JPH06120597A - Ｌｄ励起固体レーザ装置 - Google Patents
Ｌｄ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH06120597A JPH06120597A JP26719092A JP26719092A JPH06120597A JP H06120597 A JPH06120597 A JP H06120597A JP 26719092 A JP26719092 A JP 26719092A JP 26719092 A JP26719092 A JP 26719092A JP H06120597 A JPH06120597 A JP H06120597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- state laser
- optical
- excitation light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第二高調波（ＳＨ波）のノイズが低いＬＤ励
起固体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ（ＬＤ）１と、セルホックマイ
クロレンズ（ＳＭＬ）２と、固体レーザ素子３と、第二
高調波発生素子４と、出力鏡５とでその主要部が構成さ
れるＬＤ励起固体レーザ装置に係り、ＳＭＬ２の両端面
に屈折率ｎ1 が１．４３のＳｉＯ2 膜から成り光学的膜
厚ｎ1 ・ｄ1 が０．２２２・λo （λo ：励起光の波
長）に設定された第一層と、屈折率ｎ2 が１．８５のＨ
ｆＯ2 膜から成り光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が０．３３０・
λo に設定された第二層で構成された光学薄膜２１、２
２を設けたことを特徴とする。そして第一層と第二層の
屈折率と光学的膜厚の上記値は、ＳＭＬ２の光軸面に垂
直入射された励起光の反射率とその有効半径部位に入射
角θo で入射された励起光の反射率について最小にする
ように設定されているため、ＳＭＬ２の端面全体からの
励起光の反射が著しく低くなり上記ＳＨ波のノイズ低減
が図れる。
起固体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ（ＬＤ）１と、セルホックマイ
クロレンズ（ＳＭＬ）２と、固体レーザ素子３と、第二
高調波発生素子４と、出力鏡５とでその主要部が構成さ
れるＬＤ励起固体レーザ装置に係り、ＳＭＬ２の両端面
に屈折率ｎ1 が１．４３のＳｉＯ2 膜から成り光学的膜
厚ｎ1 ・ｄ1 が０．２２２・λo （λo ：励起光の波
長）に設定された第一層と、屈折率ｎ2 が１．８５のＨ
ｆＯ2 膜から成り光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が０．３３０・
λo に設定された第二層で構成された光学薄膜２１、２
２を設けたことを特徴とする。そして第一層と第二層の
屈折率と光学的膜厚の上記値は、ＳＭＬ２の光軸面に垂
直入射された励起光の反射率とその有効半径部位に入射
角θo で入射された励起光の反射率について最小にする
ように設定されているため、ＳＭＬ２の端面全体からの
励起光の反射が著しく低くなり上記ＳＨ波のノイズ低減
が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザと、この
半導体レーザからの励起光を集光するグレーデッドイン
デックス型集光レンズと、集光された励起光が照射され
て基本波を発生する固体レーザ素子と、この基本波が入
射されて第二高調波（以下ＳＨ波という）を出力する第
二高調波発生素子とを備え、例えば、高密度記録媒体で
ある光ディスク等の記録及び再生用光源に適用可能なＬ
Ｄ励起固体レーザ装置に係り、特に、上記ＳＨ波のノイ
ズの低減が図れるＬＤ励起固体レーザ装置の改良に関す
るものである。
半導体レーザからの励起光を集光するグレーデッドイン
デックス型集光レンズと、集光された励起光が照射され
て基本波を発生する固体レーザ素子と、この基本波が入
射されて第二高調波（以下ＳＨ波という）を出力する第
二高調波発生素子とを備え、例えば、高密度記録媒体で
ある光ディスク等の記録及び再生用光源に適用可能なＬ
Ｄ励起固体レーザ装置に係り、特に、上記ＳＨ波のノイ
ズの低減が図れるＬＤ励起固体レーザ装置の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のＬＤ励起固体レーザ装置は、図
９に示すように半導体レーザａと、その両端面に光学薄
膜ｂ１、ｂ２が設けられかつ日本板硝子株式会社製セル
ホックマイクロレンズ（以下ＳＭＬと称する）で代表さ
れるグレーデッドインデックス型集光レンズｂと、両端
面に光学薄膜ｃ１、ｃ２が設けられた固体レーザ素子ｃ
と、同じくその両端面に光学薄膜ｄ１、ｄ２が設けられ
た第二高調波発生素子ｄと、第二高調波発生素子ｄ側の
端面に光学薄膜ｅ１が設けられた出力鏡ｅとでその主要
部を構成するものが知られている。
９に示すように半導体レーザａと、その両端面に光学薄
膜ｂ１、ｂ２が設けられかつ日本板硝子株式会社製セル
ホックマイクロレンズ（以下ＳＭＬと称する）で代表さ
れるグレーデッドインデックス型集光レンズｂと、両端
面に光学薄膜ｃ１、ｃ２が設けられた固体レーザ素子ｃ
と、同じくその両端面に光学薄膜ｄ１、ｄ２が設けられ
た第二高調波発生素子ｄと、第二高調波発生素子ｄ側の
端面に光学薄膜ｅ１が設けられた出力鏡ｅとでその主要
部を構成するものが知られている。
【０００３】そして、上記半導体レーザａからの励起光
は、固体レーザ素子ｃの吸収ピークの約８０９ｎｍにそ
の波長を温度チューニングされ、かつ、グレーデッドイ
ンデックス型集光レンズｂで集光された後、固体レーザ
素子ｃに照射されてこれを励起する。この固体レーザ素
子ｃで発生した基本波は上記光学薄膜ｃ１と光学薄膜ｅ
１との間で共振し、第二高調波発生素子ｄにより変換さ
れて出力鏡ｅ側へ向かうＳＨ波は光学薄膜ｅ１から直接
出力される一方、固体レーザ素子ｃ側へ向かうＳＨ波は
光学薄膜ｃ１で反射され再度第二高調波発生素子ｄを通
過して上記光学薄膜ｅ１から出力される。
は、固体レーザ素子ｃの吸収ピークの約８０９ｎｍにそ
の波長を温度チューニングされ、かつ、グレーデッドイ
ンデックス型集光レンズｂで集光された後、固体レーザ
素子ｃに照射されてこれを励起する。この固体レーザ素
子ｃで発生した基本波は上記光学薄膜ｃ１と光学薄膜ｅ
１との間で共振し、第二高調波発生素子ｄにより変換さ
れて出力鏡ｅ側へ向かうＳＨ波は光学薄膜ｅ１から直接
出力される一方、固体レーザ素子ｃ側へ向かうＳＨ波は
光学薄膜ｃ１で反射され再度第二高調波発生素子ｄを通
過して上記光学薄膜ｅ１から出力される。
【０００４】ところで、このＬＤ励起固体レーザ装置を
上述した光ディスク等の記録及び再生用光源に適用した
場合、上記ＳＨ波の出力変動に伴うノイズが問題とな
る。そしてこのＳＨ波のノイズの原因の１つに半導体レ
ーザの戻り光がある。
上述した光ディスク等の記録及び再生用光源に適用した
場合、上記ＳＨ波の出力変動に伴うノイズが問題とな
る。そしてこのＳＨ波のノイズの原因の１つに半導体レ
ーザの戻り光がある。
【０００５】すなわち、上記半導体レーザａから出射し
た励起光はグレーデッドインデックス型集光レンズｂの
両端面及び固体レーザ素子ｃの半導体レーザａ側の端面
で反射するため、この反射された励起光が再び半導体レ
ーザａに戻りこの半導体レーザａのレーザ発振を不安定
にさせる。そして、励起光である半導体レーザａの発振
が不安定になれば励起されている固体レーザ素子ｃの基
本波も不安定になるため、上記ＳＨ波はノイズを発生す
ることになる。
た励起光はグレーデッドインデックス型集光レンズｂの
両端面及び固体レーザ素子ｃの半導体レーザａ側の端面
で反射するため、この反射された励起光が再び半導体レ
ーザａに戻りこの半導体レーザａのレーザ発振を不安定
にさせる。そして、励起光である半導体レーザａの発振
が不安定になれば励起されている固体レーザ素子ｃの基
本波も不安定になるため、上記ＳＨ波はノイズを発生す
ることになる。
【０００６】そこで、従来においては半導体レーザの上
述した戻り光を防止するため、グレーデットインデック
ス型集光レンズｂの両端面及び固体レーザ素子ｃの半導
体レーザａ側端面に励起光に対する反射防止膜を設けた
り、グレーデットインデックス型集光レンズｂの固体レ
ーザ素子ｃ側端面を斜め加工したり、あるいは半導体レ
ーザａとグレーデットインデックス型集光レンズｂ間に
アイソレータを組込む等の手段を講じている。
述した戻り光を防止するため、グレーデットインデック
ス型集光レンズｂの両端面及び固体レーザ素子ｃの半導
体レーザａ側端面に励起光に対する反射防止膜を設けた
り、グレーデットインデックス型集光レンズｂの固体レ
ーザ素子ｃ側端面を斜め加工したり、あるいは半導体レ
ーザａとグレーデットインデックス型集光レンズｂ間に
アイソレータを組込む等の手段を講じている。
【０００７】しかし、グレーデットインデックス型集光
レンズｂの固体レーザ素子ｃ側端面を斜め加工する方法
では、光軸が直線にならないためレーザ発振させるため
の光軸調整作業が繁雑になる問題があり、他方、アイソ
レータを組込む方法では、半導体レーザａの励起光を固
体レーザ素子ｃへ効率良く入射させることが困難になる
ため出力が低減すると共に、ＬＤ励起固体レーザ装置を
大型化、高額化させる問題があった。
レンズｂの固体レーザ素子ｃ側端面を斜め加工する方法
では、光軸が直線にならないためレーザ発振させるため
の光軸調整作業が繁雑になる問題があり、他方、アイソ
レータを組込む方法では、半導体レーザａの励起光を固
体レーザ素子ｃへ効率良く入射させることが困難になる
ため出力が低減すると共に、ＬＤ励起固体レーザ装置を
大型化、高額化させる問題があった。
【０００８】このため、ほとんどの場合、上記グレーデ
ットインデックス型集光レンズｂの両端面及び固体レー
ザ素子ｃの半導体レーザａ側端面に励起光に対する反射
防止膜を設ける方法が採られている。
ットインデックス型集光レンズｂの両端面及び固体レー
ザ素子ｃの半導体レーザａ側端面に励起光に対する反射
防止膜を設ける方法が採られている。
【０００９】ここで、この反射防止膜が施されたグレー
デットインデックス型集光レンズの従来例としては特開
平２−６７１５５号公報に記載のものが知られている。
デットインデックス型集光レンズの従来例としては特開
平２−６７１５５号公報に記載のものが知られている。
【００１０】すなわち、このグレーデットインデックス
型集光レンズはＬＥＤプリンタ用に開発されたものでは
あるが、グレーデットインデックス型集光レンズの入射
面に、表面側から低屈折率物質から成りその光学的膜厚
ｎ・ｄ（ｎ：屈折率、ｄ：物理的膜厚）が１／４・λo
（λo ：半導体レーザから出射される励起光の波長）に
設定された第一層目と、高屈折率物質から成りその光学
的膜厚ｎ・ｄが１／４・λo に設定された第二層目とで
構成される反射防止膜を設けたものであり、上記グレー
デットインデックス型集光レンズの光軸上の屈折率に対
してかつ垂直入射（入射角０度）の場合に対してのみ理
論計算上その反射率が０になるように設計されたもので
あった。
型集光レンズはＬＥＤプリンタ用に開発されたものでは
あるが、グレーデットインデックス型集光レンズの入射
面に、表面側から低屈折率物質から成りその光学的膜厚
ｎ・ｄ（ｎ：屈折率、ｄ：物理的膜厚）が１／４・λo
（λo ：半導体レーザから出射される励起光の波長）に
設定された第一層目と、高屈折率物質から成りその光学
的膜厚ｎ・ｄが１／４・λo に設定された第二層目とで
構成される反射防止膜を設けたものであり、上記グレー
デットインデックス型集光レンズの光軸上の屈折率に対
してかつ垂直入射（入射角０度）の場合に対してのみ理
論計算上その反射率が０になるように設計されたもので
あった。
【００１１】そして、この反射防止膜が施されたグレー
デットインデックス型集光レンズをＬＤ励起固体レーザ
装置に組込んだ場合、上記反射防止膜が設けられてない
グレーデットインデックス型集光レンズを組込んだ装置
に較べて戻り光の防止が図れるため、上記ＳＨ波のノイ
ズを低減できる利点を有していた。
デットインデックス型集光レンズをＬＤ励起固体レーザ
装置に組込んだ場合、上記反射防止膜が設けられてない
グレーデットインデックス型集光レンズを組込んだ装置
に較べて戻り光の防止が図れるため、上記ＳＨ波のノイ
ズを低減できる利点を有していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平２−６
７１５５号公報に記載されたグレーデットインデックス
型集光レンズは、上述したようにグレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸上の屈折率に対してかつ垂直入
射の場合に対してのみ理論計算上その反射率が０になる
ように設計されているに過ぎず、グレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸から半径方向へずれた円周部位
の屈折率に対しかつ斜め入射される励起光の反射防止に
ついては何等考慮がなされていないため、この円周部位
からの残留反射が無視できなくなり、上記反射防止膜が
設けられたグレーデットインデックス型集光レンズを組
込んだＬＤ励起固体レーザ装置においては依然として１
０ｋ〜１ＭＨｚの範囲にノイズ成分を含んでしまう問題
点があった。
７１５５号公報に記載されたグレーデットインデックス
型集光レンズは、上述したようにグレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸上の屈折率に対してかつ垂直入
射の場合に対してのみ理論計算上その反射率が０になる
ように設計されているに過ぎず、グレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸から半径方向へずれた円周部位
の屈折率に対しかつ斜め入射される励起光の反射防止に
ついては何等考慮がなされていないため、この円周部位
からの残留反射が無視できなくなり、上記反射防止膜が
設けられたグレーデットインデックス型集光レンズを組
込んだＬＤ励起固体レーザ装置においては依然として１
０ｋ〜１ＭＨｚの範囲にノイズ成分を含んでしまう問題
点があった。
【００１３】この場合、上記第一層目と第二層目から成
る反射防止膜の各層についてその膜厚をグレーデットイ
ンデックス型集光レンズの光軸上から円周部に向かって
連続的に変化させることにより、グレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸から半径方向へずれた円周部位
の屈折率に対しかつ斜め入射される励起光に対しその反
射率を０にすることは理論的には可能である。
る反射防止膜の各層についてその膜厚をグレーデットイ
ンデックス型集光レンズの光軸上から円周部に向かって
連続的に変化させることにより、グレーデットインデッ
クス型集光レンズの光軸から半径方向へずれた円周部位
の屈折率に対しかつ斜め入射される励起光に対しその反
射率を０にすることは理論的には可能である。
【００１４】しかし、上記グレーデットインデックス型
集光レンズの直径は通常３ｍｍ以下であり、このグレー
デットインデックス型集光レンズの端面にマスク等を複
雑に組合わせたりして影を作り、真空蒸着法等により各
層の膜厚を連続的に変化させることは極めて困難であ
り、生産性が極めて悪く現実的には適用困難である。
集光レンズの直径は通常３ｍｍ以下であり、このグレー
デットインデックス型集光レンズの端面にマスク等を複
雑に組合わせたりして影を作り、真空蒸着法等により各
層の膜厚を連続的に変化させることは極めて困難であ
り、生産性が極めて悪く現実的には適用困難である。
【００１５】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、反射防止膜の膜
厚を連続的に変化させることなく光軸上とこの光軸から
半径方向へずれた円周部位の反射率を最小にできるグレ
ーデットインデックス型集光レンズを組込むことにより
上記ＳＨ波のノイズが少ないＬＤ励起固体レーザ装置を
提供することにある。
れたもので、その課題とするところは、反射防止膜の膜
厚を連続的に変化させることなく光軸上とこの光軸から
半径方向へずれた円周部位の反射率を最小にできるグレ
ーデットインデックス型集光レンズを組込むことにより
上記ＳＨ波のノイズが少ないＬＤ励起固体レーザ装置を
提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、半導体レーザと、この半導体レーザからの励起
光を集光するグレーデッドインデックス型集光レンズ
と、集光された励起光が照射されて基本波を発生する固
体レーザ素子と、この基本波が入射されて第二高調波を
出力する第二高調波発生素子とを備えるＬＤ励起固体レ
ーザ装置を前提とし、上記グレーデッドインデックス型
集光レンズの少なくとも一方の端面に、表面側から屈折
率ｎ1 の材料で構成された第一層と屈折率ｎ2 の材料で
構成された第二層より成る光学薄膜を設け、かつ、この
光学薄膜が設けられたグレーデッドインデックス型集光
レンズの光軸面に上記半導体レーザから垂直入射された
励起光の反射率を極小にする下記数式（１）〜（４）の
条件を満たすと共に、下記数式（５）〜（１０）で求め
られ上記光学薄膜が設けられたグレーデッドインデック
ス型集光レンズの有効半径部位に半導体レーザから入射
角θo で入射された励起光の反射率Ｒが最小となる条件
で上記第一層の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1と第二層の光学的
膜厚ｎ2 ・ｄ2 の値が設定されていることを特徴とする
ものである。
発明は、半導体レーザと、この半導体レーザからの励起
光を集光するグレーデッドインデックス型集光レンズ
と、集光された励起光が照射されて基本波を発生する固
体レーザ素子と、この基本波が入射されて第二高調波を
出力する第二高調波発生素子とを備えるＬＤ励起固体レ
ーザ装置を前提とし、上記グレーデッドインデックス型
集光レンズの少なくとも一方の端面に、表面側から屈折
率ｎ1 の材料で構成された第一層と屈折率ｎ2 の材料で
構成された第二層より成る光学薄膜を設け、かつ、この
光学薄膜が設けられたグレーデッドインデックス型集光
レンズの光軸面に上記半導体レーザから垂直入射された
励起光の反射率を極小にする下記数式（１）〜（４）の
条件を満たすと共に、下記数式（５）〜（１０）で求め
られ上記光学薄膜が設けられたグレーデッドインデック
ス型集光レンズの有効半径部位に半導体レーザから入射
角θo で入射された励起光の反射率Ｒが最小となる条件
で上記第一層の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1と第二層の光学的
膜厚ｎ2 ・ｄ2 の値が設定されていることを特徴とする
ものである。
【００１７】
【数３】
【数４】 （但し、δ1 は第一層の位相差、δ2 は第二層の位相
差、ｎo は空気の屈折率、ｎs はグレーデッドインデッ
クス型集光レンズの光軸上の屈折率、ｎs ’はグレーデ
ッドインデックス型集光レンズの有効半径部位の屈折
率、ｄ1 は第一層の物理的膜厚、ｄ2 は第二層の物理的
膜厚、λo は半導体レーザからの励起光の波長、θo は
上記励起光の空気から第一層への入射角、θ1 は空気か
ら第一層への屈折角、θ2 は第一層から第二層への屈折
角、θs は第二層からグレーデッドインデックス型集光
レンズへの屈折角をそれぞれ示している）このような技
術的手段において上記ＬＤ励起固体レーザ装置を構成す
る半導体レーザ、グレーデッドインデックス型集光レン
ズ、固体レーザ素子、及び、第二高調波発生素子等の材
料については従来適用されているものをそのまま利用す
ることができ、例えば、上記固体レーザ素子として発振
波長が１．０６μｍ付近でありＮｄドープＹＶＯ4 、Ｎ
ｄドープＹＡＧ等のＮｄドープ固体レーザ結晶が挙げら
れる。
差、ｎo は空気の屈折率、ｎs はグレーデッドインデッ
クス型集光レンズの光軸上の屈折率、ｎs ’はグレーデ
ッドインデックス型集光レンズの有効半径部位の屈折
率、ｄ1 は第一層の物理的膜厚、ｄ2 は第二層の物理的
膜厚、λo は半導体レーザからの励起光の波長、θo は
上記励起光の空気から第一層への入射角、θ1 は空気か
ら第一層への屈折角、θ2 は第一層から第二層への屈折
角、θs は第二層からグレーデッドインデックス型集光
レンズへの屈折角をそれぞれ示している）このような技
術的手段において上記ＬＤ励起固体レーザ装置を構成す
る半導体レーザ、グレーデッドインデックス型集光レン
ズ、固体レーザ素子、及び、第二高調波発生素子等の材
料については従来適用されているものをそのまま利用す
ることができ、例えば、上記固体レーザ素子として発振
波長が１．０６μｍ付近でありＮｄドープＹＶＯ4 、Ｎ
ｄドープＹＡＧ等のＮｄドープ固体レーザ結晶が挙げら
れる。
【００１８】また、上記グレーデッドインデックス型集
光レンズの端面に設けられる第一層の構成材料として
は、硬度が高くかつ湿度に対する耐久性も良好な酸化物
膜が望ましく、例えば、低屈折率物質であるＳｉＯ2 、
又は、このＳｉＯ2 をベースにＡｌ2 Ｏ3 等を混合させ
た材料等が利用できる。
光レンズの端面に設けられる第一層の構成材料として
は、硬度が高くかつ湿度に対する耐久性も良好な酸化物
膜が望ましく、例えば、低屈折率物質であるＳｉＯ2 、
又は、このＳｉＯ2 をベースにＡｌ2 Ｏ3 等を混合させ
た材料等が利用できる。
【００１９】請求項２に係る発明はこのような技術的理
由より構成されている。
由より構成されている。
【００２０】すなわち、請求項２に係る発明は請求項１
に係るＬＤ励起固体レーザ装置を前提とし、上記光学薄
膜の第一層が低屈折率物質のＳｉＯ2 薄膜により構成さ
れ、かつ、第二層が高屈折率物質のＨｆＯ2 薄膜により
構成されていることを特徴とするものである。
に係るＬＤ励起固体レーザ装置を前提とし、上記光学薄
膜の第一層が低屈折率物質のＳｉＯ2 薄膜により構成さ
れ、かつ、第二層が高屈折率物質のＨｆＯ2 薄膜により
構成されていることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】請求項１に係る発明によれば、グレーデッドイ
ンデックス型集光レンズの少なくとも一方の端面に、表
面側から屈折率ｎ1 の材料で構成された第一層と屈折率
ｎ2 の材料で構成された第二層より成る光学薄膜を設
け、かつ、この光学薄膜が設けられたグレーデッドイン
デックス型集光レンズの光軸面に上記半導体レーザから
垂直入射された励起光の反射率を極小にする上記数式
（１）〜（４）の条件を満たすと共に、上記数式（５）
〜（１０）で求められ光学薄膜が設けられたグレーデッ
ドインデックス型集光レンズの有効半径部位に半導体レ
ーザから入射角θo で入射された励起光の反射率Ｒが最
小となる条件で上記第一層の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 と第
二層の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 の値が設定されており、第
一層と第二層の各層は全体に均一な膜厚であるにも拘ら
ずグレーデッドインデックス型集光レンズの光軸面に垂
直入射された励起光の反射率並びにその有効半径部位に
入射角θo で入射された励起光の反射率についてこれを
最小にすることができるため、上記グレーデッドインデ
ックス型集光レンズの端面全体からの励起光の反射を著
しく低減させることが可能となる。
ンデックス型集光レンズの少なくとも一方の端面に、表
面側から屈折率ｎ1 の材料で構成された第一層と屈折率
ｎ2 の材料で構成された第二層より成る光学薄膜を設
け、かつ、この光学薄膜が設けられたグレーデッドイン
デックス型集光レンズの光軸面に上記半導体レーザから
垂直入射された励起光の反射率を極小にする上記数式
（１）〜（４）の条件を満たすと共に、上記数式（５）
〜（１０）で求められ光学薄膜が設けられたグレーデッ
ドインデックス型集光レンズの有効半径部位に半導体レ
ーザから入射角θo で入射された励起光の反射率Ｒが最
小となる条件で上記第一層の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 と第
二層の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 の値が設定されており、第
一層と第二層の各層は全体に均一な膜厚であるにも拘ら
ずグレーデッドインデックス型集光レンズの光軸面に垂
直入射された励起光の反射率並びにその有効半径部位に
入射角θo で入射された励起光の反射率についてこれを
最小にすることができるため、上記グレーデッドインデ
ックス型集光レンズの端面全体からの励起光の反射を著
しく低減させることが可能となる。
【００２２】また、請求項２に係る発明によれば、光学
薄膜の第一層が、硬度が高くかつ湿度に対する耐久性も
良好な低屈折率物質であるＳｉＯ2 薄膜により構成さ
れ、かつ、第二層が高屈折率物質のＨｆＯ2薄膜により
構成されているため、グレーデッドインデックス型集光
レンズの端面全体からの励起光の反射を低減できると共
にその光学薄膜の物理的耐性の向上も図ることが可能と
なる。
薄膜の第一層が、硬度が高くかつ湿度に対する耐久性も
良好な低屈折率物質であるＳｉＯ2 薄膜により構成さ
れ、かつ、第二層が高屈折率物質のＨｆＯ2薄膜により
構成されているため、グレーデッドインデックス型集光
レンズの端面全体からの励起光の反射を低減できると共
にその光学薄膜の物理的耐性の向上も図ることが可能と
なる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２４】この実施例に係るＬＤ励起固体レーザ装置
は、従来の装置と同様、図１に示すように半導体レーザ
（以下ＬＤと称する）１と、その両端面に光学薄膜２
１、２２が設けられた日本板硝子株式会社製セルホック
マイクロレンズ（以下ＳＭＬと称する）２と、両端面に
光学薄膜３１、３２が設けられたＮｄドープＹＶＯ4 結
晶から成る固体レーザ素子３と、両端面に光学薄膜４
１、４２が設けられたＫＴＰ結晶から成る第二高調波発
生素子４と、第二高調波発生素子４側の端面に光学薄膜
５１が設けられた出力鏡５とでその主要部が構成されて
いる。
は、従来の装置と同様、図１に示すように半導体レーザ
（以下ＬＤと称する）１と、その両端面に光学薄膜２
１、２２が設けられた日本板硝子株式会社製セルホック
マイクロレンズ（以下ＳＭＬと称する）２と、両端面に
光学薄膜３１、３２が設けられたＮｄドープＹＶＯ4 結
晶から成る固体レーザ素子３と、両端面に光学薄膜４
１、４２が設けられたＫＴＰ結晶から成る第二高調波発
生素子４と、第二高調波発生素子４側の端面に光学薄膜
５１が設けられた出力鏡５とでその主要部が構成されて
いる。
【００２５】また、上記ＳＭＬ２の両端面に設けられた
光学薄膜２１、２２は、図２に示すように屈折率ｎ1 が
１．４３のＳｉＯ2 薄膜から成りその光学的膜厚ｎ1 ・
ｄ1が０．２２２・λo （λo ：適用されたＬＤ１より
出射される励起光の波長＝０．８０９μｍ）に設定され
た第一層６と、屈折率ｎ2 が１．８５のＨｆＯ2 薄膜か
ら成りその光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が０．３３０・λo に
設定された第二層７とで構成されている。
光学薄膜２１、２２は、図２に示すように屈折率ｎ1 が
１．４３のＳｉＯ2 薄膜から成りその光学的膜厚ｎ1 ・
ｄ1が０．２２２・λo （λo ：適用されたＬＤ１より
出射される励起光の波長＝０．８０９μｍ）に設定され
た第一層６と、屈折率ｎ2 が１．８５のＨｆＯ2 薄膜か
ら成りその光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が０．３３０・λo に
設定された第二層７とで構成されている。
【００２６】そして、このＳＭＬ２の両端面に設けられ
た上記第一層６と第二層７は以下のような技術的分析に
基づき上述したような設定値になっている。
た上記第一層６と第二層７は以下のような技術的分析に
基づき上述したような設定値になっている。
【００２７】まず、図３は上記ＳＭＬ２により集光され
るＬＤ１からの励起光の光路を示しており、ＬＤ１から
の励起光は広がり角をもってＳＭＬ２の端面に入射し、
この端面に対し励起光の光軸上付近は図示のように略垂
直入射であるが周辺部位は斜め入射になる。尚、上記Ｓ
ＭＬ２の出射側端面についても励起光の入射側と同様で
ある。特に、図４に示すようにＬＤ１のストライプ１０
に対して水平方向の広がり角は５度程度であり略垂直入
射と同等と考えることができるが、垂直方向の広がり角
は図３〜４に示すように１０度程度もある。一方、ＬＤ
１の偏光方向はＬＤ１のストライプ１０に対し平行であ
るため、反射防止用の光学薄膜を設計する場合、ＳＭＬ
２端面におけるＬＤ１の入射角はＳ偏光（入射面に対し
て垂直方向）０〜１０度程度を考慮すれば良い。
るＬＤ１からの励起光の光路を示しており、ＬＤ１から
の励起光は広がり角をもってＳＭＬ２の端面に入射し、
この端面に対し励起光の光軸上付近は図示のように略垂
直入射であるが周辺部位は斜め入射になる。尚、上記Ｓ
ＭＬ２の出射側端面についても励起光の入射側と同様で
ある。特に、図４に示すようにＬＤ１のストライプ１０
に対して水平方向の広がり角は５度程度であり略垂直入
射と同等と考えることができるが、垂直方向の広がり角
は図３〜４に示すように１０度程度もある。一方、ＬＤ
１の偏光方向はＬＤ１のストライプ１０に対し平行であ
るため、反射防止用の光学薄膜を設計する場合、ＳＭＬ
２端面におけるＬＤ１の入射角はＳ偏光（入射面に対し
て垂直方向）０〜１０度程度を考慮すれば良い。
【００２８】次に、図５はこの実施例に適用された上記
ＳＭＬ２の半径方向の屈折率分布を示すグラフ図であ
る。但し、ＳＭＬ２の有効半径は収差の影響が少ない中
心から約７０％の部位である。従って、図５からこのＳ
ＭＬ２の場合、ＳＭＬの屈折率は１．５９９〜１．５６
５の範囲にある。
ＳＭＬ２の半径方向の屈折率分布を示すグラフ図であ
る。但し、ＳＭＬ２の有効半径は収差の影響が少ない中
心から約７０％の部位である。従って、図５からこのＳ
ＭＬ２の場合、ＳＭＬの屈折率は１．５９９〜１．５６
５の範囲にある。
【００２９】そして、上記ＳＭＬ２の両端面に設けられ
る光学薄膜２１、２２の第一層６を構成する薄膜材料の
屈折率をｎ1 、その光学的膜厚をｎ1 ・ｄ1 とし、第二
層７を構成する薄膜材料の屈折率をｎ2 、その光学的膜
厚をｎ2 ・ｄ2 とした場合、上記ＳＭＬ２の光軸面にＬ
Ｄ１から垂直入射された励起光の反射率を極小とするた
めには下記数式（１）〜（４）の条件を満たすことを要
する。
る光学薄膜２１、２２の第一層６を構成する薄膜材料の
屈折率をｎ1 、その光学的膜厚をｎ1 ・ｄ1 とし、第二
層７を構成する薄膜材料の屈折率をｎ2 、その光学的膜
厚をｎ2 ・ｄ2 とした場合、上記ＳＭＬ２の光軸面にＬ
Ｄ１から垂直入射された励起光の反射率を極小とするた
めには下記数式（１）〜（４）の条件を満たすことを要
する。
【００３０】
【数５】 （但し、δ1 は第一層の位相差、δ2 は第二層の位相
差、ｎo は空気の屈折率＝１、ｎs はＳＭＬの光軸上の
屈折率＝１．５９９、ｄ1 は第一層の物理的膜厚、ｄ2
は第二層の物理的膜厚、λo はＬＤからの励起光の波長
＝０．８０９μｍをそれぞれ示している）一方、光学薄
膜２１、２２の物理的耐性を考慮した場合、上記第一層
６を構成する薄膜材料としては波長０．８０μｍにおけ
る屈折率が１．４３のＳｉＯ2 が好ましい。
差、ｎo は空気の屈折率＝１、ｎs はＳＭＬの光軸上の
屈折率＝１．５９９、ｄ1 は第一層の物理的膜厚、ｄ2
は第二層の物理的膜厚、λo はＬＤからの励起光の波長
＝０．８０９μｍをそれぞれ示している）一方、光学薄
膜２１、２２の物理的耐性を考慮した場合、上記第一層
６を構成する薄膜材料としては波長０．８０μｍにおけ
る屈折率が１．４３のＳｉＯ2 が好ましい。
【００３１】そこで、上記第一層６を構成する薄膜材料
として波長０．８０μｍにおける屈折率ｎ1 が１．４３
のＳｉＯ2 薄膜を適用すると、上記ＳＭＬ２の光軸上の
屈折率１．５９９に対して（１）式と（２）式を満足す
る第二層７の屈折率ｎ2 はこの（１）式と（２）式から
１．８１以上であることを要する。
として波長０．８０μｍにおける屈折率ｎ1 が１．４３
のＳｉＯ2 薄膜を適用すると、上記ＳＭＬ２の光軸上の
屈折率１．５９９に対して（１）式と（２）式を満足す
る第二層７の屈折率ｎ2 はこの（１）式と（２）式から
１．８１以上であることを要する。
【００３２】尚、一般に酸化物膜の高屈折率物質膜の
内、屈折率が最も高いのはＴｉＯ2 膜の２．１０であ
る。従って、上記第二層７の屈折率ｎ2 は１．８１〜
２．１０の範囲に限られる。
内、屈折率が最も高いのはＴｉＯ2 膜の２．１０であ
る。従って、上記第二層７の屈折率ｎ2 は１．８１〜
２．１０の範囲に限られる。
【００３３】次に、第一層６の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 と
第二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を求める方法を以下に
述べる。
第二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を求める方法を以下に
述べる。
【００３４】上記（１）式と（２）式のｎs にＳＭＬ２
の光軸上の屈折率１．５９９、及び、第一層６の屈折率
ｎ1 にＳｉＯ2 薄膜の屈折率１．４３を代入し、上記
１．８１〜２．１０の範囲における第二層７の各屈折率
ｎ2 に対する第一層６の位相差δ1 と第二層７の位相差
δ2 をそれぞれ求め、かつ、（３）式と（４）式から第
二層７の各屈折率ｎ2 に対する光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 と
光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を各々求める。
の光軸上の屈折率１．５９９、及び、第一層６の屈折率
ｎ1 にＳｉＯ2 薄膜の屈折率１．４３を代入し、上記
１．８１〜２．１０の範囲における第二層７の各屈折率
ｎ2 に対する第一層６の位相差δ1 と第二層７の位相差
δ2 をそれぞれ求め、かつ、（３）式と（４）式から第
二層７の各屈折率ｎ2 に対する光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 と
光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を各々求める。
【００３５】そして、ＳＭＬ２の光軸上に垂直入射する
励起光に対して求めた各屈折率ｎ2に対する光学的膜厚
ｎ1 ・ｄ1 と光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 の数値群の中から、
ＳＭＬ２の有効半径７０％の部位の屈折率１．５６５、
入射角が１０度のＳ偏光に対して最も低反射率（Ｒs ）
の第二層７の屈折率ｎ2 を下記数式（５）〜（１０）か
ら求める。
励起光に対して求めた各屈折率ｎ2に対する光学的膜厚
ｎ1 ・ｄ1 と光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 の数値群の中から、
ＳＭＬ２の有効半径７０％の部位の屈折率１．５６５、
入射角が１０度のＳ偏光に対して最も低反射率（Ｒs ）
の第二層７の屈折率ｎ2 を下記数式（５）〜（１０）か
ら求める。
【００３６】
【数６】 （但し、δ1 は第一層の位相差、δ2 は第二層の位相
差、ｎo は空気の屈折率＝１、ｎs ’はＳＭＬの有効半
径７０％の部位における屈折率＝１．５６５、ｄ1は第
一層の物理的膜厚、ｄ2 は第二層の物理的膜厚、λo は
ＬＤからの励起光の波長＝０．８０９μｍ、θo は図６
に示すように上記励起光の空気から第一層６への入射
角、θ1 は空気から第一層６への屈折角、θ2 は第一層
６から第二層７への屈折角、θs は第二層７からＳＭＬ
２への屈折角をそれぞれ示している）この結果、第二層
７の屈折率ｎ2 が１．８５で、かつ、第一層６の光学的
膜厚ｎ1 ・ｄ1 と第二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 がそ
れぞれ０．２２２・λo 、及び、０．３３０・λo のと
きに、ＳＭＬ２の有効半径７０％の部位における反射率
（Ｒs ＝０．００６％）が最も低くなることが計算によ
り求められた。尚、屈折率１．８５の高屈折率物質膜に
は上述したＨｆＯ2 薄膜がある。
差、ｎo は空気の屈折率＝１、ｎs ’はＳＭＬの有効半
径７０％の部位における屈折率＝１．５６５、ｄ1は第
一層の物理的膜厚、ｄ2 は第二層の物理的膜厚、λo は
ＬＤからの励起光の波長＝０．８０９μｍ、θo は図６
に示すように上記励起光の空気から第一層６への入射
角、θ1 は空気から第一層６への屈折角、θ2 は第一層
６から第二層７への屈折角、θs は第二層７からＳＭＬ
２への屈折角をそれぞれ示している）この結果、第二層
７の屈折率ｎ2 が１．８５で、かつ、第一層６の光学的
膜厚ｎ1 ・ｄ1 と第二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 がそ
れぞれ０．２２２・λo 、及び、０．３３０・λo のと
きに、ＳＭＬ２の有効半径７０％の部位における反射率
（Ｒs ＝０．００６％）が最も低くなることが計算によ
り求められた。尚、屈折率１．８５の高屈折率物質膜に
は上述したＨｆＯ2 薄膜がある。
【００３７】ところで、上記光学薄膜を設けたＳＭＬ２
の反射率については、厳密にはＳＭＬ２の直径方向のあ
る位置ＸにおけるＳＭＬの屈折率とＬＤ１からの励起光
の入射角から計算によって求めた反射率と、ＬＤの励起
光の強度分布から求めたある位置Ｘに入射する励起光の
強度の積をＳＭＬ全有効端面について積分しなければな
らないが、近似的には上述した方法で最適な第二層７の
屈折率ｎ2 と、第一層６の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 及び第
二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を求めてもさしつかえな
い。
の反射率については、厳密にはＳＭＬ２の直径方向のあ
る位置ＸにおけるＳＭＬの屈折率とＬＤ１からの励起光
の入射角から計算によって求めた反射率と、ＬＤの励起
光の強度分布から求めたある位置Ｘに入射する励起光の
強度の積をＳＭＬ全有効端面について積分しなければな
らないが、近似的には上述した方法で最適な第二層７の
屈折率ｎ2 と、第一層６の光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 及び第
二層７の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 を求めてもさしつかえな
い。
【００３８】このような技術的分析により求められたｎ
1 ＝１．４３、その光学的膜厚ｎ1・ｄ1 ＝０．２２２
・λo のＳｉＯ2 膜より構成される第一層６と、ｎ2 ＝
１．８５、その光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 ＝０．３３０・λ
o のＨｆＯ2 膜より構成される第二層７を真空蒸着法に
よりＳＭＬ２の両端面に形成して実施例に係るＬＤ励起
固体レーザ装置の上記ＳＭＬ２を求めた。尚、図７は、
上記第一層６と第二層７から成る光学薄膜２１、２２が
設けられたＳＭＬ２の光軸上における分光反射特性を示
すグラフ図である。
1 ＝１．４３、その光学的膜厚ｎ1・ｄ1 ＝０．２２２
・λo のＳｉＯ2 膜より構成される第一層６と、ｎ2 ＝
１．８５、その光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 ＝０．３３０・λ
o のＨｆＯ2 膜より構成される第二層７を真空蒸着法に
よりＳＭＬ２の両端面に形成して実施例に係るＬＤ励起
固体レーザ装置の上記ＳＭＬ２を求めた。尚、図７は、
上記第一層６と第二層７から成る光学薄膜２１、２２が
設けられたＳＭＬ２の光軸上における分光反射特性を示
すグラフ図である。
【００３９】尚、比較例として上述した特開平２−６７
１５５号公報の手法に従い、ＳＭＬの両端面にその屈折
率ｎ1 が１．３８で光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 が１／４・λ
o のＭｇＦ2 膜から成る第一層目と、その屈折率ｎ2 が
１．６３で光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が１／４・λo のＡｌ
2 Ｏ3 膜から成る第二層目とで構成される２層反射防止
膜を形成した。
１５５号公報の手法に従い、ＳＭＬの両端面にその屈折
率ｎ1 が１．３８で光学的膜厚ｎ1 ・ｄ1 が１／４・λ
o のＭｇＦ2 膜から成る第一層目と、その屈折率ｎ2 が
１．６３で光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 が１／４・λo のＡｌ
2 Ｏ3 膜から成る第二層目とで構成される２層反射防止
膜を形成した。
【００４０】図８は、第一層６と第二層７から成る光学
薄膜２１、２２が設けられた実施例に係るＳＭＬと、上
記２層反射防止膜が設けられた比較例に係るＳＭＬの各
端面へＬＤから励起光を照射し、その光軸から半径方向
の距離に対応する反射率をプロットしたグラフ図であ
る。
薄膜２１、２２が設けられた実施例に係るＳＭＬと、上
記２層反射防止膜が設けられた比較例に係るＳＭＬの各
端面へＬＤから励起光を照射し、その光軸から半径方向
の距離に対応する反射率をプロットしたグラフ図であ
る。
【００４１】そして、このグラフ図から、比較例に較べ
実施例においてはＳＭＬの半径方向端部の反射率が極端
に低減していることが確認できる。
実施例においてはＳＭＬの半径方向端部の反射率が極端
に低減していることが確認できる。
【００４２】また、上記光学薄膜２１、２２が設けられ
た実施例に係るＳＭＬと、２層反射防止膜が設けられた
比較例に係るＳＭＬをそれぞれＬＤ励起固体レーザ装置
に組込み、各装置から出力されるＳＨ波の数１０ｋ〜１
ＭＨｚ範囲のノイズをスペクトルアナライザーを用いて
観察した。
た実施例に係るＳＭＬと、２層反射防止膜が設けられた
比較例に係るＳＭＬをそれぞれＬＤ励起固体レーザ装置
に組込み、各装置から出力されるＳＨ波の数１０ｋ〜１
ＭＨｚ範囲のノイズをスペクトルアナライザーを用いて
観察した。
【００４３】この結果、実施例に係るＬＤ励起固体レー
ザ装置においては比較例に較べ数１０ｋ〜１ＭＨｚ範囲
のノイズが約５０％低減していることが確認できた。
ザ装置においては比較例に較べ数１０ｋ〜１ＭＨｚ範囲
のノイズが約５０％低減していることが確認できた。
【００４４】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、グレーデ
ッドインデックス型集光レンズの少なくとも一方の端面
に形成された第一層と第二層の各層は、全体に均一な膜
厚であるにも拘らずグレーデッドインデックス型集光レ
ンズの光軸面に垂直入射された励起光の反射率並びにそ
の有効半径部位に入射角θo で入射された励起光の反射
率についてこれを最小にすることができるため、上記グ
レーデッドインデックス型集光レンズの端面全体からの
励起光の反射を著しく低減させることが可能となる。
ッドインデックス型集光レンズの少なくとも一方の端面
に形成された第一層と第二層の各層は、全体に均一な膜
厚であるにも拘らずグレーデッドインデックス型集光レ
ンズの光軸面に垂直入射された励起光の反射率並びにそ
の有効半径部位に入射角θo で入射された励起光の反射
率についてこれを最小にすることができるため、上記グ
レーデッドインデックス型集光レンズの端面全体からの
励起光の反射を著しく低減させることが可能となる。
【００４５】従って、励起光を出射する半導体レーザの
発振が安定しこれに伴い基本波の発振も安定するため、
ＳＨ波のノイズが低いＬＤ励起固体レーザ装置を簡便に
提供できる効果を有している。
発振が安定しこれに伴い基本波の発振も安定するため、
ＳＨ波のノイズが低いＬＤ励起固体レーザ装置を簡便に
提供できる効果を有している。
【００４６】また、請求項２に係る発明によれば、グレ
ーデッドインデックス型集光レンズの端面全体からの励
起光の反射を低減できると共にその光学薄膜の物理的耐
性の向上も図ることが可能になるため、ＳＨ波のノイズ
が低くかつ耐久性良好なＬＤ励起固体レーザ装置を簡便
に提供できる効果を有している。
ーデッドインデックス型集光レンズの端面全体からの励
起光の反射を低減できると共にその光学薄膜の物理的耐
性の向上も図ることが可能になるため、ＳＨ波のノイズ
が低くかつ耐久性良好なＬＤ励起固体レーザ装置を簡便
に提供できる効果を有している。
【図１】実施例に係るＬＤ励起固体レーザ装置の概略構
成図。
成図。
【図２】光学薄膜が形成されたグレーデッドインデック
ス型集光レンズの部分拡大図。
ス型集光レンズの部分拡大図。
【図３】半導体レーザからの励起光の光路を示す説明
図。
図。
【図４】励起光を出射する半導体レーザの概略構成図。
【図５】上記集光レンズの半径方向の屈折率分布を示す
グラフ図。
グラフ図。
【図６】上記集光レンズに対する励起光の入射角と屈折
角の説明図。
角の説明図。
【図７】光学薄膜が設けられた集光レンズの光軸上にお
ける分光反射特性を示すグラフ図。
ける分光反射特性を示すグラフ図。
【図８】実施例と比較例に係るグレーデッドインデック
ス型集光レンズの半径方向における反射率分布を示すグ
ラフ図。
ス型集光レンズの半径方向における反射率分布を示すグ
ラフ図。
【図９】従来のＬＤ励起固体レーザ装置の概略構成図。
１ 半導体レーザ（ＬＤ） ２ セルホックマイクロレンズ（ＳＭＬ） ３ 固体レーザ素子 ４ 第二高調波発生素子 ５ 出力鏡 ６ 第一層 ７ 第二層 ２１、２２ 光学薄膜 ３１、３２ 光学薄膜 ４１、４２ 光学薄膜 ５１ 光学薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザと、この半導体レーザからの
励起光を集光するグレーデッドインデックス型集光レン
ズと、集光された励起光が照射されて基本波を発生する
固体レーザ素子と、この基本波が入射されて第二高調波
を出力する第二高調波発生素子とを備えるＬＤ励起固体
レーザ装置において、 上記グレーデッドインデックス型集光レンズの少なくと
も一方の端面に、表面側から屈折率ｎ1 の材料で構成さ
れた第一層と屈折率ｎ2 の材料で構成された第二層より
成る光学薄膜を設け、 かつ、この光学薄膜が設けられたグレーデッドインデッ
クス型集光レンズの光軸面に上記半導体レーザから垂直
入射された励起光の反射率を極小にする下記数式（１）
〜（４）の条件を満たすと共に、 下記数式（５）〜（１０）で求められ光学薄膜が設けら
れたグレーデッドインデックス型集光レンズの有効半径
部位に半導体レーザから入射角θo で入射された励起光
の反射率Ｒが最小となる条件で上記第一層の光学的膜厚
ｎ1 ・ｄ1 と第二層の光学的膜厚ｎ2 ・ｄ2 の値が設定
されていることを特徴とするＬＤ励起固体レーザ装置。 【数１】 【数２】 （但し、δ1 は第一層の位相差、δ2 は第二層の位相
差、ｎo は空気の屈折率、ｎs はグレーデッドインデッ
クス型集光レンズの光軸上の屈折率、ｎs ’はグレーデ
ッドインデックス型集光レンズの有効半径部位の屈折
率、ｄ1 は第一層の物理的膜厚、ｄ2 は第二層の物理的
膜厚、λo は半導体レーザからの励起光の波長、θo は
上記励起光の空気から第一層への入射角、θ1 は空気か
ら第一層への屈折角、θ2 は第一層から第二層への屈折
角、θs は第二層からグレーデッドインデックス型集光
レンズへの屈折角をそれぞれ示している） - 【請求項２】上記光学薄膜の第一層が低屈折率物質のＳ
ｉＯ2 薄膜により構成され、かつ、第二層が高屈折率物
質のＨｆＯ2 薄膜により構成されていることを特徴とす
る請求項１記載のＬＤ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26719092A JPH06120597A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26719092A JPH06120597A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120597A true JPH06120597A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17441369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26719092A Pending JPH06120597A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120597A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743724A3 (de) * | 1995-05-16 | 1997-02-26 | Adlas Gmbh & Co Kg | Longitudinal gepumpter Laser |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26719092A patent/JPH06120597A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743724A3 (de) * | 1995-05-16 | 1997-02-26 | Adlas Gmbh & Co Kg | Longitudinal gepumpter Laser |
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7106775B2 (en) | Semiconductor laser devices | |
| US6707838B2 (en) | Stray light cutting structure for optical device | |
| CN1488084A (zh) | 光谐振变频器 | |
| US5608577A (en) | Optical mirror and optical device using the same | |
| JP2002048911A (ja) | ビームスプリッター及びそれを用いたレーザシステム | |
| KR20080007841A (ko) | 폴리곤 미러 및 광주사장치와 이를 구비하는 화상형성장치 | |
| JP6542473B2 (ja) | 非線形周波数変換デバイス | |
| US5741595A (en) | Ultraviolet optical part having coat of ultraviolet optical thin film, and wavelength-changing device and ultraviolet light source unit having coat of ultraviolet optical thin film | |
| JPS58223101A (ja) | 多面鏡の製造方法 | |
| US4553229A (en) | Apparatus for reading information | |
| Agabekov et al. | Broad-band polarizing light beam splitter based on a multilayer thin-film coating | |
| JP2003208733A (ja) | 光記録媒体及び情報の記録読み出し方法 | |
| JPH05264813A (ja) | 広波長域ビームスプリッタ、光学装置、ビームスプリッタの製造方法及び平行光学ビーム合併法 | |
| JPH0682862A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2660335B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JPH07244202A (ja) | ２波長反射防止膜 | |
| JPH07154033A (ja) | 半導体レーザ励起第２高調波発生固体レーザ装置 | |
| JPH07135367A (ja) | 反射鏡およびこれを用いた波長可変レーザ装置 | |
| JPS6067905A (ja) | アルゴンイオンレ−ザ用反射鏡 | |
| JPH05196845A (ja) | レーザビーム入射方法 | |
| JPH01270373A (ja) | レーザ装置 | |
| JPH0682873B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP5074312B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH0463556B2 (ja) | ||
| JPH05173216A (ja) | ２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置 |