JPH06123621A - 原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法 - Google Patents
原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06123621A JPH06123621A JP4271278A JP27127892A JPH06123621A JP H06123621 A JPH06123621 A JP H06123621A JP 4271278 A JP4271278 A JP 4271278A JP 27127892 A JP27127892 A JP 27127892A JP H06123621 A JPH06123621 A JP H06123621A
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- inclined surface
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、原子間力顕微鏡用探針付カンチレ
バーとその製造方法に関するもので、特に、溝形状等の
アスペクト比の比較的大きな凹凸を有する試料を精度良
く測定するための探針付カンチレバーを提供することを
目的とする。 【構成】 原子間力顕微鏡用カンチレバー1の自由端近
傍に、傾斜面3を設け、傾斜面上に酸化亜鉛針状結晶が
延びたテトラポッド形状の構造体4を設け、傾斜面に垂
直な針状結晶を探針5として用いる。
バーとその製造方法に関するもので、特に、溝形状等の
アスペクト比の比較的大きな凹凸を有する試料を精度良
く測定するための探針付カンチレバーを提供することを
目的とする。 【構成】 原子間力顕微鏡用カンチレバー1の自由端近
傍に、傾斜面3を設け、傾斜面上に酸化亜鉛針状結晶が
延びたテトラポッド形状の構造体4を設け、傾斜面に垂
直な針状結晶を探針5として用いる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、原子間力顕微鏡(以後
AFMと記す)用探針付カンチレバーとその製造方法に
関し、とりわけ先端曲率が小さく、アスペクト比の大き
い探針を有するAFM用カンチレバーとその製造方法に
関するものである。
AFMと記す)用探針付カンチレバーとその製造方法に
関し、とりわけ先端曲率が小さく、アスペクト比の大き
い探針を有するAFM用カンチレバーとその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、固体表面を原子オーダで観察でき
る装置としてAFMが開発されている。AFMでは微小
な力を検出するために、図8に示すような探針45を有
する長さ100μm〜200μm程度のカンチレバー4
6が必要である。従来、この探針としては、カンチレバ
ー先端のエッジ部分を探針として用いたもの、結晶のエ
ッチピットを鋳型として利用し作製したもの、異方性エ
ッチングにより作製したもの[ジャーナル・オブ・バキ
ューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA8(1990年)
第3386頁から3396頁(J. Vac. Sci. Technol. A8, 3386-
3396, 1990)]等が使用されている。
る装置としてAFMが開発されている。AFMでは微小
な力を検出するために、図8に示すような探針45を有
する長さ100μm〜200μm程度のカンチレバー4
6が必要である。従来、この探針としては、カンチレバ
ー先端のエッジ部分を探針として用いたもの、結晶のエ
ッチピットを鋳型として利用し作製したもの、異方性エ
ッチングにより作製したもの[ジャーナル・オブ・バキ
ューム・サイエンス・アンド・テクノロジーA8(1990年)
第3386頁から3396頁(J. Vac. Sci. Technol. A8, 3386-
3396, 1990)]等が使用されている。
【0003】AFMの分解能は前記探針の先端曲率半径
に依存し、曲率半径が小さいほど分解能は上がる。現在
のところ20nm〜30nmの曲率半径の探針が作製さ
れ、このカンチレバーを用いてマイカ等の原子像が観察
されている。
に依存し、曲率半径が小さいほど分解能は上がる。現在
のところ20nm〜30nmの曲率半径の探針が作製さ
れ、このカンチレバーを用いてマイカ等の原子像が観察
されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、AFMの用途
としては、試料表面の原子レベルでの観察と同時に、ナ
ノメータあるいはマイクロメータオーダの大きな起伏を
有する試料観察がある。このような試料観察の場合、特
にグレーティング等の深い溝形状を有する試料では、前
記のような従来の探針では、探針が溝部の底まで届かず
正確な形状測定が困難であった。
としては、試料表面の原子レベルでの観察と同時に、ナ
ノメータあるいはマイクロメータオーダの大きな起伏を
有する試料観察がある。このような試料観察の場合、特
にグレーティング等の深い溝形状を有する試料では、前
記のような従来の探針では、探針が溝部の底まで届かず
正確な形状測定が困難であった。
【0005】したがって、このような用途においては、
探針の先端曲率が小さいのと同時に、溝部の底まで届く
ような、細長い形状の探針を有するカンチレバーが要望
されている。
探針の先端曲率が小さいのと同時に、溝部の底まで届く
ような、細長い形状の探針を有するカンチレバーが要望
されている。
【0006】本発明は、このような従来のAFM用カン
チレバーの問題を解決するため、深い溝形状を有するよ
うな試料でも、精度良く観察することが可能な、高アス
ペクト比で、しかも先端曲率が極めて小さく試料面に対
して垂直な探針を有するAFM用探針付カンチレバーと
その製造方法を提供することを目的とする。
チレバーの問題を解決するため、深い溝形状を有するよ
うな試料でも、精度良く観察することが可能な、高アス
ペクト比で、しかも先端曲率が極めて小さく試料面に対
して垂直な探針を有するAFM用探針付カンチレバーと
その製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のAFM用探針付カンチレバーは、自由端近
傍に、傾斜面を有し、この傾斜面上にテトラポッド形状
の構造体が探針として設けられた構造である。
に、本発明のAFM用探針付カンチレバーは、自由端近
傍に、傾斜面を有し、この傾斜面上にテトラポッド形状
の構造体が探針として設けられた構造である。
【0008】また、本発明の原子間力顕微鏡用探針付カ
ンチレバーの製造方法は、シリコン(111)結晶面を
利用してカンチレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工
程、あるいは、薄膜カンチレバーにイオン照射によりカ
ンチレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工程、あるい
は、誘電体薄膜カンチレバーに金属薄膜を形成してカン
チレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工程と、前記傾
斜面上に正四面体の体心から4頂点方向に針状結晶が延
びたテトラポッド形状の構造体を設ける工程を備えたも
のである。
ンチレバーの製造方法は、シリコン(111)結晶面を
利用してカンチレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工
程、あるいは、薄膜カンチレバーにイオン照射によりカ
ンチレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工程、あるい
は、誘電体薄膜カンチレバーに金属薄膜を形成してカン
チレバー自由端近傍に傾斜面を形成する工程と、前記傾
斜面上に正四面体の体心から4頂点方向に針状結晶が延
びたテトラポッド形状の構造体を設ける工程を備えたも
のである。
【0009】
【作用】前記本発明の構造によれば、カンチレバーに設
けられた探針が、高アスペクト比で先端曲率が極めて小
さい形状であり、しかも観察時にAFMに固定された試
料とカンチレバー軸間の角度に相当する傾斜角を持つ傾
斜面を作製すれば、探針が試料に垂直となり、従来のカ
ンチレバーでは探針側面等が溝上部の角に接触し精度良
く測定できなかったような深い溝形状の試料でも、底面
まで探針が垂直に届き、精度よく観察できるAFMが得
られる。
けられた探針が、高アスペクト比で先端曲率が極めて小
さい形状であり、しかも観察時にAFMに固定された試
料とカンチレバー軸間の角度に相当する傾斜角を持つ傾
斜面を作製すれば、探針が試料に垂直となり、従来のカ
ンチレバーでは探針側面等が溝上部の角に接触し精度良
く測定できなかったような深い溝形状の試料でも、底面
まで探針が垂直に届き、精度よく観察できるAFMが得
られる。
【0010】また、本発明の製造方法によれば、用意す
るシリコン単結晶基板の(111)面に対する傾斜角、
イオン照射条件や金属薄膜作製条件を選べば、カンチレ
バー主面に対し任意の傾斜角を有する傾斜面を作製する
ことが可能となり、テトラポッド形状の三次元構造体
を、前記傾斜面上に取り付ければ、探針となる一本の針
状結晶を常に試料に対して垂直に設置することが可能と
なる。
るシリコン単結晶基板の(111)面に対する傾斜角、
イオン照射条件や金属薄膜作製条件を選べば、カンチレ
バー主面に対し任意の傾斜角を有する傾斜面を作製する
ことが可能となり、テトラポッド形状の三次元構造体
を、前記傾斜面上に取り付ければ、探針となる一本の針
状結晶を常に試料に対して垂直に設置することが可能と
なる。
【0011】
【実施例】本発明のAFM用カンチレバーに用いられる
探針は、テトラポッド形状の三次元構造体を有する材料
であれば何れでもよく、例えば針状結晶をテトラポッド
形状に貼合わせた構造体等が挙げられるが、特に高アス
ペクト比を有し正四面体の4頂点方向に延びた針状結晶
部分の強度が強い等の点から、例えば酸化亜鉛、セレン
化亜鉛等の結晶材料が好ましい。
探針は、テトラポッド形状の三次元構造体を有する材料
であれば何れでもよく、例えば針状結晶をテトラポッド
形状に貼合わせた構造体等が挙げられるが、特に高アス
ペクト比を有し正四面体の4頂点方向に延びた針状結晶
部分の強度が強い等の点から、例えば酸化亜鉛、セレン
化亜鉛等の結晶材料が好ましい。
【0012】本発明の探針付カンチレバーは、試料表面
に対して探針が直角になるように、カンチレバー支持部
に形状的には屈曲部またはたわみを有する。カンチレバ
ーに屈曲部を持たせるには、シリコン単結晶を異方性エ
ッチングし(111)面のエッチピットを表面に露出さ
せ、このエッチピット上に薄層を形成し達成できる。ま
た、カンチレバーにたわみを持たせるには、薄層に例え
ばイオン照射等の手法を用いるか、薄層が誘電体の場合
には誘電体薄層に金属薄膜を形成する手法等で達成でき
る。
に対して探針が直角になるように、カンチレバー支持部
に形状的には屈曲部またはたわみを有する。カンチレバ
ーに屈曲部を持たせるには、シリコン単結晶を異方性エ
ッチングし(111)面のエッチピットを表面に露出さ
せ、このエッチピット上に薄層を形成し達成できる。ま
た、カンチレバーにたわみを持たせるには、薄層に例え
ばイオン照射等の手法を用いるか、薄層が誘電体の場合
には誘電体薄層に金属薄膜を形成する手法等で達成でき
る。
【0013】(111)面のエッチピットを利用する手
法では、検知目的の試料を考慮した角度だけシリコン
(111)面から傾斜させてシリコン単結晶基板を研磨
した後、異方性エッチングの手法を用いてシリコン単結
晶基板上に(111)面のエッチピットを作成し、この
エッチピットを型にしてカンチレバーを作製する。すな
わち、この研磨したシリコン単結晶基板を例えば二酸化
珪素薄膜を形成後フォトリソグラフィーで窓を形成し、
例えばエチレンジアミン、カテコールおよび水の混合溶
液または水酸化カリウム水溶液等に浸漬するウエットエ
ッチ法等の通常の手法で異方性エッチングを行う。この
ようにして得られた異方性エッチング処理を施したエッ
チピットを有するシリコン単結晶基板に、例えば窒化珪
素薄膜をCVD法等で形成し、シリコン基板をエッチン
グ除去し、屈曲部すなわち傾斜部を有した窒化珪素薄膜
をカンチレバーとする。
法では、検知目的の試料を考慮した角度だけシリコン
(111)面から傾斜させてシリコン単結晶基板を研磨
した後、異方性エッチングの手法を用いてシリコン単結
晶基板上に(111)面のエッチピットを作成し、この
エッチピットを型にしてカンチレバーを作製する。すな
わち、この研磨したシリコン単結晶基板を例えば二酸化
珪素薄膜を形成後フォトリソグラフィーで窓を形成し、
例えばエチレンジアミン、カテコールおよび水の混合溶
液または水酸化カリウム水溶液等に浸漬するウエットエ
ッチ法等の通常の手法で異方性エッチングを行う。この
ようにして得られた異方性エッチング処理を施したエッ
チピットを有するシリコン単結晶基板に、例えば窒化珪
素薄膜をCVD法等で形成し、シリコン基板をエッチン
グ除去し、屈曲部すなわち傾斜部を有した窒化珪素薄膜
をカンチレバーとする。
【0014】カンチレバーにたわみを持たせる1つの手
法は、例えばシリコン基板上に例えば窒化珪素薄膜を形
成し、フォトリソグラフィー等の手法でカンチレバーを
パタ−ン化して得た後基板だけをエッチング除去し、例
えばアルゴンイオン照射等の手法で容易にカンチレバー
を湾曲でき、たわみを持たせることができ、このたわみ
がカンチレバーの傾斜面となる。
法は、例えばシリコン基板上に例えば窒化珪素薄膜を形
成し、フォトリソグラフィー等の手法でカンチレバーを
パタ−ン化して得た後基板だけをエッチング除去し、例
えばアルゴンイオン照射等の手法で容易にカンチレバー
を湾曲でき、たわみを持たせることができ、このたわみ
がカンチレバーの傾斜面となる。
【0015】カンチレバーにたわみを持たせる他の手法
は、例えばシリコン基板上に例えば二酸化珪素等の誘電
体薄膜を形成後、フォトリソグラフィー等の手法でカン
チレバーをパタ−ン化して得た後、基板だけをエッチン
グ除去し、このカンチレバーの一方の面に例えば金等の
金属薄膜を形成すると、誘電体薄膜と金属薄膜との格子
定数の差に起因した応力が発生し、カンチレバーを湾曲
でき、たわみを持たせることができ、このたわみがカン
チレバーの傾斜面となる。
は、例えばシリコン基板上に例えば二酸化珪素等の誘電
体薄膜を形成後、フォトリソグラフィー等の手法でカン
チレバーをパタ−ン化して得た後、基板だけをエッチン
グ除去し、このカンチレバーの一方の面に例えば金等の
金属薄膜を形成すると、誘電体薄膜と金属薄膜との格子
定数の差に起因した応力が発生し、カンチレバーを湾曲
でき、たわみを持たせることができ、このたわみがカン
チレバーの傾斜面となる。
【0016】このようにして得たカンチレバーの自由端
近傍の傾斜面に、テトラポッド形状を有する探針を例え
ばエポキシ系の接着剤を介して貼付けて、本発明のAF
M用探針付カンチレバーができる。
近傍の傾斜面に、テトラポッド形状を有する探針を例え
ばエポキシ系の接着剤を介して貼付けて、本発明のAF
M用探針付カンチレバーができる。
【0017】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体
的に説明する。 (実施例1)図1は、本発明のAFM用探針付カンチレ
バーの第1実施例を示す概略図である。カンチレバー1
の自由端近傍に、4つの(111)結晶面からなる構造
体2が形成され、前記構造体の傾斜面3上に酸化亜鉛の
針状結晶で構成されたテトラポッド形状の構造体4を設
け、前記傾斜面3に垂直な針状結晶を探針5として用い
る。
的に説明する。 (実施例1)図1は、本発明のAFM用探針付カンチレ
バーの第1実施例を示す概略図である。カンチレバー1
の自由端近傍に、4つの(111)結晶面からなる構造
体2が形成され、前記構造体の傾斜面3上に酸化亜鉛の
針状結晶で構成されたテトラポッド形状の構造体4を設
け、前記傾斜面3に垂直な針状結晶を探針5として用い
る。
【0018】前記AFM用探針付カンチレバーの製造方
法を図2に示す。研磨により作製した(111)結晶面
から<110>方向に向かって20°だけ傾斜したシリ
コン単結晶基板6上に熱酸化法により厚さ0.1μmの
二酸化珪素薄膜7を形成後、<110>方向に向いた各
辺が50μmと30μmの長方形の窓8をフォトリソグ
ラフィーにより作製した(図2(a))。その後、前記
二酸化珪素薄膜をエッチング用マスクとして、前記シリ
コン単結晶基板に(111)結晶面でエッチングが止ま
る異方性エッチングを施し、前記シリコン単結晶基板表
面に対し20°の傾斜角を有する傾斜面9を形成し、前
記二酸化珪素を弗酸を用いてエッチングにより取り除い
た。(図2(b))。その後、前記シリコン単結晶基板
上に厚さ0.6μmの窒化珪素薄膜10をCVD法によ
り形成し、フォトリソグラフィーにより、カンチレバー
軸が<110>方向を向き、カンチレバー自由端部分1
1に傾斜面12が形成されるように長さ200μm、幅
50μmのカンチレバー13(図2(c))を作製した
(図2(d))。その後、カンチレバー支持部14に支
持体としてガラス板15を陽極接合した(図2
(e))。その後、前記シリコン単結晶基板の全結晶を
水酸化カリウムによりエッチングし、前記カンチレバー
の背面に金をコーティングし、レーザー反射面16を形
成した(図2(f))。その後、前記傾斜面12上に、
金属針を用いてエポキシ樹脂の接着剤17を塗布した
後、前記接着剤17上に、金属針を用いて1つの酸化亜
鉛の針状結晶の長さが10μmのテトラポッド形状の構
造体18を置き、接着した(図2(g))。前記構造体
は、気相成長により作製し、各針状結晶の先端曲率は5
〜10nm、先端角は2〜4°であった。
法を図2に示す。研磨により作製した(111)結晶面
から<110>方向に向かって20°だけ傾斜したシリ
コン単結晶基板6上に熱酸化法により厚さ0.1μmの
二酸化珪素薄膜7を形成後、<110>方向に向いた各
辺が50μmと30μmの長方形の窓8をフォトリソグ
ラフィーにより作製した(図2(a))。その後、前記
二酸化珪素薄膜をエッチング用マスクとして、前記シリ
コン単結晶基板に(111)結晶面でエッチングが止ま
る異方性エッチングを施し、前記シリコン単結晶基板表
面に対し20°の傾斜角を有する傾斜面9を形成し、前
記二酸化珪素を弗酸を用いてエッチングにより取り除い
た。(図2(b))。その後、前記シリコン単結晶基板
上に厚さ0.6μmの窒化珪素薄膜10をCVD法によ
り形成し、フォトリソグラフィーにより、カンチレバー
軸が<110>方向を向き、カンチレバー自由端部分1
1に傾斜面12が形成されるように長さ200μm、幅
50μmのカンチレバー13(図2(c))を作製した
(図2(d))。その後、カンチレバー支持部14に支
持体としてガラス板15を陽極接合した(図2
(e))。その後、前記シリコン単結晶基板の全結晶を
水酸化カリウムによりエッチングし、前記カンチレバー
の背面に金をコーティングし、レーザー反射面16を形
成した(図2(f))。その後、前記傾斜面12上に、
金属針を用いてエポキシ樹脂の接着剤17を塗布した
後、前記接着剤17上に、金属針を用いて1つの酸化亜
鉛の針状結晶の長さが10μmのテトラポッド形状の構
造体18を置き、接着した(図2(g))。前記構造体
は、気相成長により作製し、各針状結晶の先端曲率は5
〜10nm、先端角は2〜4°であった。
【0019】前記構造体は、正四面体の体心から4頂点
方向に針状結晶が延びたテトラポッド形の三次元構造の
結晶であるため、カンチレバーの傾斜面に取り付ける際
に、前記構造体を傾斜面上に置くことで、自然に1つの
針状結晶19を傾斜面に対して垂直に設置することがで
き、探針として使用できる。
方向に針状結晶が延びたテトラポッド形の三次元構造の
結晶であるため、カンチレバーの傾斜面に取り付ける際
に、前記構造体を傾斜面上に置くことで、自然に1つの
針状結晶19を傾斜面に対して垂直に設置することがで
き、探針として使用できる。
【0020】本実施例の探針付カンチレバーを観察試料
に対してカンチレバー軸を20°に傾けて設置するAF
Mに組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する
試料の観察を行い、Siのエッチピットを鋳型としてS
i3N4で探針を作製した従来のカンチレバーとの比較を
行った。この装置では本実施例で作製したカンチレバー
の探針は試料表面に対し垂直となる。
に対してカンチレバー軸を20°に傾けて設置するAF
Mに組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する
試料の観察を行い、Siのエッチピットを鋳型としてS
i3N4で探針を作製した従来のカンチレバーとの比較を
行った。この装置では本実施例で作製したカンチレバー
の探針は試料表面に対し垂直となる。
【0021】従来のカンチレバーの場合、探針形状は、
Si(100)面のエッチピット形状で決定され、頂角
が70度のピラミッド形状となる。従ってこの探針を有
する従来のカンチレバーで溝部を矢印の方向へ走査すれ
ば、図3に示すように、探針20が溝の底まで届かず、
破線で示したような実際の試料21の表面形状とは異な
る像22が得られた。
Si(100)面のエッチピット形状で決定され、頂角
が70度のピラミッド形状となる。従ってこの探針を有
する従来のカンチレバーで溝部を矢印の方向へ走査すれ
ば、図3に示すように、探針20が溝の底まで届かず、
破線で示したような実際の試料21の表面形状とは異な
る像22が得られた。
【0022】一方、試料に垂直な酸化亜鉛の針状結晶の
探針を有する本発明のカンチレバーでは、図4に示すよ
うに、針状結晶の探針23が溝の底まで達し、試料21
の表面形状に忠実な像24が得られた。
探針を有する本発明のカンチレバーでは、図4に示すよ
うに、針状結晶の探針23が溝の底まで達し、試料21
の表面形状に忠実な像24が得られた。
【0023】さらに、本発明では、カンチレバーの主面
に対し傾斜角20°の傾斜面を作製したが、通常のAF
Mではカンチレバー軸と試料表面との角度は、5〜30
°であり、これらに応じた傾斜角を有するシリコン単結
晶基板を用いれば、それぞれのAFMに対応した傾斜面
を有するカンチレバーの作製が可能である。
に対し傾斜角20°の傾斜面を作製したが、通常のAF
Mではカンチレバー軸と試料表面との角度は、5〜30
°であり、これらに応じた傾斜角を有するシリコン単結
晶基板を用いれば、それぞれのAFMに対応した傾斜面
を有するカンチレバーの作製が可能である。
【0024】(実施例2)図5は、本発明のAFM用探
針付カンチレバーの第2実施例を示す概略図である。イ
オン照射によるたわみで、カンチレバー25の自由端側
に、傾斜面26が形成され、前記傾斜面26上に酸化亜
鉛の針状結晶で構成されたテトラポッド形状の構造体2
7を設け、前記傾斜面26に垂直な針状結晶を探針28
として用いる。
針付カンチレバーの第2実施例を示す概略図である。イ
オン照射によるたわみで、カンチレバー25の自由端側
に、傾斜面26が形成され、前記傾斜面26上に酸化亜
鉛の針状結晶で構成されたテトラポッド形状の構造体2
7を設け、前記傾斜面26に垂直な針状結晶を探針28
として用いる。
【0025】第2実施例のAFM用探針付カンチレバー
の製造方法を図6に示す。シリコン基板29上にCVD
法により厚さ0.6μmの窒化珪素薄膜30を形成後、
フォトリソグラフィーにより長さ100μm、幅20μ
mのカンチレバーパターン31(図6(a))を作製し
た(図6(b))。その後、カンチレバー支持部32に
支持体としてガラス板33を陽極接合した(図6
(c))。その後、前記シリコン基板を水酸化カリウム
によりエッチングし、前記カンチレバーの背面に金をコ
ーティングし、レーザー反射面34を形成した(図6
(d))。その後、前記カンチレバー自由端付近に真空
中でイオン照射を行った。照射条件は、真空度6×10
-6Torrまで真空引きを行った後、アルゴンガスを1
×10-4Torrまで導入し、加速電圧550V、イオ
ン電流密度45mA/cm2でアルゴンイオンを照射し
た。前記条件で5分間照射を行った結果、カンチレバー
自由端側に照射前のカンチレバー主面に対し約20°の
傾斜面35が形成された(図6(e))。その後、前記
傾斜面35上に、金属針を用いてエポキシ樹脂の接着剤
36を塗布した後、前記接着剤36上に、金属針を用い
て1つの酸化亜鉛の針状結晶の長さが10μmのテトラ
ポッド形状の構造体37を置き、接着した(図6
(f))。
の製造方法を図6に示す。シリコン基板29上にCVD
法により厚さ0.6μmの窒化珪素薄膜30を形成後、
フォトリソグラフィーにより長さ100μm、幅20μ
mのカンチレバーパターン31(図6(a))を作製し
た(図6(b))。その後、カンチレバー支持部32に
支持体としてガラス板33を陽極接合した(図6
(c))。その後、前記シリコン基板を水酸化カリウム
によりエッチングし、前記カンチレバーの背面に金をコ
ーティングし、レーザー反射面34を形成した(図6
(d))。その後、前記カンチレバー自由端付近に真空
中でイオン照射を行った。照射条件は、真空度6×10
-6Torrまで真空引きを行った後、アルゴンガスを1
×10-4Torrまで導入し、加速電圧550V、イオ
ン電流密度45mA/cm2でアルゴンイオンを照射し
た。前記条件で5分間照射を行った結果、カンチレバー
自由端側に照射前のカンチレバー主面に対し約20°の
傾斜面35が形成された(図6(e))。その後、前記
傾斜面35上に、金属針を用いてエポキシ樹脂の接着剤
36を塗布した後、前記接着剤36上に、金属針を用い
て1つの酸化亜鉛の針状結晶の長さが10μmのテトラ
ポッド形状の構造体37を置き、接着した(図6
(f))。
【0026】本実施例の探針付カンチレバーをAFMに
組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する試料
の観察を行った結果、実施例1のカンチレバーと同様の
効果が得られた。
組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する試料
の観察を行った結果、実施例1のカンチレバーと同様の
効果が得られた。
【0027】なお、本発明では、カンチレバーの主面に
対し傾斜角20°の傾斜面を作製したが、イオン照射条
件を変えることで、それぞれのAFMに対応した傾斜面
を有するカンチレバーの作製が可能である。
対し傾斜角20°の傾斜面を作製したが、イオン照射条
件を変えることで、それぞれのAFMに対応した傾斜面
を有するカンチレバーの作製が可能である。
【0028】(実施例3)本発明の第3実施例のAFM
用探針付カンチレバーの製造方法を図7に示す。シリコ
ン(100)単結晶基板38上に熱酸化法により厚さ
0.8μmの二酸化珪素薄膜39を形成後、フォトリソ
グラフィーにより主軸が<110>方向に向いた長さ1
00μm、幅20μmのカンチレバーパターン40(図
7(a))を作製した(図7(b))。その後、前記シ
リコン単結晶基板に(111)結晶面でエッチングが止
まる異方性エッチングを行い、前記カンチレバー下部の
シリコン基板を取り除いた(図7(c))。その後、前
記カンチレバー背面に金薄膜41を真空蒸着により0.
1μmコーティングした。この金の蒸着過程では、応力
が発生し、カンチレバーにたわみが生じる。この結果、
カンチレバーには、金蒸着前のカンチレバーの主面に対
し、約15°の傾斜面42が形成された(図7
(d))。その後、前記傾斜面42上に、金属針を用い
てエポキシ樹脂の接着剤43を塗布した後、前記接着剤
43上に、金属針を用いて1つの酸化亜鉛の針状結晶の
長さが10μmのテトラポッド形状の構造体44を置
き、接着した(図7(e))。
用探針付カンチレバーの製造方法を図7に示す。シリコ
ン(100)単結晶基板38上に熱酸化法により厚さ
0.8μmの二酸化珪素薄膜39を形成後、フォトリソ
グラフィーにより主軸が<110>方向に向いた長さ1
00μm、幅20μmのカンチレバーパターン40(図
7(a))を作製した(図7(b))。その後、前記シ
リコン単結晶基板に(111)結晶面でエッチングが止
まる異方性エッチングを行い、前記カンチレバー下部の
シリコン基板を取り除いた(図7(c))。その後、前
記カンチレバー背面に金薄膜41を真空蒸着により0.
1μmコーティングした。この金の蒸着過程では、応力
が発生し、カンチレバーにたわみが生じる。この結果、
カンチレバーには、金蒸着前のカンチレバーの主面に対
し、約15°の傾斜面42が形成された(図7
(d))。その後、前記傾斜面42上に、金属針を用い
てエポキシ樹脂の接着剤43を塗布した後、前記接着剤
43上に、金属針を用いて1つの酸化亜鉛の針状結晶の
長さが10μmのテトラポッド形状の構造体44を置
き、接着した(図7(e))。
【0029】本実施例の探針付カンチレバーを観察試料
に対してカンチレバー軸を15°に傾けて設置するAF
Mに組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する
試料の観察を行った結果、実施例1のカンチレバーと同
様の効果が得られた。
に対してカンチレバー軸を15°に傾けて設置するAF
Mに組み込み、深さ1μm、幅1μmの溝形状を有する
試料の観察を行った結果、実施例1のカンチレバーと同
様の効果が得られた。
【0030】なお、本発明では、カンチレバーの主面に
対し傾斜角15°の傾斜面を作製したが、金薄膜の蒸着
条件を変えることで、それぞれのAFMに対応した傾斜
面を有するカンチレバーの作製が可能である。
対し傾斜角15°の傾斜面を作製したが、金薄膜の蒸着
条件を変えることで、それぞれのAFMに対応した傾斜
面を有するカンチレバーの作製が可能である。
【0031】また、これらの実施例におけるテトラポッ
ド形状の構造体を作製すること自体は、たとえば亜鉛微
粒子表面を水中で酸化後、酸素雰囲気中で加熱する方法
[ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース102(1990
年)第965頁から第973頁(J. Crystal Growth 102, 965-9
73, 1990)]などが知られているが、本発明方法はこの
ような公知の技術を広く応用することもできる。
ド形状の構造体を作製すること自体は、たとえば亜鉛微
粒子表面を水中で酸化後、酸素雰囲気中で加熱する方法
[ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース102(1990
年)第965頁から第973頁(J. Crystal Growth 102, 965-9
73, 1990)]などが知られているが、本発明方法はこの
ような公知の技術を広く応用することもできる。
【0032】さらに、テトラポッド形状の3次元構造体
としては、針状結晶が酸化亜鉛を主成分とするものだけ
ではなく、セレン化亜鉛を主成分とするものを用いても
同様の効果が得られる。
としては、針状結晶が酸化亜鉛を主成分とするものだけ
ではなく、セレン化亜鉛を主成分とするものを用いても
同様の効果が得られる。
【0033】さらに、本発明では、カンチレバーは長方
形であるが、フォトリソグラフィーによりV型など任意
の形状のカンチレバーが作製可能である。
形であるが、フォトリソグラフィーによりV型など任意
の形状のカンチレバーが作製可能である。
【0034】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、カンチレバーの自由端近傍に傾斜面を有し、
前記傾斜面上にテトラポッド形状の構造体を設けた原子
間力顕微鏡用探針付カンチレバーであるため、高アスペ
クト比で先端曲率が非常に小さく、しかも試料表面に垂
直方向に向いた探針を有するカンチレバーが得られ、前
記探針付カンチレバーを用いることでグレーティング等
の深い溝形状を有する試料を精度よく測定することがで
きる効果がある。
本発明は、カンチレバーの自由端近傍に傾斜面を有し、
前記傾斜面上にテトラポッド形状の構造体を設けた原子
間力顕微鏡用探針付カンチレバーであるため、高アスペ
クト比で先端曲率が非常に小さく、しかも試料表面に垂
直方向に向いた探針を有するカンチレバーが得られ、前
記探針付カンチレバーを用いることでグレーティング等
の深い溝形状を有する試料を精度よく測定することがで
きる効果がある。
【図1】本発明の一実施例の原子間力顕微鏡用探針付カ
ンチレバーの概略図
ンチレバーの概略図
【図2】本発明の一実施例の原子間力顕微鏡用探針付カ
ンチレバーの製造工程図で (a)は二酸化珪素薄膜を有するシリコン単結晶基板上
に窓を作製する工程図 (b)は窓部に異方性エッチングを施し二酸化珪素薄膜
を除去した工程図 (c)は窒化珪素のカンチレバー支持部の一構成を説明
する上面図 (d)は窒化珪素薄膜層を形成した断面図 (e)はカンチレバー支持部に支持体を接合した断面図 (f)はシリコン単結晶基板をエッチング除去しレーザ
ー反射面を形成したカンチレバー支持部の断面図 (g)は本発明の一実施例の原子間力顕微鏡用探針付カ
ンチレバーの断面図
ンチレバーの製造工程図で (a)は二酸化珪素薄膜を有するシリコン単結晶基板上
に窓を作製する工程図 (b)は窓部に異方性エッチングを施し二酸化珪素薄膜
を除去した工程図 (c)は窒化珪素のカンチレバー支持部の一構成を説明
する上面図 (d)は窒化珪素薄膜層を形成した断面図 (e)はカンチレバー支持部に支持体を接合した断面図 (f)はシリコン単結晶基板をエッチング除去しレーザ
ー反射面を形成したカンチレバー支持部の断面図 (g)は本発明の一実施例の原子間力顕微鏡用探針付カ
ンチレバーの断面図
【図3】従来のカンチレバーで得られたAFM像の説明
図
図
【図4】本発明の一実施例のカンチレバーで得られたA
FM像の説明図
FM像の説明図
【図5】本発明の他の実施例の原子間力顕微鏡用探針付
カンチレバーの概略図
カンチレバーの概略図
【図6】本発明の他の原子間力顕微鏡用探針付カンチレ
バーの製造工程図で (a)はカンチレバー支持部の別の実施例の上面図 (b)はカンチでバー支持部をシリコン基板上に設けた
断面図 (c)はカンチレバー支持部に支持体を接合する工程図 (d)はカンチレバー支持部背面にレーザー反射面を形
成した工程図 (e)はたわみを持たせたカンチレバー支持部の断面図 (f)は本発明の他の実施例の原子間力顕微鏡用探針付
カンチレバーの断面図
バーの製造工程図で (a)はカンチレバー支持部の別の実施例の上面図 (b)はカンチでバー支持部をシリコン基板上に設けた
断面図 (c)はカンチレバー支持部に支持体を接合する工程図 (d)はカンチレバー支持部背面にレーザー反射面を形
成した工程図 (e)はたわみを持たせたカンチレバー支持部の断面図 (f)は本発明の他の実施例の原子間力顕微鏡用探針付
カンチレバーの断面図
【図7】本発明の別の実施例の原子間力顕微鏡用探針付
カンチレバーの製造工程図で (a)はカンチレバー支持部の別の実施例の上面図 (b)はカンチレバー支持部をシリコン基板上に設けた
断面図 (c)はシリコン基板を除去したカンチレバー支持部の
断面図 (d)はカンチレバー支持部に金属薄膜を設けた断面図 (e)は本発明の原子間力顕微鏡用探針付カンチレバー
の別の実施例の断面図
カンチレバーの製造工程図で (a)はカンチレバー支持部の別の実施例の上面図 (b)はカンチレバー支持部をシリコン基板上に設けた
断面図 (c)はシリコン基板を除去したカンチレバー支持部の
断面図 (d)はカンチレバー支持部に金属薄膜を設けた断面図 (e)は本発明の原子間力顕微鏡用探針付カンチレバー
の別の実施例の断面図
【図8】従来の原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーの
概略図
概略図
1 カンチレバー 2 (111)面からなる構造体 3、9、12、26、35、42 傾斜面 4、18、27、37、44 テトラポッド形状の構造
体 5、19、20 探針 6、38 シリコン単結晶基板 7、39 二酸化珪素薄膜 8 窓 10、30 窒化珪素薄膜 11 カンチレバー自由端部分 13、25、46 カンチレバー 14、32 カンチレバー支持部 15、33 ガラス板 16、34 レーザー反射面 17、36、43 接着剤 19 針状結晶 21 試料 22、24 AFM像 29 シリコン基板 31、40 カンチレバーパターン 41 金薄膜
体 5、19、20 探針 6、38 シリコン単結晶基板 7、39 二酸化珪素薄膜 8 窓 10、30 窒化珪素薄膜 11 カンチレバー自由端部分 13、25、46 カンチレバー 14、32 カンチレバー支持部 15、33 ガラス板 16、34 レーザー反射面 17、36、43 接着剤 19 針状結晶 21 試料 22、24 AFM像 29 シリコン基板 31、40 カンチレバーパターン 41 金薄膜
Claims (7)
- 【請求項1】カンチレバーの自由端近傍に傾斜面を有
し、前記傾斜面上にテトラポッド形状の構造体を設けた
ことを特徴とする原子間力顕微鏡用探針付カンチレバ
ー。 - 【請求項2】テトラポッド形状の構造体が、正四面体の
体心から4頂点方向に針状結晶が延びた構造体であるこ
とを特徴とする、請求項1記載の原子間力顕微鏡用探針
付カンチレバー。 - 【請求項3】テトラポッド形状の構造体が、酸化亜鉛ま
たはセレン化亜鉛の何れかを主成分とすることを特徴と
する、請求項1または2何れかに記載の原子間力顕微鏡
用探針付カンチレバー。 - 【請求項4】カンチレバー自由端近傍の傾斜面の傾斜角
に等しい角度だけ(111)結晶面から傾斜したシリコ
ン単結晶基板に、(111)結晶面が現れる異方性エッ
チングを施し、前記傾斜面を有するエッチピットを形成
する工程、前記エッチピットが形成された基板上に薄層
を形成する工程、前記薄層からカンチレバーの軸方向が
(111)面の傾斜方向に向き、前記カンチレバーの自
由端近傍に前記傾斜面が位置するようにカンチレバーパ
ターンをエッチングにより形成する工程、前記シリコン
単結晶基板をエッチングする工程、前記傾斜面上に正四
面体の体心から4頂点方向に針状結晶が延びたテトラポ
ッド形状の構造体を設置する工程を含むことを特徴とす
る原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーの製造方法。 - 【請求項5】シリコン基板上に薄層を形成する工程、前
記薄層からエッチングによりカンチレバーパターンを形
成する工程、少なくとも前記カンチレバー下部の前記シ
リコン基板を選択的にエッチングする工程、前記カンチ
レバーにイオン照射し、前記カンチレバー自由端近傍に
たわみによる傾斜面を形成する工程、前記傾斜面上に正
四面体の体心から4頂点方向に針状結晶が延びたテトラ
ポッド形状の構造体を設ける工程を含むことを特徴とす
る原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーの製造方法。 - 【請求項6】シリコン基板上に誘電体層を形成する工
程、前記誘電体層からエッチングによりカンチレバーパ
ターンを形成する工程、少なくとも前記カンチレバー下
部の前記シリコン基板を選択的にエッチングする工程、
前記カンチレバー上に金属薄膜を形成し、前記カンチレ
バー自由端近傍にたわみによる傾斜面を形成する工程、
前記傾斜面上に正四面体の体心から4頂点方向に針状結
晶が延びたテトラポッド形状の構造体を設ける工程を含
むことを特徴とする原子間力顕微鏡用探針付カンチレバ
ーの製造方法。 - 【請求項7】針状結晶が、酸化亜鉛またはセレン化亜鉛
の何れかを主成分とすることを特徴とする、請求項4〜
6の何れかに記載の原子間力顕微鏡用探針付カンチレバ
ーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4271278A JPH06123621A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4271278A JPH06123621A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06123621A true JPH06123621A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17497850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4271278A Pending JPH06123621A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06123621A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046674A1 (fr) * | 1999-12-20 | 2001-06-28 | Japan Science And Technology Corporation | Appareil pour l'evaluation de caracteristiques electriques |
| WO2002042742A1 (fr) * | 2000-11-26 | 2002-05-30 | Daiken Chemical Co., Ltd | Element en porte-a-faux pour microscope a balayage vertical et sonde pour microscope a balayage vertical dote d'un tel element |
| JP2009058534A (ja) * | 1999-12-20 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 近視野光プローブとその製造方法、およびその近視野光プローブを用いた近視野光装置 |
| CN101026023B (zh) | 2007-03-02 | 2011-02-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种在原子力显微镜针尖上组装氧化锌纳米线的工艺 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP4271278A patent/JPH06123621A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046674A1 (fr) * | 1999-12-20 | 2001-06-28 | Japan Science And Technology Corporation | Appareil pour l'evaluation de caracteristiques electriques |
| JP2001174491A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Japan Science & Technology Corp | 電気特性評価装置 |
| US6833719B2 (en) | 1999-12-20 | 2004-12-21 | Japan Science And Technology Corporation | Apparatus for evaluating electrical characteristics |
| KR100748046B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2007-08-09 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 전기특성 평가장치 |
| JP2009058534A (ja) * | 1999-12-20 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 近視野光プローブとその製造方法、およびその近視野光プローブを用いた近視野光装置 |
| WO2002042742A1 (fr) * | 2000-11-26 | 2002-05-30 | Daiken Chemical Co., Ltd | Element en porte-a-faux pour microscope a balayage vertical et sonde pour microscope a balayage vertical dote d'un tel element |
| US6705154B2 (en) | 2000-11-26 | 2004-03-16 | Yoshikazu Nakayama | Cantilever for vertical scanning microscope and probe for vertical scan microscope |
| CN101026023B (zh) | 2007-03-02 | 2011-02-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种在原子力显微镜针尖上组装氧化锌纳米线的工艺 |
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