JPH06119651A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

光ピックアップ装置

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JPH06119651A
JPH06119651A JP4267380A JP26738092A JPH06119651A JP H06119651 A JPH06119651 A JP H06119651A JP 4267380 A JP4267380 A JP 4267380A JP 26738092 A JP26738092 A JP 26738092A JP H06119651 A JPH06119651 A JP H06119651A
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hologram
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Sadaaki Ueda
禎亮 上田
Taiji Morimoto
泰司 森本
Toshiya Nagahama
敏也 長浜
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ホログラムユニットを小型にした光ピックア
ップ装置を提供する。 【構成】 半導体レーザチップ5から出た光は全反射ミ
ラー6で垂直方向に折り曲げられる。次いで、ホログラ
ムガラス11を通って光ディスク(図示略)に導かれ
る。その後、光は、光ディスクから戻って来て、ホログ
ラムガラス11の回析格子10により、信号読み取り用
フォトダイオードに導かれる。また、半導体レーザチッ
プ5の後方から出た光は、Si基板1上に形成されたモ
ニター用フォトダイオード3で受光される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光ピックアップ装置
に関するものであり、さらに詳しくは、コンパクトディ
スクプレーヤ、レーザディスクプレーヤ、光磁気ディス
クプレーヤなどに使用される光ピックアップ装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、回析格子を用いた光ピックアップ
(ホログラム光ピックアップ)のホログラムユニット
は、図12のような構成となっている。また、そのホロ
グラムユニットUを用いた光ピックアップ装置として
は、図13に示すようなものが知られている。
【0003】図13に示すホログラム光ピックアップ装
置Pにおいて、光導体レーザ51から出た光は、集光レ
ンズ52および対物レンズ53により光ディスク54上
に絞り込まれる。そして、光ディスク54からの反射光
(信号)は同じ光路を戻る。このとき、ホログラムガラ
ス55に形成された回析格子58により、光路が曲げら
れる。したがって、反射光は、所定位置に形成された信
号読み取り用フォトダイオード56に導かれる。
【0004】このように、信号読み取り用フォトダイオ
ード56の電気信号すなわちビット信号、フォーカス信
号およびトラッキング信号を演算処理することにより、
ホログラム光ピックアップ装置Pを形成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のホログラム光ピ
ックアップ装置PのホログラムユニットUは、図12の
ように、各部品すなわち、半導体レーザチップ51、モ
ニター用フォトダイオード57および信号読み取り用フ
ォトダイオード56が、ステム59に別々に搭載されて
いる。そのため、ホログラムユニットUの組立は、1つ
1つの部品を集めて行う必要があり、各部品も1つ1つ
作る必要がある。また、各部品の位置関係は、高精度で
ある必要があるため、組立を簡単に行うことができな
い。そして、当然、ステム59も高精度である必要があ
り、高価なステム59となる。
【0006】さらに、ステム59は、信号用リードピン
60を多数、通常10本程度備える必要があり、このと
き、ステム59を小さくしようとすると、リードピン6
0を細くするかリードピン60どうしの間隔を狭くする
必要がある。しかし、前者の場合は、リードピン60が
曲がりやすくなり、後者の場合はリードピン60どうし
が接触しやすくなるなど不都合が多く、小型化には向い
ていない。なお、図12において、61はキャップ、6
2はカバーガラスである。
【0007】小型化をめざしたとき、ステムタイプのパ
ッケージでは十数本のリードピンがパッケージサイズに
大きな影響を与える。一方、LSIなどのDIP( Dua
l In-line Package )タイプのパッケージは、十数本か
ら百数十本のリード足があっても小型コンパクトに形成
されている。DIPパッケージなどは、リードフレーム
という金型で形成されたフレームであるため、従来のス
テムのようなステム材にリードピンを接続したものより
も小型にすることができる。
【0008】
【課題を解決するための手段およびその作用】この発明
は、上記の経緯より、ホログラムユニットを、従来のス
テムタイプに代えてリードフレームタイプで小型に形成
したものである。すなわち、この発明は、リードフレー
ムを有する外箱と、この外箱内に設けられ、信号受光素
子、信号処理回路およびレーザ光モニター用フォトダイ
オードを有する半導体Si基板と、この半導体Si基板
の上に設けられた、半導体レーザチップを搭載した別の
半導体Si基板および光路垂直折り曲げ用全反射ミラー
とを備え、上記信号受光素子は、半導体レーザ光の出射
光軸からずれたところに設けられており、さらに、上記
外箱に、光ディスクから戻って来た光信号を上記信号受
光素子に導くための回折格子が形成されたホログラムガ
ラスを備えてなる光ピックアップ装置である。
【0009】リードフレームには、LSIなどと同様
に、図8のようなフレーム足8が必要数形成される。フ
レーム足8は、それぞれ、プラスチックやセラミックス
などの非導電物からなる箱型ケース7に固定される。こ
のとき、箱の底壁は、上記の非導電物から構成されてい
てもよく、図9のようにリードフレーム材から構成され
ていてもよい。放熱性を考えると、むしろ後者の方が優
れている。また、フレーム足8を中空のものではなく、
非導電物内に表面を出して埋め込んだものにしておく
と、ワイヤーボンド性が向上する。
【0010】当然、リードフレームは、LSIなどと同
じようにフレームどうしがつながっているが、説明を簡
単にするため、図面では1つのフレームのみ記載した。
また、従来は、レーザ光モニター用フォトダイオードと
信号読み取り用フォトダイオードとを別々に形成してい
たが、この発明では、これらのフォトダイオードはとも
にSiで作られるため、組立の簡便さ、生産性を考慮し
て、同一のSi基板上に形成される(図1)。
【0011】光路垂直折り曲げ用全反射ミラーは、半導
体レーザの直前に配置される。このミラーは、レーザ光
を垂直に折り曲げるために、45°の傾斜角度を有して
いる。これにより、光路は、Si基板に平行な方向から
垂直な方向に変わる。したがって、光ディスクから反射
した信号も垂直方向から来るため、Si基板に形成され
た信号は読み取り用フォトダイオードに効率よく入射す
る。
【0012】ミラーは、反射損失のないように、45°
面が全反射ミラーとされる(図2)。また、信号受光素
子としての信号読み取り用フォトダイオードと半導体レ
ーザチップとの位置関係は、同フォトダイオードがレー
ザ光の出射方向とずれた所に位置するようにされる。
【0013】信号受光素子である信号読み取り用フォト
ダイオードが光出射軸線上に位置すると、光ディスクか
らの信号以外に半導体レーザチップからの直接光も入射
するため信号がぼやけてしまい、ピックアップとしての
機能が損なわれる。特に、半導体レーザの光出射パター
ンについては、図10のようにチップに対して平行方向
の光広がり角は約10°前後と狭いが、垂直方向の光広
がり角は30〜40°と広いので、図11のようにレー
ザ光の出射方向に信号読み取りフォトダイオードがあれ
ば、レーザ直接光がより入りやすい。そのため、信号用
フォトダイオードは、レーザ光出射方向からずれた方向
に位置される。
【0014】以上の基幹部品を用いて、次の実施例で、
フレームタイプのホログラムユニットについて説明す
る。ただし、この実施例によってこの発明が限定される
ものではない。なお、図1〜図5は、理解しやすいよう
に、いずれも側面図(a)と平面図(b)で示してあ
る。
【0015】
【実施例】まず、図1のように、Si基板(半導体Si
基板)1上に信号受光素子としての信号読み取り用フォ
トダイオード2とレーザ光モニター用フォトダイオード
3とを形成する。基板1はSiからなるので当然、これ
らのフォトダイオード2・3以外に信号処理回路なども
作り込んでおける。
【0016】次に、図2のように、Si基板1の上に、
半導体レーザチップ5がAuSi、AuSn、Inなど
のろう材で固着された別のSi基板(別の半導体Si基
板、サブマウント)4を、AuSi、AuSn、Inな
どのろう材で固着する。同様に、Si基板1の上に、光
路を垂直に折り曲げるための全反射ミラー6を、その4
5°傾斜面を半導体レーザチップ5の方向へ向け、半導
体レーザチップ5の前方に固着する。
【0017】以上のように準備されたSi基板1を、図
3のように、リードフレーム8を有する箱状ケース7内
にAgペーストなどで固着する。次に、図4のように、
Auワイヤー9を用いて、半導体レーザチップ5やSi
基板1における所定の電極とリードフレーム8とを接続
する。最後に、図5のように、回析格子10を備えたホ
ログラムガラス11を、各リードピンからの信号を確認
しながら、最適な場所に樹脂や接着剤で固定する。
【0018】以上のようにしてできた、この発明に係る
フレームタイプのホログラムユニットの模式図を図6お
よび図7に示す。図6および図7はそれぞれ、図5
(b)の、A方向およびB方向からの側面図である。ま
た、図6および図7には、光路の様子も示されている。
【0019】すなわち、半導体レーザチップ5から出た
光は全反射ミラー6で垂直方向に折り曲げられる。次い
で、ホログラムガラス11を通って光ディスク(図示
略)に導かれる。その後、光は、光ディスクから戻って
来て、ホログラムガラス11の回析格子10により、信
号読み取り用フォトダイオード2に導かれる。また、半
導体レーザチップ5の後方から出た光は、Si基板1上
に形成されたモニター用フォトダイオード3で受光され
る。そして、半導体レーザチップ5の光出力モニターと
して利用される。
【0020】
【発明の効果】以上のように、リードフレームを利用す
ることにより、従来のステムタイプに比べて、より小型
なホログラムユニットが形成される。また、信号受光素
子とレーザ光モニター用フォトダイオードとを集積して
いるので、生産性、組立性能も向上する。さらに、リー
ドフレームタイプにしているので、LSIなどと同様に
自動組立などが可能となり、従来よりも安価なホログラ
ムユニットの供給ができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例に係る光ピックアップ装置
を構成するホログラムユニットの組み立て方法を示す第
1ステップ構成説明図。
【図2】そのホログラムユニットの組み立て方法を示す
第2ステップ構成説明図。
【図3】そのホログラムユニットの組み立て方法を示す
第3ステップ構成説明図。
【図4】そのホログラムユニットの組み立て方法を示す
第4ステップ構成説明図。
【図5】そのホログラムユニットの組み立て方法を示す
第5ステップ構成説明図。
【図6】そのホログラムユニットを図5のA方向から見
た構成説明図。
【図7】そのホログラムユニットを図5のB方向から見
た構成説明図。
【図8】そのホログラムユニットを構成するリードフレ
ームの一例を示す構成説明図。
【図9】そのホログラムユニットを構成するリードフレ
ームの他の一例を示す構成説明図。
【図10】半導体レーザチップの光放射パターンを示す
説明図。
【図11】信号読み取り用フォトダイオードをレーザ光
放射軸上に形成したときの不具合の様子を示す説明図。
【図12】従来のホログラムユニットの構成説明図。
【図13】従来のホログラムユニットを用いた光ピック
アップ装置の構成説明図。
【符号の説明】
1 Si基板 2 信号読み取り用フォトダイオード(信号受光素子) 3 レーザ光モニター用フォトダイオード 4 半導体レーザチップ搭載用Si基板(サブマウン
ト) 5 半導体レーザチップ 6 光路垂直折り曲げ用全反射ミラー 7 箱状ケース 8 リードフレーム 9 Auワイヤー 10 回析格子 11 ホログラムガラス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームを有する外箱と、この外
    箱内に設けられ、信号受光素子、信号処理回路およびレ
    ーザ光モニター用フォトダイオードを有する半導体Si
    基板と、この半導体Si基板の上に設けられた、半導体
    レーザチップを搭載した別の半導体Si基板および光路
    垂直折り曲げ用全反射ミラーとを備え、 上記信号受光素子は、半導体レーザ光の出射光軸からず
    れたところに設けられており、 さらに、上記外箱に、光ディスクから戻って来た光信号
    を上記信号受光素子に導くための回折格子が形成された
    ホログラムガラスを備えてなる光ピックアップ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443676B1 (ko) * 2001-09-13 2004-08-09 엘지전자 주식회사 전반사형 집광렌즈를 이용한 광픽업 장치
KR100455478B1 (ko) * 2000-12-29 2004-11-08 엘지전자 주식회사 전반사형 집광렌즈를 이용한 광픽업 장치

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KR100455478B1 (ko) * 2000-12-29 2004-11-08 엘지전자 주식회사 전반사형 집광렌즈를 이용한 광픽업 장치
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