JPH06104683A - 圧電素子 - Google Patents
圧電素子Info
- Publication number
- JPH06104683A JPH06104683A JP24910692A JP24910692A JPH06104683A JP H06104683 A JPH06104683 A JP H06104683A JP 24910692 A JP24910692 A JP 24910692A JP 24910692 A JP24910692 A JP 24910692A JP H06104683 A JPH06104683 A JP H06104683A
- Authority
- JP
- Japan
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- piezoelectric element
- piezoelectric
- thin film
- base member
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラムを形成する必要がなく、かつ、
製造コストの安価な圧電素子を得る。 【構成】 ベース部材であるアルミ箔１の表面に、スパ
ッタリング法等の手段にて圧電体膜２を設ける。さら
に、圧電体膜２の表面に、蒸着法等の手段にて振動電極
３を設ける。以上の構造において、アルミ箔１は一方の
振動電極として働く。従って、アルミ箔１と振動電極３
との間にバルク波の振動が発生する。
製造コストの安価な圧電素子を得る。 【構成】 ベース部材であるアルミ箔１の表面に、スパ
ッタリング法等の手段にて圧電体膜２を設ける。さら
に、圧電体膜２の表面に、蒸着法等の手段にて振動電極
３を設ける。以上の構造において、アルミ箔１は一方の
振動電極として働く。従って、アルミ箔１と振動電極３
との間にバルク波の振動が発生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルタや発振子等と
して使用される圧電素子に関する。
して使用される圧電素子に関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来より、バルク波を利用した高
周波圧電素子には、ＳｉとＳｉＯ2を積層したものをベ
ース部材とし、このベース部材の表面に金属薄膜を設
け、この金属薄膜の表面に設けた圧電体膜と、この圧電
体膜の表面に設けた金属薄膜とを備えたものが知られて
いる。
周波圧電素子には、ＳｉとＳｉＯ2を積層したものをベ
ース部材とし、このベース部材の表面に金属薄膜を設
け、この金属薄膜の表面に設けた圧電体膜と、この圧電
体膜の表面に設けた金属薄膜とを備えたものが知られて
いる。
【０００３】ところで、この構造の圧電素子はベース部
材を構成しているＳｉの一部分をエッチング法にて薄膜
化してダイヤフラムを形成する必要がある。しかし、こ
のダイヤフラムの形成はその仕上がりを精度良くするこ
とが困難であり、圧電素子の周波数特性が大きくばらつ
く原因となっていた。しかも、この圧電素子の製造コス
トは高価であった。
材を構成しているＳｉの一部分をエッチング法にて薄膜
化してダイヤフラムを形成する必要がある。しかし、こ
のダイヤフラムの形成はその仕上がりを精度良くするこ
とが困難であり、圧電素子の周波数特性が大きくばらつ
く原因となっていた。しかも、この圧電素子の製造コス
トは高価であった。
【０００４】そこで、本発明の課題は、ダイヤフラムを
形成する必要がなく、かつ、製造コストの安価な圧電素
子を提供することにある。
形成する必要がなく、かつ、製造コストの安価な圧電素
子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】以上の課題を解決
するため、本発明に係る圧電素子は、ベース部材とし
て、金属箔、又は、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の表面
に設けた金属薄膜のいずれか一方を採用し、このベース
部材の表面に設けた圧電体膜と、この圧電体膜の表面に
設けた金属薄膜とを備えたことを特徴とする。
するため、本発明に係る圧電素子は、ベース部材とし
て、金属箔、又は、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の表面
に設けた金属薄膜のいずれか一方を採用し、このベース
部材の表面に設けた圧電体膜と、この圧電体膜の表面に
設けた金属薄膜とを備えたことを特徴とする。
【０００６】以上の構成において、金属箔、又は絶縁体
薄膜の表面に設けた金属薄膜は一方の振動電極として機
能し、圧電体膜の表面に設けた金属薄膜は他方の振動電
極として機能する。そして、金属箔からなるベース部
材、又は、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の表面に設けた
金属薄膜からなるベース部材にダイヤフラムを形成する
必要がなくなる。
薄膜の表面に設けた金属薄膜は一方の振動電極として機
能し、圧電体膜の表面に設けた金属薄膜は他方の振動電
極として機能する。そして、金属箔からなるベース部
材、又は、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の表面に設けた
金属薄膜からなるベース部材にダイヤフラムを形成する
必要がなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る圧電素子の実施例をその
製造方法と共に添付図面を参照して説明する。 ［第１実施例、図１〜図４］第１実施例は、ベース部材
としてアルミ箔を採用した場合について説明する。
製造方法と共に添付図面を参照して説明する。 ［第１実施例、図１〜図４］第１実施例は、ベース部材
としてアルミ箔を採用した場合について説明する。
【０００８】図１に示すように、アルミ箔１の表面に、
スパッタリング法によってＺｎＯ、あるいはＡｌＮ等の
圧電体膜２を設ける。このとき、必要な部分にのみ圧電
体膜２を形成するため、圧電体膜２を形成する部分に相
当する位置に穴が設けられているマスク（図示せず）に
てアルミ箔１をマスキングする。次に、図２に示すよう
に、圧電体膜２の表面に、蒸着法によってＡｇ又はＡｕ
等からなる振動電極３及び引出し電極４を設ける。この
ときも、所定の形状の電極３，４を形成するため、電極
３，４を形成する部分に相当する位置に穴が設けられて
いるマスク（図示せず）にて圧電体膜２をマスキングす
る。振動電極３の一部は引き出され、圧電体膜２の縁部
に引出し部３ａを形成している。
スパッタリング法によってＺｎＯ、あるいはＡｌＮ等の
圧電体膜２を設ける。このとき、必要な部分にのみ圧電
体膜２を形成するため、圧電体膜２を形成する部分に相
当する位置に穴が設けられているマスク（図示せず）に
てアルミ箔１をマスキングする。次に、図２に示すよう
に、圧電体膜２の表面に、蒸着法によってＡｇ又はＡｕ
等からなる振動電極３及び引出し電極４を設ける。この
ときも、所定の形状の電極３，４を形成するため、電極
３，４を形成する部分に相当する位置に穴が設けられて
いるマスク（図示せず）にて圧電体膜２をマスキングす
る。振動電極３の一部は引き出され、圧電体膜２の縁部
に引出し部３ａを形成している。
【０００９】次に、図３に示すように、リード端子５，
６がそれぞれ引出し部３ａ及び引出し電極４に半田８あ
るいはワイヤーにて固定され、電気的に接続される。以
上の構造からなる圧電素子は、アルミ箔１が一方の振動
電極として機能する。従って、振動電極３とアルミ箔１
との間にバルク波振動が発生することになる。図４はこ
うして得られた圧電素子のインピーダンス−周波数特性
のグラフである。ここに、アルミ箔１の厚みは１５μ
ｍ、ＺｎＯの圧電体膜２の厚みは４．３μｍであった。
グラフからこの圧電素子は５５０ＭＨｚ近傍に共振周波
数を有していることが認められる。この結果、ベース部
材に従来のＳｉのような高価で、ダイヤフラム加工を必
要とする材料を採用しなくて済む圧電素子が得られる。
６がそれぞれ引出し部３ａ及び引出し電極４に半田８あ
るいはワイヤーにて固定され、電気的に接続される。以
上の構造からなる圧電素子は、アルミ箔１が一方の振動
電極として機能する。従って、振動電極３とアルミ箔１
との間にバルク波振動が発生することになる。図４はこ
うして得られた圧電素子のインピーダンス−周波数特性
のグラフである。ここに、アルミ箔１の厚みは１５μ
ｍ、ＺｎＯの圧電体膜２の厚みは４．３μｍであった。
グラフからこの圧電素子は５５０ＭＨｚ近傍に共振周波
数を有していることが認められる。この結果、ベース部
材に従来のＳｉのような高価で、ダイヤフラム加工を必
要とする材料を採用しなくて済む圧電素子が得られる。
【００１０】［第２実施例、図５〜図９］第２実施例
は、ベース部材として、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の
表面に設けた金属薄膜を採用した場合について説明す
る。図５に示すように、厚みが約２５μｍのポリイミド
フィルム２２とこのポリイミドフィルム２２の表面に設
けた厚みが約０．１μｍのアルミ薄膜２３とからなるベ
ース部材２１を準備する。このアルミ薄膜２３を光感光
性レジスト膜にて覆った後、所望の部分にのみ光が照射
されるようにマスキングをした状態で露光する。露光
後、現像することにより光が照射された部分のレジスト
膜が残る。次に、エッチング液にて露出しているアルミ
薄膜の部分を取り除いた後、レジスト膜を取り除いて、
図６に示すように、振動電極２４を形成する。振動電極
２４の一部は引き出され、ポリイミドフィルム２２の縁
部に引出し部２４ａを形成している。
は、ベース部材として、絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の
表面に設けた金属薄膜を採用した場合について説明す
る。図５に示すように、厚みが約２５μｍのポリイミド
フィルム２２とこのポリイミドフィルム２２の表面に設
けた厚みが約０．１μｍのアルミ薄膜２３とからなるベ
ース部材２１を準備する。このアルミ薄膜２３を光感光
性レジスト膜にて覆った後、所望の部分にのみ光が照射
されるようにマスキングをした状態で露光する。露光
後、現像することにより光が照射された部分のレジスト
膜が残る。次に、エッチング液にて露出しているアルミ
薄膜の部分を取り除いた後、レジスト膜を取り除いて、
図６に示すように、振動電極２４を形成する。振動電極
２４の一部は引き出され、ポリイミドフィルム２２の縁
部に引出し部２４ａを形成している。
【００１１】次に、図７に示すように、ベース部材２１
の表面にスパッタリング法によって圧電体膜２６を設け
る。このとき、必要な部分にのみ圧電体膜２６を形成す
るため、圧電体膜２６を形成する部分に相当する位置に
穴が設けられているマスク（図示せず）にてベース部材
２１をマスキングする。次に、図８に示すように、蒸着
法によって圧電体膜２６の表面に振動電極２８を設け、
引出し部２４ａの表面にパッド電極２９を設ける。振動
電極２８の一部は引き出され、圧電体膜２６の縁部に引
出し部２８ａを形成している。
の表面にスパッタリング法によって圧電体膜２６を設け
る。このとき、必要な部分にのみ圧電体膜２６を形成す
るため、圧電体膜２６を形成する部分に相当する位置に
穴が設けられているマスク（図示せず）にてベース部材
２１をマスキングする。次に、図８に示すように、蒸着
法によって圧電体膜２６の表面に振動電極２８を設け、
引出し部２４ａの表面にパッド電極２９を設ける。振動
電極２８の一部は引き出され、圧電体膜２６の縁部に引
出し部２８ａを形成している。
【００１２】次に、図９に示すように、リード端子３
０，３１がそれぞれパッド電極２９、引出し部２８ａに
半田３２にて固定され、電気的に接続される。以上の構
造からなる圧電素子は、振動電極２４，２８との間にバ
ルク波振動が発生することになる。この結果、第１実施
例の圧電素子と同様の作用、効果を奏することになる。
０，３１がそれぞれパッド電極２９、引出し部２８ａに
半田３２にて固定され、電気的に接続される。以上の構
造からなる圧電素子は、振動電極２４，２８との間にバ
ルク波振動が発生することになる。この結果、第１実施
例の圧電素子と同様の作用、効果を奏することになる。
【００１３】なお、本発明に係る圧電素子は、前記実施
例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に
変形することができる。特に、金属箔はアルミ箔に限る
ものではなく、銅箔、Ａｇ箔等であってもよい。
例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に
変形することができる。特に、金属箔はアルミ箔に限る
ものではなく、銅箔、Ａｇ箔等であってもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、ベース部材として金属箔、又は、絶縁体薄膜と
この絶縁体薄膜の表面に設けた金属薄膜のいずれか一方
を採用したので、ダイヤフラム加工が不要となり、製造
コストの安価な圧電素子が得られる。
よれば、ベース部材として金属箔、又は、絶縁体薄膜と
この絶縁体薄膜の表面に設けた金属薄膜のいずれか一方
を採用したので、ダイヤフラム加工が不要となり、製造
コストの安価な圧電素子が得られる。
【図１】本発明に係る圧電素子の第１実施例の製造工程
を説明するための正面図。
を説明するための正面図。
【図２】図１に続く圧電素子の製造工程を説明するため
の正面図。
の正面図。
【図３】本発明に係る圧電素子の第１実施例を示す平面
図。
図。
【図４】図３に示した圧電素子のインピーダンス−周波
数特性の測定結果を示すグラフ。
数特性の測定結果を示すグラフ。
【図５】本発明に係る圧電素子の第２実施例の製造工程
を説明するための正面図。
を説明するための正面図。
【図６】図５に続く圧電素子の製造工程を説明するため
の正面図。
の正面図。
【図７】図６に続く圧電素子の製造工程を説明するため
の正面図。
の正面図。
【図８】図７に続く圧電素子の製造工程を説明するため
の正面図。
の正面図。
【図９】本発明に係る圧電素子の第２実施例を示す平面
図。
図。
１…アルミ箔（ベース部材） ２…圧電体膜 ３…振動電極 ２１…ベース部材 ２２…ポリイミドフィルム ２４…振動電極 ２６…圧電体膜 ２８…振動電極
Claims (2)
- 【請求項１】 金属箔からなるベース部材と、このベー
ス部材の表面に設けた圧電体膜と、この圧電体膜の表面
に設けた金属薄膜とを備えたことを特徴とする圧電素
子。 - 【請求項２】 絶縁体薄膜とこの絶縁体薄膜の表面に設
けた金属薄膜からなるベース部材と、このベース部材の
表面に設けた圧電体膜と、この圧電体膜の表面に設けた
金属薄膜とを備えたことを特徴とする圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24910692A JPH06104683A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24910692A JPH06104683A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 圧電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104683A true JPH06104683A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17188048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24910692A Pending JPH06104683A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007324932A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子容器部材の製造方法とそれを用いた圧電振動子 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24910692A patent/JPH06104683A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007324932A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子容器部材の製造方法とそれを用いた圧電振動子 |
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