JPH0610959B2 - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH0610959B2 JPH0610959B2 JP2060941A JP6094190A JPH0610959B2 JP H0610959 B2 JPH0610959 B2 JP H0610959B2 JP 2060941 A JP2060941 A JP 2060941A JP 6094190 A JP6094190 A JP 6094190A JP H0610959 B2 JPH0610959 B2 JP H0610959B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- filament
- magnetron
- sealing body
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマグネトロンに関するものである。
第３図は従来のマグネトロンの１例を示すもので、フィ
ラメント１の両端はエンドシールド２、３を介してフイ
ラメントサポート４、５に支持されており、マグネトロ
ンサポート４、５は真空容器を形成する絶縁物６を貫通
し金属ワッシャ７を介して絶縁物６にろう付けされてい
る。またフィラメント１の周囲には放射状に配列された
複数個のベイン８とこれらを保持する陽極円筒９などか
らなる陽極が配設されている。前記ベイン８はストラッ
プリング１０、１１により１枚おきに電気的に接続され
ている。そして、ベイン８の１つには出力導体１２が接
続されており、作用空間に発生したマイクロ波エネルギ
ーを出力放射窓１３を通して負荷回路に放射させるよう
になっている。また陽極円筒９の上下端には作用空間に
集束磁界を供給するための磁極１４、１５が固着され、
更に磁極１４、１５はリング１６、１７を介してそれぞ
れ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着され、真空
容器を形成している。
ラメント１の両端はエンドシールド２、３を介してフイ
ラメントサポート４、５に支持されており、マグネトロ
ンサポート４、５は真空容器を形成する絶縁物６を貫通
し金属ワッシャ７を介して絶縁物６にろう付けされてい
る。またフィラメント１の周囲には放射状に配列された
複数個のベイン８とこれらを保持する陽極円筒９などか
らなる陽極が配設されている。前記ベイン８はストラッ
プリング１０、１１により１枚おきに電気的に接続され
ている。そして、ベイン８の１つには出力導体１２が接
続されており、作用空間に発生したマイクロ波エネルギ
ーを出力放射窓１３を通して負荷回路に放射させるよう
になっている。また陽極円筒９の上下端には作用空間に
集束磁界を供給するための磁極１４、１５が固着され、
更に磁極１４、１５はリング１６、１７を介してそれぞ
れ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着され、真空
容器を形成している。
以上のような従来例は、例えば特開昭５３−９０７５２
等に記載されている。
等に記載されている。
ところで、前記フィラメント１は安定した電子放射が得
られ易いことから表面層が炭化されたトリウム入りタン
グステンが使用されており、動作温度は１７００〜１８
００℃の高温である。従って、フィラメント１を支持す
るエンドシールド２、３およびフィラメントサポート
４、５も高い温度で使用できる素材からなることが必要
であり、一般にモリブデン（Ｍｏ）が用いられている。
またＭｏよりなるフィラメントサポート４、５は高い信
頼性をもってセラミックよりなる絶縁物６にろう付け封
着することが困難であるので、前記金属ワッシャ７には
セラミック絶縁物に近い膨脹係数を有するコバール（Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）が用いられている。
られ易いことから表面層が炭化されたトリウム入りタン
グステンが使用されており、動作温度は１７００〜１８
００℃の高温である。従って、フィラメント１を支持す
るエンドシールド２、３およびフィラメントサポート
４、５も高い温度で使用できる素材からなることが必要
であり、一般にモリブデン（Ｍｏ）が用いられている。
またＭｏよりなるフィラメントサポート４、５は高い信
頼性をもってセラミックよりなる絶縁物６にろう付け封
着することが困難であるので、前記金属ワッシャ７には
セラミック絶縁物に近い膨脹係数を有するコバール（Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）が用いられている。
このように、フィラメントサポート４、５は絶縁物６を
貫通して長く形成されているので、Ｍｏのような高価な
高融点金属を多く必要とする。またＭｏは銀ろうとの濡
れ性が悪く、信頼性の高いろう付けが困難である。更に
Ｍｏは脆い材質であるので、棒状あるいは線状に加工す
る際、表面および内部に欠陥が生じ易く、前記の如くフ
ィラメントサポート４、５が真空容器内外に貫通してい
ると、前記欠陥により真空リークを生じ易い。また金属
ワッシャ７はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏのような高価で一般性の
ない金属を使用しなければならない。更に絶縁物６とワ
ッシャ７、ワッシャ７とフィラメントサポート４、５を
それぞれ相互に銀ろう付けするので、高価な銀ろう材を
多量に必要とすると共に、封着構造が複雑となり、真空
リークを生じ易い、などの種々の欠点を有する。
貫通して長く形成されているので、Ｍｏのような高価な
高融点金属を多く必要とする。またＭｏは銀ろうとの濡
れ性が悪く、信頼性の高いろう付けが困難である。更に
Ｍｏは脆い材質であるので、棒状あるいは線状に加工す
る際、表面および内部に欠陥が生じ易く、前記の如くフ
ィラメントサポート４、５が真空容器内外に貫通してい
ると、前記欠陥により真空リークを生じ易い。また金属
ワッシャ７はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏのような高価で一般性の
ない金属を使用しなければならない。更に絶縁物６とワ
ッシャ７、ワッシャ７とフィラメントサポート４、５を
それぞれ相互に銀ろう付けするので、高価な銀ろう材を
多量に必要とすると共に、封着構造が複雑となり、真空
リークを生じ易い、などの種々の欠点を有する。
従来技術のもう１つの問題点は、金属外囲器を構成する
リング１７と、絶縁物６との封着面と、フィラメントサ
ポート４と絶縁物との封着面とが絶縁物の異なった側に
形成されているため、絶縁物に、封着のための前処理を
施す工程が複雑になり、製造コストが増大するという問
題点があった。
リング１７と、絶縁物６との封着面と、フィラメントサ
ポート４と絶縁物との封着面とが絶縁物の異なった側に
形成されているため、絶縁物に、封着のための前処理を
施す工程が複雑になり、製造コストが増大するという問
題点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたもので、経
済的で信頼性の高いマグネトロンを提供することを目的
とする。
済的で信頼性の高いマグネトロンを提供することを目的
とする。
第１の課題である、フィラメントサポート４、５と、絶
縁物６との封着部の信頼性の向上に対しては、補助封着
材を用いてフィラメントと接続し、この補助封着材と絶
縁物６とを封着することにより解決することができる。
縁物６との封着部の信頼性の向上に対しては、補助封着
材を用いてフィラメントと接続し、この補助封着材と絶
縁物６とを封着することにより解決することができる。
第２の課題である、封着面が、絶縁物６の両側に形成さ
れるため、絶縁物に対して行なう、金属と封着するため
の前処理を、絶縁物の両側にしなくてはならないという
問題は、前記フィラメントサポート、又は、前記補助封
着体と絶縁物との封着面を、真空容器の内側に形成する
ことによって解決することができる。
れるため、絶縁物に対して行なう、金属と封着するため
の前処理を、絶縁物の両側にしなくてはならないという
問題は、前記フィラメントサポート、又は、前記補助封
着体と絶縁物との封着面を、真空容器の内側に形成する
ことによって解決することができる。
第１の課題の解決のために用いる、補助封着体は、耐熱
金属材料には限定されないため、絶縁物と封着性の良い
材料を選定できるので、封着部の信頼性を上げることが
できる。
金属材料には限定されないため、絶縁物と封着性の良い
材料を選定できるので、封着部の信頼性を上げることが
できる。
第２の課題の解決のための前記の手段を用いれば、フィ
ラメントサポート、又は、補助封着体と、絶縁物との封
着面を、真空外周器を構成する金属と、絶縁物との封着
面と、同一の側に形成することができる。
ラメントサポート、又は、補助封着体と、絶縁物との封
着面を、真空外周器を構成する金属と、絶縁物との封着
面と、同一の側に形成することができる。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
上記問題を解決するために、本発明者が考えたマグネト
ロンの断面図を第１図に示す。なお、第３図の同じ部材
には同一符号を付しその説明を省略する。フィラメント
サポート２０、２１はセラミック絶縁物６を貫通しない
短い長さに形成され、このフィラメントサポート２０、
２１の端部に絶縁物６を貫通したＦｅ材よりなる補助封
着体２２がプラズマ溶接、突当抵抗溶接などにより固着
されている。前記補助封着体２２にはフランジ部２２ａ
が形成され、更にこのフランジ部２２ａには、絶縁物６
に対応した面が約０．４mm程度の薄肉よりなるカップ状
部２２ｂが一体塑性加工により形成されている。そし
て、カップ状部２２ｂの先端はメタライズされたアルミ
ナセラミック絶縁物６にろう付けされている。
ロンの断面図を第１図に示す。なお、第３図の同じ部材
には同一符号を付しその説明を省略する。フィラメント
サポート２０、２１はセラミック絶縁物６を貫通しない
短い長さに形成され、このフィラメントサポート２０、
２１の端部に絶縁物６を貫通したＦｅ材よりなる補助封
着体２２がプラズマ溶接、突当抵抗溶接などにより固着
されている。前記補助封着体２２にはフランジ部２２ａ
が形成され、更にこのフランジ部２２ａには、絶縁物６
に対応した面が約０．４mm程度の薄肉よりなるカップ状
部２２ｂが一体塑性加工により形成されている。そし
て、カップ状部２２ｂの先端はメタライズされたアルミ
ナセラミック絶縁物６にろう付けされている。
さて、フィラメント１の動作温度は高温であるが、フィ
ラメントサポート２０、２１は管外へ向って低下する温
度勾配を有しており、絶縁物６の近傍は十分低い温度で
あるので、補助封着体２２の材質としてＦｅなどの低い
融点の金属を用いることができる。またセラミック絶縁
体６とＦｅよりなる補助封着体２２とでは膨脹係数が異
なるが、補助封着体２２の封着部を薄肉のカップ状部２
２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が行なえ
る。
ラメントサポート２０、２１は管外へ向って低下する温
度勾配を有しており、絶縁物６の近傍は十分低い温度で
あるので、補助封着体２２の材質としてＦｅなどの低い
融点の金属を用いることができる。またセラミック絶縁
体６とＦｅよりなる補助封着体２２とでは膨脹係数が異
なるが、補助封着体２２の封着部を薄肉のカップ状部２
２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が行なえ
る。
このように、フィラメントサポート２０、２１は絶縁体
６を貫通しない短い長さよりなるので、Ｍｏのような高
価な高融点の金属の使用量を減らすことができる。また
補助封着体２２は安価な鉄よりなるので、塑性加工が容
易で封着し易い形状に一体加工することができ、第３図
における高価でかつ高融点のワッシャ７を省略できると
共に、延性、展性などがＭｏよりも優れており、加工時
に表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空封着
の信頼性が向上する。またフィラメントサポート２０、
２１と補助封着体２２は溶接などにより固着できるの
で、その作業は容易でかつ高価なろう材を必要としな
い。
６を貫通しない短い長さよりなるので、Ｍｏのような高
価な高融点の金属の使用量を減らすことができる。また
補助封着体２２は安価な鉄よりなるので、塑性加工が容
易で封着し易い形状に一体加工することができ、第３図
における高価でかつ高融点のワッシャ７を省略できると
共に、延性、展性などがＭｏよりも優れており、加工時
に表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空封着
の信頼性が向上する。またフィラメントサポート２０、
２１と補助封着体２２は溶接などにより固着できるの
で、その作業は容易でかつ高価なろう材を必要としな
い。
しかし、上記構成では絶縁物６の両側にろう付け面があ
るため前処理工程が増えることになる。
るため前処理工程が増えることになる。
第２図は本発明になるマグネトロンの実施例を示す要部
断面図である。前記第１図は絶縁体６の外側で補助封着
体２２を封着したが、本実施例は内側で封着したもので
ある。このようにすれば、補助封着体２２とリング１７
とを絶縁物６に対して同一の側に封着することが可能に
なる。したがって、絶縁物６に対して行なう、絶縁物と
金属を封着するための前処理の工程を簡易にすることが
できる。又、第２図に示すように、補助封着体２２と、
リング１７とを絶縁物に体して、そのろう付け面を同一
平面上に形成すれば、前記前処理工程を、更に、簡易に
することが出来る。
断面図である。前記第１図は絶縁体６の外側で補助封着
体２２を封着したが、本実施例は内側で封着したもので
ある。このようにすれば、補助封着体２２とリング１７
とを絶縁物６に対して同一の側に封着することが可能に
なる。したがって、絶縁物６に対して行なう、絶縁物と
金属を封着するための前処理の工程を簡易にすることが
できる。又、第２図に示すように、補助封着体２２と、
リング１７とを絶縁物に体して、そのろう付け面を同一
平面上に形成すれば、前記前処理工程を、更に、簡易に
することが出来る。
以上は、補助封着体と、絶縁物とを封着するとして説明
したが、補助封着体を用いず、従来通り、フィラメント
サポートと、絶縁物とを封着する場合も、同様の効果を
有することは勿論である。
したが、補助封着体を用いず、従来通り、フィラメント
サポートと、絶縁物とを封着する場合も、同様の効果を
有することは勿論である。
なお、上記実施例においては補助封着体２２の材質がＦ
ｅの場合について説明したが、Ｍｏよりも低い融点の金
属で絶縁物６の周囲の温度に耐えるものであれば特に限
定されなく、例えばＦｅ−Ｎｉ合金でもよい。また補助
封着体２２と絶縁体６との膨脹係数が大きい場合は、前
記したように補助封着体２２に薄肉のカップ状部２２ｂ
を形成することにより封着が容易に行なえるが、補助封
着体２２にＦｅ−Ｎｉ合金を用いる場合は、特にカップ
状部２２ｂを設けなく、平らなフランジ部２２ａのみを
形成し、このフランジ部２２ａを封着するようにしても
よい。また上記実施例においては、フィラメント１をエ
ンジシールド２、３を介してフィラメントサポート２
０、２１で支持したがフィラメントサポートの先端部を
折曲げ、この折曲げ部で直接フィラメントを支持するよ
うにしてもよい。
ｅの場合について説明したが、Ｍｏよりも低い融点の金
属で絶縁物６の周囲の温度に耐えるものであれば特に限
定されなく、例えばＦｅ−Ｎｉ合金でもよい。また補助
封着体２２と絶縁体６との膨脹係数が大きい場合は、前
記したように補助封着体２２に薄肉のカップ状部２２ｂ
を形成することにより封着が容易に行なえるが、補助封
着体２２にＦｅ−Ｎｉ合金を用いる場合は、特にカップ
状部２２ｂを設けなく、平らなフランジ部２２ａのみを
形成し、このフランジ部２２ａを封着するようにしても
よい。また上記実施例においては、フィラメント１をエ
ンジシールド２、３を介してフィラメントサポート２
０、２１で支持したがフィラメントサポートの先端部を
折曲げ、この折曲げ部で直接フィラメントを支持するよ
うにしてもよい。
本願発明によれば、封止部の信頼性が高く、かつ、製造
コストの低いマグネトロンを製作することができる。
コストの低いマグネトロンを製作することができる。
第１図は本発明になるマグネトロンの一実施例を示す断
面図、第２図は本発明になるマグネトロンの他の実施例
を示す要部断面図、第３図は従来のマグネトロンの断面
図である。 １……フィラメント、２、３……エンドシールド、６…
…絶縁体、１７……リング、２０、２１……フィラメン
トサポート、２２……補助封着体、２２ａ……フランジ
部、２２ｂ……カップ状部。
面図、第２図は本発明になるマグネトロンの他の実施例
を示す要部断面図、第３図は従来のマグネトロンの断面
図である。 １……フィラメント、２、３……エンドシールド、６…
…絶縁体、１７……リング、２０、２１……フィラメン
トサポート、２２……補助封着体、２２ａ……フランジ
部、２２ｂ……カップ状部。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器は少なくともリングと、絶縁物か
ら構成され、前記絶縁物と前記リングとは、第１の封着
面において封着され、陰極を構成するフィラメントの両
端部はエンドシールドを介してＭｏ材よりなるフィラメ
ントサポートにより支持されてなるマグネトロンにおい
て、前記フィラメントサポートは前記真空容器内におい
てその端部を有し、かつＦｅ材よりなる補助封着体を介
して前記絶縁物と第２の封着面で封着されており、前記
補助封着体は一端が前記絶縁物を貫通して前記真空容器
外に至り、他端が前記真空容器内にあって前記絶縁物と
の前記第２の封着面において展開する薄肉のカップ状の
フランジ部を有し、さらに前記第１の封着面と前記第２
の封着面とは前記真空容器内にあって前記絶縁物の同一
の側に、かつ前記絶縁物に対して同一平面で形成されて
いることを特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060941A JPH0610959B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060941A JPH0610959B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | マグネトロン |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2680081A Division JPS57143247A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Magnetron |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156562A Division JP2761348B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276136A JPH02276136A (ja) | 1990-11-13 |
| JPH0610959B2 true JPH0610959B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=13156910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060941A Expired - Lifetime JPH0610959B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610959B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635798A (en) * | 1993-12-24 | 1997-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetron with reduced dark current |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54160560U (ja) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2060941A patent/JPH0610959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02276136A (ja) | 1990-11-13 |
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