JPH079996B2 - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH079996B2 JPH079996B2 JP60045795A JP4579585A JPH079996B2 JP H079996 B2 JPH079996 B2 JP H079996B2 JP 60045795 A JP60045795 A JP 60045795A JP 4579585 A JP4579585 A JP 4579585A JP H079996 B2 JPH079996 B2 JP H079996B2
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- semiconductor light
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、互に異なる波長を有する複数の光を多重化し
ている多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の
受光出力を選択的に出力させることができる半導体受光
装置に関する。
ている多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の
受光出力を選択的に出力させることができる半導体受光
装置に関する。
従来の技術 従来、互に異なる波長を有する複数の光を多重化されて
いる多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の受
光出力を選択的に出力することができる、実用的な半導
体受光装置の提案はない。
いる多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の受
光出力を選択的に出力することができる、実用的な半導
体受光装置の提案はない。
発明が解決しようとする問題点 このため、従来は、互に異なる波長を有する複数の光を
多重化している多重光を受け、その多重光中の所望の１
つの光の受光出力を選択的に出力させるにつき、多重光
を構成している複数の光に対応した複数の半導体受光素
子と、多重光を受け、それを構成している複数の光をそ
れぞれ分波し、その分波した複数の光をそれぞれ複数の
半導体受光素子に入射させる複数の光分波器とを予め用
意し、しかして、複数の半導体受光素子中の１つから得
られる出力を以て、多重光中の所望の１つの光の受光出
力としていた。
多重化している多重光を受け、その多重光中の所望の１
つの光の受光出力を選択的に出力させるにつき、多重光
を構成している複数の光に対応した複数の半導体受光素
子と、多重光を受け、それを構成している複数の光をそ
れぞれ分波し、その分波した複数の光をそれぞれ複数の
半導体受光素子に入射させる複数の光分波器とを予め用
意し、しかして、複数の半導体受光素子中の１つから得
られる出力を以て、多重光中の所望の１つの光の受光出
力としていた。
従って、互に異なる波長を有する複数の光を多重化して
いる多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の受
光出力を選択的に出力させる場合、そのための装置が全
体として大型、高価になる、などの欠点を有していた。
いる多重光を受け、その多重光中の所望の１つの光の受
光出力を選択的に出力させる場合、そのための装置が全
体として大型、高価になる、などの欠点を有していた。
問題を解決するための手段 よって、本発明は、上述した欠点のなしに、互に異なる
波長を有する複数の光を多重化している多重光を受け、
その多重光中の所望の１つの光の受光出力を選択的に出
力させることができる、新規な半導体受光装置を提案せ
んとするものである。
波長を有する複数の光を多重化している多重光を受け、
その多重光中の所望の１つの光の受光出力を選択的に出
力させることができる、新規な半導体受光装置を提案せ
んとするものである。
本発明による半導体受光装置は、第１の導電型を有する
第１の半導体層と、互に異なるエネルギバンドギャップ
を有し且つ上記第１の半導体層に比し十分低い不純物濃
度を有する第１及び第２の半導体薄膜の多数が交互順次
に積層されている構成を有していて多重量子井戸を構成
している半導体活性層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２の半導体層とがそれらの順に積層さ
れている構成を有する半導体積層体と、該半導体積層体
の上記第１及び第２の半導体層にそれぞれ付されている
第１及び第２の電極とを有する第１及び第２の半導体受
光素子が、並置して、または積み重なって配されている
構成を有し、そして、少なくとも、上記第１及び第２の
半導体積層体の第１または第２の電極が互いに分離し、
または上記第１の半導体積層体の第２の電極と上記第２
の半導体積層体の第１の電極とが互いに分離し、もしく
は上記第１の半導体積層体の第１の電極と上記第２の半
導体積層体の第２の電極とが互いに分離している。
第１の半導体層と、互に異なるエネルギバンドギャップ
を有し且つ上記第１の半導体層に比し十分低い不純物濃
度を有する第１及び第２の半導体薄膜の多数が交互順次
に積層されている構成を有していて多重量子井戸を構成
している半導体活性層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２の半導体層とがそれらの順に積層さ
れている構成を有する半導体積層体と、該半導体積層体
の上記第１及び第２の半導体層にそれぞれ付されている
第１及び第２の電極とを有する第１及び第２の半導体受
光素子が、並置して、または積み重なって配されている
構成を有し、そして、少なくとも、上記第１及び第２の
半導体積層体の第１または第２の電極が互いに分離し、
または上記第１の半導体積層体の第２の電極と上記第２
の半導体積層体の第１の電極とが互いに分離し、もしく
は上記第１の半導体積層体の第１の電極と上記第２の半
導体積層体の第２の電極とが互いに分離している。
作用 このような構成を有する本発明による半導体受光装置の
場合、その第１及び第２の半導体受光素子のそれぞれ
は、その半導体活性層が多重量子井戸を構成しているの
に代え、第１及び第２の半導体層に比し十分低い不純物
濃度を有する半導体層に置換されているとすれば、従来
の半導体受光装置と同様の構成を有することから、その
従来の半導体受光装置の場合と同様に、光を受光するこ
とによって、その光の受光出力を、第１及び第２の電極
を介して出力する。
場合、その第１及び第２の半導体受光素子のそれぞれ
は、その半導体活性層が多重量子井戸を構成しているの
に代え、第１及び第２の半導体層に比し十分低い不純物
濃度を有する半導体層に置換されているとすれば、従来
の半導体受光装置と同様の構成を有することから、その
従来の半導体受光装置の場合と同様に、光を受光するこ
とによって、その光の受光出力を、第１及び第２の電極
を介して出力する。
しかしながら、本発明による半導体受光装置の場合、そ
の第１及び第２の半導体受光素子のそれぞれにおいて、
その半導体活性層は、多重量子井戸を構成しているの
で、第１及び第２の電極間に電圧を印加させることによ
って、その電圧に応じた電界が与えられれば、その電界
強度に応じた波長よりも長い波長を有する光を受光する
ことによって、その光を、ほとんどまたは大部分吸収す
るが、上述した電界強度に応じた波長よりも短い波長を
有する光を受光しても、その光を、ほとんど吸収しない
か吸収するとしても僅かしか吸収しない。
の第１及び第２の半導体受光素子のそれぞれにおいて、
その半導体活性層は、多重量子井戸を構成しているの
で、第１及び第２の電極間に電圧を印加させることによ
って、その電圧に応じた電界が与えられれば、その電界
強度に応じた波長よりも長い波長を有する光を受光する
ことによって、その光を、ほとんどまたは大部分吸収す
るが、上述した電界強度に応じた波長よりも短い波長を
有する光を受光しても、その光を、ほとんど吸収しない
か吸収するとしても僅かしか吸収しない。
このため、第１及び第２の半導体受光素子のそれぞれ
は、その第１及び第２の電極間に印加する電圧に応じた
波長よりも短い波長を有する光を受光しても、その光の
受光出力を出力しないが、長い波長を有する光を受光す
ることによって、その光の受光出力を、第１及び第２の
電極を介して出力する。
は、その第１及び第２の電極間に印加する電圧に応じた
波長よりも短い波長を有する光を受光しても、その光の
受光出力を出力しないが、長い波長を有する光を受光す
ることによって、その光の受光出力を、第１及び第２の
電極を介して出力する。
従って、本発明による半導体受光装置によれば、第１の
半導体受光素子の第２の半導体受光素子側とは反対側か
ら、第２の半導体受光素子側に向けて、互に異なる波長
を有する複数の光を多重化している多重光を入射させる
ようにし、また、第１及び第２の半導体受光素子の第１
及び第２の電極間に各別に電圧を印加させるようにし、
そして、それら電圧を適当に選定すれば、第２の半導体
受光素子から、多重光を構成している複数の光中の所望
の１つの光の受光出力を、第１及び第２の電極を介して
出力させることができる。
半導体受光素子の第２の半導体受光素子側とは反対側か
ら、第２の半導体受光素子側に向けて、互に異なる波長
を有する複数の光を多重化している多重光を入射させる
ようにし、また、第１及び第２の半導体受光素子の第１
及び第２の電極間に各別に電圧を印加させるようにし、
そして、それら電圧を適当に選定すれば、第２の半導体
受光素子から、多重光を構成している複数の光中の所望
の１つの光の受光出力を、第１及び第２の電極を介して
出力させることができる。
効果 よって、本発明による半導体受光装置によれば、その本
発明による半導体受光装置を用いるのみで、従って、多
重光を構成している複数の光の数の半導体受光素子、光
分波器、及び光結合路を必要とすることなしに、互に異
なる波長を有する複数の光を多重化している多重光を受
け、その多重光中の所望の１つの光の受光出力を選択的
に出力させることができる、という優れた特徴を有す
る。
発明による半導体受光装置を用いるのみで、従って、多
重光を構成している複数の光の数の半導体受光素子、光
分波器、及び光結合路を必要とすることなしに、互に異
なる波長を有する複数の光を多重化している多重光を受
け、その多重光中の所望の１つの光の受光出力を選択的
に出力させることができる、という優れた特徴を有す
る。
実施例１ 次に、第１図を伴なって、本発明による半導体受光装置
の第１の実施例を述べよう。
の第１の実施例を述べよう。
第１図に示す本発明による半導体受光装置は、次に述べ
る構成を有する。
る構成を有する。
すなわち、第１及び第２の半導体受光素子U1及びU2が並
置して配されている構成を有する。
置して配されている構成を有する。
半導体受光素子U1及びU2のそれぞれは、例えばInPでな
り且つｎ型を有する第１の半導体層11と、半導体活性層
13と、例えば第１の半導体層11と同じInPでなり且つ第
１の半導体層11とは逆のｐ型を有する第２の半導体層12
とがそれらの順に積層されている半導体積層体10と、そ
の半導体積層体10の半導体層11及び12の半導体活性層13
側とは反対側の面上にそれぞれオーミックに付されてい
る第１及び第２の電極21及び22とを有している構成を有
する。
り且つｎ型を有する第１の半導体層11と、半導体活性層
13と、例えば第１の半導体層11と同じInPでなり且つ第
１の半導体層11とは逆のｐ型を有する第２の半導体層12
とがそれらの順に積層されている半導体積層体10と、そ
の半導体積層体10の半導体層11及び12の半導体活性層13
側とは反対側の面上にそれぞれオーミックに付されてい
る第１及び第２の電極21及び22とを有している構成を有
する。
この場合、半導体活性層13は、例えばInPGaAs系でなり
且つ第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不
純物濃度を有する半導体層33aと、それとは異なるエネ
ルギバンドギャップを有する例えばInAlAs系でなり且つ
第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不純物
濃度を有する半導体層33bとの多数が、交互順次に積層
されている構成を有していて多重量子井戸を構成してい
る。
且つ第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不
純物濃度を有する半導体層33aと、それとは異なるエネ
ルギバンドギャップを有する例えばInAlAs系でなり且つ
第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不純物
濃度を有する半導体層33bとの多数が、交互順次に積層
されている構成を有していて多重量子井戸を構成してい
る。
なお、上述した構成を有する半導体受光素子U1及びU2
は、実際上、次に述べる構成を有する。
は、実際上、次に述べる構成を有する。
すなわち、半導体受光素子U1及びU2の第１の半導体層11
となる半導体層41上に、半導体受光素子U1及びU2の半導
体活性層13になる半導体活性層43と、半導体受光素子U1
及びU2の第２の半導体層12になる半導体層42とがそれら
の順に積層され、その半導体積層体内に、上方からのプ
ロトンの照射によって、上方からみて半導体積層体を２
分するように、絶縁層44が、半導体層41に達する深さに
形成され、よって、半導体層42の絶縁層44を挟んだ両位
置の領域をそれぞれ半導体受光素子U1及びU2の第２の半
導体層12とし、また、半導体活性層43の絶縁層44を挟ん
だ両位置の領域をそれぞれ半導体活性層13とし、さら
に、半導体層41の半導体層U1及びU2の半導体活性層13下
の領域をそれぞれ半導体層U1及びU2の第１の半導体層11
としている構成を有する。
となる半導体層41上に、半導体受光素子U1及びU2の半導
体活性層13になる半導体活性層43と、半導体受光素子U1
及びU2の第２の半導体層12になる半導体層42とがそれら
の順に積層され、その半導体積層体内に、上方からのプ
ロトンの照射によって、上方からみて半導体積層体を２
分するように、絶縁層44が、半導体層41に達する深さに
形成され、よって、半導体層42の絶縁層44を挟んだ両位
置の領域をそれぞれ半導体受光素子U1及びU2の第２の半
導体層12とし、また、半導体活性層43の絶縁層44を挟ん
だ両位置の領域をそれぞれ半導体活性層13とし、さら
に、半導体層41の半導体層U1及びU2の半導体活性層13下
の領域をそれぞれ半導体層U1及びU2の第１の半導体層11
としている構成を有する。
なお、上述した半導体層41が２分されていないことによ
って、半導体層41の半導体層42側とは反対側の面上に第
１及び第２の半導体受光素子U1及びU2の電極21となる電
極45が形成され、その電極45の第１及び第２の半導体受
光素子U1及びU2の半導体層11下の領域を第１及び第２の
半導体受光素子U1及びU2の電極21としている。
って、半導体層41の半導体層42側とは反対側の面上に第
１及び第２の半導体受光素子U1及びU2の電極21となる電
極45が形成され、その電極45の第１及び第２の半導体受
光素子U1及びU2の半導体層11下の領域を第１及び第２の
半導体受光素子U1及びU2の電極21としている。
以上が、本発明による半導体受光装置の第１の実施例の
構成である。
構成である。
このような構成を有する本発明による半導体受光装置に
よれば、その半導体受光素子U1及びU2のそれぞれは、そ
の半導体活性層13が多重量子井戸を構成しているにの代
え、第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不
純物濃度を有する半導体層に置換されているとすれば、
従来の半導体受光素子と同様の構成を有することから、
その従来の半導体受光素子の場合と同様に、光を受光す
ることによって、その光の受光出力を、第１及び第２の
電極21及び22を介して出力することは明らかである。
よれば、その半導体受光素子U1及びU2のそれぞれは、そ
の半導体活性層13が多重量子井戸を構成しているにの代
え、第１及び第２の半導体層11及び12に比し十分低い不
純物濃度を有する半導体層に置換されているとすれば、
従来の半導体受光素子と同様の構成を有することから、
その従来の半導体受光素子の場合と同様に、光を受光す
ることによって、その光の受光出力を、第１及び第２の
電極21及び22を介して出力することは明らかである。
しかしながら、半導体受光素子U1及びU2のそれぞれは、
その半導体活性層13が多重量子井戸を構成している構成
を有している。
その半導体活性層13が多重量子井戸を構成している構成
を有している。
このため、半導体受光素子U1及びU2のそれぞれにおい
て、その半導体活性層13は、第１及び第２の電極21及び
22間に電圧を印加させることによって、その電圧に応じ
た電界が与えられれば、その電界強度に応じた波長より
も長い波長を有する光を受光することによって、その光
を、全てまたは大部分吸収するが、上述した電界強度に
応じた波長よりも短い波長を有する光を受光しても、そ
の光をほとんど吸収しないか吸収するとしても僅かしか
吸収しない。
て、その半導体活性層13は、第１及び第２の電極21及び
22間に電圧を印加させることによって、その電圧に応じ
た電界が与えられれば、その電界強度に応じた波長より
も長い波長を有する光を受光することによって、その光
を、全てまたは大部分吸収するが、上述した電界強度に
応じた波長よりも短い波長を有する光を受光しても、そ
の光をほとんど吸収しないか吸収するとしても僅かしか
吸収しない。
このため、第１及び第２の半導体受光素子U1及びU2のそ
れぞれは、その第１及び第２の電極21及び22間に印加す
る電圧に応じた波長よりも短い波長を有する光を受光し
てもその光の受光出力を出力しないが、第１及び第２の
電極21及び22間に印加する電圧に応じた波長よりも長い
波長を有する光を受光することによって、その光の受光
出力を、第１及び第２の電極21及び22を介して出力す
る。
れぞれは、その第１及び第２の電極21及び22間に印加す
る電圧に応じた波長よりも短い波長を有する光を受光し
てもその光の受光出力を出力しないが、第１及び第２の
電極21及び22間に印加する電圧に応じた波長よりも長い
波長を有する光を受光することによって、その光の受光
出力を、第１及び第２の電極21及び22を介して出力す
る。
従って、互に異なる波長を有する複数例えば４つの光L1
〜L4を多重化している光Ｌを第１の半導体受光素子U1の
第２の半導体受光素子U2側とは反対側から、第２の半導
体受光素子U2側に向けて、入射させるようにし、また、
第１及び第２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極
21及び22間に各別に電圧を印加させるようにし、そし
て、それら電圧を適当に選定すれば、いま、光L1、L2、
L3、及びL4の波長をそれぞれλ１、λ２、λ３、及びλ
４として、そして、それら波長λ１、λ２、λ３、及び
λ４が、λ１＜λ２＜λ３＜λ４の関係を有していれ
ば、多重光Ｌ中の例えば光L1及びL2は、半導体受光素子
U1でほとんどまたは大部分吸収され、半導体受光素子U1
をほとんど透過しないか透過するにしても僅かしか透過
しない。
〜L4を多重化している光Ｌを第１の半導体受光素子U1の
第２の半導体受光素子U2側とは反対側から、第２の半導
体受光素子U2側に向けて、入射させるようにし、また、
第１及び第２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極
21及び22間に各別に電圧を印加させるようにし、そし
て、それら電圧を適当に選定すれば、いま、光L1、L2、
L3、及びL4の波長をそれぞれλ１、λ２、λ３、及びλ
４として、そして、それら波長λ１、λ２、λ３、及び
λ４が、λ１＜λ２＜λ３＜λ４の関係を有していれ
ば、多重光Ｌ中の例えば光L1及びL2は、半導体受光素子
U1でほとんどまたは大部分吸収され、半導体受光素子U1
をほとんど透過しないか透過するにしても僅かしか透過
しない。
しかしながら、多重光Ｌ中の残りの光L3及びL4は、半導
体受光素子U1で、ほとんど吸収されないか吸収されると
しても僅かしか吸収されず、半導体受光素子U1を通り、
絶縁層44を通って半導体受光素子U2に入射する。
体受光素子U1で、ほとんど吸収されないか吸収されると
しても僅かしか吸収されず、半導体受光素子U1を通り、
絶縁層44を通って半導体受光素子U2に入射する。
また、このように半導体受光素子U2に入射した光L3及び
L4中の光L4は、半導体受光素子U2でほとんど吸収されな
いか吸収されるとしても僅かしか吸収されず、半導体受
光素子U2外に出射する。
L4中の光L4は、半導体受光素子U2でほとんど吸収されな
いか吸収されるとしても僅かしか吸収されず、半導体受
光素子U2外に出射する。
しかしながら、光L3及びL4中の光L3は、そのほとんどま
たは大部分が、半導体受光素子U2で効果的に吸収され、
その結果、光L3の受光出力が、半導体受光素子U2の第１
及び第２の電極21及び22を介して出力される。
たは大部分が、半導体受光素子U2で効果的に吸収され、
その結果、光L3の受光出力が、半導体受光素子U2の第１
及び第２の電極21及び22を介して出力される。
なお、上述においては、上述した多重光Ｌ中の光L3の受
光出力のみを、出力させる場合について述べたが、第１
及び第２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極21及
び22間に印加する電圧を、上述した場合から変更させる
ことによって、上述した多重光Ｌ中の任意の光の受光出
力を、第１及び第２の電極21及び22を介して、出力させ
ることができることは、明らかであろう。
光出力のみを、出力させる場合について述べたが、第１
及び第２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極21及
び22間に印加する電圧を、上述した場合から変更させる
ことによって、上述した多重光Ｌ中の任意の光の受光出
力を、第１及び第２の電極21及び22を介して、出力させ
ることができることは、明らかであろう。
実施例２ 次に、第２図を伴なって本発明による半導体受光装置の
第２の実施例を述べよう。
第２の実施例を述べよう。
第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明する。
して詳細説明する。
第２図に示す本発明による半導体受光装置の第２の実施
例は、第１図で上述した本発明による半導体受光装置の
第１の実施例の構成において、その第１及び第２の半導
体受光素子U1及びU2が、並置して配されている構成を有
しているのに代え、積み重なって配されていることを除
いて、第１図で上述した本発明による半導体受光装置の
第１の実施例と同様の構成を有する。
例は、第１図で上述した本発明による半導体受光装置の
第１の実施例の構成において、その第１及び第２の半導
体受光素子U1及びU2が、並置して配されている構成を有
しているのに代え、積み重なって配されていることを除
いて、第１図で上述した本発明による半導体受光装置の
第１の実施例と同様の構成を有する。
ただし、この場合、第１の半導体受光素子U1が第２の半
導体受光素子U2上に積み重なっている構成を有し、そし
て、第１の半導体受光素子U1の第１及び第２の電極21及
び22に光を通す窓51及び52が設けられ、また、第２の半
導体層U1の第１の電極21及び22にも同様の窓51が設けら
れている。
導体受光素子U2上に積み重なっている構成を有し、そし
て、第１の半導体受光素子U1の第１及び第２の電極21及
び22に光を通す窓51及び52が設けられ、また、第２の半
導体層U1の第１の電極21及び22にも同様の窓51が設けら
れている。
なお、上述した構成を有する本発明による半導体受光装
置は、第１及び第２の半導体受光素子U1及びU2を各別に
得、そして、第１の半導体受光素子U1を、第２の半導体
受光素子U2上に、第１の半導体受光素子U1の第１の電極
21と第２の半導体受光素子U2の第２の電極22とを熔着さ
せて、積み重ねられて得られている。
置は、第１及び第２の半導体受光素子U1及びU2を各別に
得、そして、第１の半導体受光素子U1を、第２の半導体
受光素子U2上に、第１の半導体受光素子U1の第１の電極
21と第２の半導体受光素子U2の第２の電極22とを熔着さ
せて、積み重ねられて得られている。
以上が、本発明による半導体受光装置の第２の実施例の
構成である。
構成である。
このような構成を有する本発明による半導体受光装置の
第２の実施例によれば、それが上述した事項を除いて、
第１図で上述した本発明による半導体受光装置の第１の
実施例と同様の構成を有するので、詳細説明は省略する
が、例えば、第１の実施例で上述したと同様の多重光Ｌ
を、半導体受光素子U1の半導体受光素子U2側とは反対側
から、半導体受光素子U2側に向けて、半導体受光素子U1
の窓51を通じて入射させるようにし、また、第１及び第
２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極21及び22間
に、各別に電圧を印加させるようにし、そして、それら
電圧を適当に選定すれば、多重光Ｌ中の例えば光L1は、
半導体受光素子U1でほとんどまたは大部分吸収され、半
導体受光素子U1を透過しないか透過するとしても僅かし
か透過しない。
第２の実施例によれば、それが上述した事項を除いて、
第１図で上述した本発明による半導体受光装置の第１の
実施例と同様の構成を有するので、詳細説明は省略する
が、例えば、第１の実施例で上述したと同様の多重光Ｌ
を、半導体受光素子U1の半導体受光素子U2側とは反対側
から、半導体受光素子U2側に向けて、半導体受光素子U1
の窓51を通じて入射させるようにし、また、第１及び第
２の半導体層U1及びU2の第１及び第２の電極21及び22間
に、各別に電圧を印加させるようにし、そして、それら
電圧を適当に選定すれば、多重光Ｌ中の例えば光L1は、
半導体受光素子U1でほとんどまたは大部分吸収され、半
導体受光素子U1を透過しないか透過するとしても僅かし
か透過しない。
しかしながら、多重光Ｌ中の残りの光L2、L3及びL4は、
半導体層U1でほとんど吸収されないか吸収されるとして
も僅かしか吸収されず、よって、半導体受光素子U1を通
り、次で、半導体受光素子U1の窓52と、半導体受光素子
U2の窓51とを通って半導体受光素子U2に入射する。
半導体層U1でほとんど吸収されないか吸収されるとして
も僅かしか吸収されず、よって、半導体受光素子U1を通
り、次で、半導体受光素子U1の窓52と、半導体受光素子
U2の窓51とを通って半導体受光素子U2に入射する。
そして、それら光L2、L3及びL4中の光L3及びL4は大部分
が半導体受光素子U2でほとんど吸収されないか吸収され
るとしても僅かしか吸収されずに、半導体受光素子U2を
通り、次で、窓52を通って外部に出射し、しかしなが
ら、光L2が半導体受光素子U1でほとんど吸収され、その
結果、光Ｌ中の１つの光L2の受光出力が、半導体受光素
子U2の第１及び第２の電極21及び22を介して、出力され
る。
が半導体受光素子U2でほとんど吸収されないか吸収され
るとしても僅かしか吸収されずに、半導体受光素子U2を
通り、次で、窓52を通って外部に出射し、しかしなが
ら、光L2が半導体受光素子U1でほとんど吸収され、その
結果、光Ｌ中の１つの光L2の受光出力が、半導体受光素
子U2の第１及び第２の電極21及び22を介して、出力され
る。
なお、第１図に示す実施例１においては、第１及び第２
の半導体積層体U1及びU2の第１の電極21は互いに連結し
ているが、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2の第２
の電極22が互いに分離している構成を有している場合を
示しているが、それに代え、第１及び第２の半導体積層
体U1及びU2の第２の電極22は互いに連結しているが、第
１及び第２の半導体積層体U1及びU2の第２の電極21が互
いに分離している構成を有するものとすることもでき、
また、第２図に示す実施例２においては、第１及び第２
の半導体積層体U1及びU2が第１の半導体積層体U1の第１
の電極21と第２の半導体積層体U2の第２の電極21とが互
いに連結するように積み重ねられていることによって、
第１の半導体積層体U1の第２の電極22と第２の半導体積
層体の第１の電極21とが互いに分離している構成を有す
る場合を示しているが、それに代え、第１及び第２の半
導体積層体U1及びU2が第１の半導体積層体U1の第１の電
極21と第２の半導体積層体U2の第１の電極とが互いに連
結するように積み重ねられていることによって、第１及
び第２の半導体積層体U1の第２の電極22が互いに分離し
ている構成を有するものとしたり、第１及び第２の半導
体積層体U1及びU2とが第１及び第２の半導体積層体の第
２の電極22が互いに連結するように積み重ねられている
ことによって、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2の
第１の電極21が互いに分離している構成を有するものと
したり、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2が、第１
の半導体積層体U1の第２の電極22と第２の半導体積層体
U2の第１の電極21とを連結するように積み重ねることに
よって、第１の半導体積層体U1の第１の電極21と第２の
半導体積層体U2の第１の電極21とが互いに分離している
構成を有するものとすることもできることは明らかであ
り、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の
変型、変更をなし得るであろう。
の半導体積層体U1及びU2の第１の電極21は互いに連結し
ているが、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2の第２
の電極22が互いに分離している構成を有している場合を
示しているが、それに代え、第１及び第２の半導体積層
体U1及びU2の第２の電極22は互いに連結しているが、第
１及び第２の半導体積層体U1及びU2の第２の電極21が互
いに分離している構成を有するものとすることもでき、
また、第２図に示す実施例２においては、第１及び第２
の半導体積層体U1及びU2が第１の半導体積層体U1の第１
の電極21と第２の半導体積層体U2の第２の電極21とが互
いに連結するように積み重ねられていることによって、
第１の半導体積層体U1の第２の電極22と第２の半導体積
層体の第１の電極21とが互いに分離している構成を有す
る場合を示しているが、それに代え、第１及び第２の半
導体積層体U1及びU2が第１の半導体積層体U1の第１の電
極21と第２の半導体積層体U2の第１の電極とが互いに連
結するように積み重ねられていることによって、第１及
び第２の半導体積層体U1の第２の電極22が互いに分離し
ている構成を有するものとしたり、第１及び第２の半導
体積層体U1及びU2とが第１及び第２の半導体積層体の第
２の電極22が互いに連結するように積み重ねられている
ことによって、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2の
第１の電極21が互いに分離している構成を有するものと
したり、第１及び第２の半導体積層体U1及びU2が、第１
の半導体積層体U1の第２の電極22と第２の半導体積層体
U2の第１の電極21とを連結するように積み重ねることに
よって、第１の半導体積層体U1の第１の電極21と第２の
半導体積層体U2の第１の電極21とが互いに分離している
構成を有するものとすることもできることは明らかであ
り、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の
変型、変更をなし得るであろう。
第１図は、本発明による半導体受光装置の第１の実施例
を示す略線的断面図である。 第２図は、本発明による半導体受光装置の第２の実施例
を示す略線的断面図である。 U1、U2……半導体受光素子 10……半導体積層体 11、12……半導体層 13……半導体活性層 21、22……電極 33a、33b……半導体層 41、42……半導体層 43……半導体活性層 44……絶縁層 51、52……窓
を示す略線的断面図である。 第２図は、本発明による半導体受光装置の第２の実施例
を示す略線的断面図である。 U1、U2……半導体受光素子 10……半導体積層体 11、12……半導体層 13……半導体活性層 21、22……電極 33a、33b……半導体層 41、42……半導体層 43……半導体活性層 44……絶縁層 51、52……窓
Claims (1)
- 【請求項１】第１の導電型を有する第１の半導体層と、
互に異なるエネルギバンドギャップを有し且つ上記第１
の半導体層に比し十分低い不純物濃度を有する第１及び
第２の半導体薄膜の多数が交互順次に積層されている構
成を有していて多重量子井戸を構成している半導体活性
層と、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２
の半導体層とがそれらの順に積層されている構成を有す
る半導体積層体と、該半導体積層体の上記第１及び第２
の半導体層にそれぞれ付されている第１及び第２の電極
とを有する第１及び第２の半導体受光素子が、並置し
て、または積み重なって配されている構成を有し、 少なくとも、上記第１及び第２の半導体積層体の第１ま
たは第２の電極が互いに分離し、または上記第１の半導
体積層体の第２の電極と上記第２の半導体積層体の第１
の電極とが互いに分離し、もしくは上記第１の半導体積
層体の第１の電極と上記第２の半導体積層体の第２の電
極とが互いに分離していることを特徴とする半導体受光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045795A JPH079996B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045795A JPH079996B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204986A JPS61204986A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH079996B2 true JPH079996B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=12729210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045795A Expired - Lifetime JPH079996B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079996B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666844B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 波長多重弁別型半導体受光素子 |
| US5144397A (en) * | 1989-03-03 | 1992-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light responsive semiconductor device |
| JP4245065B2 (ja) | 2007-06-07 | 2009-03-25 | ダイキン工業株式会社 | 流体圧ユニット |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60045795A patent/JPH079996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61204986A (ja) | 1986-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |