JPH037130B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH037130B2 JPH037130B2 JP57181745A JP18174582A JPH037130B2 JP H037130 B2 JPH037130 B2 JP H037130B2 JP 57181745 A JP57181745 A JP 57181745A JP 18174582 A JP18174582 A JP 18174582A JP H037130 B2 JPH037130 B2 JP H037130B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- electrode
- palladium
- multilayer ceramic
- glass frit
- Prior art date
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は温度補償用積層セラミツクコンデンサ
に関するものである。 積層セラミツクコンデンサは、小型で大きな容
量がとれるため、電子チユーナ・ビデオテープレ
コーダ・ビデオカメラ等の各種電気機器に利用さ
れ、最近需要が急増している。温度補償用積層セ
ラミツクコンデンサは、静電容量の温度変化率が
少ないものの分類である。 従来例の構成とその問題点 積層セラミツクコンデンサは第１図に示すよう
に、誘電体セラミツク１の内部電極２と外部電極
３とからなり、外部電極３としては、温度焼付け
の銀ペースト塗布焼付けして形成される銀電極ま
たは銀ペーストの中に少量のパラジウムを含む銀
−パラジウム電極が用いられている。この積層セ
ラミツクコンデンサをプリント基板等に実装する
場合、前記外部電極３をハンダ付けするが、前記
外部電極はハンダ耐熱性が悪く、銀くわれをおこ
し易い。そこで、ハンダ耐熱性および濡れ性を改
善する目的で、銀電極または銀−パラジウム電極
の上にNiメツキ、Niメツキの上にハンダ（スズ
−鉛合金）メツキをする方法がとられている。し
かし、これらのメツキ処理をすることによつて、
誘電損失（tanδ）がわずかに大きくなるものが発
生する。高誘電率系の積層セラミツクコンデンサ
においては、一般にtanδが１％以上と比較的大き
いので、このメツキ処理の影響も問題とならな
い。しかし、温度補償用の積層セラミツクコンデ
ンサにおいてはtanδの値が小さく、Ｑ（＝１／tanδ） の値が大きいが、規格で例えば静電容量30PF以
上のとき、Ｑ≧1000（tanδ≦0.1％）となつてい
る。そこで、温度補償用積層セラミツクコンデン
サにおいて、Ｑの値が規格値未満となるＱ不良が
発生し問題となつている。 発明の目的 本発明はこのような問題点に鑑み、ハンダ耐熱
性および濡れ性を改善する外部電極のメツキ処理
において発明するＱ不良を、低減、改善した温度
補償用積層セラミツクコンデンサを提供すること
を目的とする。 発明の構成 本発明の温度補償用積層セラミツクコンデンサ
はこの目的を達成するために、外部電極の銀また
は銀−パラジウム電極を２層構造とし、下層部に
上層部よりガラスフリツトを多く含む銀または銀
−パラジウム電極を使用することによつて下地の
セラミツクとの密着性を良くし、前記メツキ処理
においてメツキ液が下地のセラミツクおよび内部
電極に浸透するのを防ぎ、温度補償用積層セラミ
ツクコンデンサにおいて発生するＱ不良を低減、
改善することを提案する。このようにする理由は
次の通りである。高温焼付けの銀ペーストは、銀
微粉末とガラスフリツトと樹脂と溶剤とからな
り、この銀ペーストを被塗布体に塗布し、溶剤を
蒸発させてから焼付炉で所定温度まで加熱する。
これにより樹脂等の有機物を燃焼させて、ガラス
フリツトの溶融と銀粒子の成長により被塗布体に
密着した銀電極が形成される。銀ペーストの中に
少量のパラジウムを含む場合は、銀−パラジウム
電極となる。本発明者らは、前記メツキ処理によ
つて発生する温度補償用積層セラミツクコンデン
サのＱ不良対策について詳細に実験検討をした結
果、銀電極または銀−パラジウム電極のガラスフ
リツトの量を増やすことにより、外部電極と下地
のセラミツクとの密着性を良くし、メツキ液が下
地のセラミツクおよび内部電極に浸透するのを防
ぎ、Ｑ不良を低減、改善できることがわかつた。
しかし、ガラスフリツトの量が多くなると外部電
極表面にSiO2等のガラス成分が浮き、Niメツキ
のつき方が悪くなり、ハンダ濡れ性が悪くなり、
問題となる。そこで、外部電極の銀または銀−パ
ラジウム電極を２層構造とし、下層部にガラスフ
リツトを多く含む銀または銀−パラジウム電極、
上層部にガラスフリツトを少なく含む銀または銀
−パラジウム電極を使用することにより、Ｑ不良
を低減、改善するとともにハンダ濡れ性を良くし
たものである。 実施例の説明 次に、本発明の具体的な実施例を第２図ととも
に説明する。まず、内部電極５にパラジウムを用
い、TiO2系の温度補償用の誘電体組成からなる
誘電体シートを積層して切断し、1380℃で焼成し
た後、面とりし、ガラスフリツトを７重量％含む
銀ペーストを従来のように外部電極が１層の場合
のおよそ半分の量を塗布し乾燥後、トンネル炉で
800℃で焼付け、外部電極６の下層部６ａを形成
した。４は誘電体セラミツクである。次にガラス
フリツトを４重量％含む銀ペーストを前記下層部
６ａとほぼ同量、前記下層部６ａの上に塗布し乾
燥後、トンネル炉で800℃で焼付け、外部電極６
の上層部６ｂを形成した。このようにして形成し
た外部電極６の上に、Niメツキ、さらにハンダ
メツキをし、積層セラミツクコンデンサを作成し
た。第２図で７はNiメツキ層、８はハンダメツ
キ層である。 また、面とりまで同じロツトの焼結体の従来の
ように１層の外部電極を形成し、同様なメツキ処
理をし積層セラミツクコンデンサを作成してＱを
測定し比較した。ここで、１層の外部電極はガラ
スフリツトを４重量％含む銀ペーストを使用した
もの、およびガラスフリツトを７重量％含む銀ペ
ーストを使用したものである。これらの３通りの
場合のＱ不良率を下記の表に示す。
に関するものである。 積層セラミツクコンデンサは、小型で大きな容
量がとれるため、電子チユーナ・ビデオテープレ
コーダ・ビデオカメラ等の各種電気機器に利用さ
れ、最近需要が急増している。温度補償用積層セ
ラミツクコンデンサは、静電容量の温度変化率が
少ないものの分類である。 従来例の構成とその問題点 積層セラミツクコンデンサは第１図に示すよう
に、誘電体セラミツク１の内部電極２と外部電極
３とからなり、外部電極３としては、温度焼付け
の銀ペースト塗布焼付けして形成される銀電極ま
たは銀ペーストの中に少量のパラジウムを含む銀
−パラジウム電極が用いられている。この積層セ
ラミツクコンデンサをプリント基板等に実装する
場合、前記外部電極３をハンダ付けするが、前記
外部電極はハンダ耐熱性が悪く、銀くわれをおこ
し易い。そこで、ハンダ耐熱性および濡れ性を改
善する目的で、銀電極または銀−パラジウム電極
の上にNiメツキ、Niメツキの上にハンダ（スズ
−鉛合金）メツキをする方法がとられている。し
かし、これらのメツキ処理をすることによつて、
誘電損失（tanδ）がわずかに大きくなるものが発
生する。高誘電率系の積層セラミツクコンデンサ
においては、一般にtanδが１％以上と比較的大き
いので、このメツキ処理の影響も問題とならな
い。しかし、温度補償用の積層セラミツクコンデ
ンサにおいてはtanδの値が小さく、Ｑ（＝１／tanδ） の値が大きいが、規格で例えば静電容量30PF以
上のとき、Ｑ≧1000（tanδ≦0.1％）となつてい
る。そこで、温度補償用積層セラミツクコンデン
サにおいて、Ｑの値が規格値未満となるＱ不良が
発生し問題となつている。 発明の目的 本発明はこのような問題点に鑑み、ハンダ耐熱
性および濡れ性を改善する外部電極のメツキ処理
において発明するＱ不良を、低減、改善した温度
補償用積層セラミツクコンデンサを提供すること
を目的とする。 発明の構成 本発明の温度補償用積層セラミツクコンデンサ
はこの目的を達成するために、外部電極の銀また
は銀−パラジウム電極を２層構造とし、下層部に
上層部よりガラスフリツトを多く含む銀または銀
−パラジウム電極を使用することによつて下地の
セラミツクとの密着性を良くし、前記メツキ処理
においてメツキ液が下地のセラミツクおよび内部
電極に浸透するのを防ぎ、温度補償用積層セラミ
ツクコンデンサにおいて発生するＱ不良を低減、
改善することを提案する。このようにする理由は
次の通りである。高温焼付けの銀ペーストは、銀
微粉末とガラスフリツトと樹脂と溶剤とからな
り、この銀ペーストを被塗布体に塗布し、溶剤を
蒸発させてから焼付炉で所定温度まで加熱する。
これにより樹脂等の有機物を燃焼させて、ガラス
フリツトの溶融と銀粒子の成長により被塗布体に
密着した銀電極が形成される。銀ペーストの中に
少量のパラジウムを含む場合は、銀−パラジウム
電極となる。本発明者らは、前記メツキ処理によ
つて発生する温度補償用積層セラミツクコンデン
サのＱ不良対策について詳細に実験検討をした結
果、銀電極または銀−パラジウム電極のガラスフ
リツトの量を増やすことにより、外部電極と下地
のセラミツクとの密着性を良くし、メツキ液が下
地のセラミツクおよび内部電極に浸透するのを防
ぎ、Ｑ不良を低減、改善できることがわかつた。
しかし、ガラスフリツトの量が多くなると外部電
極表面にSiO2等のガラス成分が浮き、Niメツキ
のつき方が悪くなり、ハンダ濡れ性が悪くなり、
問題となる。そこで、外部電極の銀または銀−パ
ラジウム電極を２層構造とし、下層部にガラスフ
リツトを多く含む銀または銀−パラジウム電極、
上層部にガラスフリツトを少なく含む銀または銀
−パラジウム電極を使用することにより、Ｑ不良
を低減、改善するとともにハンダ濡れ性を良くし
たものである。 実施例の説明 次に、本発明の具体的な実施例を第２図ととも
に説明する。まず、内部電極５にパラジウムを用
い、TiO2系の温度補償用の誘電体組成からなる
誘電体シートを積層して切断し、1380℃で焼成し
た後、面とりし、ガラスフリツトを７重量％含む
銀ペーストを従来のように外部電極が１層の場合
のおよそ半分の量を塗布し乾燥後、トンネル炉で
800℃で焼付け、外部電極６の下層部６ａを形成
した。４は誘電体セラミツクである。次にガラス
フリツトを４重量％含む銀ペーストを前記下層部
６ａとほぼ同量、前記下層部６ａの上に塗布し乾
燥後、トンネル炉で800℃で焼付け、外部電極６
の上層部６ｂを形成した。このようにして形成し
た外部電極６の上に、Niメツキ、さらにハンダ
メツキをし、積層セラミツクコンデンサを作成し
た。第２図で７はNiメツキ層、８はハンダメツ
キ層である。 また、面とりまで同じロツトの焼結体の従来の
ように１層の外部電極を形成し、同様なメツキ処
理をし積層セラミツクコンデンサを作成してＱを
測定し比較した。ここで、１層の外部電極はガラ
スフリツトを４重量％含む銀ペーストを使用した
もの、およびガラスフリツトを７重量％含む銀ペ
ーストを使用したものである。これらの３通りの
場合のＱ不良率を下記の表に示す。
【表】
従来例Ｂの場合に比べ、本発明Ａおよび従来例
Ｃの場合はＱ不良率が大きく改善されている。し
かし、従来例Ｃの場合は外部電極表面にSiO2等
のガラス成分が浮き、Niメツキのつき方が悪く、
ハンダ付けするときハンダの濡れ性が悪く問題と
なる。 Ｑ不良を大きく改善するためには、下層部の銀
電極に含まれるガラスフリツトの量は6.5〜10重
量％が良い。これはガラスフリツトの量が10重量
％より多くなると、外部電極内部に空洞が発生し
て外観上良くなく、かつ6.5重量％未満ではＱ不
良に対する効果が薄いためである。また、上層部
の銀電極は、表面へのガラス成分の浮きが問題と
ならないように６重量％未満が良く、かつ焼結性
と下地との密着性から２重量％以上が良い。これ
はパラジウムを少量含む銀−パラジウム電極につ
いても同様である。 発明の効果 本発明の構造による積層セラミツクコンデンサ
は、以上の説明から明らかなようにＱ不良率が大
きく改善され、しかも銀電極または銀−パラジウ
ム電極表面へのガラス成分の浮きも少ないので、
Niメツキのつき方を悪くすることがなく、ハン
ダ耐熱性および濡れ性も問題なく、温度補償用積
層セラミツクコンデンサとして極めて効果が大き
いものである。
Ｃの場合はＱ不良率が大きく改善されている。し
かし、従来例Ｃの場合は外部電極表面にSiO2等
のガラス成分が浮き、Niメツキのつき方が悪く、
ハンダ付けするときハンダの濡れ性が悪く問題と
なる。 Ｑ不良を大きく改善するためには、下層部の銀
電極に含まれるガラスフリツトの量は6.5〜10重
量％が良い。これはガラスフリツトの量が10重量
％より多くなると、外部電極内部に空洞が発生し
て外観上良くなく、かつ6.5重量％未満ではＱ不
良に対する効果が薄いためである。また、上層部
の銀電極は、表面へのガラス成分の浮きが問題と
ならないように６重量％未満が良く、かつ焼結性
と下地との密着性から２重量％以上が良い。これ
はパラジウムを少量含む銀−パラジウム電極につ
いても同様である。 発明の効果 本発明の構造による積層セラミツクコンデンサ
は、以上の説明から明らかなようにＱ不良率が大
きく改善され、しかも銀電極または銀−パラジウ
ム電極表面へのガラス成分の浮きも少ないので、
Niメツキのつき方を悪くすることがなく、ハン
ダ耐熱性および濡れ性も問題なく、温度補償用積
層セラミツクコンデンサとして極めて効果が大き
いものである。
第１図は一般的な積層セラミツクコンデンサの
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す積層セ
ラミツクコンデンサの要部断面図である。 ６……外部電極、６ａ……下層部、６ｂ……上
層部。
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す積層セ
ラミツクコンデンサの要部断面図である。 ６……外部電極、６ａ……下層部、６ｂ……上
層部。
Claims (1)
- １ 外部電極の銀または銀−パラジウム電極が２
層構造をとり、下層部に6.5〜10重量％のガラス
フリツトを含む銀または銀−パラジウム電極を使
用し、上層部に２〜６重量％のガラスフリツトを
含む銀または銀−パラジウム電極を使用すること
を特徴とする温度補償用積層セラミツクコンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181745A JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181745A JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969907A JPS5969907A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH037130B2 true JPH037130B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=16106138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181745A Granted JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969907A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234519A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品 |
| JPS62264613A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
| NL8800559A (nl) * | 1988-03-07 | 1989-10-02 | Philips Nv | Keramische meerlaagscondensator. |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
| JP3760770B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2006-03-29 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP4442135B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2010-03-31 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP6244621B2 (ja) * | 2012-12-11 | 2017-12-13 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
| JP6070288B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-02-01 | Tdk株式会社 | セラミック積層電子部品 |
| JP2015026838A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
| JP7012219B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-01-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
| KR102946062B1 (ko) * | 2021-12-24 | 2026-04-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57181745A patent/JPS5969907A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5969907A (ja) | 1984-04-20 |
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