JPH06111404A - 遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法 - Google Patents
遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法Info
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- JPH06111404A JPH06111404A JP28241992A JP28241992A JPH06111404A JP H06111404 A JPH06111404 A JP H06111404A JP 28241992 A JP28241992 A JP 28241992A JP 28241992 A JP28241992 A JP 28241992A JP H06111404 A JPH06111404 A JP H06111404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐食性や膜構造の格別な劣化なく高保磁力(H
c)を備えた記録媒体用遷移金属／貴金属人工格子多層膜
を容易かつ安定に成膜し得る方法を確立する。 【構成】 スパッタリングにより光磁気又は垂直磁気記
録媒体用の遷移金属(Co,Fe,Ni 等)/貴金属(Pt,Pd等) 人
工格子多層膜を成膜するに当って、図１に例示した如
く、多層膜の内の“少なくとも貴金属層を含む一部分の
複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”を“他の部分
の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”よりも高く
することにより、保磁力の高い遷移金属／貴金属人工格
子多層膜を成膜する。好ましくは、前記高ガス圧成膜時
のスパッタガス圧を 0.5〜5.0 Paに、そして低ガス圧成
膜時のスパッタガス圧を0.01〜1.0 Paに設定したり、
“低ガス圧成膜時のスパッタガス圧”に対する“高ガス
圧成膜時のスパッタガス圧”の比を 1.2〜100 に設定す
ることによって膜特性や成膜安定性を一段と向上させ
る。
c)を備えた記録媒体用遷移金属／貴金属人工格子多層膜
を容易かつ安定に成膜し得る方法を確立する。 【構成】 スパッタリングにより光磁気又は垂直磁気記
録媒体用の遷移金属(Co,Fe,Ni 等)/貴金属(Pt,Pd等) 人
工格子多層膜を成膜するに当って、図１に例示した如
く、多層膜の内の“少なくとも貴金属層を含む一部分の
複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”を“他の部分
の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”よりも高く
することにより、保磁力の高い遷移金属／貴金属人工格
子多層膜を成膜する。好ましくは、前記高ガス圧成膜時
のスパッタガス圧を 0.5〜5.0 Paに、そして低ガス圧成
膜時のスパッタガス圧を0.01〜1.0 Paに設定したり、
“低ガス圧成膜時のスパッタガス圧”に対する“高ガス
圧成膜時のスパッタガス圧”の比を 1.2〜100 に設定す
ることによって膜特性や成膜安定性を一段と向上させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録媒体又は
垂直磁気記録媒体用の遷移金属／貴金属人工格子多層膜
を成膜する方法に関するものである。
垂直磁気記録媒体用の遷移金属／貴金属人工格子多層膜
を成膜する方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術とその課題】近年、ＣＤやレ−ザ−ディスク
等の再生専用型光ディスクシステムに代わるものとし
て、“レ−ザ−光を使って書き換えが可能な機能”をも
備えた次世代の光磁気ディスクシステムの開発が行わ
れ、一部商品化されるまでになってきた。
等の再生専用型光ディスクシステムに代わるものとし
て、“レ−ザ−光を使って書き換えが可能な機能”をも
備えた次世代の光磁気ディスクシステムの開発が行わ
れ、一部商品化されるまでになってきた。
【０００３】そして、このような高記録密度と書き換え
可能機能を有した市販の光磁気ディスクの記録媒体に
は、現在、TbFeCoに代表される希土類／遷移金属アモル
ファス合金膜が使用されている。これは、希土類／遷移
金属アモルファス合金膜が、 a) 赤外レ−ザ−ディスク光源の波長に対しカ−回転角
が 0.3°以上と高い， b) 垂直磁気異方性が大きい， c) アモルファス（非晶質）なので表面ノイズが小さ
い， d) 組成比の制御で保磁力等を調節できる， e) スパッタリングで作成できるため量産性が高い， 等の多くの利点を持っているからである。
可能機能を有した市販の光磁気ディスクの記録媒体に
は、現在、TbFeCoに代表される希土類／遷移金属アモル
ファス合金膜が使用されている。これは、希土類／遷移
金属アモルファス合金膜が、 a) 赤外レ−ザ−ディスク光源の波長に対しカ−回転角
が 0.3°以上と高い， b) 垂直磁気異方性が大きい， c) アモルファス（非晶質）なので表面ノイズが小さ
い， d) 組成比の制御で保磁力等を調節できる， e) スパッタリングで作成できるため量産性が高い， 等の多くの利点を持っているからである。
【０００４】しかし、この希土類／遷移金属アモルファ
ス合金膜には、レ−ザ−ディスク光源を高密度化に一段
と有利なように短波長化するとカ−回転角が徐々に小さ
くなり、このため読み出し特性が悪くなるという問題が
あった。
ス合金膜には、レ−ザ−ディスク光源を高密度化に一段
と有利なように短波長化するとカ−回転角が徐々に小さ
くなり、このため読み出し特性が悪くなるという問題が
あった。
【０００５】このようことから、次世代の記録媒体とし
て、短波長域のレ−ザ−ディスク光源に対しても優れた
光磁気特性を示すと共に耐食性も良好な、Co／Pt膜やCo
／Pd膜のような“遷移金属／貴金属人工格子多層膜”が
注目されるようになった。即ち、この遷移金属／貴金属
人工格子多層膜、例えばCo／Pt多層膜は 非磁性層のPt膜厚に対するCo膜厚の比率： 1/1〜 1/4， Co膜厚： 15Å以下， 全層数： 10層以上 が一般的構造であるが、現在市販されている光磁気記録
媒体材料である希土類／遷移金属アモルファス合金膜と
比較して耐食性に優れていることは勿論、最近開発され
た短波長のレ−ザ−を用いた場合でもカ−回転角
（θk ）が大きく、また光の反射率（Ｒ）も高い｛即ち
光磁気性能指数（θk ・ √Ｒ）が高い｝という非常に好
ましい特性を有していることが明らかになったためであ
る。
て、短波長域のレ−ザ−ディスク光源に対しても優れた
光磁気特性を示すと共に耐食性も良好な、Co／Pt膜やCo
／Pd膜のような“遷移金属／貴金属人工格子多層膜”が
注目されるようになった。即ち、この遷移金属／貴金属
人工格子多層膜、例えばCo／Pt多層膜は 非磁性層のPt膜厚に対するCo膜厚の比率： 1/1〜 1/4， Co膜厚： 15Å以下， 全層数： 10層以上 が一般的構造であるが、現在市販されている光磁気記録
媒体材料である希土類／遷移金属アモルファス合金膜と
比較して耐食性に優れていることは勿論、最近開発され
た短波長のレ−ザ−を用いた場合でもカ−回転角
（θk ）が大きく、また光の反射率（Ｒ）も高い｛即ち
光磁気性能指数（θk ・ √Ｒ）が高い｝という非常に好
ましい特性を有していることが明らかになったためであ
る。
【０００６】しかしながら、一方で、上記遷移金属／貴
金属人工格子多層膜には希土類／遷移金属アモルファス
合金膜に比べると保磁力が小さく、きれいなピットを描
くのが難しいという欠点があり、実用化に向けてはまず
この欠点の克服が不可欠な課題となっていた。
金属人工格子多層膜には希土類／遷移金属アモルファス
合金膜に比べると保磁力が小さく、きれいなピットを描
くのが難しいという欠点があり、実用化に向けてはまず
この欠点の克服が不可欠な課題となっていた。
【０００７】もっとも、Co／Pt人工格子多層膜の保磁力
向上策として、これまでにも次のような提案が見られ
る。 (A) Co／Pt人工格子多層膜を形成する際のスパッタガ
スとしてXeガスを使用する〔 「Appl. Phys. Lett.」 56
(1990), 第2345頁ヨリ〕，(B) Co／Pt人工格子多層膜に
保磁力の大きいTbFeCoを結合させる、TbFeCoとの交換結
合化〔 「J. Magn. Soc. Jpn.」 15 (1991), 第49頁ヨ
リ〕，(C) スパッタリングにてCo／Pt人工格子多層膜を
形成する際に、スパッタガス圧 (Arガス圧) を増加させ
る〔 「J.Appl. Phys.」70 (1991), 第6044頁ヨリ〕。
向上策として、これまでにも次のような提案が見られ
る。 (A) Co／Pt人工格子多層膜を形成する際のスパッタガ
スとしてXeガスを使用する〔 「Appl. Phys. Lett.」 56
(1990), 第2345頁ヨリ〕，(B) Co／Pt人工格子多層膜に
保磁力の大きいTbFeCoを結合させる、TbFeCoとの交換結
合化〔 「J. Magn. Soc. Jpn.」 15 (1991), 第49頁ヨ
リ〕，(C) スパッタリングにてCo／Pt人工格子多層膜を
形成する際に、スパッタガス圧 (Arガス圧) を増加させ
る〔 「J.Appl. Phys.」70 (1991), 第6044頁ヨリ〕。
【０００８】しかし、何れの方策にも一長一短があり、
それぞれ下記のような評価がなされていた。 (A) Xeガスでのスパッタ 得られる多層膜の保磁力は高くなり、光磁気ディスク用
としての特性に優れるようにはなるが、Xeが非常に高価
であるため量産には向かない。 (B) TbFeCoとの交換結合化 現用の記録材料であるTbFeCoに保磁力特性を担わせ、短
波長レ−ザ−使用時のカ−回転角特性をCo／Pt人工格子
多層膜に担わせたものであり、これによっても保磁力を
高めることができるが、腐食されやすいTbFeCoが結合し
ているのでCo／Pt多層膜の特徴である高耐食性を生かす
ことができなくなることのほか、膜構造が複雑となるた
め成膜や取り扱いが面倒である。 (C) スパッタガス圧 (Arガス圧) の増加 スパッタリング時のArガス圧を比較的高くしてCo／Pt人
工格子多層膜を成膜すると保磁力を高めることができる
ものの、膜の密度が粗になり、そのためカ−回転角が低
下するほか、反射率の点でも悪影響が懸念されるように
なって、結局は高い光磁気性能指数（θk ・ √Ｒ）の確
保が望めない。また、膜構造も凹凸が激しいものとな
り、ノイズの面からも好ましくない。例えば、図２は、
Co／Pt多層膜の保磁力及びカ−回転角とスパッタガス圧
(Arガス圧) との関係について調査した結果を示すグラ
フであるが、スパッタガス圧が高くなるに従って保磁力
は上昇するものの、カ−回転角は低下傾向となることが
窺える。また、図３は、Co／Pt多層膜の表面粗さとスパ
ッタガス圧 (Arガス圧) との関係について調査した結果
を示すグラフであるが、スパッタガス圧が高くなると凹
凸の激しい膜構造となることが分かる。
それぞれ下記のような評価がなされていた。 (A) Xeガスでのスパッタ 得られる多層膜の保磁力は高くなり、光磁気ディスク用
としての特性に優れるようにはなるが、Xeが非常に高価
であるため量産には向かない。 (B) TbFeCoとの交換結合化 現用の記録材料であるTbFeCoに保磁力特性を担わせ、短
波長レ−ザ−使用時のカ−回転角特性をCo／Pt人工格子
多層膜に担わせたものであり、これによっても保磁力を
高めることができるが、腐食されやすいTbFeCoが結合し
ているのでCo／Pt多層膜の特徴である高耐食性を生かす
ことができなくなることのほか、膜構造が複雑となるた
め成膜や取り扱いが面倒である。 (C) スパッタガス圧 (Arガス圧) の増加 スパッタリング時のArガス圧を比較的高くしてCo／Pt人
工格子多層膜を成膜すると保磁力を高めることができる
ものの、膜の密度が粗になり、そのためカ−回転角が低
下するほか、反射率の点でも悪影響が懸念されるように
なって、結局は高い光磁気性能指数（θk ・ √Ｒ）の確
保が望めない。また、膜構造も凹凸が激しいものとな
り、ノイズの面からも好ましくない。例えば、図２は、
Co／Pt多層膜の保磁力及びカ−回転角とスパッタガス圧
(Arガス圧) との関係について調査した結果を示すグラ
フであるが、スパッタガス圧が高くなるに従って保磁力
は上昇するものの、カ−回転角は低下傾向となることが
窺える。また、図３は、Co／Pt多層膜の表面粗さとスパ
ッタガス圧 (Arガス圧) との関係について調査した結果
を示すグラフであるが、スパッタガス圧が高くなると凹
凸の激しい膜構造となることが分かる。
【０００９】このようなことから、本発明が目的とした
のは、耐食性や膜構造の格別な劣化を伴うことなく、高
い保磁力(Hc)を備えた記録媒体用の遷移金属／貴金属人
工格子多層膜を容易かつ安定に成膜し得る方法を確立す
ることであった。
のは、耐食性や膜構造の格別な劣化を伴うことなく、高
い保磁力(Hc)を備えた記録媒体用の遷移金属／貴金属人
工格子多層膜を容易かつ安定に成膜し得る方法を確立す
ることであった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、次のような
知見を得るに至った。
記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、次のような
知見を得るに至った。
【００１１】即ち、遷移金属／貴金属人工格子多層膜、
例えばCo／Pt人工格子多層膜の成膜には、通常、純Co及
び純Ptのスパッタリングタ−ゲットを使用し、ガス圧が
0.01〜1.0Pa(0.08〜7.52mTorr)のArガス中で基板上に 1) Co（或いはPt）をスパッタリングし、Co（或いはP
t）の薄層を形成する， 2) Pt（或いはCo）をスパッタリングし、Pt（或いはC
o）の薄層を形成する， なる操作を積層回数分だけ繰り返す処理が行われるが、
このスパッタリングによる成膜時のスパッタガス圧を、
多層膜の内の一部Pt薄層を形成する際のみ、或いは少な
くともPt薄層を含む一部分の層を形成する際のみ高目に
調整すると、他の特性にそれほどの悪影響を及ぼすこと
なく高保磁力を示すCo／Pt多層膜が簡単かつ安定に得ら
れることや、このように成膜されたCo／Pt多層膜は、垂
直磁気記録媒体として使用しても優れた性能を有してい
ることを見出したのである。
例えばCo／Pt人工格子多層膜の成膜には、通常、純Co及
び純Ptのスパッタリングタ−ゲットを使用し、ガス圧が
0.01〜1.0Pa(0.08〜7.52mTorr)のArガス中で基板上に 1) Co（或いはPt）をスパッタリングし、Co（或いはP
t）の薄層を形成する， 2) Pt（或いはCo）をスパッタリングし、Pt（或いはC
o）の薄層を形成する， なる操作を積層回数分だけ繰り返す処理が行われるが、
このスパッタリングによる成膜時のスパッタガス圧を、
多層膜の内の一部Pt薄層を形成する際のみ、或いは少な
くともPt薄層を含む一部分の層を形成する際のみ高目に
調整すると、他の特性にそれほどの悪影響を及ぼすこと
なく高保磁力を示すCo／Pt多層膜が簡単かつ安定に得ら
れることや、このように成膜されたCo／Pt多層膜は、垂
直磁気記録媒体として使用しても優れた性能を有してい
ることを見出したのである。
【００１２】本発明は、上記知見事項等に基づく更なる
検討の末に完成されたものであり、「スパッタリングに
よって光磁気又は垂直磁気記録媒体用の遷移金属／貴金
属人工格子多層膜を成膜するに当り、 多層膜の内の“少
なくとも貴金属層を含む一部分の複数の層を成膜する際
のスパッタガス圧”を“他の部分の複数の層を成膜する
際のスパッタガス圧”よりも高くすることによって、 保
磁力の高い遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の
成膜を安定かつ容易に行えるようにした点」に特徴を有
しており、更には、「前記高ガス圧成膜時のスパッタガ
ス圧を 0.5〜5.0 Paに、 そして低ガス圧成膜時のスパッ
タガス圧を0.01〜1.0 Paにそれぞれ設定したり、 “低ガ
ス圧成膜時のスパッタガス圧”に対する“高ガス圧成膜
時のスパッタガス圧”の比を 1.2〜100 に設定すること
によって膜特性や成膜安定性を一段と向上した点」をも
特徴とするものである。
検討の末に完成されたものであり、「スパッタリングに
よって光磁気又は垂直磁気記録媒体用の遷移金属／貴金
属人工格子多層膜を成膜するに当り、 多層膜の内の“少
なくとも貴金属層を含む一部分の複数の層を成膜する際
のスパッタガス圧”を“他の部分の複数の層を成膜する
際のスパッタガス圧”よりも高くすることによって、 保
磁力の高い遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の
成膜を安定かつ容易に行えるようにした点」に特徴を有
しており、更には、「前記高ガス圧成膜時のスパッタガ
ス圧を 0.5〜5.0 Paに、 そして低ガス圧成膜時のスパッ
タガス圧を0.01〜1.0 Paにそれぞれ設定したり、 “低ガ
ス圧成膜時のスパッタガス圧”に対する“高ガス圧成膜
時のスパッタガス圧”の比を 1.2〜100 に設定すること
によって膜特性や成膜安定性を一段と向上した点」をも
特徴とするものである。
【００１３】ここで、磁性層たる遷移金属層の構成材料
としてはCoが好ましいが、その他の材料としてFe，Ni，
Co−Pt合金等が挙げられる。また、非磁性層たる貴金属
層の構成材料としてはPt又はPaが好ましいが、その他の
白金族金属やパラジウム族金属でも良好な成績が得られ
る。従って、本発明法による成膜対象の遷移金属／貴金
属人工格子多層膜を例示すると、Co／Pt，Fe／Pt, Ni／
Pt, Co／Pd，Fe／Pd, Ni／Pd, Co-Pt/Pt等の各多層膜が
挙げられる。
としてはCoが好ましいが、その他の材料としてFe，Ni，
Co−Pt合金等が挙げられる。また、非磁性層たる貴金属
層の構成材料としてはPt又はPaが好ましいが、その他の
白金族金属やパラジウム族金属でも良好な成績が得られ
る。従って、本発明法による成膜対象の遷移金属／貴金
属人工格子多層膜を例示すると、Co／Pt，Fe／Pt, Ni／
Pt, Co／Pd，Fe／Pd, Ni／Pd, Co-Pt/Pt等の各多層膜が
挙げられる。
【００１４】一方、本発明において適用されるスパッタ
ガスとしては一般的に使用されるArが好ましいが、Ne，
He，Xe，Kr，Ｎ等の不活性ガスは何れも使用することが
できる。
ガスとしては一般的に使用されるArが好ましいが、Ne，
He，Xe，Kr，Ｎ等の不活性ガスは何れも使用することが
できる。
【００１５】なお、本発明での特に好ましいスパッタガ
ス圧として、比較的高圧での成膜時:0.5〜5.0 Pa，比較
的低圧での成膜時：0.05〜1.0 Paなる数値を挙げたの
は、以下の理由による。まず、高ガス圧での成膜を 0.5
Pa未満で行うと十分に高い保磁力が得られず、一方、5.
0 Paを超えた条件で成膜すると逆に保磁力低下の問題が
無視できなくなる。そして、低ガス圧での成膜を0.01Pa
未満で行うと連続して安定にスパッタリングを継続する
ことができず、逆に1.0 Paを超えた条件で成膜すると、
反射率ひいては光磁気性能指数低下の問題が無視できな
くなる。
ス圧として、比較的高圧での成膜時:0.5〜5.0 Pa，比較
的低圧での成膜時：0.05〜1.0 Paなる数値を挙げたの
は、以下の理由による。まず、高ガス圧での成膜を 0.5
Pa未満で行うと十分に高い保磁力が得られず、一方、5.
0 Paを超えた条件で成膜すると逆に保磁力低下の問題が
無視できなくなる。そして、低ガス圧での成膜を0.01Pa
未満で行うと連続して安定にスパッタリングを継続する
ことができず、逆に1.0 Paを超えた条件で成膜すると、
反射率ひいては光磁気性能指数低下の問題が無視できな
くなる。
【００１６】また、“低ガス圧成膜時のスパッタガス
圧”に対する“高ガス圧成膜時のスパッタガス圧”の特
に好ましい比率として「 1.2〜１００」という数値を挙
げたのは、前記比率が 1.2未満の条件で成膜を行うとガ
ス圧に差を持たせない従来の方法による膜特性と殆ど変
わらなくなってしまい高い光磁気性能指数が得られず、
一方、この比率が１００を超えた条件で成膜すると、連
続して安定にスパッタリングを継続することができなく
なったり、反射率ひいては光磁気性能指数の低下という
問題が無視できなくなるためである。
圧”に対する“高ガス圧成膜時のスパッタガス圧”の特
に好ましい比率として「 1.2〜１００」という数値を挙
げたのは、前記比率が 1.2未満の条件で成膜を行うとガ
ス圧に差を持たせない従来の方法による膜特性と殆ど変
わらなくなってしまい高い光磁気性能指数が得られず、
一方、この比率が１００を超えた条件で成膜すると、連
続して安定にスパッタリングを継続することができなく
なったり、反射率ひいては光磁気性能指数の低下という
問題が無視できなくなるためである。
【００１７】ところで、図１は、本発明に係る“遷移金
属(Co)／貴金属(Pt)人工格子多層膜記録媒体”の層構造
例の概要説明図である。勿論、図１において、Co薄層と
Pt薄層との積層順序が逆であっても差支えはないし、高
保磁力部分（高ガス圧でスパッタリングした部分）で低
保磁力部分（低ガス圧でスパッタリングした部分）を挟
み込む構造や、高保磁力部分と低保磁力部分とが交互に
重なり合う構造としても差支えはない。更に、反射率等
の点で多少の不利は認められるものの、高保磁力部分と
低保磁力部分の順序が図１で示すものとは逆の層構造
（基板側に高保磁力部分が位置する層構造）としても相
応の効果を得ることができる。
属(Co)／貴金属(Pt)人工格子多層膜記録媒体”の層構造
例の概要説明図である。勿論、図１において、Co薄層と
Pt薄層との積層順序が逆であっても差支えはないし、高
保磁力部分（高ガス圧でスパッタリングした部分）で低
保磁力部分（低ガス圧でスパッタリングした部分）を挟
み込む構造や、高保磁力部分と低保磁力部分とが交互に
重なり合う構造としても差支えはない。更に、反射率等
の点で多少の不利は認められるものの、高保磁力部分と
低保磁力部分の順序が図１で示すものとは逆の層構造
（基板側に高保磁力部分が位置する層構造）としても相
応の効果を得ることができる。
【００１８】そして、このような本発明法によると、一
部層の成膜時におけるスパッタガス圧を相対的に高くす
るだけで、カ−回転角や反射率を格別に犠牲にすること
なく保磁力を実用レベルにまで向上させることができる
ので、 a) 処理・操作が簡単であり、成膜コストも比較的低廉
である， b) 膜構造も一般的な遷移金属／貴金属人工格子多層膜
と変わらないため高耐食性が維持される， 等の、工業的に極めて好ましい効果が確保できる。
部層の成膜時におけるスパッタガス圧を相対的に高くす
るだけで、カ−回転角や反射率を格別に犠牲にすること
なく保磁力を実用レベルにまで向上させることができる
ので、 a) 処理・操作が簡単であり、成膜コストも比較的低廉
である， b) 膜構造も一般的な遷移金属／貴金属人工格子多層膜
と変わらないため高耐食性が維持される， 等の、工業的に極めて好ましい効果が確保できる。
【００１９】続いて、本発明の効果を実施例により更に
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【実施例】下記の「共通条件」及び「表１」で示す条件
のスパッタリングによって基板上にCo／Pt人工格子多層
膜を成膜した。
のスパッタリングによって基板上にCo／Pt人工格子多層
膜を成膜した。
【００２０】〔共通のスパッタ条件〕 電力： ５０Ｗ(0.274Ｗ/cm2) ＤＣスパッ
タ， スパッタガス： Ar， スパッタガス流量：１００SCCM， 基板： コ−ニング7059ガラス(0.7mm厚) ， Co膜厚： １層当り５Å， Pt膜厚： １層当り10Å， 全膜厚： 310Å (Ptで始まりPtで終了で、 計
４１層）。
タ， スパッタガス： Ar， スパッタガス流量：１００SCCM， 基板： コ−ニング7059ガラス(0.7mm厚) ， Co膜厚： １層当り５Å， Pt膜厚： １層当り10Å， 全膜厚： 310Å (Ptで始まりPtで終了で、 計
４１層）。
【００２１】次に、得られたCo／Pt多層膜について、
"磁気特性" 並びに "光学特性" を調査した。なお、
「カ−回転角」 及び 「反射率」 については、波長が５０
０nmの光源を用いて測定した。これらの結果を「表１」
に併せて示す。
"磁気特性" 並びに "光学特性" を調査した。なお、
「カ−回転角」 及び 「反射率」 については、波長が５０
０nmの光源を用いて測定した。これらの結果を「表１」
に併せて示す。
【００２２】「表１」に示される結果からも明らかなよ
うに、本発明法に従って得られたCo／Pt多層膜は、 "磁
気特性", "光学特性" が共に優れていて光磁気記録媒体
や垂直磁気記録媒体として優れた特性を有することが分
かる。
うに、本発明法に従って得られたCo／Pt多層膜は、 "磁
気特性", "光学特性" が共に優れていて光磁気記録媒体
や垂直磁気記録媒体として優れた特性を有することが分
かる。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、高い保磁力を有する上、その他の磁気特性，光学特
性並びに耐食性にも優れた光磁気記録媒体或いは垂直磁
気記録媒体用の“遷移金属／貴金属人工格子多層膜”を
簡単にかつ安定して形成することが可能になるなど、産
業上極めて有用な効果がもたらされる。
ば、高い保磁力を有する上、その他の磁気特性，光学特
性並びに耐食性にも優れた光磁気記録媒体或いは垂直磁
気記録媒体用の“遷移金属／貴金属人工格子多層膜”を
簡単にかつ安定して形成することが可能になるなど、産
業上極めて有用な効果がもたらされる。
【図１】本発明に係る“遷移金属(Co)／貴金属(Pt)人工
格子多層膜記録媒体”の層構造例についての概要説明図
である。
格子多層膜記録媒体”の層構造例についての概要説明図
である。
【図２】Co／Pt多層膜の保磁力及びカ−回転角とスパッ
タガス圧 (Arガス圧) との関係について調査した結果を
示すグラフである。
タガス圧 (Arガス圧) との関係について調査した結果を
示すグラフである。
【図３】Co／Pt多層膜の表面粗さとスパッタガス圧 (Ar
ガス圧) との関係について調査した結果を示すグラフで
ある。
ガス圧) との関係について調査した結果を示すグラフで
ある。
フロントページの続き (72)発明者 大橋 建夫 神奈川県高座郡寒川町倉見三番地 日本鉱 業株式会社倉見工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタリングによって光磁気又は垂直
磁気記録媒体用の遷移金属／貴金属人工格子多層膜を成
膜するに当り、多層膜の内の“少なくとも貴金属層を含
む一部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”を
“他の部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”
よりも高くすることを特徴とする、保磁力の高い遷移金
属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法。 - 【請求項２】 高ガス圧成膜時のスパッタガス圧を 0.5
〜5.0 Paに、そして低ガス圧成膜時のスパッタガス圧を
0.01〜1.0 Paにそれぞれ設定することを特徴とする、請
求項１に記載の保磁力の高い遷移金属／貴金属人工格子
多層膜記録媒体の成膜方法。 - 【請求項３】 “低ガス圧成膜時のスパッタガス圧”に
対する“高ガス圧成膜時のスパッタガス圧”の比を 1.2
〜100 に設定することを特徴とする、請求項１又は２に
記載の保磁力の高い遷移金属／貴金属人工格子多層膜記
録媒体の成膜方法。 - 【請求項４】 遷移金属がCoである、請求項１乃至３の
何れかに記載の保磁力の高い遷移金属／貴金属人工格子
多層膜記録媒体の成膜方法。 - 【請求項５】 貴金属がPt又はPdである、請求項１乃至
４の何れかに記載の保磁力の高い遷移金属／貴金属人工
格子多層膜記録媒体の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28241992A JPH06111404A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28241992A JPH06111404A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111404A true JPH06111404A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17652170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28241992A Pending JPH06111404A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002157730A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-05-31 | Univ Waseda | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP28241992A patent/JPH06111404A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002157730A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-05-31 | Univ Waseda | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
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