JPH0611012U - トランジスター回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低電圧・定電流動作をするトランジスター回
路を得ること。 【構成】 ＮＰＮトランジスターを使用した回路におい
て、該ＮＰＮトランジスターのコレクター電位よりエミ
ッター電位を若干高くし、且つ定電流制御回路１でベ−
ス電流を制御することを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、低電圧・定電流回路に関し、詳しくはＮＰＮトランジスターの逆バ イアス領域の特性を利用したトランジスター回路である。

【０００２】

【従来の技術】

従来、ＮＰＮトランジスタ−を使用した回路は第３図のようになり、トランジ スターＱを動作させるにはエミッター電位よりコレクター電位の方を０．６Ｖ以 上高くする必要があり、低電圧・低消費電力を必要とする小型電子機器に使用す る回路においてはトランジスターの動作開始電圧（０．６Ｖ）を小さくするため にＰＮＰトランジスターの低飽和領域を使ったり、マイナス電圧を使って回路上 の動作電位幅を拡げる等の工夫が必要であった。

【０００３】

【考案が解決しようとする問題点】

しかしながら、低飽和領域を利用した回路は不安定であり、又、マイナス電圧 の使用は回路が複雑になる等の不具合がある。

【０００４】

【問題を解決する為の手段】

本考案は、上記の不具合を無くすためにコレクター電位よりエミッター電位を 若干高くし、且つベース電位を制御することによって目的を達成している。

【０００５】

【実施例】

第１図は本考案になるＮＰＮトランジスターを使用した低電圧・定電流回路の 一実施例であり、抵抗Ｒ１はＶｂｃ（ベースとコレクター間の電位差）の自己バ イアス用電流帰還抵抗、Ｒ２は回路制御電圧検出抵抗、Ｑ１はＮＰＮトランジス ター、Ｅはバッテリー、１は定電流制御回路である。

【０００６）▲ 第１図において、定電流制御回路１から抵抗Ｒ１を介し
てトランジスターＱ１▲にＩｂ（ベース電流）を供給し、トランジスターＱ１の
エミッターにバッテリー▲Ｅを接ぐとＩｂに比例した定電流バッテリーＥから取
り出すことが出来る。即ち▲、Ｉｂを変えることによってバッテリーＥから取り
出す電流値も変えることがで▲きる。今、１．２Ｖ位のバッテリーをトランジス
ターＱ１のエミッターに接ぐと▲第２図のようなバイアス電圧となり、トランジ
スターＱ１の動作電圧は０．２Ｖ▲位になるのでバッテリーから１Ａ位の電流を
取り出した時、Ｒ２に１Ωの抵抗を▲使ったとしてもＲ２による電圧降下は０．
４Ｖとなり、バッテリーの電圧が０．▲７Ｖ程度に降下するまで電流を取り出す
ことが可能となる。▲ 【０００７】

【考案の効果】

以上説明した如く、本考案になるトランジスター回路はトランジスター自体の 動作開始電圧を低くすることができる低電圧・定電流回路であり、各種回路への 応用が可能である。特に一定電流を必要とするニッケルカドミュウム電池の充電 回路に最適なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案になるトランジスター回路である。

【図２】実施例におけるトランジスタ−のバイアス電圧
の関係を示す図である。

【図３】従来のトランジスター回路である。

【符号の説明】

１ 定電流制御回路 Ｑ，Ｑ１ トランジスター Ｅ バッテリー Ｒ，Ｒ１，Ｒ２， 抵抗

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ＮＰＮトランジスターを使用する回路において、エミッ
   ターの電位をコレクターの電位より高くし、且つコレク
   ター電位よりベース電位を高くした低電圧・定電流動作
   するトランジスター回路。