JPH02272782A - ４相差動回転センサー - Google Patents
４相差動回転センサーInfo
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- JPH02272782A JPH02272782A JP1094958A JP9495889A JPH02272782A JP H02272782 A JPH02272782 A JP H02272782A JP 1094958 A JP1094958 A JP 1094958A JP 9495889 A JP9495889 A JP 9495889A JP H02272782 A JPH02272782 A JP H02272782A
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- electrodes
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- phase
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、４相差動回転センサーに関し、更に詳しく
は、感度を向上させることが出来ると共に高温下の使用
にも耐え得る構造とした４相差動回転センサーに関する
。
は、感度を向上させることが出来ると共に高温下の使用
にも耐え得る構造とした４相差動回転センサーに関する
。
［従来の技術］
従来の４相差動回転センサーの一例を第４図〜第６図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第４図に示す４相差動回転センサー５１において、５２
〜５９は電極部であり、６１〜６８は半導体磁気抵抗素
子である。
〜５９は電極部であり、６１〜６８は半導体磁気抵抗素
子である。
半導体磁気抵抗素子６１は、ＩｎＳｂのＹ方向に延びる
ストライプを１往復させてその両端に電極部５２．５３
を設けたものである。ストライプ上にはショートバーが
形成されている。
ストライプを１往復させてその両端に電極部５２．５３
を設けたものである。ストライプ上にはショートバーが
形成されている。
半導体磁気抵抗素子６２も前記半導体磁気抵抗素子６１
と同様であるが、電極は５２ａと５４であり、その電極
５２ａは電極５２ｂを介して前記電極５２に接続されて
いる。
と同様であるが、電極は５２ａと５４であり、その電極
５２ａは電極５２ｂを介して前記電極５２に接続されて
いる。
他の半導体磁気抵抗素子６３〜６８も同様に構成されて
いる。
いる。
各半導体磁気抵抗素子６１〜６８の間隔は、第５図に示
すように、回転検出用ギアの歯のピッチＰの１／４にな
っており、中央の間隔だけ３／４Ｐになっている。従っ
て、間隔比は、１：１：１：３：１：１：１である。
すように、回転検出用ギアの歯のピッチＰの１／４にな
っており、中央の間隔だけ３／４Ｐになっている。従っ
て、間隔比は、１：１：１：３：１：１：１である。
同図に示すように、電極５２と５６に電源電圧Ｖｉｎを
接続し、電極５５と５９にＧｎｄを接続し、電極５３を
Ａ相の出力端子、電極５４をＢ相の出力端子、電極５７
をＷ相の出力端子、電極５８をＢ相の出力端子とする。
接続し、電極５５と５９にＧｎｄを接続し、電極５３を
Ａ相の出力端子、電極５４をＢ相の出力端子、電極５７
をＷ相の出力端子、電極５８をＢ相の出力端子とする。
第６図は電源電圧Ｖｉｎと一つの半導体磁気抵抗素子に
流れる電流Ｉの関係を示す特性図である。
流れる電流Ｉの関係を示す特性図である。
ａは温度２５℃、ｂは温度７０℃、Ｃは温度８０℃、ｄ
は温度９０℃、ｅは温度１００℃である。
は温度９０℃、ｅは温度１００℃である。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来の４相差動回転センサー５１において、電源電
圧Ｖｉｎを５Ｖより大きくすると、電流Ｉが大きくなり
すぎるため、使用温度限界が２５℃よりも低くなり実用
に供しえなくなり、他方、電源電圧Ｖｉｎを５Ｖより小
さくすると、出力信号が小さくなりすぎるため、Ｓ／Ｎ
比が不十分となって実用に供しえなくなる。
圧Ｖｉｎを５Ｖより大きくすると、電流Ｉが大きくなり
すぎるため、使用温度限界が２５℃よりも低くなり実用
に供しえなくなり、他方、電源電圧Ｖｉｎを５Ｖより小
さくすると、出力信号が小さくなりすぎるため、Ｓ／Ｎ
比が不十分となって実用に供しえなくなる。
このため、電源電圧Ｖｉｎは通常５Ｖに設定される。
しかし、感度を向上させるためには電源電圧Ｖｉｎを５
■より大きくするのが好ましく、また、使用温度限界は
少なくとも８０℃程度まであるのが好ましい。
■より大きくするのが好ましく、また、使用温度限界は
少なくとも８０℃程度まであるのが好ましい。
そこで、この発明の目的は、電源電圧Ｖｉｎを大きくす
ることが出来ると共に使用温度限界を８０℃以上に高く
することが出来るようにした４相差動回転センサーを提
供することにある。
ることが出来ると共に使用温度限界を８０℃以上に高く
することが出来るようにした４相差動回転センサーを提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明の４相差動回転センサーは、感磁性半導体のＹ
方向に延びるストライブを１往復半させてその両端に電
極部を設けた半導体磁気抵抗素子をＸ方向に８列並べ、
それら各列の間隔比を２：１：２：１：２＋１：２とし
たことを構成上の特徴とするものである。
方向に延びるストライブを１往復半させてその両端に電
極部を設けた半導体磁気抵抗素子をＸ方向に８列並べ、
それら各列の間隔比を２：１：２：１：２＋１：２とし
たことを構成上の特徴とするものである。
［作用］
この発明の４相差動回転センサーでは、感磁性半導体の
ストライブが１往復半しているので、１往復の場合より
も各半導体磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなる。このた
め電流Ｉが制限されるから、電源電圧Ｖｉｎを大きくで
き、感度を高くできる。
ストライブが１往復半しているので、１往復の場合より
も各半導体磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなる。このた
め電流Ｉが制限されるから、電源電圧Ｖｉｎを大きくで
き、感度を高くできる。
また、半導体磁気抵抗素子の各列の間隔は、比例定数を
ｋとして、２に、に、２に、に、２ｋ。
ｋとして、２に、に、２に、に、２ｋ。
ｋ、２にとなるが、回転検出用ギアの歯のピッチＰに対
してに−Ｐ／４とすれば、好適にＡ相、■相、Ｗ相、Ｂ
相を取り出せるようになる。
してに−Ｐ／４とすれば、好適にＡ相、■相、Ｗ相、Ｂ
相を取り出せるようになる。
［実施例］
以下、図に示す実施例によりこの発明を更に詳細に説明
する。なお、これによりこの発明が限定されるものでは
ない。
する。なお、これによりこの発明が限定されるものでは
ない。
第１図に示す４相差動回転センサー１において、２〜１
０は電極部であり、１１〜１８は半導体磁気抵抗素子で
ある。
０は電極部であり、１１〜１８は半導体磁気抵抗素子で
ある。
半導体磁気抵抗素子１１は、ＩｎＳｂのＹ方向に延びる
ストライブを１往復半させてその両端に電極部２．３を
設けたものである。ストライブ上にはショートバーが形
成されている。また、ストライブの幅も従来より細くさ
れている。
ストライブを１往復半させてその両端に電極部２．３を
設けたものである。ストライブ上にはショートバーが形
成されている。また、ストライブの幅も従来より細くさ
れている。
半導体磁気抵抗素子１２も前記半導体磁気抵抗素子１１
と同様であるが、電極３と電極４の間でストライブを１
往復半させている。
と同様であるが、電極３と電極４の間でストライブを１
往復半させている。
他の半導体磁気抵抗素子１３〜１８も同様に構成されて
いる。
いる。
各半導体磁気抵抗素子１１〜１８はＸ方向に並んでおり
、それらの間隔は第２図に示すように回転検出用ギアの
歯のピッチＰの１／２と１／４とが交互になっている。
、それらの間隔は第２図に示すように回転検出用ギアの
歯のピッチＰの１／２と１／４とが交互になっている。
間隔比は、２：１：２二１：２：１：２である。
同図に示すように、電極２，６．１０に電源電圧Ｖｆｎ
を接続し、電極４と８にＧｎｄを接続する。
を接続し、電極４と８にＧｎｄを接続する。
Ｘ方向に回転検出用ギアの歯が移動すれば、電極３がＢ
相の出力端子、電極５がＸ相の出力端子、電極７がπ相
の出力端子、電極９がＡ相の出力端子となる。
相の出力端子、電極５がＸ相の出力端子、電極７がπ相
の出力端子、電極９がＡ相の出力端子となる。
第３図は上記４相差動回転センサー１における電源電圧
Ｖｉｎと一つの半導体磁気抵抗素子に流れる電流Ｉの関
係を実測した特性図である。ａは温度２５℃、ｂは温度
７０℃、Ｃは温度８０℃、ｄは温度９０’Ｃ，ｅは温度
１００℃である。
Ｖｉｎと一つの半導体磁気抵抗素子に流れる電流Ｉの関
係を実測した特性図である。ａは温度２５℃、ｂは温度
７０℃、Ｃは温度８０℃、ｄは温度９０’Ｃ，ｅは温度
１００℃である。
各半導体磁気抵抗素子１１〜１８の抵抗値が従来より大
きくなっているため、従来と同じ電源電圧Ｖｉｎの値に
対して電流Ｉは従来の約１／３になっている。従って、
従来と同じ使用温度にするなら電源電圧Ｖｉｎを従来の
３倍程度に高くすることが出来、感度を向上できる。ま
た、従来と同じ電源電圧Ｖｉｎにするなら１００℃以上
の使用温度にも耐えられるようになる。
きくなっているため、従来と同じ電源電圧Ｖｉｎの値に
対して電流Ｉは従来の約１／３になっている。従って、
従来と同じ使用温度にするなら電源電圧Ｖｉｎを従来の
３倍程度に高くすることが出来、感度を向上できる。ま
た、従来と同じ電源電圧Ｖｉｎにするなら１００℃以上
の使用温度にも耐えられるようになる。
［発明の効果コ
ｔこの発明の４相差動回転センサーによれば、各半導体
磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなり電流が制限されるか
ら、供給電圧を大きくすることが出来、感度を向上でき
る。また、高温での使用にも耐えられるようになる。
磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなり電流が制限されるか
ら、供給電圧を大きくすることが出来、感度を向上でき
る。また、高温での使用にも耐えられるようになる。
第１図はこの発明の一実施例の４相差動回転センサーの
要部平面図、第２図は第１図の４相差動回転センサーに
対する電源・信号の接続図、第３図は第１図の４相差動
回転センサーの電圧電流特性図、第４図は従来の４相差
動回転センサーの一例の要部平面図、第５図は第４図の
４相差動回転センサーに対する電源・信号の接続図、第
６図は第４図の４相差動回転センサーの電圧電流特性図
である。 （符号の説明） １・・・４相差動回転センサー ２〜１０・・・電極部 １１〜１８・・・半導体磁気抵抗素子。
要部平面図、第２図は第１図の４相差動回転センサーに
対する電源・信号の接続図、第３図は第１図の４相差動
回転センサーの電圧電流特性図、第４図は従来の４相差
動回転センサーの一例の要部平面図、第５図は第４図の
４相差動回転センサーに対する電源・信号の接続図、第
６図は第４図の４相差動回転センサーの電圧電流特性図
である。 （符号の説明） １・・・４相差動回転センサー ２〜１０・・・電極部 １１〜１８・・・半導体磁気抵抗素子。
Claims (1)
- １、感磁性半導体のＹ方向に延びるストライプを１往復
半させてその両端に電極部を設けた半導体磁気抵抗素子
をＸ方向に８列並べ、それら各列の間隔比を２：１：２
：１：２：１：２としたことを特徴とする４相差動回転
センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094958A JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094958A JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272782A true JPH02272782A (ja) | 1990-11-07 |
| JPH06103761B2 JPH06103761B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=14124440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094958A Expired - Lifetime JPH06103761B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ４相差動回転センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103761B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1813954A1 (en) * | 1998-08-07 | 2007-08-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and production method thereof |
| US7372119B2 (en) | 2001-10-01 | 2008-05-13 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Cross-shaped Hall device having extensions with slits |
| US7388268B2 (en) | 2002-01-15 | 2008-06-17 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | Compound semiconductor multilayer structure, hall device, and hall device manufacturing method |
| US7843190B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-11-30 | Asahi Kasei Emd Corporation | Position detection apparatus |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1094958A patent/JPH06103761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1813954A1 (en) * | 1998-08-07 | 2007-08-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and production method thereof |
| US7372119B2 (en) | 2001-10-01 | 2008-05-13 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Cross-shaped Hall device having extensions with slits |
| US7388268B2 (en) | 2002-01-15 | 2008-06-17 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | Compound semiconductor multilayer structure, hall device, and hall device manufacturing method |
| US7843190B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-11-30 | Asahi Kasei Emd Corporation | Position detection apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103761B2 (ja) | 1994-12-14 |
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Legal Events
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