JPH06103761B2 - ４相差動回転センサー - Google Patents
４相差動回転センサーInfo
- Publication number
- JPH06103761B2 JPH06103761B2 JP1094958A JP9495889A JPH06103761B2 JP H06103761 B2 JPH06103761 B2 JP H06103761B2 JP 1094958 A JP1094958 A JP 1094958A JP 9495889 A JP9495889 A JP 9495889A JP H06103761 B2 JPH06103761 B2 JP H06103761B2
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- JP
- Japan
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- rotation sensor
- differential rotation
- phase differential
- electrode
- semiconductor magnetoresistive
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、４相差動回転センサーに関し、更に詳しく
は、感度を向上させることが出来ると共に高温下の使用
にも耐え得る構造とした４相差動回転センサーに関す
る。
は、感度を向上させることが出来ると共に高温下の使用
にも耐え得る構造とした４相差動回転センサーに関す
る。
［従来の技術］ 従来の４相差動回転センサーの一例を第４図〜第６図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第４図に示す４相差動回転センサー51において、52〜59
は電極部であり、61〜68は半導体磁気抵抗素子である。
は電極部であり、61〜68は半導体磁気抵抗素子である。
半導体磁気抵抗素子61は、InSbのＹ方向に延びるストラ
イプを１往復させてその両端に電極部52,53を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。
イプを１往復させてその両端に電極部52,53を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。
半導体磁気抵抗素子62も前記半導体磁気抵抗素子61と同
様であるが、電極は52aと54であり、その電極52aは電極
52bを介して前記電極52に接続されている。
様であるが、電極は52aと54であり、その電極52aは電極
52bを介して前記電極52に接続されている。
他の半導体磁気抵抗素子63〜68も同様に構成されてい
る。
る。
各半導体磁気抵抗素子61〜68の間隔は、第５図に示すよ
うに、回転検出用ギアの歯のピッチＰの1/4になってお
り、中央の間隔だけ3/4Pになっている。従って、間隔比
は、1:1:1:3:1:1:1である。
うに、回転検出用ギアの歯のピッチＰの1/4になってお
り、中央の間隔だけ3/4Pになっている。従って、間隔比
は、1:1:1:3:1:1:1である。
同図に示すように、電極52と56に電源電圧Vinを接続
し、電極55と59にGndを接続し、電極53をＡ相の出力端
子、電極54を相の出力端子、電極57を相の出力端
子、電極58をＢ相の出力端子とする。
し、電極55と59にGndを接続し、電極53をＡ相の出力端
子、電極54を相の出力端子、電極57を相の出力端
子、電極58をＢ相の出力端子とする。
第６図は電源電圧Vinの一つの半導体磁気抵抗素子に流
れる電流Ｉの関係を示す特性図である。ａは温度25℃,b
は温度70℃,cは温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃で
ある。
れる電流Ｉの関係を示す特性図である。ａは温度25℃,b
は温度70℃,cは温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃で
ある。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来の４相差動回転センサー51において、電源電圧
Vinを5Vより大きくすると、電流Ｉが大きくなりすぎる
ため、使用温度限界が25℃よりも低くなり実用に供しえ
なくなり、他方、電源電圧Vinを5Vより小さくすると、
出力信号が小さくなりすぎるため、S/Nが不十分となっ
て実用に供しえなくなる。
Vinを5Vより大きくすると、電流Ｉが大きくなりすぎる
ため、使用温度限界が25℃よりも低くなり実用に供しえ
なくなり、他方、電源電圧Vinを5Vより小さくすると、
出力信号が小さくなりすぎるため、S/Nが不十分となっ
て実用に供しえなくなる。
このため、電源電圧Vinは通常5Vに設定される。
しかし、感度を向上させるためには電源電圧Vinを5Vよ
り大きくするのが好ましく、また、使用温度限界は少な
くとも80℃程度まであるのが好ましい。
り大きくするのが好ましく、また、使用温度限界は少な
くとも80℃程度まであるのが好ましい。
そこで、この発明の目的は、電源電圧Vinを大きくする
ことが出来ると共に使用温度限界を80℃以上に高くする
ことが出来るようにした４相差動回転センサーを提供す
ることにある。
ことが出来ると共に使用温度限界を80℃以上に高くする
ことが出来るようにした４相差動回転センサーを提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ この発明の４相差動回転センサーは、感磁性半導体のＹ
方向に延びるストライプを１往復半させてその両端に電
極部を設けた半導体磁気抵抗素子をＸ方向に８列並べ、
それら各列の間隔比を2:1:2:1:2:1:2としたことを構成
上の特徴とするものである。
方向に延びるストライプを１往復半させてその両端に電
極部を設けた半導体磁気抵抗素子をＸ方向に８列並べ、
それら各列の間隔比を2:1:2:1:2:1:2としたことを構成
上の特徴とするものである。
［作用］ この発明の４相差動回転センサーでは、感磁性半導体の
ストライプが１往復半しているので、１往復の場合より
も各半導体磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなる。このた
め電流Ｉが制限されるから、電源電圧Vinを大きくで
き、感度を高くできる。
ストライプが１往復半しているので、１往復の場合より
も各半導体磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなる。このた
め電流Ｉが制限されるから、電源電圧Vinを大きくで
き、感度を高くできる。
また、半導体磁気抵抗素子の各列の間隔は、比例定数を
ｋとして、2k,k,2k,k,2k,k,2kとなるが、回転検出用ギ
アの歯のピッチＰに対してｋ＝P/4とすれば、好適にＡ
相，相、相,B相を取り出せるようになる。
ｋとして、2k,k,2k,k,2k,k,2kとなるが、回転検出用ギ
アの歯のピッチＰに対してｋ＝P/4とすれば、好適にＡ
相，相、相,B相を取り出せるようになる。
［実施例］ 以下、図に示す実施例によりこの発明を更に詳細に説明
する。なお、これによりこの発明が限定されるものでは
ない。
する。なお、これによりこの発明が限定されるものでは
ない。
第１図に示す４相差動回転センサー１において、２〜10
は電極部であり、11〜18は半導体磁気抵抗素子である。
は電極部であり、11〜18は半導体磁気抵抗素子である。
半導体磁気抵抗素子11は、InSbのＹ方向に延びるストラ
イプを１往復半させてその両端に電極部2,3を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。また、ストライプの幅も従来より細くされてい
る。
イプを１往復半させてその両端に電極部2,3を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。また、ストライプの幅も従来より細くされてい
る。
半導体磁気抵抗素子12も前記半導体磁気抵抗素子11と同
様であるが、電極３と電極４の間でストライプを１往復
半させている。
様であるが、電極３と電極４の間でストライプを１往復
半させている。
他の半導体磁気抵抗素子13〜18も同様に構成されてい
る。
る。
各半導体磁気抵抗素子11〜18はＸ方向に並んでおり、そ
れらの間隔は第２図に示すように回転検出用ギアの歯の
ピッチＰの1/2と1/4とが交互になっている。間隔比は、
2:1:2:1:2:1:2である。
れらの間隔は第２図に示すように回転検出用ギアの歯の
ピッチＰの1/2と1/4とが交互になっている。間隔比は、
2:1:2:1:2:1:2である。
同図に示すように、電極2,6,10に電源電圧Vinを接続
し、電極４と８にGndを接続する。
し、電極４と８にGndを接続する。
Ｘ方向に回転検出用ギアの歯が移動すれば、電極３がＢ
相の出力端子、電極５が相の出力端子、電極７が相
の出力端子、電極９がＡ相の出力端子となる。
相の出力端子、電極５が相の出力端子、電極７が相
の出力端子、電極９がＡ相の出力端子となる。
第３図は上記４相差動回転センサー１における電源電圧
Vinと一つの半導体磁気抵抗素子に流れる電流Ｉの関係
を実測した特性図である。ａは温度25℃,bは温度70℃,c
は温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃である。
Vinと一つの半導体磁気抵抗素子に流れる電流Ｉの関係
を実測した特性図である。ａは温度25℃,bは温度70℃,c
は温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃である。
各半導体磁気抵抗素子11〜18の抵抗値が従来より大きく
なっているため、従来と同じ電源電圧Vinの値に対して
電流Ｉは従来の約1/3になっている。従って、従来と同
じ使用温度にするなら電源電圧Vinを従来の３倍程度に
高くすることが出来、感度を向上できる。また、従来と
同じ電源電圧Vinにするなら100℃以上の使用温度にも耐
えられるようになる。
なっているため、従来と同じ電源電圧Vinの値に対して
電流Ｉは従来の約1/3になっている。従って、従来と同
じ使用温度にするなら電源電圧Vinを従来の３倍程度に
高くすることが出来、感度を向上できる。また、従来と
同じ電源電圧Vinにするなら100℃以上の使用温度にも耐
えられるようになる。
［発明の効果］ この発明の４相差動回転センサーによれば、各半導体磁
気抵抗素子の抵抗値が大きくなり電流が制限されるか
ら、供給電圧を大きくすることが出来、感度を向上でき
る。また、高温での使用にも耐えられるようになる。
気抵抗素子の抵抗値が大きくなり電流が制限されるか
ら、供給電圧を大きくすることが出来、感度を向上でき
る。また、高温での使用にも耐えられるようになる。
第１図はこの発明の一実施例の４相差動回転センサーの
要部平面図、第２図は第１図の４相差動回転センサーに
対する電源・信号の接続図、第３図は第１図の４相差動
回転センサーの電圧電流特性図、第４図は従来の４相差
動回転センサーの一例の要部平面図、第５図は第４図の
４相差動回転センサーに対する電源・信号の接続図、第
６図は第４図の４相差動回転センサーの電圧電流特性図
である。 （符号の説明） １……４相差動回転センサー ２〜10……電極部 11〜18……半導体磁気抵抗素子。
要部平面図、第２図は第１図の４相差動回転センサーに
対する電源・信号の接続図、第３図は第１図の４相差動
回転センサーの電圧電流特性図、第４図は従来の４相差
動回転センサーの一例の要部平面図、第５図は第４図の
４相差動回転センサーに対する電源・信号の接続図、第
６図は第４図の４相差動回転センサーの電圧電流特性図
である。 （符号の説明） １……４相差動回転センサー ２〜10……電極部 11〜18……半導体磁気抵抗素子。
Claims (1)
- 【請求項１】感磁性半導体のＹ方向に延びるストライプ
を１往復半させてその両端に電極部を設けた半導体磁気
抵抗素子をＸ方向に８列並べ、それら各列の間隔比を2:
1:2:1:2:1:2としたことを特徴とする４相差動回転セン
サー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094958A JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094958A JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272782A JPH02272782A (ja) | 1990-11-07 |
| JPH06103761B2 true JPH06103761B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=14124440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094958A Expired - Lifetime JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103761B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6590389B1 (en) * | 1998-08-07 | 2003-07-08 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor, magnetic sensor apparatus, semiconductor magnetic resistance apparatus, and production method thereof |
| CN100367526C (zh) | 2001-10-01 | 2008-02-06 | 旭化成电子材料元件株式会社 | 霍尔器件和磁传感器 |
| KR100658025B1 (ko) | 2002-01-15 | 2006-12-15 | 아사히 가세이 덴시 가부시끼가이샤 | 화합물 반도체 적층 구조체, 홀 소자 및 홀 소자의 제조방법 |
| JP4589410B2 (ja) | 2005-12-16 | 2010-12-01 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 位置検出装置 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1094958A patent/JPH06103761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02272782A (ja) | 1990-11-07 |
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Legal Events
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