JPH06118341A - 走査型投影装置 - Google Patents

走査型投影装置

Info

Publication number
JPH06118341A
JPH06118341A JP3294525A JP29452591A JPH06118341A JP H06118341 A JPH06118341 A JP H06118341A JP 3294525 A JP3294525 A JP 3294525A JP 29452591 A JP29452591 A JP 29452591A JP H06118341 A JPH06118341 A JP H06118341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
scanning
optical system
refraction
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3294525A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshikazu Yoshino
寿和 芳野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP3294525A priority Critical patent/JPH06118341A/ja
Priority to US07/974,272 priority patent/US5369521A/en
Publication of JPH06118341A publication Critical patent/JPH06118341A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0892Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/22Telecentric objectives or lens systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/008Systems specially adapted to form image relays or chained systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 広いフィールドを有し、高解像力で投影する
屈折光学系の走査型投影装置を提供することである。 【構成】被投影物を所定の走査幅で走査することによっ
て投影する走査型投影装置であって、被投影物を上記走
査幅の中心線上に中心を有する円弧状領域に照明する照
明部と、光軸上に中心を有する円弧状領域の収差が補正
され、上記照明部によって円弧状に照明された被投影物
の像を像面内に形成する屈折投影光学系と、上記被投影
物及び上記像面に配置された受光部材と、上記照明部及
び上記投影光学部とを相対的に移動させる駆動装置とを
有する走査型投影装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、広いフィールドを有
し、高解像力で投影する走査型投影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の高解像力で投影する投影装置とし
て、レンズ光学系を使用して小分割された受光物体に順
次投影して露光するステッパーが知られている。該ステ
ッパーは、縮小・拡大が可能であり、また開口率NAを
大きくすることができる。しかし、この光学系において
広いフィールドを確保しようとすると、投影倍率が1倍
となり、また軸外収差が発生するがこれを補正すること
が困難であり、例えばラップトップ型ワードプロセッサ
に使用する300×210平方センチメートルのLCD
(液晶表示器)の露光装置に適さないという問題があ
る。
【0003】従来の高解像力で投影する投影装置の他の
例として、特公昭57ー51083号公報に開示されて
いるものであって、図7に示すように、凹面鏡100
と、凸面鏡102を対向して配置してなる走査型のもの
が知られている。この光学系においては、被投影物と結
像位置を光軸104を中心とする対称位置に配置し、光
軸104を中心とする環状部分に収差が補正された収差
補正領域106ができる。投影に使用する光束は、被投
影物と結像位置の近傍に配置されたマスク(図示せず)
によって限定された収差補正領域106を通過する光束
のみである。走査は、被投影物と結像位置に配置される
感光材料とを各矢印方向に同期させて移動させて行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】広いフィールドを有す
る走査型投影装置の光学系は、レンズ光学系であっても
反射光学系であっても、大型になる。一方、光学部材
は、大型化すると自重や保持手段によって精度の低下は
避けられない。光学部材の歪みの最大値をPvとすると
き、このPvによって発生する収差への影響は、 反射光学系の反射面の歪みにおいては、 2×Pv レンズ光学系の屈折面の歪みにおいては、(nー1)×
Pv となる。ここで、nはレンズ光学系のレンズの屈折率で
あり、一般的にn=1.5であるから、屈折レンズ光学
系の上記値は(0.5×Pv)となる。従って、光学部
材の歪みによる収差に対する影響が同一となるようにす
ると、反射面の加工精度・保持精度は、屈折面のそれの
4倍高くしなければならないこととなる。この理由によ
って、広いフィールドを有する走査型投影装置の光学系
は、屈折レンズ光学系であることが望ましい。
【0005】また、広いフィールドを有する走査型投影
装置をLCD(液晶表示器)の露光装置として使用する
場合、使用するマスクは、製造コストの高いものであ
り、小さいものであることが望ましい。さらに、走査型
投影装置の光学系の解像力を考える場合、開口率NAを
大きくすることが望ましい。図7に示す従来の光学系に
おいては、凸面鏡102の周囲を通過する光束と凸面鏡
102に入射して反射される光束とが干渉して開口率N
Aを大きくすることができない。
【0006】
【発明の構成】上記課題を解決する本発明の走査型投影
装置の構成は、被投影物を所定の走査幅で走査すること
によって投影する走査型投影装置において、被投影物を
上記走査幅の中心線上に中心を有する円弧状領域に照明
する照明部と、光軸上に中心を有する円弧状領域の収差
が補正され、上記照明部によって円弧状に照明された被
投影物の像を像面内に形成する投影光学系と、上記被投
影物及び上記像面に配置された受光部材と、上記照明部
及び上記投影光学部とを相対的に移動させる駆動装置と
を有することである。
【0007】
【発明の効果】本発明によれば、走査型投影装置に包含
される光学系は、反射光学系ではなく、屈折光学系であ
るレンズ光学系であり、屈折面の加工精度・保持精度を
低くしても高い投影精度をえることができる利点を有す
る。また、投影倍率を容易に1以上に高くすることがで
きるから、製造コストの高い照明部のマスクを小型にす
ることができる利点を有する。さらに、開口率NAを大
きくし、走査型投影装置の光学系の解像力を高くするこ
とができる利点を有する。
【0008】
【実施例】以下に、本発明の実施例の走査型投影装置を
説明する。第1実施例の走査型投影装置は、図1に示す
ように、7群、すなわちレンズ6枚の屈折レンズ系及び
反射鏡1枚からなり、該反射鏡上に、すなわち屈折レン
ズ像の焦点位置に絞りが配置される。これによって、被
投影物側及び像側においてテセントリック光学系とな
り、倍率デイストーション等の影響を減少させている。
被投影物は光軸を中心とする円弧状領域に照明され、結
像位置では実質上光軸を中心とする円弧状領域だけが投
影光束として使用される。走査は、被投影物と結像位置
に配置された受光部材とを同期させて移動させて行う。
レンズ系の光学データは以下の通りである。 光学部材 曲率半径 厚さ(間隔) 屈折率 L1 − 1021.7 71.1 1.67 − 419.3 60.7 L2 − 8053.2 50.1 1.52 − 1784.8 2.8 L3 + 252.0 79.5 1.73 + 2313.8 17.5 L4 + 5463.7 28.4 1.75 + 221.7 17.5 L5 + 402.4 26.2 1.73 + 4340.8 0.4 L6 + 189.7 55.8 1.74 + 149.5 100.0 M ∞ 被投影物O及び結像面10に投影される収差補正がなさ
れた領域の幅W(スリットの幅)は4.0mm、その弦長
bは310mmである。第1実施例の開口率NAは0.1
2、解像力は2.9μmL/S、フィールドは(310
×D)mm(D:スキャン長さ)、波長はgーline(43
6nm)である。
【0009】物像面12上の被投影物Oからの光束は、
レンズ系LすなわちレンズL1、L2、L3、L4、L
5、L6を通過後、反射鏡M7によって反射され、レン
ズL6、L5、L4、L3、L2、L1を通過して結像
面10に達する。第1実施例の光学系の像の倒れ量を示
す像面湾曲収差は、図2に示すように、横軸に収差量、
縦軸に光軸からの距離を取ると、円弧状スリットのスリ
ット幅Wにおける像面位置は収差Oを示す縦軸からずれ
るが、このずれたスリット幅Wの部分の結像のみが使用
され、この結像位置と物像面を一致させるので、像面湾
曲収差による像の不鮮明化は生じない。なお、非点収差
はOに補正されている。
【0010】第2実施例の走査型投影装置は、図3に示
すが、第1実施例と共通の構成については共通の符号を
付してその説明を省略する。第2実施例は、被投影物O
及び結像面10が、反射鏡MOを介して互いに平行に、
かつレンズ系Lの光軸を中心に対称に配置されている。
被投影物Oの上方には、投影レンズ20、スリット板2
2、コンデンサーレンズ24、及び光源26が順次配置
されている。被投影物Oとスリット板22とは、投影レ
ンズ20に関して共役である。被投影物O及び結像面1
0の受光部材S(図3には図示せず、図4に示す)は、
図3に示す矢印方向に両者を同期して移動させる駆動装
置28に連結されている。
【0011】すなわち、被投影物O及び受光部材Sは、
図4に示すように、スリット板22に形成された90°
の円弧状のスリット23に対し、OP1からOP2の位
置に移動させられることによって走査がなされる。第3
実施例の走査型投影装置は、図5に示すが、第1実施例
及び第2実施例と共通の構成については共通の符号を付
してその説明を省略する。第3実施例は、焦点距離f1
のレンズ系LL1及び焦点距離f2 のレンズ系LL2を
対向させて配置する。レンズ系LL1の入射側には直角
プリズムP1が配置され、レンズ系LL2の射出側には
直角プリズムP2が配置されている。被投影物O1の像
が結像面121に形成され、被投影物O2の像が結像面
122に形成される。第3実施例においては、投影倍率
が(f1 /f2 )であり、拡大及び縮小が可能な光学系
であって、同一の光学系を同時に二つの投影光学系とし
て使用でき、一度に2枚の転写が可能であるという利点
を有する。
【0012】次に、レンズ系からなる本発明の走査型投
影装置が、反射光学系の走査型投影装置に比較して小型
であることについて説明する。本発明の走査型投影装置
が、図6に示すように、レンズ系Lと反射鏡Mからな
り、レンズの最大外径が560mm、被投影物及び結像位
置の光軸からの高さが219mm、結像面から反射鏡Mの
反射面までの距離を825mmとする。開口率NA( sin
Φ)は0.12である。
【0013】一方、上記の光学性能を有する反射光学系
は、スリット幅を4mmとした場合、図6に示すように、
物像面12と反射鏡MXの反射面との間隔、すなわち反
射鏡MXの曲率半径は1800mmが必要となり、また反
射鏡MXにおける光軸の高さhが219mm、光束の幅が
(2×216)mmとなる。従って反射鏡MXの半径は4
35mm以上でなければならない。このように、反射光学
系の走査型投影装置に比較して、レンズ系からなる本発
明の走査型投影装置はきわめて小型であるということが
できる。
【0014】上記実施例では、主にLCDを製造するた
めの開口率NAが小さくフィールドの広い投影光学系で
あったが、本発明はこれに限定されることなく開口率N
Aが大きくフィールドの広い投影光学系、例えば開口率
NA=0.6、フィールド径が25ないし30mm、λ=
248nmの光学系を要求される半導体製造分野の投影光
学装置にも有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の光学図である。
【図2】本発明の第1実施例の収差図である。
【図3】本発明の第2実施例の光学図である。
【図4】本発明の第2実施例の走査の説明図である。
【図5】本発明の第3実施例の光学図である。
【図6】従来の反射型走査型投影装置と本発明の走査型
投影装置との寸法を比較するための説明図である。
【図7】従来の反射型走査型投影装置の光学図でる。
【符号の説明】
O 被投影物 L レンズ系 S 受光物体 W スリット幅 10 結像面 12 物像面 M7 反射鏡 20 投影レンズ 22 スリット板 24 コンデンサーレンズ 26 光源26 28 駆動装置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被投影物を所定の走査幅で走査すること
    によって投影する走査型投影装置において、 被投影物を上記走査幅の中心線上に中心を有する円弧状
    領域に照明する照明部と、 光軸上に中心を有する円弧状領域の収差が補正され、上
    記照明部によって円弧状に照明された被投影物の像を像
    面内に形成する屈折投影光学系と、 上記被投影物及び上記像面に配置された受光部材と、上
    記照明部及び上記投影光学部とを相対的に移動させる駆
    動装置とを有することを特徴とする走査型投影装置。
  2. 【請求項2】 上記屈折投影光学系が、被投影物側及び
    像側においてテレセントリック光学系である請求項1記
    載の走査型投影装置。
  3. 【請求項3】 上記屈折投影光学系が、第1屈折投影レ
    ンズ系と、第2屈折投影レンズ系とを対向させて配置し
    て構成されていることを特徴とする請求項1記載の走査
    型投影装置。
  4. 【請求項4】 上記第1屈折投影レンズ系の焦点距離
    と、上記第2屈折投影レンズ系の焦点距離とが異なって
    いることを特徴とする請求項2記載の走査型投影装置。
  5. 【請求項5】 上記屈折投影光学系が、その瞳位置に配
    置された平面ミラーを有し、投影光束が同一屈折投影レ
    ンズ系を二度通過することを特徴とする請求項1記載の
    走査型投影装置。
  6. 【請求項6】 上記屈折投影光学系において、第1投影
    光束と第2投影光束を光軸に関し対称に入射させること
    を特徴とする請求項2記載の走査型投影装置。
JP3294525A 1991-11-11 1991-11-11 走査型投影装置 Pending JPH06118341A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3294525A JPH06118341A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 走査型投影装置
US07/974,272 US5369521A (en) 1991-11-11 1992-11-10 Scanning type projector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3294525A JPH06118341A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 走査型投影装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06118341A true JPH06118341A (ja) 1994-04-28

Family

ID=17808915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3294525A Pending JPH06118341A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 走査型投影装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5369521A (ja)
JP (1) JPH06118341A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6157497A (en) * 1993-06-30 2000-12-05 Nikon Corporation Exposure apparatus
KR100374910B1 (ko) * 1994-07-29 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 노광장치
WO2012073178A3 (en) * 2010-12-01 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor device with double telecentric optical system

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3724517B2 (ja) * 1995-01-18 2005-12-07 株式会社ニコン 露光装置
JPH0756090A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Topcon Corp 走査型投影光学系
US5757469A (en) * 1995-03-22 1998-05-26 Etec Systems, Inc. Scanning lithography system haing double pass Wynne-Dyson optics
US5583684A (en) * 1995-06-06 1996-12-10 Spot Technology Inc. Lens assembly fixing device of scanner
TWI262717B (en) * 2005-05-24 2006-09-21 Benq Corp Optical system and imaging method for projector
CN105372942B (zh) * 2014-08-28 2018-05-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种用于镜面单元的主动变形装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3748015A (en) * 1971-06-21 1973-07-24 Perkin Elmer Corp Unit power imaging catoptric anastigmat
US5255114A (en) * 1991-11-12 1993-10-19 Eastman Kodak Company High resolution scanner

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023527B2 (en) 1993-06-30 2006-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US7088425B2 (en) 1993-06-30 2006-08-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6351305B1 (en) 1993-06-30 2002-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate
US6480262B1 (en) 1993-06-30 2002-11-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein
US6509954B1 (en) 1993-06-30 2003-01-21 Nikon Corporation Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method
US6556278B1 (en) 1993-06-30 2003-04-29 Nikon Corporation Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted
US6157497A (en) * 1993-06-30 2000-12-05 Nikon Corporation Exposure apparatus
US7372543B2 (en) 1993-06-30 2008-05-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6795169B2 (en) 1993-06-30 2004-09-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US7372544B2 (en) 1993-06-30 2008-05-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
KR100374910B1 (ko) * 1994-07-29 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 노광장치
WO2012073178A3 (en) * 2010-12-01 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor device with double telecentric optical system
CN103339492A (zh) * 2010-12-01 2013-10-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有双远心光学系统的传感器装置
US9268121B2 (en) 2010-12-01 2016-02-23 Koninklijke Philips N.V. Sensor device with double telecentric optical system
EP2646803B1 (en) * 2010-12-01 2024-01-17 Siemens Healthineers Nederland B.V. Sensor device with double telecentric optical system

Also Published As

Publication number Publication date
US5369521A (en) 1994-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE39024E1 (en) Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
JP3635684B2 (ja) 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
KR100451339B1 (ko) 높은개구수의링필드광학축소시스템
US6396067B1 (en) Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
USRE39296E1 (en) Catadioptric projection systems
EP0903605A2 (en) Four mirror EUV projection optics
JPH1020195A (ja) 反射屈折光学系
JP2003114387A (ja) 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP2001185480A (ja) 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
US4688904A (en) Reflecting optical system
USRE38438E1 (en) Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JP2003107354A (ja) 結像光学系および露光装置
US5673135A (en) Scanning projection optical device
EP0902329A1 (en) Catadioptric reduction optical system
US6144495A (en) Projection light source
JPH06118341A (ja) 走査型投影装置
US20030210385A1 (en) Projection optical system, a projection exposure apparatus provided with the same, as well as a device manufacturing method
US7203010B2 (en) Catadioptric projection objective
JP3812051B2 (ja) 反射屈折投影光学系
JPH05249379A (ja) 広フィールド露光光学系
US7692767B2 (en) Projection optical system and exposure apparatus with the same
JPH0553057A (ja) 反射光学系
JPH09311277A (ja) 反射屈折光学系
JPH11295605A (ja) 直筒型反射屈折光学系
KR100248011B1 (ko) 프로젝터용투사렌즈유니트