JPH07244202A - ２波長反射防止膜 - Google Patents
２波長反射防止膜Info
- Publication number
- JPH07244202A JPH07244202A JP6034771A JP3477194A JPH07244202A JP H07244202 A JPH07244202 A JP H07244202A JP 6034771 A JP6034771 A JP 6034771A JP 3477194 A JP3477194 A JP 3477194A JP H07244202 A JPH07244202 A JP H07244202A
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- JP
- Japan
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- refractive index
- index layer
- antireflection film
- high refractive
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- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第一波長λ1 ＝248.4nm 近辺の反射防止帯域
を広くし、第一波長λ1＝248.4nm での反射率を低く
し、第２波長λ2 に対する透過率を高くし、且つ、第一
波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）を小さ
くする。 【構成】 第１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より
長波長側の第２波長λ2近辺に反射率の極小を持つ２波
長反射防止膜において、反射防止膜を「高屈折率層３、
５と中間屈折率層２、４との交互多層膜と媒質側の最終
層である低屈折率層６」で構成し、高屈折率層３、５と
してZrO2、HfO2、Sc2O3 、Y2O3のいずれかを使用し、中
間屈折率層２、４としてAl2O3 、MgO を使用し、低屈折
率層６としてMgF2、CaF2、Na3AlF6 、LiF 、AlF3、SiO2
のいずれかを使用し、低屈折率層６に隣接する高屈折率
層５の光学的膜厚を極端に薄くする。
を広くし、第一波長λ1＝248.4nm での反射率を低く
し、第２波長λ2 に対する透過率を高くし、且つ、第一
波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）を小さ
くする。 【構成】 第１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より
長波長側の第２波長λ2近辺に反射率の極小を持つ２波
長反射防止膜において、反射防止膜を「高屈折率層３、
５と中間屈折率層２、４との交互多層膜と媒質側の最終
層である低屈折率層６」で構成し、高屈折率層３、５と
してZrO2、HfO2、Sc2O3 、Y2O3のいずれかを使用し、中
間屈折率層２、４としてAl2O3 、MgO を使用し、低屈折
率層６としてMgF2、CaF2、Na3AlF6 、LiF 、AlF3、SiO2
のいずれかを使用し、低屈折率層６に隣接する高屈折率
層５の光学的膜厚を極端に薄くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１波長λ1 ＝248.4n
m 近辺と第１波長より長波長側の第２波長λ2 近辺（例
えば、690nm 、720nm 、750nm 、780nm 、810nm)にそれ
ぞれ反射率の極小を持ち、光学基板上に形成された２波
長反射防止膜に関する。
m 近辺と第１波長より長波長側の第２波長λ2 近辺（例
えば、690nm 、720nm 、750nm 、780nm 、810nm)にそれ
ぞれ反射率の極小を持ち、光学基板上に形成された２波
長反射防止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、集積化の進んだＬＳＩを製造する
ためには縮小投影露光装置が使用されているが、露光に
使用される波長は短波長化が進んでおり、将来、エキシ
マレーザーから発光される波長λは248.4nm （紫外線）
が主流となると考えられている。他方、半導体基板のア
ライメント用には、レジストの感光しない長波長の光、
例えば 690nm(半導体レーザー）、720nm(半導体レーザ
ー) 、750nm(半導体レーザー) 、780nm(半導体レーザ
ー) 、810nm （半導体レーザー) などが使用されてい
る。
ためには縮小投影露光装置が使用されているが、露光に
使用される波長は短波長化が進んでおり、将来、エキシ
マレーザーから発光される波長λは248.4nm （紫外線）
が主流となると考えられている。他方、半導体基板のア
ライメント用には、レジストの感光しない長波長の光、
例えば 690nm(半導体レーザー）、720nm(半導体レーザ
ー) 、750nm(半導体レーザー) 、780nm(半導体レーザ
ー) 、810nm （半導体レーザー) などが使用されてい
る。
【０００３】そのため、露光装置内に使用される光学要
素例えばレンズ上に形成される反射防止膜には、第１波
長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より長波長側の第２波
長λ 2 近辺（例えば、690nm 、720nm 、750nm 、780nm
、810nm)にそれぞれ反射率の極小を持つ２波長反射防
止膜が要求されている。
素例えばレンズ上に形成される反射防止膜には、第１波
長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より長波長側の第２波
長λ 2 近辺（例えば、690nm 、720nm 、750nm 、780nm
、810nm)にそれぞれ反射率の極小を持つ２波長反射防
止膜が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のかかる反射防止
膜の分光反射率特性を図５に示す。従来の反射防止膜
は、第一波長λ1 ＝248.4nm 近辺の反射防止帯域が狭い
という第１の問題点を有していた。一般に、製造上のバ
ラツキに伴い反射率のピ−ク位置がずれることが多い。
そのため、従来の反射防止膜は、目的とする248.4nmで
の反射率が高くなり（つまり、反射防止膜にならな
い）、不良品が多く製造されるという第２の問題点を有
していた。また、第１波長より長波長側の第２波長λ2
近辺の反射率が高いため、露光装置内に使用される光学
要素例えばレンズ上に形成される反射防止膜の数が増加
するに伴って、第２波長λ2 の透過率が低下する（例え
ば、λ2 における反射率を４％とした場合、反射防止膜
の数が２０の時λ2 の透過率は４４％、反射防止膜の数
が３０の時λ2 の透過率は２９％となる。）という第３
の問題点を有していた。更に、２波長反射防止膜におい
て、特に酸化物誘電体からなる光学的膜厚が0.12λ3 よ
り厚い高屈折率層と弗化物からなる低屈折率層とが隣接
する構成の場合、第一波長λ1 ＝248.4nm における光学
的損失（吸収）が大きいと言う第４の問題点を有してい
た。
膜の分光反射率特性を図５に示す。従来の反射防止膜
は、第一波長λ1 ＝248.4nm 近辺の反射防止帯域が狭い
という第１の問題点を有していた。一般に、製造上のバ
ラツキに伴い反射率のピ−ク位置がずれることが多い。
そのため、従来の反射防止膜は、目的とする248.4nmで
の反射率が高くなり（つまり、反射防止膜にならな
い）、不良品が多く製造されるという第２の問題点を有
していた。また、第１波長より長波長側の第２波長λ2
近辺の反射率が高いため、露光装置内に使用される光学
要素例えばレンズ上に形成される反射防止膜の数が増加
するに伴って、第２波長λ2 の透過率が低下する（例え
ば、λ2 における反射率を４％とした場合、反射防止膜
の数が２０の時λ2 の透過率は４４％、反射防止膜の数
が３０の時λ2 の透過率は２９％となる。）という第３
の問題点を有していた。更に、２波長反射防止膜におい
て、特に酸化物誘電体からなる光学的膜厚が0.12λ3 よ
り厚い高屈折率層と弗化物からなる低屈折率層とが隣接
する構成の場合、第一波長λ1 ＝248.4nm における光学
的損失（吸収）が大きいと言う第４の問題点を有してい
た。
【０００５】本発明は、第一波長λ1 ＝248.4nm 近辺の
反射防止帯域が広く、第一波長λ1＝248.4nm での反射
率が低く、第２波長λ2 に対する透過率が高く、且つ、
第一波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）が
小さい２波長反射防止膜を提供することを目的とする。
反射防止帯域が広く、第一波長λ1＝248.4nm での反射
率が低く、第２波長λ2 に対する透過率が高く、且つ、
第一波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）が
小さい２波長反射防止膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は「第
１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より長波長側の第
２波長λ2 近辺に反射率の極小を持つ２波長反射防止膜
において、反射防止膜を「高屈折率層と中間屈折率層と
の交互多層膜と媒質側の最終層である低屈折率層」で構
成し、かつ前記高屈折率層としてZrO2、HfO2、Sc2O3 、
Y2O3のいずれかを使用し、前記中間屈折率層としてAl2O
3 、MgO を使用し、前記低屈折率層としてMgF2、CaF2、
Na3AlF6 、LiF 、AlF3、SiO2のいずれかを使用したこと
を特徴とする２波長反射防止膜（請求項１）」を提供す
る。
１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長より長波長側の第
２波長λ2 近辺に反射率の極小を持つ２波長反射防止膜
において、反射防止膜を「高屈折率層と中間屈折率層と
の交互多層膜と媒質側の最終層である低屈折率層」で構
成し、かつ前記高屈折率層としてZrO2、HfO2、Sc2O3 、
Y2O3のいずれかを使用し、前記中間屈折率層としてAl2O
3 、MgO を使用し、前記低屈折率層としてMgF2、CaF2、
Na3AlF6 、LiF 、AlF3、SiO2のいずれかを使用したこと
を特徴とする２波長反射防止膜（請求項１）」を提供す
る。
【０００７】また、この場合（請求項１）に、「前記光
学的膜厚を0.01〜0.12λ1 としたことを特徴とする２波
長反射防止膜（請求項２）」を提供する。
学的膜厚を0.01〜0.12λ1 としたことを特徴とする２波
長反射防止膜（請求項２）」を提供する。
【０００８】
【作用】一般に、電子銃あるいは抵抗加熱によって蒸着
された膜のほとんどは、柱状の結晶が無数に並んだ構造
をとるが、柱状構造における柱の径は一定でなく、特に
前記高屈折率層として挙げたZrO2、HfO2、Sc2O3 Y2O3の
ような物質の場合、柱状の結晶が成長するに従って（つ
まり、膜が成長するに従って）柱の径が大きくなり、か
つ、膜の充填率（膜密度）が低下する性質がある。この
ような充填率の低下した酸化物である高屈折率層上に、
弗化物である低屈折率層が成膜される場合、それらが接
する境界面において、酸化物と弗化物とが混在する相互
拡散領域が形成され、これが短波長域での吸収層となっ
て第一波長λ1 ＝248.4nm における反射防止膜の損失を
増大させる。従って、低屈折率層が隣接する高屈折率層
の膜厚を制限して充填率を高く保つことにより、第１波
長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）の低減が
可能になる。
された膜のほとんどは、柱状の結晶が無数に並んだ構造
をとるが、柱状構造における柱の径は一定でなく、特に
前記高屈折率層として挙げたZrO2、HfO2、Sc2O3 Y2O3の
ような物質の場合、柱状の結晶が成長するに従って（つ
まり、膜が成長するに従って）柱の径が大きくなり、か
つ、膜の充填率（膜密度）が低下する性質がある。この
ような充填率の低下した酸化物である高屈折率層上に、
弗化物である低屈折率層が成膜される場合、それらが接
する境界面において、酸化物と弗化物とが混在する相互
拡散領域が形成され、これが短波長域での吸収層となっ
て第一波長λ1 ＝248.4nm における反射防止膜の損失を
増大させる。従って、低屈折率層が隣接する高屈折率層
の膜厚を制限して充填率を高く保つことにより、第１波
長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸収）の低減が
可能になる。
【０００９】
【実施例】図１は本実施例で成膜する２波長反射防止膜
の垂直断面を示す概念図である。レンズ基板上に表１か
ら表３に示した２波長反射防止膜を成膜した。
の垂直断面を示す概念図である。レンズ基板上に表１か
ら表３に示した２波長反射防止膜を成膜した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【表３】
【００１３】得られた２波長反射防止膜の分光反射率特
性を図２から図４に示す。図２から図４の分光反射率特
性からわかるように、本発明の２波長反射防止膜は、第
１波長λ1 ＝248.4nm 近辺の220nm から310nm の波長領
域において0.5%以下の反射率に抑える事ができ、かつ、
第１波長より長波長側の第２波長λ2 近辺の690nm から
810nm の波長領域において、1.0%以下の反射率に抑える
事ができる。尚、図２から図４の縦軸は反射率の特性値
を示し、横軸は波長を示す。
性を図２から図４に示す。図２から図４の分光反射率特
性からわかるように、本発明の２波長反射防止膜は、第
１波長λ1 ＝248.4nm 近辺の220nm から310nm の波長領
域において0.5%以下の反射率に抑える事ができ、かつ、
第１波長より長波長側の第２波長λ2 近辺の690nm から
810nm の波長領域において、1.0%以下の反射率に抑える
事ができる。尚、図２から図４の縦軸は反射率の特性値
を示し、横軸は波長を示す。
【００１４】
【発明の効果】以上の通り、第１波長および第２波長近
辺において、良好な反射防止特性を得ることができ、か
つ、第１波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸
収）の低減が可能になる。
辺において、良好な反射防止特性を得ることができ、か
つ、第１波長λ1 ＝248.4nm における光学的損失（吸
収）の低減が可能になる。
【図１】本発明の実施例で成膜した２波長反射防止膜の
垂直断面を示す概念図である。
垂直断面を示す概念図である。
【図２】表１に示した構成の反射防止膜における分光反
射率特性を示す図である。
射率特性を示す図である。
【図３】表２に示した構成の反射防止膜における分光反
射率特性を示す図である。
射率特性を示す図である。
【図４】表３に示した構成の反射防止膜における分光反
射率特性を示す図である。
射率特性を示す図である。
【図５】従来の反射防止膜の分光反射率特性を示す図で
ある。
ある。
１・・・基板 ２・・・中間屈折率層 ３・・・高屈折率層 ４・・・中間屈折率層 ５・・・高屈折率層 ６・・・低屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 義一 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株 式会社ニコン内
Claims (3)
- 【請求項１】 第１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長
より長波長側の第２波長λ2 近辺に反射率の極小を持つ
２波長反射防止膜において、 反射防止膜を「高屈折率層と中間屈折率層との交互多層
膜と媒質側の最終層である低屈折率層」で構成し、前記
高屈折率層としてZrO2、HfO2、Sc2O3 、Y2O3のいずれか
を使用し、前記中間屈折率層としてAl2O3 、MgO を使用
し、前記低屈折率層としてMgF2、CaF2、Na3AlF6 、LiF
、AlF3、SiO2のいずれかを使用し、前記低屈折率層に
隣接する高屈折率層の光学的膜厚を極端に薄くしたこと
を特徴とする２波長反射防止膜。 - 【請求項２】 前記低屈折率層に隣接する高屈折率層の
光学的膜厚を0.01〜0.12λ1 としたことを特徴とする請
求項１記載の２波長反射防止膜。 - 【請求項３】 第１波長λ1 ＝248.4nm 近辺と第１波長
より長波長側の第２波長λ2 近辺（例えば、690nm 、72
0nm 、750nm 、780nm 、810nm ）に反射率の極小を持つ
ことを特徴とする請求項１または２記載の２波長反射防
止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034771A JPH07244202A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | ２波長反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034771A JPH07244202A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | ２波長反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244202A true JPH07244202A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12423574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6034771A Pending JPH07244202A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | ２波長反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244202A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11264902A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Canon Inc | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| US7169441B2 (en) * | 1999-12-22 | 2007-01-30 | Schott Spezialglas Gmbh | Method for making a UV-reflecting interference layer system |
| WO2018123898A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP6034771A patent/JPH07244202A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11264902A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Canon Inc | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
| US7169441B2 (en) * | 1999-12-22 | 2007-01-30 | Schott Spezialglas Gmbh | Method for making a UV-reflecting interference layer system |
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| WO2018123898A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
| JP2018109657A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
| CN110140067A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 同和电子科技有限公司 | 防反射膜及深紫外发光器件 |
| CN110140067B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-04-13 | 同和电子科技有限公司 | 防反射膜及深紫外发光器件 |
| US11009629B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-05-18 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Anti-reflection film and deep ultraviolet light-emitting device |
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