JPH0611038B2 - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JPH0611038B2 JPH0611038B2 JP19625887A JP19625887A JPH0611038B2 JP H0611038 B2 JPH0611038 B2 JP H0611038B2 JP 19625887 A JP19625887 A JP 19625887A JP 19625887 A JP19625887 A JP 19625887A JP H0611038 B2 JPH0611038 B2 JP H0611038B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 11
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子デバイス等の製造プロセスに用いられる
表面処理方法に関するものである。
表面処理方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、例えばＳｉ表面には自然酸化膜が形成され、これ
がＳｉ表面の保護膜となるとともに、逆に障害となる場
合があった。すなわち絶縁層となって、必要とされる結
晶成長が困難となったり、また、金属電極などを形成す
る場合には、この絶縁層のために、コンタクト抵抗が増
加したりしていた。これを解決するための従来技術とし
ては、上記自然酸化膜を除去するために、フッ酸による
ウェットエッチングや、800℃以上の高温熱処理やＡｒ
イオンによる物理的スパッタリング等が行われていた。
がＳｉ表面の保護膜となるとともに、逆に障害となる場
合があった。すなわち絶縁層となって、必要とされる結
晶成長が困難となったり、また、金属電極などを形成す
る場合には、この絶縁層のために、コンタクト抵抗が増
加したりしていた。これを解決するための従来技術とし
ては、上記自然酸化膜を除去するために、フッ酸による
ウェットエッチングや、800℃以上の高温熱処理やＡｒ
イオンによる物理的スパッタリング等が行われていた。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、ウェットエッチング法では、他の部分に酸化膜
があると、それもエッチングされ、目的とする工程形状
が確保できない。一方、高温熱処理は、高温による半導
体中の不純物分布の再分布化が起ったり、高温に耐えら
れない材料が同一基板上にある場合には利用できない。
Ａｒによる物理的スパッタリングでは、物理スパッタに
よる損傷が避けられない。
があると、それもエッチングされ、目的とする工程形状
が確保できない。一方、高温熱処理は、高温による半導
体中の不純物分布の再分布化が起ったり、高温に耐えら
れない材料が同一基板上にある場合には利用できない。
Ａｒによる物理的スパッタリングでは、物理スパッタに
よる損傷が避けられない。
本発明の目的は、上記のような欠点を除去せしめて、自
然酸化膜を発生しにくい保護膜表面を形成し、必要に応
じてその保護膜を低温、低損傷で除去しうる方法を提供
することにある。
然酸化膜を発生しにくい保護膜表面を形成し、必要に応
じてその保護膜を低温、低損傷で除去しうる方法を提供
することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、所定の条件で試料を水素ガス添加のハロカー
ボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化膜
をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して表
面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程とを備えてなることを
特徴とする表面処理方法、および所定の条件で試料を水
素ガス添加のハロカーボンガスを含むガスの放電にさら
し、試料表面の酸化膜をエッチングする工程と、水素ガ
ス添加量を増加して表面保護膜となる炭素含有層が形成
される放電条件に変え、放電に上記試料をさらす工程
と、前記保護膜を光エッチング可能なガス雰囲気中で、
光を照射して前記保護膜をエッチング除去する工程とを
備えてなることを特徴とする表面処理方法である。
ボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化膜
をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して表
面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程とを備えてなることを
特徴とする表面処理方法、および所定の条件で試料を水
素ガス添加のハロカーボンガスを含むガスの放電にさら
し、試料表面の酸化膜をエッチングする工程と、水素ガ
ス添加量を増加して表面保護膜となる炭素含有層が形成
される放電条件に変え、放電に上記試料をさらす工程
と、前記保護膜を光エッチング可能なガス雰囲気中で、
光を照射して前記保護膜をエッチング除去する工程とを
備えてなることを特徴とする表面処理方法である。
［作用］ 試料をドライエッチングした後、エッチングマスクとな
るレジストを除去する工程において、通常は試料表面に
酸化膜が形成される。
るレジストを除去する工程において、通常は試料表面に
酸化膜が形成される。
本願第１の発明では、この試料を所定の条件で、水素ガ
スを添加したＣＦ4等のハロカーボンガスを含むガスの
プラズマにさらし、まず、表面酸化膜をドライエッチン
グによって除去する。次いで同一装置内または真空中で
連結された別のチャンバ内へ試料を移送し、水素ガス添
加量を増加させた条件でハロカーボンガスのプラズマに
さらし、試料表面に炭素を含むポリマー層を堆積する。
スを添加したＣＦ4等のハロカーボンガスを含むガスの
プラズマにさらし、まず、表面酸化膜をドライエッチン
グによって除去する。次いで同一装置内または真空中で
連結された別のチャンバ内へ試料を移送し、水素ガス添
加量を増加させた条件でハロカーボンガスのプラズマに
さらし、試料表面に炭素を含むポリマー層を堆積する。
本願第２の発明では、上記のポリマー層が堆積した試料
を、例えば次の工程が成膜工程であれば成膜装置または
真空中で成膜装置に連結された別のチャンバ内に入れ
る。この成膜装置には、ハロゲンガス等に光を照射して
ハロゲンラジカルを発生させる装置を配設し、上記ポリ
マー層を除去するとともに、先のドライエッチング時に
混入したドライエッチ損傷層も除去してしまう。次いで
同一チャンバ内もしくは真空中で連結された成膜チャン
バ内へ試料を移送し、成膜等を行う。以上のようにして
得られた試料はドライエッチング損傷がなく、かつ大気
搬送中において、本発明の炭素を含んだポリマー層中に
は酸素が残らないため、酸化層もない。従って清浄な表
面を次の工程で使用できる。また、このプラズマ処理
は、異方的であるために、寸法変化もない。
を、例えば次の工程が成膜工程であれば成膜装置または
真空中で成膜装置に連結された別のチャンバ内に入れ
る。この成膜装置には、ハロゲンガス等に光を照射して
ハロゲンラジカルを発生させる装置を配設し、上記ポリ
マー層を除去するとともに、先のドライエッチング時に
混入したドライエッチ損傷層も除去してしまう。次いで
同一チャンバ内もしくは真空中で連結された成膜チャン
バ内へ試料を移送し、成膜等を行う。以上のようにして
得られた試料はドライエッチング損傷がなく、かつ大気
搬送中において、本発明の炭素を含んだポリマー層中に
は酸素が残らないため、酸化層もない。従って清浄な表
面を次の工程で使用できる。また、このプラズマ処理
は、異方的であるために、寸法変化もない。
［実施例］ 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
まず本願第１の発明の一実施例を示す。第１図は、本発
明の手法を、ＳｉＯ2エッチング後レジスト灰化し、そ
の後ＣＶＤ成膜を行うような従来プロセスに応用した場
合の工程を示したものである。まず第１図(a)において
ＣＦ4系のガスでレジストマスク11を用いてＳｉＯ212を
エッチングした。すると、エッチングした表面は、Ｓｉ
基板13上に汚染層（コンタミネーション層、以下コンタ
ミ層と略称する）14が形成される。この層は、エッチン
グ中のスパッタ物、特に、レジストからの酸素、カーボ
ン、あるいはガス中に含まれているフッ素やカーボンが
含まれている。このコンタミ層14はＳＩＭＳ分析で約15
0Å程度とわかった。このコンタミ層14は、次の工程で
ある酸素プラズマ中のレジスト灰化によっても除去され
ずに残る。次にそのまま、光エッチングでこのコンタミ
層14を除去するには、まず、ＨＦの水溶液でコンタミ層
上の自然酸化膜、あるいはエッチング中にマスクへのス
パッタで入ったと思われる酸素によるコンタミ層上のう
すい酸化膜を除去してやらねばならない。すると、ウェ
ットプロセスが入るし、また、必要とするＳｉＯ212ま
でがエッチングされてしまう。そこで本発明では第１図
(a)に示す状態から酸素プラズマによるレジスト11の灰
化後、ドライエッチング装置内に水素添加のＣＦ4ガス
を流し、約70ｍTorrで30秒間プラズマを立て表面処理を
行う。水素とＣＦ4のそれぞれのガス流量は20SCCMと100
SCCMである。この処理によって酸化膜が除去されるの
で、引きつづき水素ガスを40SCCMに増加する。このとき
チャンバ内のガス圧力は同一とする。このようにしてＳ
ｉ基板13上のコンタミ層14上のうすい酸化膜が除去さ
れ、かつ表面がフッ素を含むポリマーに置きかわった第
１図(b)に示すような表面保護層15が形成される。この
表面保護層15の厚さは50〜100Å程度で、その下には、
第１図(a)に示したＳｉＯ212をエッチングした際のコン
タミ層がまだ、100Å程度残っている。この表面は、大
気中に出しても酸化物が残らない。すなわち、ＣＯやＣ
Ｏ2の形で酸素が除去されるためである。
明の手法を、ＳｉＯ2エッチング後レジスト灰化し、そ
の後ＣＶＤ成膜を行うような従来プロセスに応用した場
合の工程を示したものである。まず第１図(a)において
ＣＦ4系のガスでレジストマスク11を用いてＳｉＯ212を
エッチングした。すると、エッチングした表面は、Ｓｉ
基板13上に汚染層（コンタミネーション層、以下コンタ
ミ層と略称する）14が形成される。この層は、エッチン
グ中のスパッタ物、特に、レジストからの酸素、カーボ
ン、あるいはガス中に含まれているフッ素やカーボンが
含まれている。このコンタミ層14はＳＩＭＳ分析で約15
0Å程度とわかった。このコンタミ層14は、次の工程で
ある酸素プラズマ中のレジスト灰化によっても除去され
ずに残る。次にそのまま、光エッチングでこのコンタミ
層14を除去するには、まず、ＨＦの水溶液でコンタミ層
上の自然酸化膜、あるいはエッチング中にマスクへのス
パッタで入ったと思われる酸素によるコンタミ層上のう
すい酸化膜を除去してやらねばならない。すると、ウェ
ットプロセスが入るし、また、必要とするＳｉＯ212ま
でがエッチングされてしまう。そこで本発明では第１図
(a)に示す状態から酸素プラズマによるレジスト11の灰
化後、ドライエッチング装置内に水素添加のＣＦ4ガス
を流し、約70ｍTorrで30秒間プラズマを立て表面処理を
行う。水素とＣＦ4のそれぞれのガス流量は20SCCMと100
SCCMである。この処理によって酸化膜が除去されるの
で、引きつづき水素ガスを40SCCMに増加する。このとき
チャンバ内のガス圧力は同一とする。このようにしてＳ
ｉ基板13上のコンタミ層14上のうすい酸化膜が除去さ
れ、かつ表面がフッ素を含むポリマーに置きかわった第
１図(b)に示すような表面保護層15が形成される。この
表面保護層15の厚さは50〜100Å程度で、その下には、
第１図(a)に示したＳｉＯ212をエッチングした際のコン
タミ層がまだ、100Å程度残っている。この表面は、大
気中に出しても酸化物が残らない。すなわち、ＣＯやＣ
Ｏ2の形で酸素が除去されるためである。
次に本願第２の発明の一実施例を説明する。この実施例
では、上記の本願第１の実施例に、さらに成膜工程が含
まれる。この工程に用いられる装置には、真空中でＣｌ
2またＦ2ガスを流しながら、Deep UV光を照射できる装
置、例えばエキシマレーザ装置やHgランプがある。第１
図(c)において、真空排気しながらＣｌ2ガスを流し、圧
力を600ｍTorrにしてDeep UV光を照射すると、Ｃｌ2ガ
スがDeep UV光により分解し、Ｃｌジカルが発生する。
この発生したＣｌラジカルは、容易に表面保護層15およ
びその下地となっているコンタミ層14をエッチングでき
る。
では、上記の本願第１の実施例に、さらに成膜工程が含
まれる。この工程に用いられる装置には、真空中でＣｌ
2またＦ2ガスを流しながら、Deep UV光を照射できる装
置、例えばエキシマレーザ装置やHgランプがある。第１
図(c)において、真空排気しながらＣｌ2ガスを流し、圧
力を600ｍTorrにしてDeep UV光を照射すると、Ｃｌ2ガ
スがDeep UV光により分解し、Ｃｌジカルが発生する。
この発生したＣｌラジカルは、容易に表面保護層15およ
びその下地となっているコンタミ層14をエッチングでき
る。
光エッチング速度はＣｌ2分圧によって変化させること
が可能で、圧力を600ｍTorrに選べば約70〜100Å／min
のエッチレートである。このため、１〜２分間で処理す
ることができる。
が可能で、圧力を600ｍTorrに選べば約70〜100Å／min
のエッチレートである。このため、１〜２分間で処理す
ることができる。
第２図はコンタミ層エッチングにおけるＣｌ2光エッチ
ング時間とカーボンやフッ素の濃度との関係をオージェ
分析により測定したものである。約２分のエッチングで
表面保護層と、コンタミ層が除去されていることがわか
る。カーボン濃度は空気中の炭酸ガスによるカーボン汚
染とほぼ同じレベルまで下がる。なお、この炭素を含ん
だ表面保護膜の光エッチング速度は極めて大きく、１分
間に約3400Åの速度で除去される。従って、50Å程度の
表面保護膜は、光エッチングの時間にはほとんど影響し
ない。
ング時間とカーボンやフッ素の濃度との関係をオージェ
分析により測定したものである。約２分のエッチングで
表面保護層と、コンタミ層が除去されていることがわか
る。カーボン濃度は空気中の炭酸ガスによるカーボン汚
染とほぼ同じレベルまで下がる。なお、この炭素を含ん
だ表面保護膜の光エッチング速度は極めて大きく、１分
間に約3400Åの速度で除去される。従って、50Å程度の
表面保護膜は、光エッチングの時間にはほとんど影響し
ない。
次に本実施例に用いる装置の一例を第３図に示す。第３
図は表面保護膜形成後、成膜を行う際に用いられる成膜
装置の構成図で、通常のＣＶＤ装置36にゲートバルブ38
を介して真空チャンバ31が配設され、その内部には試料
39を載置するウェハトレー34が設けられている。チャン
バ31の上部壁には石英窓33が配設され、該石英窓33を介
して光源32から紫外線が試料39上に照射される。チャン
バ31はガス導入口35および排気ポンプ37に接続されてい
る。先の表面保護膜を付けた試料39を真空チャンバ31内
へ入れ、排気しながらガスを流し、Deep UV光を照射す
る。エッチング終了後、ゲートバルブ38を介して、真空
中で試料39をＣＶＤ装置36へ送り、通常のＣＶＤを行
う。光エッチング特性は、先に述べたものと同じであ
る。
図は表面保護膜形成後、成膜を行う際に用いられる成膜
装置の構成図で、通常のＣＶＤ装置36にゲートバルブ38
を介して真空チャンバ31が配設され、その内部には試料
39を載置するウェハトレー34が設けられている。チャン
バ31の上部壁には石英窓33が配設され、該石英窓33を介
して光源32から紫外線が試料39上に照射される。チャン
バ31はガス導入口35および排気ポンプ37に接続されてい
る。先の表面保護膜を付けた試料39を真空チャンバ31内
へ入れ、排気しながらガスを流し、Deep UV光を照射す
る。エッチング終了後、ゲートバルブ38を介して、真空
中で試料39をＣＶＤ装置36へ送り、通常のＣＶＤを行
う。光エッチング特性は、先に述べたものと同じであ
る。
次にこの原理であるが、Ｓｉ表面は酸化されやすいが本
発明のプラズマ処理による表面保護層は、きわめて酸化
されにくいことに起因する。このことを示す例を以下に
示す。
発明のプラズマ処理による表面保護層は、きわめて酸化
されにくいことに起因する。このことを示す例を以下に
示す。
第４図(a)〜(c)は、各種エッチングガスでエッチングし
た後のオージェスペクトルを示す。図中、(a)(b)および
(c)はそれぞれＸｅＦ2ガス、Ｃｌ2ガスおよびＣＦ4＋Ｈ
2（100：20→40）の混合ガスでエッチングしたものであ
る。Ｃｌ2やＸｅＦ2などの炭素を含まないガスを用いた
場合には第４図(a)および(b)に示すように、大気中の酸
素が吸着し、酸化物を表面に残す。
た後のオージェスペクトルを示す。図中、(a)(b)および
(c)はそれぞれＸｅＦ2ガス、Ｃｌ2ガスおよびＣＦ4＋Ｈ
2（100：20→40）の混合ガスでエッチングしたものであ
る。Ｃｌ2やＸｅＦ2などの炭素を含まないガスを用いた
場合には第４図(a)および(b)に示すように、大気中の酸
素が吸着し、酸化物を表面に残す。
一方、ＣＦ4＋Ｈ2（100：40）のガスを用いた場合には
第４図(c)に示すように表面に炭素が存在し、酸素がＣ
ＯやＣＯ2となって揮散する。このため表面に酸化物が
残らない。事実、第４図(a)や(b)におけるガスでは光エ
ッチング速度はきわめて小さい、このことからも、カー
ボンを含む層は、酸化されにくく、その結果、光エッチ
ングという低温、低損傷のプロセスにおいて、下地Ｓｉ
基板等に損傷をあたえることなくコンタミ層も除去でき
る。
第４図(c)に示すように表面に炭素が存在し、酸素がＣ
ＯやＣＯ2となって揮散する。このため表面に酸化物が
残らない。事実、第４図(a)や(b)におけるガスでは光エ
ッチング速度はきわめて小さい、このことからも、カー
ボンを含む層は、酸化されにくく、その結果、光エッチ
ングという低温、低損傷のプロセスにおいて、下地Ｓｉ
基板等に損傷をあたえることなくコンタミ層も除去でき
る。
第５図は、本発明のプラズマ処理後のパターン断面形状
を示したもので、該処理による寸法変化、および従来の
ウェットＨＦエッチングの寸法変化が示されている。図
中(A)はドライエッチング直後、(B)はプラズマ処理後、
(C)は従来のウェットエッチング処理（１：30ＨＦ，60
Ｓ）後を示したものである。同図からプラズマ処理後の
プロセス上問題となる横方向での寸法変化はほとんどな
いことがわかる。
を示したもので、該処理による寸法変化、および従来の
ウェットＨＦエッチングの寸法変化が示されている。図
中(A)はドライエッチング直後、(B)はプラズマ処理後、
(C)は従来のウェットエッチング処理（１：30ＨＦ，60
Ｓ）後を示したものである。同図からプラズマ処理後の
プロセス上問題となる横方向での寸法変化はほとんどな
いことがわかる。
上記実施例では真空排気しながらＣｌ2ガスを流し、Dee
p UV光を照射したが、Ｃｌ2ガスを一旦チャンバ内に導
入し、真空排気を止め、Ｃｌ2雰囲気にしてDeep UVを照
射しても表面保護層15とコンタミ層14を除去できる。
p UV光を照射したが、Ｃｌ2ガスを一旦チャンバ内に導
入し、真空排気を止め、Ｃｌ2雰囲気にしてDeep UVを照
射しても表面保護層15とコンタミ層14を除去できる。
さらにＣｌ2ガスをチャンバ内に導入し、試料表面に吸
着させてＣｌ2ガスを排気し、この吸着ガスにDeep UVを
照射してもよい。この場合はエッチング速度は低下する
がエッチング速度の制御性が良くなる。
着させてＣｌ2ガスを排気し、この吸着ガスにDeep UVを
照射してもよい。この場合はエッチング速度は低下する
がエッチング速度の制御性が良くなる。
［発明の効果］ 本発明によれば外気中にさらしても、表面酸化膜の形成
されない表面保護膜が得られると共に、低温、低損傷で
この表面保護膜を除去することができる。
されない表面保護膜が得られると共に、低温、低損傷で
この表面保護膜を除去することができる。
この方法は結晶成長前の表面保護膜にも当然使うことが
でき、低温、低損傷により、カーボンやその他の不純物
のない試料表面が得られ、半導体プロセス等における従
来技術における自然酸化膜の除去という大きな問題を完
全に改善した。
でき、低温、低損傷により、カーボンやその他の不純物
のない試料表面が得られ、半導体プロセス等における従
来技術における自然酸化膜の除去という大きな問題を完
全に改善した。
第１図(a)〜(c)は本発明の一実施例の工程を示す概略断
面図、第２図はオージェ分析による光エッチング時間と
不純物原子の密度との関係を示す図、第３図は本発明の
方法に用いる装置の一例を示す概略構成図、第４図(a)
〜(c)は各種エッチングガスによるエッチング後の試料
表面のオージェスペクトルを示す図、第５図は本発明方
法の処理後のパターン断面形状を従来例による場合と比
較して示した図である。 11…レジストマスク、12…ＳｉＯ2 13…Ｓｉ基板、14…コンタミ層 15…表面保護層、16…Deep UV光 31…真空チャンバ、32…光源 33…石英窓、34…ウェハトレー 35…ガス導入口、36…ＣＶＤ装置 37…排気ポンプ
面図、第２図はオージェ分析による光エッチング時間と
不純物原子の密度との関係を示す図、第３図は本発明の
方法に用いる装置の一例を示す概略構成図、第４図(a)
〜(c)は各種エッチングガスによるエッチング後の試料
表面のオージェスペクトルを示す図、第５図は本発明方
法の処理後のパターン断面形状を従来例による場合と比
較して示した図である。 11…レジストマスク、12…ＳｉＯ2 13…Ｓｉ基板、14…コンタミ層 15…表面保護層、16…Deep UV光 31…真空チャンバ、32…光源 33…石英窓、34…ウェハトレー 35…ガス導入口、36…ＣＶＤ装置 37…排気ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】所定の条件で試料を水素ガス添加のハロカ
ーボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化
膜をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して
表面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程とを備えてなることを
特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２】所定の条件で試料を水素ガス添加のハロカ
ーボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化
膜をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して
表面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程と、前記保護膜を光エ
ッチング可能なガス雰囲気中で、光を照射して前記保護
膜をエッチング除去する工程とを備えてなることを特徴
とする表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19625887A JPH0611038B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19625887A JPH0611038B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6441218A JPS6441218A (en) | 1989-02-13 |
| JPH0611038B2 true JPH0611038B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16354819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19625887A Expired - Lifetime JPH0611038B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611038B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04103750U (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | 大洋漁業株式会社 | 携帯電話器 |
| JP2798321B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2978748B2 (ja) * | 1995-11-22 | 1999-11-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-08-07 JP JP19625887A patent/JPH0611038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6441218A (en) | 1989-02-13 |
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