JPH06120554A - 受光素子及び光波長多重伝送装置 - Google Patents
受光素子及び光波長多重伝送装置Info
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- JPH06120554A JPH06120554A JP4262521A JP26252192A JPH06120554A JP H06120554 A JPH06120554 A JP H06120554A JP 4262521 A JP4262521 A JP 4262521A JP 26252192 A JP26252192 A JP 26252192A JP H06120554 A JPH06120554 A JP H06120554A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光波長多重伝送装置の受信部の回路を簡易化
し、コストを低減すると共に、高性能化し、製造を容易
とする。 【構成】 本発明の受光素子は、エネルギー禁止帯幅が
異なる複数の多層体Ａ、Ｂ及びＣが、間に絶縁層を介し
てエネルギー禁止帯幅の大きさの順に、多層体Ａ、Ｂ及
びＣの積層方向に積層されてているので、受光素子が波
長選択性を持ち、光分波器として機能する。更に、絶縁
層５ａ、５ｂが各多層体Ａ、Ｂ及びＣ間に形成されてい
るので、他信号への信号の漏れを防ぐ。本発明の光波長
多重伝送装置は、受信部に上記受光素子を用いており、
受光素子を多チャネルとできるので、受光素子に要する
面積が小さくなるのみならず、多重光信号を分波するた
めの光分波器を必要としない。
し、コストを低減すると共に、高性能化し、製造を容易
とする。 【構成】 本発明の受光素子は、エネルギー禁止帯幅が
異なる複数の多層体Ａ、Ｂ及びＣが、間に絶縁層を介し
てエネルギー禁止帯幅の大きさの順に、多層体Ａ、Ｂ及
びＣの積層方向に積層されてているので、受光素子が波
長選択性を持ち、光分波器として機能する。更に、絶縁
層５ａ、５ｂが各多層体Ａ、Ｂ及びＣ間に形成されてい
るので、他信号への信号の漏れを防ぐ。本発明の光波長
多重伝送装置は、受信部に上記受光素子を用いており、
受光素子を多チャネルとできるので、受光素子に要する
面積が小さくなるのみならず、多重光信号を分波するた
めの光分波器を必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大容量光通信の分野に
おいて、光を電気信号に変換する受光素子及び異なる波
長の光を伝送する光波長多重伝送装置に関する。
おいて、光を電気信号に変換する受光素子及び異なる波
長の光を伝送する光波長多重伝送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光波長多重伝送とは、異なる波長の光に
異なる信号をのせた波長多重光信号を、１本の光ファイ
バーを介して伝送する方法を言う。
異なる信号をのせた波長多重光信号を、１本の光ファイ
バーを介して伝送する方法を言う。
【０００３】図３に、従来の光波長多重伝送装置のシス
テム構成図を示す。図３に基づいて、従来の光波長多重
伝送装置の構成を説明する。
テム構成図を示す。図３に基づいて、従来の光波長多重
伝送装置の構成を説明する。
【０００４】図示するように、光波長多重伝送装置で
は、送信部１１０、受信部１２０及び送信部１１０と受
信部１２０とを連結する光ファイバ１３０によって構成
されている。
は、送信部１１０、受信部１２０及び送信部１１０と受
信部１２０とを連結する光ファイバ１３０によって構成
されている。
【０００５】送信部１１０は、送信器１１１と、送信器
の出力に接続された発光素子１１２と、発光素子の出力
に接続された光合波器１１３とからなる。送信器１１１
及び発光素子１１２は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓn
に対応して１つずつ設けられており、発光素子１１２の
発光波長λ1、λ2、…、λnはそれぞれ異なる。発光素
子１１２からの出力は全て、異なる光信号を結合するた
めの光合波器１１３に接続されている。光合波器１１３
の出力は、光ファイバ１３０の一端に連結される。
の出力に接続された発光素子１１２と、発光素子の出力
に接続された光合波器１１３とからなる。送信器１１１
及び発光素子１１２は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓn
に対応して１つずつ設けられており、発光素子１１２の
発光波長λ1、λ2、…、λnはそれぞれ異なる。発光素
子１１２からの出力は全て、異なる光信号を結合するた
めの光合波器１１３に接続されている。光合波器１１３
の出力は、光ファイバ１３０の一端に連結される。
【０００６】受信部１２０は、光ファイバ１３０の他端
に連結された光分光器１２１と、光分光器１２１の出力
に接続された受光素子１２２と、受光素子１２２に接続
された受信器１２３とからなる。受光素子１２２及び受
信器１２３は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓnに対応し
て１つずつ設けられている。
に連結された光分光器１２１と、光分光器１２１の出力
に接続された受光素子１２２と、受光素子１２２に接続
された受信器１２３とからなる。受光素子１２２及び受
信器１２３は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓnに対応し
て１つずつ設けられている。
【０００７】上記構成を有する光波長多重伝送装置の動
作を説明をする。
作を説明をする。
【０００８】送信部１１０において、異なる信号Ｓ1、
Ｓ2、…、Ｓnが、送信器１１１により、対応する発光素
子１１２に加えられ、発光素子１１２により、それぞれ
異なる波長λ1、λ2、…、λnの光信号に変換される。
この光信号は光合波器１１３により、１本の光ファイバ
１３０に結合され、波長多重光信号となる。
Ｓ2、…、Ｓnが、送信器１１１により、対応する発光素
子１１２に加えられ、発光素子１１２により、それぞれ
異なる波長λ1、λ2、…、λnの光信号に変換される。
この光信号は光合波器１１３により、１本の光ファイバ
１３０に結合され、波長多重光信号となる。
【０００９】受信部１２０においては、光分波器１２１
により、光ファイバ１３０から伝送された波長多重光信
号が、各波長λ1、λ2、…、λnの光信号に分波され、
各波長λ1、λ2、…、λnに分波された光信号が、対応
する受光素子１２２に与えられ、電気信号に変換され
る。この電気信号は、受信器１２３に入力され、受信器
１２３が有する増幅器によって、信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓ
nとされる。
により、光ファイバ１３０から伝送された波長多重光信
号が、各波長λ1、λ2、…、λnの光信号に分波され、
各波長λ1、λ2、…、λnに分波された光信号が、対応
する受光素子１２２に与えられ、電気信号に変換され
る。この電気信号は、受信器１２３に入力され、受信器
１２３が有する増幅器によって、信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓ
nとされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の波長多重伝送装
置では、上述のように、受信部１２０に、光ファイバ１
３０によって伝送される波長多重光信号を分波するため
の光分波器１２１が必要である。そのため、受信部１２
０の回路が複雑になり、コストが高くなるという問題点
があるのみならず、光分波器１２１において光の損失が
生じるという問題点がある。更に、光分波器１２１から
受光素子１２２への光軸合わせを行う工程が、複雑であ
るという問題点がある。
置では、上述のように、受信部１２０に、光ファイバ１
３０によって伝送される波長多重光信号を分波するため
の光分波器１２１が必要である。そのため、受信部１２
０の回路が複雑になり、コストが高くなるという問題点
があるのみならず、光分波器１２１において光の損失が
生じるという問題点がある。更に、光分波器１２１から
受光素子１２２への光軸合わせを行う工程が、複雑であ
るという問題点がある。
【００１１】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、光分波器を必要としない
構成にすることによって、受信部の回路が簡易化でき、
コストを低減できると共に、高性能で、製造が容易とな
る光波長多重伝送装置を提供することを目的とする。
るためになされたものであり、光分波器を必要としない
構成にすることによって、受信部の回路が簡易化でき、
コストを低減できると共に、高性能で、製造が容易とな
る光波長多重伝送装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の受光素子は、ｎ
電極、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層及びｐ電極をこの順
に積層して形成され、且つエネルギー禁止帯幅が異なる
複数の多層体が、間に絶縁層を介して該エネルギー禁止
帯幅の大きさの順に、該多層体の積層方向に積層されて
おり、そのことによって、上記目的が達成される。
電極、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層及びｐ電極をこの順
に積層して形成され、且つエネルギー禁止帯幅が異なる
複数の多層体が、間に絶縁層を介して該エネルギー禁止
帯幅の大きさの順に、該多層体の積層方向に積層されて
おり、そのことによって、上記目的が達成される。
【００１３】本発明の光多重伝送装置は、各々異なる波
長の多重光信号を送信する送信部と、該送信部から送信
された該多重信号を受信部に伝送するための伝送手段
と、該伝送手段から伝送された該多重光信号を受信して
電気信号に変換する受光素子を含む受信部とを備えた光
波長多重伝送装置であって、該受光素子が、ｎ電極、ｎ
型半導体層、ｐ型半導体層及びｐ電極をこの順に積層し
て形成され、且つエネルギー禁止帯幅が異なる複数の多
層体が、間に絶縁層を介して該エネルギー禁止帯幅の大
きさの順に、該多層体の積層方向に積層された構成から
なり、そのことによって、上記目的が達成される。
長の多重光信号を送信する送信部と、該送信部から送信
された該多重信号を受信部に伝送するための伝送手段
と、該伝送手段から伝送された該多重光信号を受信して
電気信号に変換する受光素子を含む受信部とを備えた光
波長多重伝送装置であって、該受光素子が、ｎ電極、ｎ
型半導体層、ｐ型半導体層及びｐ電極をこの順に積層し
て形成され、且つエネルギー禁止帯幅が異なる複数の多
層体が、間に絶縁層を介して該エネルギー禁止帯幅の大
きさの順に、該多層体の積層方向に積層された構成から
なり、そのことによって、上記目的が達成される。
【００１４】
【作用】本発明の受光素子は、エネルギー禁止帯幅が異
なる複数の多層体が、間に絶縁層を介してエネルギー禁
止帯幅の大きさの順に、多層体の積層方向に積層されて
ているので、受光素子が波長選択性を持ち、光分波器と
して機能する。更に、絶縁層が各多層体間に形成されて
いるので、他信号への信号の漏れを防ぐ。
なる複数の多層体が、間に絶縁層を介してエネルギー禁
止帯幅の大きさの順に、多層体の積層方向に積層されて
ているので、受光素子が波長選択性を持ち、光分波器と
して機能する。更に、絶縁層が各多層体間に形成されて
いるので、他信号への信号の漏れを防ぐ。
【００１５】本発明の光波長多重伝送装置は、受信部に
上記受光素子を用いており、受光素子を多チャネルとで
きるので、受光素子に要する面積が小さくなるのみなら
ず、多重光信号を分波するための光分波器を必要としな
い。又、受光素子が積層構造なので光軸合わせの工程が
簡易化できる。
上記受光素子を用いており、受光素子を多チャネルとで
きるので、受光素子に要する面積が小さくなるのみなら
ず、多重光信号を分波するための光分波器を必要としな
い。又、受光素子が積層構造なので光軸合わせの工程が
簡易化できる。
【００１６】
【実施例】本発明を実施例について以下に説明する。
【００１７】＜第１実施例＞図１に、本実施例の受光素
子の断面構造図を示す。
子の断面構造図を示す。
【００１８】図示するように、本実施例の受光素子は、
ｎ電極１ａ、ｎ型半導体層２ａ、ｐ型半導体層３ａ及び
ｐ電極４ａがこの順に積層された多層体Ａ上に間にＳｉ
Ｏ2などからなる絶縁層５ａを介して多層体Ｂが形成さ
れ、多層体Ｂ上には間に絶縁層５ｂを介して多層体Ｃが
形成された構成になっている。多層体Ｂ及び多層体Ｃは
多層体Ａと同様の構成をしており、多層体Ｂはｎ電極１
ｂ、ｎ型半導体層２ｂ、ｐ型半導体層３ｂ及びｐ電極４
ｂからなり、多層体Ｃはｎ電極１ｃ、ｎ型半導体層２
ｃ、ｐ型半導体層３ｃ及びｐ電極４ｃからなる。各々の
多層体Ａ、Ｂ及びＣが有するｐ・ｎ接合部のエネルギー
禁止帯幅Ｅｇが各々異なり、エネルギー禁止帯幅Ｅｇが
小さい順に積層されている。即ち、各々の多層体Ａ、Ｂ
及びＣのエネルギー禁止帯幅Ｅｇを順に、Ｅｇa、Ｅｇ
b、Ｅｇcとすると、Ｅｇa＜Ｅｇb＜Ｅｇcとなってい
る。最下層となるｎ電極１ａ及び最上層となるｐ電極４
ｃは、オーミック性電極としている。最上層となるｐ電
極４ｃは、入射光をできるだけ多くするために、多層体
Ｃの周縁部にのみ形成している。他のｎ電極１ｂ、１ｃ
及びｐ電極４ａ、４ｂは、ＳｎＯ2又はＩｎ2Ｏ3などの
透明電極である。
ｎ電極１ａ、ｎ型半導体層２ａ、ｐ型半導体層３ａ及び
ｐ電極４ａがこの順に積層された多層体Ａ上に間にＳｉ
Ｏ2などからなる絶縁層５ａを介して多層体Ｂが形成さ
れ、多層体Ｂ上には間に絶縁層５ｂを介して多層体Ｃが
形成された構成になっている。多層体Ｂ及び多層体Ｃは
多層体Ａと同様の構成をしており、多層体Ｂはｎ電極１
ｂ、ｎ型半導体層２ｂ、ｐ型半導体層３ｂ及びｐ電極４
ｂからなり、多層体Ｃはｎ電極１ｃ、ｎ型半導体層２
ｃ、ｐ型半導体層３ｃ及びｐ電極４ｃからなる。各々の
多層体Ａ、Ｂ及びＣが有するｐ・ｎ接合部のエネルギー
禁止帯幅Ｅｇが各々異なり、エネルギー禁止帯幅Ｅｇが
小さい順に積層されている。即ち、各々の多層体Ａ、Ｂ
及びＣのエネルギー禁止帯幅Ｅｇを順に、Ｅｇa、Ｅｇ
b、Ｅｇcとすると、Ｅｇa＜Ｅｇb＜Ｅｇcとなってい
る。最下層となるｎ電極１ａ及び最上層となるｐ電極４
ｃは、オーミック性電極としている。最上層となるｐ電
極４ｃは、入射光をできるだけ多くするために、多層体
Ｃの周縁部にのみ形成している。他のｎ電極１ｂ、１ｃ
及びｐ電極４ａ、４ｂは、ＳｎＯ2又はＩｎ2Ｏ3などの
透明電極である。
【００１９】上記構成を有する受光素子における動作を
説明する。
説明する。
【００２０】この受光素子に最上層のｐ電極４ｃ側から
各々異なる波長からなる多重光を入射させる。多層体
Ａ、Ｂ及びＣのｐ・ｎ接合部は、上層部に位置している
ものほどエネルギー禁止帯幅Ｅｇが大きいので、下層部
に位置する多層体Ａ及びＢのｐ・ｎ接合部ほど、長波長
の光を吸収する。即ち、各多層体Ａ、Ｂ及びＣのｐ・ｎ
接合部で吸収する光の波長を各々λa、λb、λcとする
と、λa＞λb＞λcとなる。吸収された光は、電気信号
に変換される。ここで、絶縁層５ａ、５ｂは、多層体
Ａ、Ｂ及びＣの間を各々電気的に分離することで、光吸
収によって生成した電子及び正孔がその多層体Ａ、Ｂ及
びＣから流出するのを防ぐことができる。その結果、他
信号への信号の漏れを防ぐことができ、漏洩特性が向上
できる。
各々異なる波長からなる多重光を入射させる。多層体
Ａ、Ｂ及びＣのｐ・ｎ接合部は、上層部に位置している
ものほどエネルギー禁止帯幅Ｅｇが大きいので、下層部
に位置する多層体Ａ及びＢのｐ・ｎ接合部ほど、長波長
の光を吸収する。即ち、各多層体Ａ、Ｂ及びＣのｐ・ｎ
接合部で吸収する光の波長を各々λa、λb、λcとする
と、λa＞λb＞λcとなる。吸収された光は、電気信号
に変換される。ここで、絶縁層５ａ、５ｂは、多層体
Ａ、Ｂ及びＣの間を各々電気的に分離することで、光吸
収によって生成した電子及び正孔がその多層体Ａ、Ｂ及
びＣから流出するのを防ぐことができる。その結果、他
信号への信号の漏れを防ぐことができ、漏洩特性が向上
できる。
【００２１】本実施例において、例えば多層体Ａの半導
体層２ａ、３ａをＧｅとし、多層体Ｂの半導体層２ｂ、
３ｂをＩｎＧａＡｓとし、多層体Ｃの半導体層２ｃ、３
ｃをＳｉとする。この場合は、多層体Ａは１．６μｍ、
多層体Ｂは１．１μｍ、多層体Ｃは０．８μｍの波長帯
の光を吸収することになる。これらの半導体は必要とす
る波長帯に応じて変えることができる。
体層２ａ、３ａをＧｅとし、多層体Ｂの半導体層２ｂ、
３ｂをＩｎＧａＡｓとし、多層体Ｃの半導体層２ｃ、３
ｃをＳｉとする。この場合は、多層体Ａは１．６μｍ、
多層体Ｂは１．１μｍ、多層体Ｃは０．８μｍの波長帯
の光を吸収することになる。これらの半導体は必要とす
る波長帯に応じて変えることができる。
【００２２】上述のように、受光素子を積層構造にする
ことにより、受光素子が、波長選択性を有し、複数の波
長の検出が可能となるので、多チャンネルにできる。
ことにより、受光素子が、波長選択性を有し、複数の波
長の検出が可能となるので、多チャンネルにできる。
【００２３】尚、本実施例において、絶縁層５ａ、５ｂ
として、絶縁体の代わりにエネルギー禁止帯幅Ｅｇが多
層体Ａ、Ｂ及びＣのエネルギー禁止帯幅Ｅｇより大きく
なる半導体を用いても構わない。
として、絶縁体の代わりにエネルギー禁止帯幅Ｅｇが多
層体Ａ、Ｂ及びＣのエネルギー禁止帯幅Ｅｇより大きく
なる半導体を用いても構わない。
【００２４】本実施例では、エネルギー禁止帯幅Ｅｇの
異なるｐ・ｎ接合部を有する３つの多層体の積層構造と
したが、更に多重構造なものでも構わない。
異なるｐ・ｎ接合部を有する３つの多層体の積層構造と
したが、更に多重構造なものでも構わない。
【００２５】＜第２実施例＞図２に、本実施例の光波長
多重伝送装置のシステム構成図を示す。図２に基づい
て、本実施例の光波長多重伝送装置の構成を説明する。
多重伝送装置のシステム構成図を示す。図２に基づい
て、本実施例の光波長多重伝送装置の構成を説明する。
【００２６】図示するように、本実施例の光波長多重伝
送装置は、送信部１０、受信部２０及び送信部１０と受
信部２０とを連結する光ファイバ３０によって構成され
ている。
送装置は、送信部１０、受信部２０及び送信部１０と受
信部２０とを連結する光ファイバ３０によって構成され
ている。
【００２７】送信部１０は、送信器１１と、送信器の出
力に接続された発光素子１２と、発光素子の出力に接続
された光合波器１３とからなる。送信器１１及び発光素
子１２は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓnに対応して１
つずつ設けられており、発光素子１２の発光波長λ1、
λ2、…、λnはそれぞれ異なる。発光素子１２からの出
力は全て、異なる光信号を結合するための光合波器１３
に接続されている。光合波器１３の出力は、光ファイバ
３０の一端に連結される。
力に接続された発光素子１２と、発光素子の出力に接続
された光合波器１３とからなる。送信器１１及び発光素
子１２は、異なる信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓnに対応して１
つずつ設けられており、発光素子１２の発光波長λ1、
λ2、…、λnはそれぞれ異なる。発光素子１２からの出
力は全て、異なる光信号を結合するための光合波器１３
に接続されている。光合波器１３の出力は、光ファイバ
３０の一端に連結される。
【００２８】受信部２０は、光ファイバ３０の他端に連
結された受光素子２２及び受光素子２２に接続された受
信器２３とからなる。受信器２３は、異なる信号Ｓ1、
Ｓ2、…、Ｓnに対応して１つずつ設けられている。
結された受光素子２２及び受光素子２２に接続された受
信器２３とからなる。受信器２３は、異なる信号Ｓ1、
Ｓ2、…、Ｓnに対応して１つずつ設けられている。
【００２９】上記構成を有する光波長多重伝送装置の動
作を説明をする。
作を説明をする。
【００３０】送信部１０において、異なる信号Ｓ1、
Ｓ2、…、Ｓnが、送信器１１により、対応する発光素子
１２に加えられ、発光素子１２により、それぞれ異なる
波長λ1、λ2、…、λnの光信号に変換される。この光
信号は光合波器により、１本の光ファイバ３０に結合さ
れ、多重光信号となる。
Ｓ2、…、Ｓnが、送信器１１により、対応する発光素子
１２に加えられ、発光素子１２により、それぞれ異なる
波長λ1、λ2、…、λnの光信号に変換される。この光
信号は光合波器により、１本の光ファイバ３０に結合さ
れ、多重光信号となる。
【００３１】受信部２０においては、光分波器２１によ
り、光ファイバ３０から伝送された多重光信号が、波長
多重用受光素子２２によって、上述したように、各波長
λ1、λ2、…、λnの光信号に対応する電気信号に変換
される。この電気信号は、受信器２３に入力され、受信
器２３が有する増幅器によって、信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓ
nとされる。
り、光ファイバ３０から伝送された多重光信号が、波長
多重用受光素子２２によって、上述したように、各波長
λ1、λ2、…、λnの光信号に対応する電気信号に変換
される。この電気信号は、受信器２３に入力され、受信
器２３が有する増幅器によって、信号Ｓ1、Ｓ2、…、Ｓ
nとされる。
【００３２】上述のように、本実施例の光波長多重伝送
装置では、受光素子２２によって、多重信号の分波及び
電気信号への変換を行うので、光分波器が不要で、且つ
受光素子の数を低減することが出来る。その結果、受信
部２０の回路を簡易化でき、受光素子２２に要する面積
を小さくすることができるので、コストを低減できる。
このように、受信部２０の回路が簡易化できるので、光
信号を有効に利用でき高性能となる。又、光分波器が不
要なので、光分波器から受光素子２２への光軸合わせの
工程が要らなくなり、製造が容易になる。
装置では、受光素子２２によって、多重信号の分波及び
電気信号への変換を行うので、光分波器が不要で、且つ
受光素子の数を低減することが出来る。その結果、受信
部２０の回路を簡易化でき、受光素子２２に要する面積
を小さくすることができるので、コストを低減できる。
このように、受信部２０の回路が簡易化できるので、光
信号を有効に利用でき高性能となる。又、光分波器が不
要なので、光分波器から受光素子２２への光軸合わせの
工程が要らなくなり、製造が容易になる。
【００３３】本実施例では、単方向光波長多重伝送の場
合であるが、送信部と受信部とを各々形成し、各受信部
に本発明の受光素子を形成すれば、双方向波長多重伝送
の場合にも有効である。
合であるが、送信部と受信部とを各々形成し、各受信部
に本発明の受光素子を形成すれば、双方向波長多重伝送
の場合にも有効である。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の受光素子及び光波長多重伝送装置によれば、受光素子
によって、多重信号の分波及び電気信号への変換ができ
るので、光波長多重伝送装置で、単方向光波長多重伝送
の場合及び双方向波長多重伝送の場合にも、受信部回路
が簡易化でき、装置のコストを低減できると共に、高性
能化でき、装置の製造を容易にすることができる。
の受光素子及び光波長多重伝送装置によれば、受光素子
によって、多重信号の分波及び電気信号への変換ができ
るので、光波長多重伝送装置で、単方向光波長多重伝送
の場合及び双方向波長多重伝送の場合にも、受信部回路
が簡易化でき、装置のコストを低減できると共に、高性
能化でき、装置の製造を容易にすることができる。
【図１】本発明における受光素子の構造断面図である。
【図２】本発明の光波長多重伝送装置のシステム構成図
である。
である。
【図３】従来の光波長多重伝送装置のシステム構成図で
ある。
ある。
１ａ、１ｂ、１ｃ ｎ電極 ２ａ、２ｂ、２ｃ ｎ型半導体層 ３ａ、３ｂ、３ｃ ｐ型半導体層 ４ａ、４ｂ、４ｃ ｐ電極 ５ａ、５ｂ 絶縁層 Ａ、Ｂ、Ｃ 多層体 １０ 送信部 １１ 送信器 １２ 発光素子 １３ 光合波器 ２０ 受信部 ２２ 発光素子 ２３ 受信器 ３０ 光ファイバ
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ電極、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層及
びｐ電極をこの順に積層して形成され、且つエネルギー
禁止帯幅が異なる複数の多層体が、間に絶縁層を介して
該エネルギー禁止帯幅の大きさの順に、該多層体の積層
方向に積層された波長多重用受光素子。 - 【請求項２】 各々異なる波長の多重光信号を送信する
送信部と、該送信部から送信された該多重信号を受信部
に伝送するための伝送手段と、該伝送手段から伝送され
た該多重光信号を受信して電気信号に変換する受光素子
を含む受信部とを備えた光波長多重伝送装置であって、 該受光素子が、ｎ電極、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層及
びｐ電極をこの順に積層して形成され、且つエネルギー
禁止帯幅が異なる複数の多層体が、間に絶縁層を介して
該エネルギー禁止帯幅の大きさの順に、該多層体の積層
方向に積層された構成からなる光波長多重伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262521A JPH06120554A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 受光素子及び光波長多重伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262521A JPH06120554A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 受光素子及び光波長多重伝送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120554A true JPH06120554A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17376963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4262521A Withdrawn JPH06120554A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 受光素子及び光波長多重伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120554A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411232B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor photodetecting device and method of manufacturing the same |
| JP2012069941A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-04-05 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 多層のバイスペクトルフォトダイオード検出器 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4262521A patent/JPH06120554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411232B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor photodetecting device and method of manufacturing the same |
| JP2012069941A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-04-05 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 多層のバイスペクトルフォトダイオード検出器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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