JPH0611320U - チップインダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 導体パターンまたは磁性体パターンをレーザ
トリミング等で切断することによりインダクタンス値を
調整可能とする。 【構成】 セラミック等の基板１０上に、インダクタと
して形成された薄膜等の導体パターン１１、または薄膜
等で形成の磁性体パターンが設けられ、該導体パターン
１１、または磁性体パターンの一部をレーザートリミン
グの軌跡１６によりカッティングを行なうことによりイ
ンダクタンス値の微調整を行なう。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、トリミングが可能なチップインダクタに関し、更に詳しくは、自動 車電話機、携帯電話機、ＢＳ、ＣＳ等ＭＨｚ〜ＣＨｚ帯のＶＣＯ回路、フィルタ 回路、ブースタ等の高周波回路におけるインダクタンスを調整することにより所 定の特性を得る回路に用いられるチップインダクタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来この種インダクタとしては、図１６および図１７に示されているように、 厚膜の導体パターン１と磁性体パターン２が交互に重ねられて、導体パターン１ の両端が端子３、４に接続せられ、これにより特定のインダクタンス値が得られ る構造のものが一般的である。

【０００３】

【考案が解決しようとする問題点】

ところで、前記従来のインダクタによれば、インダクタンス値は予め設計値に 合わせることにより所定の値を得るため、完成品の偏差値が大きく、また、イン ダクタンス値を決定する導体パターンは磁性体パターンの内部に入っており、し かも磁性体パターンは厚みがあり高温焼成で完成しているため、カッテイング等 による調整が不可能であるという問題点を有していた。

【０００４】 本考案は、このような従来の技術が有する問題点に鑑みなされたもので、その 目的とするところは、インダクタンス値の調整をレーザ等簡単に入手可能な機器 によって適宜になし得るチップインダクタを提供することにある。

【０００５】

【問題点を解決するための手段】

この目的のため、本考案はセラミック等の基板上に、インダクタとして形成さ れた薄膜等の導体パターンまたは薄膜等で形成の磁性体パターンが設けられ、該 導体パターンまたは磁性体パターンをレーザートリミング等で切断することによ りインダクタンス値を適宜に調整可能とした構成を特徴とし、更らには前記導体 パターンが二層構造とされた構成を特徴とするものである。

【０００６】

【実施例】

実施例について図面を参照して説明すると、図１と図２は本考案に係るチップ インダクタの一例での平面図とＡ−Ａ線に沿った断面図で、本例は、セラミック 等の基板１０上に、インダクタとして薄膜または厚膜の導体パターン１１が形成 され、該導体パターン１１の両端部１２、１３が両側端子１４、１５に接続され て、該導体パターン１１の一部をレーザートリミングの軌跡１６によりカッティ ングを行うことによってインダクタンス値を上げ、微調整ができるようにしたも のである。

【０００７】 本考案に係るチップインダクタの変形は可能であり、図３から図１５に他の変 形態様が示されている。図３から図１０に示されている実施例は、インダクタン ス値の大きいものを得るため導体パターンを二層構造としたものである。更に説 明すると、図３および図４において、セラミック等の基板１０上に、インダクタ としての薄膜または厚膜の第一層導体パターン１７が同心四角形状に設けられて その一端部１８は端子１４と接続され、更に、該第一層導体パターン１７上には 絶縁体１９を介し、かつその一端接続部２１を第一層導体パターン１７における それぞれの接続部２３において接続し、他端部２２を端子１５に接続して第二層 導体パターン２０がそれぞれ設けられ、該第二層導体パターン２０の一部をレー ザートリミングの軌跡１６によりカッティングを行うことによってインダクタン ス値を調整するようにしたものである。

【０００８】 図５から図７に示されている導体パターンの二層構造は、セラミック等の基板 １０上に、インダクタとしての薄膜または厚膜の第一層導体パターン２４と絶縁 体２５を介しての第二層導体パターン２６がそれぞれややずらし、かつコ字形パ ターンをジグザグ状に連続したパターンをもって設けられると共に、第二層導体 パターン２６の一端部２７は端子１４と接続され、他端接続部２８は第一層導体 パターン２４における一端接続部２９において接続され、更に第二層導体パター ン２６の他端部３０および複数の分岐端部３１は端子１５と接続されて、第二層 導体パターン２６の部分３０、３１の一部をレーザートリミングの軌跡１６によ りカッティングを行うことによってインダクタンス値を調整するようにしたもの である。

【０００９】 図８から図１０に示されている導体パターンの二層構造は、セラミック等の基 板１０上に、インダクタとしての薄膜または厚膜の第一層導体パターン３２と、 該第一層導体パターン３２上に絶縁体２５を介して第二層導体パターン３３が設 けられたもので、更に説明すると、両導体パターン３２、３３は略コ字形であっ て相互にややずらして配列されると共に、第一層導体パターン３２の一端部３４ は端子１４と接続され、接続部３５は第二層導体パターン３３における接続端部 ３６とそれぞれ接続されて、両導体パターン３２、３３は互いにすこしずれた略 コ字形パターンをもって規則的に連設されると共に、端子１５に一番近接の第一 層導体パターン３２の接続部３５と第二層導体パターン３３の接続部３６とから 延設の第二層導体パターン延設部３７と、端子１５に一番近接の第二層導体パタ ーン３３の端部３８および複数の分岐端部３９は端子１５と接続され、第二層導 体パターン３３の部分３７、３８、３９の一部をレーザートリミングの軌跡１６ によりカッティングを行なうことによってインダタンス値を調整するようにした ものである。

【００１０】 図１１から図１５に示されている実施例は、導体パターンをトリミングして調 整するのではなく、薄膜等で形成の磁性体パターンをトリミングして調整するも のである。更に説明すると、図１１と図１２に示されている実施例は、セラミッ ク等の基板１０上に、薄膜または厚膜で形成された磁性体パターン４０が設けら れると共に、該磁性体パターン４０上には導体パターン４１が設けられてそれの 一端部４２は端子１４に、他端部４３は端子１５にそれぞれ接続され、磁性体パ ターン４０の膜をレーザートリミングの軌跡１６によりカッティングを行うこと によってインダクタンス値の調整を行うようにしたものである。

【００１１】 また、図１３から図１５に示されている実施例は、セラミック等の基板１０上 にして、かつその中間よりやや上部に薄膜または厚膜で形成された磁性体パター ン４４が帯状に設けられると共に、該磁性体パターン４４上には、その一部分を 位置させて導体パターン４５が設けられてそれの一端部４６は端子１４に、他端 部４７は端子１５にそれぞれ接続され、更に導体パターン４５における残余部分 上には磁性体パターン４４と同等の磁性体パターン４８が設けられ、該磁性体パ ターン４４、４８の膜をレーザートリミングの軌跡１６によりカッティングを行 うことによってインダクタンス値の調整を行うようにしたものである。

【００１２】

【考案の効果】

しかして、本考案によれば、インダクタンス値の調整はレーザートリミングの 軌跡により行われるものであるから、高周波回路において、空心コイル等で機械 的に出力特性を監視しながら長時間を要して調整していた従来に比し、きわめて 短時間でインダクタンス値の調整ができ、またどんな値にも調整ができるため、 特に高周波回路におけるカットアンドトライ的な調整が不要となる。

【００１３】 また、インダクタンス値の系列を作る場合に、従来においては多くの原画（パ ターン図）を必要としたが、本考案によれば、数少ないパターンで完成している から、レーザー等による調整のみで広範なインダクタンス値を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係るチップインダクタの一例での平面
図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】本考案の他例を示す平面図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図５】本考案の他例を示す平面図である。

【図６】図５のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

【図７】図５のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

【図８】本考案の他例を示す平面図である。

【図９】図８のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。

【図１０】図８のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。

【図１１】本考案の更らなる他例を示す平面図である。

【図１２】図１１のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。

【図１３】本考案の更らなる他例を示す平面図である。

【図１４】図１３のＨ−Ｈ線に沿った断面図である。

【図１５】図１３のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【図１６】従来例を示す平面図である。

【図１７】図１６のＪ−Ｊ線に沿った断面図である。

【符号の説明】

１０ 基板 １１、４１、４５ 導体パターン １６ レーザートリミング等のカッティング軌跡 １７、２４、３２ 第一層導体パターン １９、２５ 絶縁体 ２０、２６、３３ 第二層導体パターン ４０ 磁性体パターン

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック等の基板上に、インダクタと
   して形成された薄膜等の導体パターンまたは薄膜等で形
   成の磁性体パターンが設けられ、該導体パターンまたは
   磁性体パターンをレーザートリミング等で切断すること
   によりインダクタンス値を適宜に調整可能とした構成を
   特徴とするチップインダクタ。
2. 【請求項２】 前記導体パターンが二層構造とされた請
   求項１のチップインダクタ。