路要素と、 上記複数個の穴のうちの2つの穴を横切る導電性回路パ
ターンの2つの場所に電気的に接続され、かつ上記穴を
通して上記穴を横切る上記導電性回路パターンが上記2
つの穴のおのおのと対面する側で上記導電性回路パター
ンに接着された導線と、 を含む多数の回路要素を取りつけうる両面回路板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/271,242 US4996629A (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Circuit board with self-supporting connection between sides |
| US271242 | 1988-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152245A JPH02152245A (ja) | 1990-06-12 |
| JPH06103698B2 true JPH06103698B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=23034778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252506A Expired - Lifetime JPH06103698B2 (ja) | 1988-11-14 | 1989-09-29 | 多数の回路要素を取り付けうる両面回路板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4996629A (ja) |
| EP (1) | EP0369919B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103698B2 (ja) |
| DE (1) | DE68915250T2 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5917707A (en) * | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
| US5066368A (en) * | 1990-08-17 | 1991-11-19 | Olin Corporation | Process for producing black integrally colored anodized aluminum components |
| JP2541063Y2 (ja) * | 1991-09-04 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | プリント基板のパターン構造 |
| US5172301A (en) * | 1991-10-08 | 1992-12-15 | Lsi Logic Corporation | Heatsink for board-mounted semiconductor devices and semiconductor device assembly employing same |
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| US5831828A (en) * | 1993-06-03 | 1998-11-03 | International Business Machines Corporation | Flexible circuit board and common heat spreader assembly |
| US5693981A (en) * | 1993-12-14 | 1997-12-02 | Lsi Logic Corporation | Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system |
| US5514327A (en) * | 1993-12-14 | 1996-05-07 | Lsi Logic Corporation | Powder metal heat sink for integrated circuit devices |
| JP2955829B2 (ja) * | 1994-04-15 | 1999-10-04 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッド | ヘッドサスペンション |
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1988
- 1988-11-14 US US07/271,242 patent/US4996629A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1252506A patent/JPH06103698B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-10 DE DE68915250T patent/DE68915250T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-10 EP EP89480159A patent/EP0369919B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68915250T2 (de) | 1994-11-17 |
| DE68915250D1 (de) | 1994-06-16 |
| JPH02152245A (ja) | 1990-06-12 |
| EP0369919B1 (en) | 1994-05-11 |
| US4996629A (en) | 1991-02-26 |
| EP0369919A1 (en) | 1990-05-23 |
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