JPH06123924A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
- Publication number
- JPH06123924A JPH06123924A JP27215192A JP27215192A JPH06123924A JP H06123924 A JPH06123924 A JP H06123924A JP 27215192 A JP27215192 A JP 27215192A JP 27215192 A JP27215192 A JP 27215192A JP H06123924 A JPH06123924 A JP H06123924A
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- Japan
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- substrate
- mounting surface
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- pores
- supplying
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板ホルダの載置面から基板を除去する際
に、基板が帯電するのを防止する。 【構成】 基板ホルダ１の載置面３上に開口５ａを包囲
するように堤状部材３ａを設け、基板と堤状部材とで密
閉空間４を形成する。ホルダに吸着してある基板の吸着
を正圧気体で解除する際に、密閉空間に対して高湿度の
気体を供給する湿度制御部１０を正圧制御装置８に設け
る。さらに、基板が載置面上から分離して搬送装置に受
け渡されるまでの間、基板に対してイオン化した気体を
供給するイオン化気体発生装置１１を設ける。
に、基板が帯電するのを防止する。 【構成】 基板ホルダ１の載置面３上に開口５ａを包囲
するように堤状部材３ａを設け、基板と堤状部材とで密
閉空間４を形成する。ホルダに吸着してある基板の吸着
を正圧気体で解除する際に、密閉空間に対して高湿度の
気体を供給する湿度制御部１０を正圧制御装置８に設け
る。さらに、基板が載置面上から分離して搬送装置に受
け渡されるまでの間、基板に対してイオン化した気体を
供給するイオン化気体発生装置１１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶表示
素子等の製造用の露光装置に備えられた、基板を載置し
て吸着固定するホルダ装置に関するものである。
素子等の製造用の露光装置に備えられた、基板を載置し
て吸着固定するホルダ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の装置は、図３に示すよう
な構成であった。即ち、ホルダ基盤１は、基板を載置す
る載置面３と、載置面３上に開口５ａを有する貫通気孔
５を備えている。この貫通気孔５は、正圧気体を供給す
る正圧制御部８と負圧気体を供給する負圧制御部９とに
接続されており、載置面３上に基板２を載置し、負圧制
御部９によって貫通気孔５に負圧気体を供給する（貫通
気孔５を真空に引く）ことによって基板２を載置面３上
に吸着固定する。また基板２に対する露光等の処理が終
了した後は、正圧制御部８によって貫通気孔５に正圧気
体を供給して（例えば大気圧の気体を供給する）吸着固
定を解除し、昇降腕６を上昇して載置面３から基板２を
分離する。その後、基板２は不図示の搬送装置によって
搬送される。
な構成であった。即ち、ホルダ基盤１は、基板を載置す
る載置面３と、載置面３上に開口５ａを有する貫通気孔
５を備えている。この貫通気孔５は、正圧気体を供給す
る正圧制御部８と負圧気体を供給する負圧制御部９とに
接続されており、載置面３上に基板２を載置し、負圧制
御部９によって貫通気孔５に負圧気体を供給する（貫通
気孔５を真空に引く）ことによって基板２を載置面３上
に吸着固定する。また基板２に対する露光等の処理が終
了した後は、正圧制御部８によって貫通気孔５に正圧気
体を供給して（例えば大気圧の気体を供給する）吸着固
定を解除し、昇降腕６を上昇して載置面３から基板２を
分離する。その後、基板２は不図示の搬送装置によって
搬送される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、基板がガラス等の絶縁物の場合、基板を載
置面から分離する際に静電気が発生し、基板が帯電する
ことがあった。被露光物が帯電すると、静電気的な力が
作用して粉塵等の異物が基板に吸着し、製品の欠陥とな
る問題があった。また、静電気帯電量によっては放電を
起こし、基板に塗布されたレジストに穴を開けるなどの
問題があった。
においては、基板がガラス等の絶縁物の場合、基板を載
置面から分離する際に静電気が発生し、基板が帯電する
ことがあった。被露光物が帯電すると、静電気的な力が
作用して粉塵等の異物が基板に吸着し、製品の欠陥とな
る問題があった。また、静電気帯電量によっては放電を
起こし、基板に塗布されたレジストに穴を開けるなどの
問題があった。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みて成されたも
のであり、ホルダの載置面から基板を分離する際に発生
する静電気が基板に帯電するのを低減することを目的と
する。
のであり、ホルダの載置面から基板を分離する際に発生
する静電気が基板に帯電するのを低減することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的のため本発明で
は、基板（２）を載置する載置面（３）と、載置面に開
口（５ａ）を持つ複数の貫通気孔（５）とを有し、気孔
（５）に負圧気体を供給することによって基板を載置面
に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供給することによ
って吸着固定を解除する基板ホルダにおいて、載置面上
に開口（５ａ）の少なくとも１つを包囲するように形成
され、基板と微小面積で接触するとともに、基板との間
で密閉空間（４）を形成する複数の堤状部材（３ａ）
と；正圧気体として、密閉空間に対して高湿度の気体を
供給する高湿度気体供給手段（１０）と；基板の吸着を
解除した後に、基板に対してイオン化した気体を供給す
るイオン化気体供給手段（１１）とを備えたこととし
た。
は、基板（２）を載置する載置面（３）と、載置面に開
口（５ａ）を持つ複数の貫通気孔（５）とを有し、気孔
（５）に負圧気体を供給することによって基板を載置面
に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供給することによ
って吸着固定を解除する基板ホルダにおいて、載置面上
に開口（５ａ）の少なくとも１つを包囲するように形成
され、基板と微小面積で接触するとともに、基板との間
で密閉空間（４）を形成する複数の堤状部材（３ａ）
と；正圧気体として、密閉空間に対して高湿度の気体を
供給する高湿度気体供給手段（１０）と；基板の吸着を
解除した後に、基板に対してイオン化した気体を供給す
るイオン化気体供給手段（１１）とを備えたこととし
た。
【０００６】また、基板（２）を載置する載置面（３）
と、載置面に開口（５ａ）を持つ複数の貫通気孔（５）
とを有し、気孔（５）に負圧気体を供給することによっ
て基板を載置面に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供
給することによって吸着固定を解除する基板ホルダにお
いて、載置面上に開口（５ａ）の少なくとも１つを包囲
するように形成され、基板と微小面積で接触するととも
に、基板との間で密閉空間（４）を形成する複数の堤状
部材（３ａ）と；正圧気体として、密閉空間に対して高
湿度の気体を供給する高湿度気体供給手段（１０）とを
備えたこととした。
と、載置面に開口（５ａ）を持つ複数の貫通気孔（５）
とを有し、気孔（５）に負圧気体を供給することによっ
て基板を載置面に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供
給することによって吸着固定を解除する基板ホルダにお
いて、載置面上に開口（５ａ）の少なくとも１つを包囲
するように形成され、基板と微小面積で接触するととも
に、基板との間で密閉空間（４）を形成する複数の堤状
部材（３ａ）と；正圧気体として、密閉空間に対して高
湿度の気体を供給する高湿度気体供給手段（１０）とを
備えたこととした。
【０００７】さらに、基板（２）を載置する載置面
（３）と、載置面に開口した複数の貫通気孔（５）とを
有し、気孔（５）に負圧気体を供給することによって基
板を載置面に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供給す
ることによって吸着固定を解除する基板ホルダにおい
て、正圧気体として高湿度の気体を供給する高湿度気体
供給手段（１０）と；基板の吸着を解除した後に、基板
に対してイオン化した気体を供給するイオン化気体供給
手段（１１）とを備えたこととした。
（３）と、載置面に開口した複数の貫通気孔（５）とを
有し、気孔（５）に負圧気体を供給することによって基
板を載置面に吸着固定し、また気孔に正圧気体を供給す
ることによって吸着固定を解除する基板ホルダにおい
て、正圧気体として高湿度の気体を供給する高湿度気体
供給手段（１０）と；基板の吸着を解除した後に、基板
に対してイオン化した気体を供給するイオン化気体供給
手段（１１）とを備えたこととした。
【０００８】
【作用】本発明では、基板と載置面との接触面積を小さ
くしたため、静電気の発生量を抑えることができる。ま
た、基板の吸着を解除する際に正圧気体として高湿度の
気体を供給するため、基板の環境が高湿度となり、静電
気の発生量と基板の帯電量を抑えることができる。さら
に、吸着を解除した基板に対してイオン化された空気を
供給するため、帯電した静電気が中和される。
くしたため、静電気の発生量を抑えることができる。ま
た、基板の吸着を解除する際に正圧気体として高湿度の
気体を供給するため、基板の環境が高湿度となり、静電
気の発生量と基板の帯電量を抑えることができる。さら
に、吸着を解除した基板に対してイオン化された空気を
供給するため、帯電した静電気が中和される。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例による基板ホ
ルダの概略的な構成を示す図である。（ａ）は平面図、
（ｂ）は側断面図である。ホルダ基盤１は、ホルダ表面
に開口５ａを有する貫通気孔５を備えている。また、ホ
ルダ表面には開口５ａを包囲するように堤状部材３ａが
設けられており、この堤状部材３ａ上に基板を載置した
場合に基板２と堤状部材３ａとで密閉空間４を形成す
る。尚、この密閉空間４の幅（堤状部材３ａ同士の間
隔）及び容積は、基板の保持力を損なうことなく基板と
の接触面積を小さくし、且つ基板２の平面度に影響を与
えないような幅及び容積となっている。また、この密閉
空間４は貫通気孔５を介して正圧制御部８及び負圧制御
部９と接続されているが、正圧制御部８にはさらに湿度
制御装置１０が設けられている。堤状部材３ａ上に基板
２を載置して吸着固定する際は、負圧制御部９によって
密閉空間４を真空に引けばよく、また基板２の吸着固定
を解除する際は、正圧制御部８からの気体を湿度制御装
置１０によって高湿度（およそ５０〜６０％）の気体と
して密閉空間４に対して供給する。
ルダの概略的な構成を示す図である。（ａ）は平面図、
（ｂ）は側断面図である。ホルダ基盤１は、ホルダ表面
に開口５ａを有する貫通気孔５を備えている。また、ホ
ルダ表面には開口５ａを包囲するように堤状部材３ａが
設けられており、この堤状部材３ａ上に基板を載置した
場合に基板２と堤状部材３ａとで密閉空間４を形成す
る。尚、この密閉空間４の幅（堤状部材３ａ同士の間
隔）及び容積は、基板の保持力を損なうことなく基板と
の接触面積を小さくし、且つ基板２の平面度に影響を与
えないような幅及び容積となっている。また、この密閉
空間４は貫通気孔５を介して正圧制御部８及び負圧制御
部９と接続されているが、正圧制御部８にはさらに湿度
制御装置１０が設けられている。堤状部材３ａ上に基板
２を載置して吸着固定する際は、負圧制御部９によって
密閉空間４を真空に引けばよく、また基板２の吸着固定
を解除する際は、正圧制御部８からの気体を湿度制御装
置１０によって高湿度（およそ５０〜６０％）の気体と
して密閉空間４に対して供給する。
【００１０】図２は、本発明の第２の実施例による基板
ホルダの概略的な構成を示す図である。（ａ）は平面
図、（ｂ）は側断面図である。ホルダ基板１の構成は、
図１に示す第１の実施例と同様であるが、正圧制御部８
は湿度制御部１０の他にさらにイオン化空気発生装置１
１を備えている。この場合、基板２の真空吸着を解除し
た後、昇降腕６によって基板２を堤状部材３ａから分離
して不図示の搬送装置に受け渡すまでの間は、イオン化
空気発生装置１１によってイオン化された気体を供給す
る。これによって、仮に基板２が帯電してしまったとし
ても、基板の帯電量を減少することができる。また、高
湿度の気体とイオン化された気体とを別々に供給する必
要はなく、基板２の真空吸着を解除する際に供給する気
体を高湿度のイオン化された気体としても構わない。
尚、基板が正負のいずれに帯電しているかによって供給
する気体を正負いずれにイオン化させるか変わってくる
が、これは、基板の帯電状態を検出するセンサ等を設け
ることで解決できる。
ホルダの概略的な構成を示す図である。（ａ）は平面
図、（ｂ）は側断面図である。ホルダ基板１の構成は、
図１に示す第１の実施例と同様であるが、正圧制御部８
は湿度制御部１０の他にさらにイオン化空気発生装置１
１を備えている。この場合、基板２の真空吸着を解除し
た後、昇降腕６によって基板２を堤状部材３ａから分離
して不図示の搬送装置に受け渡すまでの間は、イオン化
空気発生装置１１によってイオン化された気体を供給す
る。これによって、仮に基板２が帯電してしまったとし
ても、基板の帯電量を減少することができる。また、高
湿度の気体とイオン化された気体とを別々に供給する必
要はなく、基板２の真空吸着を解除する際に供給する気
体を高湿度のイオン化された気体としても構わない。
尚、基板が正負のいずれに帯電しているかによって供給
する気体を正負いずれにイオン化させるか変わってくる
が、これは、基板の帯電状態を検出するセンサ等を設け
ることで解決できる。
【００１１】上記の各実施例は、図３に示す従来の基板
ホルダにおけるホルダ基盤（即ち、堤状部材のないホル
ダ基盤）にも適用することが可能である。尚、この場
合、基板とホルダ基盤との接触面積が大きくなるため基
板をホルダ基盤から分離する際に帯電する可能性が大き
くなる。よって、正圧制御部８は湿度制御部とイオン化
空気発生装置の両方を備えることが望ましい。
ホルダにおけるホルダ基盤（即ち、堤状部材のないホル
ダ基盤）にも適用することが可能である。尚、この場
合、基板とホルダ基盤との接触面積が大きくなるため基
板をホルダ基盤から分離する際に帯電する可能性が大き
くなる。よって、正圧制御部８は湿度制御部とイオン化
空気発生装置の両方を備えることが望ましい。
【００１２】また、上記の実施例では、イオン化した気
体を供給することとしたが、これに代えてアルゴン＝メ
タンガスのような電離作用を有するガスを供給するよう
にしても同様の効果が得られる。さらに、イオン化した
気体又は電離作用を有するガスは、気孔５を介して供給
する必要はなく、別系統の吹き出し口を設けて直接基板
に対して供給しても構わない。
体を供給することとしたが、これに代えてアルゴン＝メ
タンガスのような電離作用を有するガスを供給するよう
にしても同様の効果が得られる。さらに、イオン化した
気体又は電離作用を有するガスは、気孔５を介して供給
する必要はなく、別系統の吹き出し口を設けて直接基板
に対して供給しても構わない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明では、基板の帯電量
を抑えることが可能となる他、万一基板が帯電した場合
でもこれを中和することができ、静電気によって基板に
悪影響を及ぼすことがなくなる。
を抑えることが可能となる他、万一基板が帯電した場合
でもこれを中和することができ、静電気によって基板に
悪影響を及ぼすことがなくなる。
【図１】本発明の第１の実施例による基板ホルダの概略
的な構成を示す図
的な構成を示す図
【図２】本発明の第２の実施例による基板ホルダの概略
的な構成を示す図
的な構成を示す図
【図３】従来の技術による基板ホルダの概略的な構成を
示す図
示す図
１ ホルダ基盤 ３ａ 堤状部材 ４ 密閉空間 １０ 湿度制御部 １１ イオン化空気発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｐ 8418−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を載置する載置面と、該載置面に開
口を持つ複数の貫通気孔とを有し、該気孔に負圧気体を
供給することによって前記基板を前記載置面に吸着固定
し、また前記気孔に正圧気体を供給することによって前
記吸着固定を解除する基板ホルダにおいて、 前記載置面上に前記開口の少なくとも１つを包囲するよ
うに形成され、前記基板と微小面積で接触するととも
に、前記基板との間で密閉空間を形成する複数の堤状部
材と；前記正圧気体として、前記密閉空間に対して高湿
度の気体を供給する高湿度気体供給手段と；前記基板の
吸着を解除した後に、前記基板に対してイオン化した気
体を供給するイオン化気体供給手段とを備えたことを特
徴とする基板ホルダ。 - 【請求項２】 基板を載置する載置面と、該載置面に開
口を持つ複数の貫通気孔とを有し、該気孔に負圧気体を
供給することによって前記基板を前記載置面に吸着固定
し、また前記気孔に正圧気体を供給することによって前
記吸着固定を解除する基板ホルダにおいて、 前記載置面上に前記開口の少なくとも１つを包囲するよ
うに形成され、前記基板と微小面積で接触するととも
に、前記基板との間で密閉空間を形成する複数の堤状部
材と；前記正圧気体として、前記密閉空間に対して高湿
度の気体を供給する高湿度気体供給手段とを備えたこと
を特徴とする基板ホルダ。 - 【請求項３】 基板を載置する載置面と、該載置面に開
口した複数の貫通気孔とを有し、該気孔に負圧気体を供
給することによって前記基板を前記載置面に吸着固定
し、また前記気孔に正圧気体を供給することによって前
記吸着固定を解除する基板ホルダにおいて、 前記正圧気体として高湿度の気体を供給する高湿度気体
供給手段と；前記基板の吸着を解除した後に、前記基板
に対してイオン化した気体を供給するイオン化気体供給
手段とを備えたことを特徴とする基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27215192A JPH06123924A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27215192A JPH06123924A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06123924A true JPH06123924A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17509802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27215192A Pending JPH06123924A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06123924A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0950248A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 表示パネルの吸着テーブル |
| GB2383468A (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-25 | Nec Corp | Wafer holder protecting wafer against electrostatic breakdown |
| JP2005017876A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Nsk Ltd | ワークチャック及びその制御方法 |
| WO2006090580A1 (ja) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Fujifilm Corporation | シート体位置決め保持方法及び機構並びにそれを用いた描画装置 |
| JP2006319093A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| JP2007148414A (ja) * | 2006-12-14 | 2007-06-14 | Nsk Ltd | ワークチャック及びその制御方法 |
| JP2007148462A (ja) * | 2007-03-19 | 2007-06-14 | Nsk Ltd | ワークチャック及びその制御方法 |
| JP2007184572A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 基板を処理する機器及びそのベース |
| JP2007219537A (ja) * | 2007-03-19 | 2007-08-30 | Nsk Ltd | ワークチャック及びその制御方法 |
| JP2007258443A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置と基板吸着方法 |
| JP2010110858A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび切削装置 |
| KR101337988B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2013-12-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 이를 이용한 기판 처리방법 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP27215192A patent/JPH06123924A/ja active Pending
Cited By (13)
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