JPH06116763A - 防錆処理方法及び防錆処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 撚線の表面および素線間に防錆被膜を均一
に、しかも厚く形成する。 【構成】 伸線機によって所望線径に成形した単線又は
撚線機によって２以上の素線を撚って成形した撚線をベ
ンゾトリアゾール溶液が満たされた防錆槽内を浸漬走行
せしめて該単線又は撚線に防錆処理を施す際に防錆槽内
の防錆液に任意の方向から赤外線を照射させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、銅の単線、撚線等導線
に防錆処理を行う装置に係り、特に、撚線の表面および
素線間に防錆被膜を厚く形成することのできる防錆処理
方法及び防錆処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】送電線に使用される電線の導体には、規
定された耐用年数を保持するため、その表面に防錆処理
が施されている。この防錆液としては、ＢＴＡ（ベンゾ
トリアゾール）等の防錆剤を１．１．１トリクロロエタ
ン、ＩＰＡ（ｉｓｏｐｒｏｂａｎｏｌ）や、ＭＥＫ（Ｍ
ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ Ｋｅｔｏｎｅ）、Ｍｅｔｈａ
ｎｏｌ等の混合溶剤に、溶解したものが用いられる。そ
して、この防錆溶液による防錆処理方法として従来、次
のような方法が用いられている。一般に、第３に、導体
を防錆液で満たされた液槽内に浸漬通過させて防錆液を
塗布する方法が用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法にあっては、前防錆液槽内に浸漬するため、導
体表面の防錆膜の不均一性はないが、単線の場合には、
単線表面に厚く防錆被膜を形成することができず、撚線
の場合には、素線表面の仕上りが不均一であるため、単
に防錆液中を浸漬走行させるだけでは、撚線を構成して
いる素線間に防錆液が浸透せず、防錆被膜を厚く形成す
ることができないという問題点を有している。

【０００４】本発明は、撚線の表面および素線間に防錆
被膜を均一に、しかも厚く形成することのできる防錆処
理方法及び防錆処理装置を提供することを目的としてい
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、防錆液中を
浸漬通過させ、導体表面を十分防錆液中に浸しているに
も拘らず十分な防錆被膜が形成されない点に着目した。

【０００６】まず、銅表面に防錆被膜が形成される過程
を解明すると、防錆液のベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄
Ｎ₂ ・ＮＨ）溶液は、 なる化学反応を起こし、ベンゾトリアゾールは、酸素
（Ｏ₂ ）の存在の下にベンゾトリアゾール第２銅（防錆
被膜）になることが明らかとなっている。ところが、従
来の防錆処理は、走行通過する導体表面に防錆液が付着
しないようなところが生じるのを防ぐため、防錆液を満
たした槽の液中深い位置を走行通過せしめている。

【０００７】本発明者は、このような従来の防錆処理方
法では防錆液が銅と反応して防錆膜を形成する際に必要
とする酸素（Ｏ₂ ）が不十分であることを見出し、本発
明をなすに至った。

【０００８】また、撚線を構成している素線の表面は、
その仕上りが均一になっておらず、撚線として仕上った
場合、防錆液中に浸漬しても素線間表面張力によって素
線間に防錆液が浸漬していかず、本発明者は、撚線の場
合特に防錆効果を得られなていないということを見出し
て本発明をなすに至った。

【０００９】上記目的を達成するために、本発明におけ
る防錆処理方法は、伸線機によって所望線径に成形した
単線又は撚線機によって２以上の素線を撚って成形した
撚線をベンゾトリアゾール溶液が満たされた防錆槽内を
浸漬走行せしめて該単線又は撚線に防錆処理を施す際に
防錆槽内の防錆液に任意の方向から赤外線を照射させる
ようにしたものである。

【００１０】また、上記目的を達成するために、本発明
における防錆処理装置は、伸線機によって所望線径に成
形した単線又は撚線機によって２以上の素線を撚って成
形した撚線をベンゾトリアゾール溶液が満たされた防錆
槽内を浸漬走行せしめて該単線又は撚線に防錆処理を施
す防錆処理装置の防錆槽の内壁面に赤外線発生器を設
け、防錆槽内の防錆液に赤外線を照射するようにしたも
のである。

【００１１】

【作用】単線又は撚線を防錆槽内に満たした防錆液の液
面下を数百〜数千ｍ／ｈｒの速度で浸漬走行させる。こ
の単線又は撚線の走行する防錆槽内の防錆液は、照射さ
れる赤外線に共鳴し赤外線を吸収する。この赤外線の吸
収にって、防錆液はエネルギー順位を上げ、伸縮振動・
交角振動の振動を大きくし、分子運動が活発になる。

【００１２】この防錆液の分子運動の活発化は、防錆槽
内の防錆液に大きな圧力と高温度を発生させ、単線又は
撚線のＣｕとベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂ ・Ｎ
Ｈ）との反応を促進し、単線又は撚線の表面にベンゾト
リアゾール第２銅（防錆被膜）を盛んに形成する。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。撚
線の製造装置は、図８に示す如き構成を有している。す
なわち、炉より引っ張り出した銅の素線６００は、図８
（Ａ）に示す如く、矢印Ａに示す方向に引き出され、伸
線機１００によって所望の線径に引き伸ばされ、上り釜
３００により引っ張られ、防錆槽４００を通り巻取ドラ
ム５００に巻かれる。それら伸線後の線は、図８（Ｂ）
に示す如く、撚線機２００によって撚られた後、撚線６
５０として防錆槽４５０を通り巻取ドラム５５０に巻か
れる。このようにして防錆処理の施された銅線（単線又
は撚線）が製造される。

【００１４】《第１実施例》図１には、本発明に係る防
錆処理方法及び防錆処理装置の一実施例が示されてい
る。

【００１５】図において、１は防錆処理装置で、長方形
状の防錆槽２を有している。この長方形状の防錆槽２の
内部は、長手方向に銅線（単線又は撚線）６０が走行す
るように構成されている。３は送入管で、防錆槽２の長
手方向の側面４に設けられており、防錆液１０が定量的
に供給されるようになっている。５は排出管で、防錆槽
２の長手方向の側面６に設けられており、防錆槽２内に
常時一定量が保持されるように送入管３から定量的に供
給される防錆液１０のオーバーフローした分を随時排出
するものである。この送入管３から送入された防錆液１
０は、排出管５から排出され、再び送入管３に送られる
というように循環して使用されている。

【００１６】７は赤外線発生器で、防錆槽２の底面１１
に設けられている。この赤外線発生器７は、図２に示す
如く、赤外線照射セラミックス７１にヒータ７２を内蔵
して構成されている。赤外線放射体としては、２ＭｇＯ
・２Ａｌ₂ Ｏ₃ ・５ＳｉＯ₂、Ｌｉ₂ Ｏ・Ａ₂ Ｏ₃ ・４
ＳｉＯ₂ 、２Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＯ₂ 等がある。

【００１７】８は赤外線発生器で、防錆槽２の上部に乗
せられた蓋９に設けられている。この赤外線発生器８
は、赤外線発生器７と同様に構成されており、図２に示
す如く、赤外線照射セラミックス８１にヒータ８２を内
蔵して構成されている。赤外線放射体としては、２Ｍｇ
Ｏ・２Ａｌ₂ Ｏ₃ ・５ＳｉＯ₂ 、Ｌｉ₂ Ｏ・Ａ₂ Ｏ₃ ・
４ＳｉＯ₂ 、２Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＯ₂ 等がある。

【００１８】次に、本実施例の動作について説明する。

【００１９】まず、防錆液１０が、防錆槽２に充満され
ると、赤外線発生器７、８を動作せしめ、防錆液１０に
赤外線を照射する。この状態で、防錆液１０中に銅線６
０を、防錆液１０の液面下を数百〜数千ｍ／ｈｒの線速
で走行させる。すると、防錆槽２内の防錆液１０は、銅
線６０走行近辺で渦流を生じると共に赤外線発生器７、
８によって銅線６０周辺の防錆液１０は、分子運動が活
発となる。この渦流と分子運動が銅線６０表面に防錆液
１０を叩きつけ、防錆被膜の形成を十分ならしめる。

【００２０】このように銅線６０は、防錆液１０中を防
錆液１０の液面下を数百〜数千ｍ／ｈｒの速度で走行
し、浸漬処理によって防錆処理が施される。この銅線６
０が防錆液１０の液面下を数百〜数千ｍ／ｈｒの線速で
走行している間、赤外線発生器７、８によって赤外線が
照射されている。このように赤外線が照射されると、防
錆液１０は赤外線を吸収し、共鳴現象を起こし防錆液の
分子間のエネルギー順位を上げ振動が大きくなり、分子
運動が活発となる。この分子運動の活発化は、大きな圧
力と高温度を発生し銅線６０のＣｕとベンゾトリアゾー
ル（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂・ＮＨ）との反応を促進し、ベンゾト
リアゾール第２銅（防錆被膜）を盛んに形成する。

【００２１】この赤外線発生器７、８による赤外線を照
射した場合と赤外線を照射しない場合との防錆膜の形成
厚さの試験結果が表１に示されている。

【００２２】 表１では、ベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂ ・ＮＨ）
濃度を３段階に変化させて、それぞれについて赤外線未
照射、赤外線１０分照射、赤外線３０分照射の試料を作
成した。赤外線照射による試料は、防錆液に１０分、３
０分赤外線を照射した直後、銅線を防錆液に１秒間浸漬
した後乾燥させたものである。これらの各試料について
Ｎａ₂ Ｓ試験を行った。このＮａ₂ Ｓ試験は、試料を１
００ｐｐｍＮａ₂ Ｓ溶液中に３０秒間浸漬させ、各試料
の表面の変色度合を観察して行った。試験結果における
『×』は試料全面が変色したものを示し、『△』は試料
全体がうっすらと変色したものを示し、『○』は試料に
変色が認められなかったものを示している。

【００２３】表１から、ベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄
Ｎ₂ ・ＮＨ）濃度が０．３Ｗ／Ｖ％のものでは、赤外線
未照射のものは、『×』で試料全面が変色が現れた。ま
た、防錆液に１０分間赤外線を照射した直後に試料を防
錆液に１秒間浸漬し乾燥させたものは、『○』で試料に
変色が全く認められなかった。さらに、防錆液に３０分
間赤外線を照射した直後に試料を防錆液に１秒間浸漬し
乾燥させたものも、同様『○』で試料に変色が全く認め
られなかった。

【００２４】また、ベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂
・ＮＨ）濃度が０．５Ｗ／Ｖ％のものでは、赤外線未照
射のものは、『△』で試料全体にうっすらと変色が認め
られた。また、防錆液に１０分間赤外線を照射した直後
に試料を防錆液に１秒間浸漬し乾燥させたものは、
『○』で試料に変色が全く認められなかった。さらに、
防錆液に３０分間赤外線を照射した直後に試料を防錆液
に１秒間浸漬し乾燥させたものも、同様『○』で試料に
変色が全く認められなかった。

【００２５】さらに、ベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ
₂ ・ＮＨ）濃度が１．０Ｗ／Ｖ％のものでは、赤外線未
照射のもの、防錆液に１０分間赤外線を照射した直後に
試料を防錆液に１秒間浸漬し乾燥させたもの、防錆液に
３０分間赤外線を照射した直後に試料を防錆液に１秒間
浸漬し乾燥させたもののいずれもが、『○』で試料に変
色が全く認められなかった。

【００２６】このように防錆液に赤外線を照射すること
によって銅線６０のＣｕとベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ
₄ Ｎ₂ ・ＮＨ）との反応を促進し、ベンゾトリアゾール
第２銅（防錆被膜）を厚く形成できることは、明白であ
る。本実施例による銅線６０のＣｕとベンゾトリアゾー
ル（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂ ・ＮＨ）との反応によって形成される
ベンゾトリアゾール第２銅（防錆被膜）の厚さを断面し
て観察すると、図３に示す如き状態となっている。図３
（Ａ）は従来の防錆処理装置によって防錆処理した銅線
７０の断面構造を示し、７１が銅で、７２が防錆被膜
（ベンゾトリアゾール第２銅）、７３が防錆被膜の外周
に付着したベンゾトリアゾール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂ ・ＮＨ）
層である。図３（Ｂ）は本実施例に基づく防錆処理装置
によって防錆処理した銅線６０の断面構造を示し、６１
が銅で、６２が防錆被膜（ベンゾトリアゾール第２
銅）、６３が防錆被膜の外周に付着したベンゾトリアゾ
ール（Ｃ₆ Ｈ₄ Ｎ₂ ・ＮＨ）層である。防錆処理を施す
銅線６０と銅線７０は、同じ導体径を有するもので、金
属銅６１の部分と金属銅７１の部分とは同一径に成形さ
れたものである。本実施例に基づいて防錆処理の行われ
た銅線６０に形成された防錆被膜６２の厚さＴ₁ は、従
来の方法によって防錆処理の行われた銅線７０に形成さ
れた防錆被膜７２の厚さＴ₀ と、 Ｔ₁ ＞Ｔ₀ という関係になっている。すなわち、本実施例に基づい
て防錆処理の行われた銅線６０に形成された防錆被膜６
２の厚さの方が従来の方法によって防錆処理の行われた
銅線７０に形成された防錆被膜７２の厚さよりも厚く形
成されている。したがって、本実施例に基づいて防錆処
理の行われた銅線６０の防錆被膜６２の外周に付着する
過剰なベンゾトリアゾール層６３の厚さｔ₁ は、従来の
方法によって防錆処理の行われた銅線７０の防錆被膜７
２の外周に付着する過剰なベンゾトリアゾール層７３の
厚さｔ₀ と、 ｔ₁ ＞ｔ₀ という関係を有している。

【００２７】したがって、本実施例によれば、防錆被膜
形成時に必要とする酸素の供給を可能としているため、
防錆被膜形成を助長することができ、従来に比して、線
速を速くすることができ、防錆処理効率を向上すること
ができる。

【００２８】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００２９】また、本実施例によれば、特に銅線が撚線
の場合、銅線が防錆液に浸漬走行されていく間に防錆液
分子の共鳴現象により銅線の周囲に一定した大きな圧力
と高温度を発生させるため、より早く、撚線の細部に渡
ってに効果的に防錆処理を施すことができる。

【００３０】《第２実施例》図４には、本発明の第２実
施例が示されている。

【００３１】図４において、本実施例が図１に図示の第
１実施例と異なる点は、図１に図示の第１実施例が、赤
外線発生器７、８を防錆槽２の底面１１と防錆槽２の上
部に乗せられた蓋９に設けているのに対し、本実施例
は、防錆槽の上部にのみ設けた点である。

【００３２】図において、２０は防錆処理装置で、長方
形状の防錆槽２１を有している。この長方形状の防錆槽
２１の内部は、図面の表面から裏面に突き抜ける方向に
銅線（単線又は撚線）６０が走行するように構成されて
いる。２２は赤外線発生器で、防錆槽２１の上部に設け
られており、防錆槽２１の蓋を兼ねてもよい。

【００３３】したがって、本実施例によれば、赤外線発
生器２２の照射量を調整することにより、防錆被膜形成
時に必要とする酸素の供給を十分取ることができ、防錆
被膜形成を助長することができるので防錆処理効率を向
上することができ、従来に比して、線速を速くしたり、
防錆槽をコンパクトにすることができる。

【００３４】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００３５】《第３実施例》図５には、本発明の第３実
施例が示されている。

【００３６】図５において、本実施例が図１に図示の第
１実施例と異なる点は、図１に図示の第１実施例が、赤
外線発生器７、８を防錆槽２の底面１１と防錆槽２の上
部に乗せられた蓋９に設けているのに対し、本実施例
は、防錆槽の底面にのみ設けた点である。

【００３７】図において、３０は防錆処理装置で、長方
形状の防錆槽３１を有している。この長方形状の防錆槽
３１の内部は、図面の表面から裏面に突き抜ける方向に
銅線（単線又は撚線）６０が走行するように構成されて
いる。３２は赤外線発生器で、防錆槽３１の底面３３に
設けられている。

【００３８】したがって、本実施例によれば、赤外線発
生器３２の照射量を調整することにより、防錆被膜形成
時に必要とする酸素の供給を十分取ることができ、防錆
被膜形成を助長することができるので防錆処理効率を向
上することができ、従来に比して、線速を速くしたり、
防錆槽をコンパクトにすることができる。

【００３９】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００４０】《第３実施例》図５には、本発明の第３実
施例が示されている。

【００４１】図５において、本実施例が図１に図示の第
１実施例と異なる点は、図１に図示の第１実施例が、赤
外線発生器７、８を防錆槽２の底面１１と防錆槽２の上
部に乗せられた蓋９に設けているのに対し、本実施例
は、防錆槽の底面にのみ設けた点である。

【００４２】図において、３０は防錆処理装置で、長方
形状の防錆槽３１を有している。この長方形状の防錆槽
３１の内部は、図面の表面から裏面に突き抜ける方向に
銅線（単線又は撚線）６０が走行するように構成されて
いる。３２は赤外線発生器で、防錆槽３１の底面３３に
設けられている。

【００４３】したがって、本実施例によれば、赤外線発
生器３２の照射量を調整することにより、防錆被膜形成
時に必要とする酸素の供給を十分取ることができ、防錆
被膜形成を助長することができるので防錆処理効率を向
上することができ、従来に比して、線速を速くしたり、
防錆槽をコンパクトにすることができる。

【００４４】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００４５】《第４実施例》図６には、本発明の第４実
施例が示されている。

【００４６】図６において、本実施例が図５に図示の第
３実施例と異なる点は、図５に図示の第３実施例が、赤
外線発生器３２を防錆槽３１の底面３３に設けているの
に対し、本実施例は、防錆槽の一方の側面に設けた点で
ある。

【００４７】図において、４０は防錆処理装置で、長方
形状の防錆槽４１を有している。この長方形状の防錆槽
４１の内部は、図面の表面から裏面に突き抜ける方向に
銅線（単線又は撚線）６０が走行するように構成されて
いる。４２は赤外線発生器で、防錆槽４１の側面４３に
設けられている。

【００４８】したがって、本実施例によれば、赤外線発
生器４２を側面に設けているため、防錆液に十分に赤外
線を照射することができるので、防錆被膜形成時に必要
とする酸素の供給を十分取ることができ、防錆被膜形成
を助長することができるので防錆処理効率を向上するこ
とができ、従来に比して、線速を速くしたり、防錆槽を
コンパクトにすることができる。

【００４９】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００５０】《第５実施例》図７には、本発明の第５実
施例が示されている。

【００５１】図７において、本実施例が図６に図示の第
４実施例と異なる点は、図６に図示の第４実施例が、赤
外線発生器４２を防錆槽４１の一方の側面４３に設けて
いるのに対し、本実施例は、防錆槽の両方の側面に設け
た点である。

【００５２】図において、５０は防錆処理装置で、長方
形状の防錆槽５１を有している。この長方形状の防錆槽
５１の内部は、図面の表面から裏面に突き抜ける方向に
銅線（単線又は撚線）６０が走行するように構成されて
いる。５２は赤外線発生器で、防錆槽５１の側面５３に
設けられている。また、５４は赤外線発生器で、防錆槽
５１の側面５５に設けられている。

【００５３】したがって、本実施例によれば、赤外線発
生器５２、５４を相対向する側面５３、５５に設けてい
るため、防錆液に両側面から十分に赤外線を照射するこ
とができ、防錆被膜形成時に必要とする酸素の供給を十
分取ることができるので、防錆被膜形成を助長すること
ができ、かつ防錆処理効率を向上することができ、従来
に比して、線速を速くしたり、防錆槽をコンパクトにす
ることができる。

【００５４】また、本実施例によれば、赤外線の照射に
よる防錆液分子の共鳴現象により、化学反応（防錆被膜
形成反応）が促進され、反応時間が短縮され、未反応を
少なくすることができる。

【００５５】

【発明の効果】本発明は、上述の通り構成されているの
で、赤外線による分子運動の活発化によって、防錆液中
に共鳴現象を惹起し化学反応（防錆被膜形成反応）を促
進し、反応時間を短縮され、未反応状態を減少すること
ができる。このため、本発明によれば、銅線表面に防錆
被膜を早く厚く形成することができる。

【００５６】さらに、本発明によれば、防錆被膜形成反
応（化学反応）が従来に比して促進されるため、防錆被
膜形成時間を短縮することができ、防錆液浸漬走行時間
を短く、すなわち、従来の銅線の線速を変更をしなけれ
ば、防錆処理装置の長さを短くでき、また、防錆処理装
置に変更を加えなければ、銅線の線速を速くすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る防錆処理装置の第１実施例を示す
断面図である。

【図２】図１に図示の防錆処理装置に用いられる赤外線
発生装置の全体斜視図である。

【図３】図１に図示の防錆処理装置によって防錆処理さ
れた銅線と従来の防錆処理装置によって防錆処理された
銅線の一部を断面して示した図である。

【図４】本発明に係る防錆処理装置の第２実施例を示す
断面図である。

【図５】本発明に係る防錆処理装置の第３実施例を示す
断面図である。

【図６】本発明に係る防錆処理装置の第４実施例を示す
断面図である。

【図７】本発明に係る防錆処理装置の第５実施例を示す
断面図である。

【図８】本発明の適用される単線及び撚線の製造装置の
模式図である。

【符号の説明】

１，２０，３０，４０，５０………………………………
…防錆処理装置 ２，２１，３１，４１，５１，６１………………………
…防錆槽 ７，８，２２，３２，４２，５２，５４…………………
…赤外線発生器 １０……………………………………………………………
…防錆液 ６０……………………………………………………………
…銅線

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 伸線機によって所望線径に成形した単線
   又は撚線機によって２以上の素線を撚って成形した撚線
   をベンゾトリアゾール溶液が満たされた防錆槽内を浸漬
   走行せしめて該単線又は撚線に防錆処理を施す防錆処理
   方法において、上記防錆槽内の防錆液に任意の方向から
   赤外線を照射させるようにしたことを特徴とする防錆処
   理方法。
2. 【請求項２】 上記任意の方向は、複数の方向である請
   求項１記載の防錆処理方法。
3. 【請求項３】 伸線機によって所望線径に成形した単線
   又は撚線機によって２以上の素線を撚って成形した撚線
   をベンゾトリアゾール溶液が満たされた防錆槽内を浸漬
   走行せしめて該単線又は撚線に防錆処理を施す防錆処理
   装置において、上記防錆槽の内壁面に赤外線発生器を設
   け、上記防錆槽内の防錆液に赤外線を照射するようにし
   たことを特徴とする防錆処理装置。
4. 【請求項４】 上記赤外線発生器は、防錆槽の内側面に
   設けたものである請求項３記載の防錆処理装置。
5. 【請求項５】 上記赤外線発生器は、防錆槽の底面又は
   蓋内面に設けたものである請求項４記載の防錆処理装
   置。