JPH0612654B2 - 陰極線管の内蔵抵抗器 - Google Patents
陰極線管の内蔵抵抗器Info
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- JPH0612654B2 JPH0612654B2 JP60091905A JP9190585A JPH0612654B2 JP H0612654 B2 JPH0612654 B2 JP H0612654B2 JP 60091905 A JP60091905 A JP 60091905A JP 9190585 A JP9190585 A JP 9190585A JP H0612654 B2 JPH0612654 B2 JP H0612654B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。
A産業上の利用分野 B発明の概要 C従来の技術 D発明が解決しようとする問題点 E問題点を解決するための手段 F作用 G実施例 G−1構成(第1図,第2図) G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) H発明の効果 A産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子銃構体と
共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。
共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。
B発明の概要 本発明は、陰極線管の管体内に、電子銃構体と共に組込
まれ、陰極線管の陽極電圧を分圧して得られる電圧を電
子銃構体に供給する、陰極線管の内蔵抵抗器において、
絶縁基板上における低圧側とされる第1の端子と高圧側
とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
し、絶縁被膜で覆われる抵抗体層を配し、この抵抗体層
を、第1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当た
りの抵抗値が、絶縁被膜の表面と抵抗体層との間の電位
差が大とされる絶縁基板上の高電位差部位と第1の端子
との間の第1のパターン部より、高電位差部位と第2の
端子との間の第2のパターン部の方が小となり、さら
に、第1のパターン部における第1の端子とそこからの
ジグザグ状のパターンの半ピッチ目との間の半ピッチ間
隔及び半ピッチ目と1ピッチ目との間の半ピッチ間隔
が、第1のパターン部における1ピッチ目以降の各半ピ
ッチ間隔より大となるものとすることにより、陰極線管
に組み込まれ、当該陰極線管のノッキング処理に際して
の高電圧が印加される状況下におかれる場合に、高電位
差部位、さらに第1の端子の近傍においても絶縁被膜の
絶縁劣化もしくは破壊の発生を回避でき、その結果、陰
極線管のノッキング処理前後での抵抗体層の抵抗値の変
化を最小限に抑えることができるようにしたものであ
る。
まれ、陰極線管の陽極電圧を分圧して得られる電圧を電
子銃構体に供給する、陰極線管の内蔵抵抗器において、
絶縁基板上における低圧側とされる第1の端子と高圧側
とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
し、絶縁被膜で覆われる抵抗体層を配し、この抵抗体層
を、第1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当た
りの抵抗値が、絶縁被膜の表面と抵抗体層との間の電位
差が大とされる絶縁基板上の高電位差部位と第1の端子
との間の第1のパターン部より、高電位差部位と第2の
端子との間の第2のパターン部の方が小となり、さら
に、第1のパターン部における第1の端子とそこからの
ジグザグ状のパターンの半ピッチ目との間の半ピッチ間
隔及び半ピッチ目と1ピッチ目との間の半ピッチ間隔
が、第1のパターン部における1ピッチ目以降の各半ピ
ッチ間隔より大となるものとすることにより、陰極線管
に組み込まれ、当該陰極線管のノッキング処理に際して
の高電圧が印加される状況下におかれる場合に、高電位
差部位、さらに第1の端子の近傍においても絶縁被膜の
絶縁劣化もしくは破壊の発生を回避でき、その結果、陰
極線管のノッキング処理前後での抵抗体層の抵抗値の変
化を最小限に抑えることができるようにしたものであ
る。
C従来の技術 従来、カラーテレビジョン受像機に用いられるカラー陰
極線管等において、陽極電圧以外に、例えば、コンバー
ジェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧が
必要とされるものがある。斯かる場合、管体内に電子銃
構体と共に分圧用の抵抗器を内蔵抵抗器として組み込
み、それによって陽極電圧を分圧して夫々の高電圧を得
るようにすることが提案されており、このように使用さ
れる従来の内蔵抵抗器の一例として、第4図及び第5図
に示される如くのものが知られている。
極線管等において、陽極電圧以外に、例えば、コンバー
ジェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧が
必要とされるものがある。斯かる場合、管体内に電子銃
構体と共に分圧用の抵抗器を内蔵抵抗器として組み込
み、それによって陽極電圧を分圧して夫々の高電圧を得
るようにすることが提案されており、このように使用さ
れる従来の内蔵抵抗器の一例として、第4図及び第5図
に示される如くのものが知られている。
第4図は、外表部を形成する絶縁被膜上から透視した状
態の従来の内蔵抵抗器7を示し、第5図は、この従来の
内蔵抵抗器7の全体の側面を示す。この第4図及び第5
図に示される内蔵抵抗器7においては、セラミック板等
の絶縁基板1上に、導電層が被着されて形成された端子
部、即ち、高電圧が供給される高圧電極端子2,コンバ
ージェンス電極用の高電圧、即ち、コンバージェンス電
圧が得られるコンバージェンス電極端子(以下、CV電
極端子という)3及びアース電極端子4が設けられ、ま
た、CV電極端子3とアース電極端子4との間には所要
の抵抗値を有するジグザグ状パターンとされた抵抗体層
5aが、高圧電極端子2とCV電極端子3との間には同
じく所要の抵抗値を有する抵抗体層5bが、さらに、抵
抗体層5a及び5bとCV電極端子3の間に微調整用抵
抗体層5cが、夫々被着されて、分圧抵抗体層5が形成
されている。そして、第4図の斜線部分には、分圧抵抗
体層5を覆う絶縁被膜6が施されており、この絶縁被膜
6は、鉛ガラス等からなる流動材料が、乾燥・焼成され
て形成されるもので、第5図に示される如くに、CV電
極端子3及びアース電極端子4の夫々に近接する部分等
の端縁部の厚さが小とされる。尚、微調整用抵抗体層5
cは、内蔵抵抗器7の製造過程においてその一部を削除
することにより、各端子間の抵抗体層5a及び5bの抵
抗値を調整することができるように設けられている。
態の従来の内蔵抵抗器7を示し、第5図は、この従来の
内蔵抵抗器7の全体の側面を示す。この第4図及び第5
図に示される内蔵抵抗器7においては、セラミック板等
の絶縁基板1上に、導電層が被着されて形成された端子
部、即ち、高電圧が供給される高圧電極端子2,コンバ
ージェンス電極用の高電圧、即ち、コンバージェンス電
圧が得られるコンバージェンス電極端子(以下、CV電
極端子という)3及びアース電極端子4が設けられ、ま
た、CV電極端子3とアース電極端子4との間には所要
の抵抗値を有するジグザグ状パターンとされた抵抗体層
5aが、高圧電極端子2とCV電極端子3との間には同
じく所要の抵抗値を有する抵抗体層5bが、さらに、抵
抗体層5a及び5bとCV電極端子3の間に微調整用抵
抗体層5cが、夫々被着されて、分圧抵抗体層5が形成
されている。そして、第4図の斜線部分には、分圧抵抗
体層5を覆う絶縁被膜6が施されており、この絶縁被膜
6は、鉛ガラス等からなる流動材料が、乾燥・焼成され
て形成されるもので、第5図に示される如くに、CV電
極端子3及びアース電極端子4の夫々に近接する部分等
の端縁部の厚さが小とされる。尚、微調整用抵抗体層5
cは、内蔵抵抗器7の製造過程においてその一部を削除
することにより、各端子間の抵抗体層5a及び5bの抵
抗値を調整することができるように設けられている。
第6図は、斯かる構成を有する内蔵抵抗器7がカラー陰
極線管に組み込まれた状態を示す。ここで、管体8のネ
ック部8a内に電子銃構体9が配置されており、この電
子銃構体9は、3個のカソードKに対して共通に第1グ
リッド電極G1,第2グリッド電極G2,第3グリッド
電極G3,第4グリッド電極G4及び第5グリッド電極
G5が順次同軸上に配列されて形成されている。そし
て、第5グリッド電極G5の後段には、コンバージェン
ス手段10が配置されている。各電極G1,G2,G
3,G4,G5、及びコンバージェンス手段10は、相
互に所定の位置関係を保持して、ビーディングガラス1
1によって機械的に連結されており、第3グリッド電極
G3と第5グリッド電極G5とは、導線13によって、
電気的に接続されている。また、コンバージェンス手段
10は、導電板14を介して第5グリッド電極G5に電
気的に接続されて、相対向する内側偏向電極板10a及
び10bと、その外側にこれら電極板10a及び10b
と対向して配置される外側偏向電極板10c及び10d
とを有して形成されている。
極線管に組み込まれた状態を示す。ここで、管体8のネ
ック部8a内に電子銃構体9が配置されており、この電
子銃構体9は、3個のカソードKに対して共通に第1グ
リッド電極G1,第2グリッド電極G2,第3グリッド
電極G3,第4グリッド電極G4及び第5グリッド電極
G5が順次同軸上に配列されて形成されている。そし
て、第5グリッド電極G5の後段には、コンバージェン
ス手段10が配置されている。各電極G1,G2,G
3,G4,G5、及びコンバージェンス手段10は、相
互に所定の位置関係を保持して、ビーディングガラス1
1によって機械的に連結されており、第3グリッド電極
G3と第5グリッド電極G5とは、導線13によって、
電気的に接続されている。また、コンバージェンス手段
10は、導電板14を介して第5グリッド電極G5に電
気的に接続されて、相対向する内側偏向電極板10a及
び10bと、その外側にこれら電極板10a及び10b
と対向して配置される外側偏向電極板10c及び10d
とを有して形成されている。
このような電子銃構体9に対して、第4図及び第5図に
示される如くの内蔵抵抗器7が取り付けられており、こ
の内蔵抵抗器7の高圧電極端子2が第5グリッド電極G
5に導電性取付け片12を介して連結されている。管体
8のファンネル部8bの内壁には、ネック部8aの内壁
にまで伸びるグラファイト導電膜15が被着されてお
り、ファンネル部8bに設けられた高圧供給ボタン、即
ち、陽極ボタン(図示しない)を通して陽極電圧が供給
される。そして、導電板14には、導電スプリング16
が設けられていて、この導電スプリング16がグラファ
イト導電膜15に接触することにより、第5グリッド電
極G5,第3グリッド電極G3、コンバージェンス手段
10の内側偏向電極板10a及び10b、及び、内蔵抵
抗器7の高圧電極端子2に陽極電圧が供給される。
示される如くの内蔵抵抗器7が取り付けられており、こ
の内蔵抵抗器7の高圧電極端子2が第5グリッド電極G
5に導電性取付け片12を介して連結されている。管体
8のファンネル部8bの内壁には、ネック部8aの内壁
にまで伸びるグラファイト導電膜15が被着されてお
り、ファンネル部8bに設けられた高圧供給ボタン、即
ち、陽極ボタン(図示しない)を通して陽極電圧が供給
される。そして、導電板14には、導電スプリング16
が設けられていて、この導電スプリング16がグラファ
イト導電膜15に接触することにより、第5グリッド電
極G5,第3グリッド電極G3、コンバージェンス手段
10の内側偏向電極板10a及び10b、及び、内蔵抵
抗器7の高圧電極端子2に陽極電圧が供給される。
内蔵抵抗器7のCV電極端子3は、導電性取付け片17
を介しコンバージェンス手段10の外側偏向電極板10
a及び10dに連結され、陽極電圧が抵抗体層5a及び
5bにより分圧されてCV電極端子3に得られるコンバ
ージェンス電圧が、外側偏向電極板10c及び10dに
供給される。また、内蔵抵抗器7のアース電極端子4
が、管体8のネック部8aの基部におけるステム18に
貫通埋設されたアース電極端子ピン19に連結され、直
接もしくは調整用外付け抵抗を介して接地される。
を介しコンバージェンス手段10の外側偏向電極板10
a及び10dに連結され、陽極電圧が抵抗体層5a及び
5bにより分圧されてCV電極端子3に得られるコンバ
ージェンス電圧が、外側偏向電極板10c及び10dに
供給される。また、内蔵抵抗器7のアース電極端子4
が、管体8のネック部8aの基部におけるステム18に
貫通埋設されたアース電極端子ピン19に連結され、直
接もしくは調整用外付け抵抗を介して接地される。
斯かるカラー陰極線管にあって、例えば電子銃構体9の
各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使用にあたっ
て不所望な放電を生じることになる。そこで、その製造
過程において、電子銃構体9における尖鋭突起部分等の
放電を生じ易い部分については、予め放電を生じさせて
溶解整形すること等により、完成品とされた後の実際の
使用時の動作を安定化することを目的としたノッキング
処理が行われる。このようなノッキング処理工程におい
ては、例えば、カラー陰極線管の実働時に比して2〜3
倍とされた高電圧(ノッキング電圧)が、第3グリッド
電極G3,第5グリッド電極G5及び内蔵抵抗器7の高
圧電極端子2に印加され、また、第1、第2及び第4の
各グリッド電極G1、G2及びG4は接地状態とされ
る。このノッキング処理時には、内蔵抵抗器7の絶縁被
膜6の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電せ
しめられ、この絶縁被膜6には、特に、分圧抵抗体層5
を形成する抵抗体層5aの低圧側で、実働時に比して大
なる電位差がかかることになる。
各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使用にあたっ
て不所望な放電を生じることになる。そこで、その製造
過程において、電子銃構体9における尖鋭突起部分等の
放電を生じ易い部分については、予め放電を生じさせて
溶解整形すること等により、完成品とされた後の実際の
使用時の動作を安定化することを目的としたノッキング
処理が行われる。このようなノッキング処理工程におい
ては、例えば、カラー陰極線管の実働時に比して2〜3
倍とされた高電圧(ノッキング電圧)が、第3グリッド
電極G3,第5グリッド電極G5及び内蔵抵抗器7の高
圧電極端子2に印加され、また、第1、第2及び第4の
各グリッド電極G1、G2及びG4は接地状態とされ
る。このノッキング処理時には、内蔵抵抗器7の絶縁被
膜6の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電せ
しめられ、この絶縁被膜6には、特に、分圧抵抗体層5
を形成する抵抗体層5aの低圧側で、実働時に比して大
なる電位差がかかることになる。
第7図は、横軸に内蔵抵抗器7の絶縁基板1上におけ
る、低圧側とされるアース電極端子4からの高圧側とさ
れるCV電極端子3側への距離Lをとり、縦軸に電圧V
をとって、ノッキング処理時における内蔵抵抗器7の絶
縁被膜6の表面電位(曲線a),アース電極端子4とC
V電極端子3との間に配された抵抗体層5aの各部の電
位(曲線b)及び両電位の差(曲線c)を示す。
る、低圧側とされるアース電極端子4からの高圧側とさ
れるCV電極端子3側への距離Lをとり、縦軸に電圧V
をとって、ノッキング処理時における内蔵抵抗器7の絶
縁被膜6の表面電位(曲線a),アース電極端子4とC
V電極端子3との間に配された抵抗体層5aの各部の電
位(曲線b)及び両電位の差(曲線c)を示す。
これから明らかなように、例えば、絶縁基板1上の高電
圧が印加される第3グリッド電極G3に近接した位置P
における、比較的低電位とされる抵抗低層5aの部分に
おける、抵抗体層5aと絶縁被膜6の表面との間の電位
差が最大となり、従って、この位置(最大電位差位置)
Pで絶縁被膜6に最大の電位差がかかることになる。こ
のため、第3グリッド電極G3付近で、絶縁被膜6の耐
圧を越える電位がかかって絶縁被膜6の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層5aが被害を受けて
その抵抗値が著しく変化してしまう虞れがある。
圧が印加される第3グリッド電極G3に近接した位置P
における、比較的低電位とされる抵抗低層5aの部分に
おける、抵抗体層5aと絶縁被膜6の表面との間の電位
差が最大となり、従って、この位置(最大電位差位置)
Pで絶縁被膜6に最大の電位差がかかることになる。こ
のため、第3グリッド電極G3付近で、絶縁被膜6の耐
圧を越える電位がかかって絶縁被膜6の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層5aが被害を受けて
その抵抗値が著しく変化してしまう虞れがある。
斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層5aの抵抗
値変化の問題に対しては、絶縁被膜6の厚さを大とし
て、耐圧を高めることが有利となる。即ち、絶縁被膜6
の膜厚を大に形成することで、絶縁被膜6の絶縁劣化も
しくは破壊を阻止し、抵抗体層5aの抵抗値の変化を抑
えることが可能となる。しかしながら、内蔵抵抗器7に
とって絶縁被膜6の膜厚が無闇に大とされることはコス
トの面で不利となり、また、絶縁基板位置と絶縁被膜6
との膨張係数の差に起因する内蔵抵抗器7の全体の反り
を生じ、作用時の昇温及び不使用時の降温の熱サイクル
によって絶縁被膜6が絶縁基板1から剥離する、あるい
は亀裂を生じる等の信頼性の低下につながる不都合を伴
うことになる。
値変化の問題に対しては、絶縁被膜6の厚さを大とし
て、耐圧を高めることが有利となる。即ち、絶縁被膜6
の膜厚を大に形成することで、絶縁被膜6の絶縁劣化も
しくは破壊を阻止し、抵抗体層5aの抵抗値の変化を抑
えることが可能となる。しかしながら、内蔵抵抗器7に
とって絶縁被膜6の膜厚が無闇に大とされることはコス
トの面で不利となり、また、絶縁基板位置と絶縁被膜6
との膨張係数の差に起因する内蔵抵抗器7の全体の反り
を生じ、作用時の昇温及び不使用時の降温の熱サイクル
によって絶縁被膜6が絶縁基板1から剥離する、あるい
は亀裂を生じる等の信頼性の低下につながる不都合を伴
うことになる。
そこで、上述の問題に対処すべく、本願の出願人により
特願昭58-238244号(特開昭60-130033号)、に記載され
ている如くの陰極線管の内蔵抵抗器が提案されている。
斯かる先に提案された内蔵抵抗器の一例にあっては、そ
の絶縁基板上における低圧側とされるアース電極端子と
高圧側とされるCV電極端子との間にジグザグ状パター
ンを有し、絶縁被膜に覆われて配される抵抗体層が、ア
ース電極端子と最大電位差位置にあたる高電位差部位と
の間でのジグザグ状パターンの蛇行ピッチを、高電位差
部位とCV電極端子との間の部分でのジグザグ状パター
ンの蛇行ピッチより小とするものとされて、アース電極
端子とCV電極端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗
体層の抵抗値が、高電位差部位とCV電極端子との間に
おけるより、アース電極端子と高電位差部位との間にお
ける方が大となるようにされる。このようにされた内蔵
抵抗器にあっては、絶縁基板上のアース電極端子から高
電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が急峻な
ものとされ、抵抗体層の電位が高電位差部位を中心に
し、その両端部を除いて、全体的に高められ、それによ
り、絶縁被膜にかかる電位差が低減されることになる。
そのため、カラー陰極線管の電子銃構体に取り付けられ
て当該カラー陰極線管のノッキング処理に供される場
合、特に大なる電位差がかかる部分においても、絶縁被
膜の絶縁劣化もしくは破壊が生ずることがないようにさ
れて、ノッキング処理前後における抵抗体層の抵抗値の
大幅な変化が防止されることになる。
特願昭58-238244号(特開昭60-130033号)、に記載され
ている如くの陰極線管の内蔵抵抗器が提案されている。
斯かる先に提案された内蔵抵抗器の一例にあっては、そ
の絶縁基板上における低圧側とされるアース電極端子と
高圧側とされるCV電極端子との間にジグザグ状パター
ンを有し、絶縁被膜に覆われて配される抵抗体層が、ア
ース電極端子と最大電位差位置にあたる高電位差部位と
の間でのジグザグ状パターンの蛇行ピッチを、高電位差
部位とCV電極端子との間の部分でのジグザグ状パター
ンの蛇行ピッチより小とするものとされて、アース電極
端子とCV電極端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗
体層の抵抗値が、高電位差部位とCV電極端子との間に
おけるより、アース電極端子と高電位差部位との間にお
ける方が大となるようにされる。このようにされた内蔵
抵抗器にあっては、絶縁基板上のアース電極端子から高
電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が急峻な
ものとされ、抵抗体層の電位が高電位差部位を中心に
し、その両端部を除いて、全体的に高められ、それによ
り、絶縁被膜にかかる電位差が低減されることになる。
そのため、カラー陰極線管の電子銃構体に取り付けられ
て当該カラー陰極線管のノッキング処理に供される場
合、特に大なる電位差がかかる部分においても、絶縁被
膜の絶縁劣化もしくは破壊が生ずることがないようにさ
れて、ノッキング処理前後における抵抗体層の抵抗値の
大幅な変化が防止されることになる。
D発明が解決しようとする問題点 上述の如くの、ジグザグ状パターンを有した抵抗体層が
配された絶縁基板上におけるアース電極端子とCV電極
端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値
が、高電位差部位とCV電極端子との間におけるよりア
ース電極端子と高電位差部位との間における方が大とな
るようにされた内蔵抵抗器にあっては、カラー陰極線管
の電子銃に取り付けられて当該カラー陰極線管のノッキ
ング処理に供される場合、絶縁基板上のアース電極端子
から高電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が
急峻なものとされて、アース電極端子とそれからの抵抗
体層のジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目
との間は、比較的小なる間隔のもとに、比較的大なる電
位差がかかる状態となる。一方、絶縁基板上の抵抗体層
を被覆する絶縁被膜は、絶縁基板上に鉛ガラス等の流動
絶縁材料が塗布された後、乾燥・焼成されて形成される
ので、そのアース電極端子に近接する端縁部の絶縁基板
に対する厚さが比較的小なるものとされることになる。
このため、カラー陰極線管のノッキング処理に際しての
高電圧が印加される状況下におかれる場合、絶縁基板上
に比較的小なる間隔をもって配されたアース電極端子と
抵抗体層のジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッ
チ目との間で、絶縁基板に対する厚さが比較的小なるも
のとされた絶縁被膜の端縁部にその耐圧限界を越える電
位差がかかる状態が生じて、絶縁被膜の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層のアース電極端子か
らのジグザグ状パターンの半ピッチ目もしくは1ピッチ
目の部分が被害を受けて、その抵抗値がノッキング処理
前後で著しく変化してしまう虞がある。
配された絶縁基板上におけるアース電極端子とCV電極
端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値
が、高電位差部位とCV電極端子との間におけるよりア
ース電極端子と高電位差部位との間における方が大とな
るようにされた内蔵抵抗器にあっては、カラー陰極線管
の電子銃に取り付けられて当該カラー陰極線管のノッキ
ング処理に供される場合、絶縁基板上のアース電極端子
から高電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が
急峻なものとされて、アース電極端子とそれからの抵抗
体層のジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目
との間は、比較的小なる間隔のもとに、比較的大なる電
位差がかかる状態となる。一方、絶縁基板上の抵抗体層
を被覆する絶縁被膜は、絶縁基板上に鉛ガラス等の流動
絶縁材料が塗布された後、乾燥・焼成されて形成される
ので、そのアース電極端子に近接する端縁部の絶縁基板
に対する厚さが比較的小なるものとされることになる。
このため、カラー陰極線管のノッキング処理に際しての
高電圧が印加される状況下におかれる場合、絶縁基板上
に比較的小なる間隔をもって配されたアース電極端子と
抵抗体層のジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッ
チ目との間で、絶縁基板に対する厚さが比較的小なるも
のとされた絶縁被膜の端縁部にその耐圧限界を越える電
位差がかかる状態が生じて、絶縁被膜の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層のアース電極端子か
らのジグザグ状パターンの半ピッチ目もしくは1ピッチ
目の部分が被害を受けて、その抵抗値がノッキング処理
前後で著しく変化してしまう虞がある。
斯かる点に鑑み、本発明は、絶縁基板上に設けられた複
数の電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧
側とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
した抵抗体層が形成され、この抵抗体層が絶縁被膜で覆
われる構成を有して、陰極線管に電子銃構体と共に組み
込まれるものとされ、当該陰極線管のノッキング処理に
際しての高電圧が印加される状況下におかれる場合に、
高電位差部位、さらには、第1の端子の近傍においても
絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を効果的に回避でき、
その結果、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層
の抵抗値の変化を最小限に抑えることができ、しかも、
製造コスト面や信頼性の面での不利をまねかないように
された陰極線管の内蔵抵抗器を提供することを目的とす
る。
数の電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧
側とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
した抵抗体層が形成され、この抵抗体層が絶縁被膜で覆
われる構成を有して、陰極線管に電子銃構体と共に組み
込まれるものとされ、当該陰極線管のノッキング処理に
際しての高電圧が印加される状況下におかれる場合に、
高電位差部位、さらには、第1の端子の近傍においても
絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を効果的に回避でき、
その結果、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層
の抵抗値の変化を最小限に抑えることができ、しかも、
製造コスト面や信頼性の面での不利をまねかないように
された陰極線管の内蔵抵抗器を提供することを目的とす
る。
E問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る陰極線管の内蔵
抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された複
数の電極端子と、これら複数の電極端子のうちの低圧側
とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端子との間
において絶縁基板上に設けられた絶縁被膜と、絶縁基板
上における第1の端子と第2の端子との間に、ジグザグ
状パターンを有して形成され、上記絶縁被膜に覆われて
配された抵抗体層とを備えて構成され、抵抗体層が、第
1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵
抗値が、絶縁被膜の表面電位と抵抗体層の電位との間の
差が大とされる絶縁基板状の高電位差部位と第1の端子
との間における第1のパターン部より、高電位差部位と
第2の端子との間における第2のパターン部の方が小と
なるとともに、第1のパターン部における第1の端子と
そこからのジグザグ状パターンの半ピッチ目との間のピ
ッチ間隔及び半ピッチ目と1ピッチ目との間のピッチ間
隔が、第1のパターン部における1ピッチ目以降の各半
ピッチ間隔より大となるものとされる。
抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された複
数の電極端子と、これら複数の電極端子のうちの低圧側
とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端子との間
において絶縁基板上に設けられた絶縁被膜と、絶縁基板
上における第1の端子と第2の端子との間に、ジグザグ
状パターンを有して形成され、上記絶縁被膜に覆われて
配された抵抗体層とを備えて構成され、抵抗体層が、第
1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵
抗値が、絶縁被膜の表面電位と抵抗体層の電位との間の
差が大とされる絶縁基板状の高電位差部位と第1の端子
との間における第1のパターン部より、高電位差部位と
第2の端子との間における第2のパターン部の方が小と
なるとともに、第1のパターン部における第1の端子と
そこからのジグザグ状パターンの半ピッチ目との間のピ
ッチ間隔及び半ピッチ目と1ピッチ目との間のピッチ間
隔が、第1のパターン部における1ピッチ目以降の各半
ピッチ間隔より大となるものとされる。
F作用 上述の如くに構成される本発明に係る陰極線管の内蔵抵
抗器にあっては、陰極線管に電子銃構体と共に組み込ま
れて、陰極線管のノッキング処理に際しての高電圧が印
加される状況下におかれる場合、絶縁基板上における第
1の端子から高電位差部位へかけての抵抗体層の第1の
パターン部の電位上昇勾配が急峻なものとなり、抵抗体
層の電位が高電位差部位を中心にして全体的に高めら
れ、それによって、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電
位差が低減されることになり、さらに、これに加えて、
抵抗体層の第1のパターン部における第1の端子とそこ
からのジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目
との間においては、それらの間隔が比較的大されてその
間における電位上昇勾配が比較的緩やかにされる。この
結果、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位差が、高電
位差部位においても、また、絶縁被膜の絶縁基板に対す
る厚さが小とされるアース電極端子と抵抗体層のジグザ
グ状パターン半ピッチ目及び1ピッチ目との間において
も、絶縁被膜が絶縁劣化もしくは破壊を生じないものと
され、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層の抵
抗値の大幅な変化が防止されることになる。
抗器にあっては、陰極線管に電子銃構体と共に組み込ま
れて、陰極線管のノッキング処理に際しての高電圧が印
加される状況下におかれる場合、絶縁基板上における第
1の端子から高電位差部位へかけての抵抗体層の第1の
パターン部の電位上昇勾配が急峻なものとなり、抵抗体
層の電位が高電位差部位を中心にして全体的に高めら
れ、それによって、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電
位差が低減されることになり、さらに、これに加えて、
抵抗体層の第1のパターン部における第1の端子とそこ
からのジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目
との間においては、それらの間隔が比較的大されてその
間における電位上昇勾配が比較的緩やかにされる。この
結果、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位差が、高電
位差部位においても、また、絶縁被膜の絶縁基板に対す
る厚さが小とされるアース電極端子と抵抗体層のジグザ
グ状パターン半ピッチ目及び1ピッチ目との間において
も、絶縁被膜が絶縁劣化もしくは破壊を生じないものと
され、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層の抵
抗値の大幅な変化が防止されることになる。
G実施例 G−1構成(第1図,第2図) 第1図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を
示し、また、第2図は、第1図に示される例のII−II線
に沿っう断面を示す。この例は、第4図及び第5図に示
される内蔵抵抗器7と同様に、絶縁基板上に分圧抵抗体
層が配されるとともにこれを被覆する絶縁被膜が設けら
れて形成され、第1図においては、外表部を形成する絶
縁被膜上から透視した状態が示されている。なお、第1
図及び第2図において第4図及び第5図に示される各部
に対応する部分は、第4図及び第5図と共通の符号が付
されて示されており、それらについての詳細説明は省略
される。
示し、また、第2図は、第1図に示される例のII−II線
に沿っう断面を示す。この例は、第4図及び第5図に示
される内蔵抵抗器7と同様に、絶縁基板上に分圧抵抗体
層が配されるとともにこれを被覆する絶縁被膜が設けら
れて形成され、第1図においては、外表部を形成する絶
縁被膜上から透視した状態が示されている。なお、第1
図及び第2図において第4図及び第5図に示される各部
に対応する部分は、第4図及び第5図と共通の符号が付
されて示されており、それらについての詳細説明は省略
される。
斯かる第1図及び第2図に示される例においては、絶縁
基板1上に、CV電極端子3とアース電極端子4との間
に配された、ジグザク状パターンを有するとともに調整
用抵抗体層5′c1を伴う抵抗体層5′aと、高圧電極端
子2とCV電極端子3との間に配された、抵抗体層5′
b及び微調整用抵抗体層5′c2とを含んで構成された分
圧抵抗体層5′が、上述の第4図及び第5図に示される
内蔵抵抗器7における抵抗体層5a及び5bと微調整用
抵抗体層5cとで形成された分圧抵抗体層5に相当する
ものとして設けられている。また、絶縁基板1上には、
この分圧抵抗体層5′を被覆する絶縁被膜6が配されて
いる。
基板1上に、CV電極端子3とアース電極端子4との間
に配された、ジグザク状パターンを有するとともに調整
用抵抗体層5′c1を伴う抵抗体層5′aと、高圧電極端
子2とCV電極端子3との間に配された、抵抗体層5′
b及び微調整用抵抗体層5′c2とを含んで構成された分
圧抵抗体層5′が、上述の第4図及び第5図に示される
内蔵抵抗器7における抵抗体層5a及び5bと微調整用
抵抗体層5cとで形成された分圧抵抗体層5に相当する
ものとして設けられている。また、絶縁基板1上には、
この分圧抵抗体層5′を被覆する絶縁被膜6が配されて
いる。
分圧抵抗体層5′は、例えば、一様な断面積を有し、均
一な抵抗材料を、例えば、高抵抗の酸化ルテニウムペー
ストが焼成されて得られる焼成体として形成されてい
る。
一な抵抗材料を、例えば、高抵抗の酸化ルテニウムペー
ストが焼成されて得られる焼成体として形成されてい
る。
分圧抵抗体層5′の一部分を構成する抵抗体層5′a
は、全体的に一定の蛇行幅を有したジグザグ状パターン
を有するものとされ、低圧側であるアース電極端子4と
第4図及び第5図に示される内蔵抵抗器7における最大
電位差位置Pに対応する、例えば第6図に示される如く
の陰極線管内に電子銃構体9とともに組み込まれて電圧
が印加されたとき、絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層
5′aの電位との間の差が最大となる位置である最大電
位差位置P′との間に配された、そのアース電極端子4
に近接する始端部を除いて、ジグザグ状パターンの蛇行
ピッチを小ピッチq1とする第1のパターン部5′a
と、これに続き、最大電位差位置P′と高圧側であるC
V電極端子3との間に配された、ジグザグ状パターンの
蛇行ピッチを大ピッチq2(q2>q1)とする第2の
パターン部5′ahとで構成されている。
は、全体的に一定の蛇行幅を有したジグザグ状パターン
を有するものとされ、低圧側であるアース電極端子4と
第4図及び第5図に示される内蔵抵抗器7における最大
電位差位置Pに対応する、例えば第6図に示される如く
の陰極線管内に電子銃構体9とともに組み込まれて電圧
が印加されたとき、絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層
5′aの電位との間の差が最大となる位置である最大電
位差位置P′との間に配された、そのアース電極端子4
に近接する始端部を除いて、ジグザグ状パターンの蛇行
ピッチを小ピッチq1とする第1のパターン部5′a
と、これに続き、最大電位差位置P′と高圧側であるC
V電極端子3との間に配された、ジグザグ状パターンの
蛇行ピッチを大ピッチq2(q2>q1)とする第2の
パターン部5′ahとで構成されている。
そして、第1のパターン部5′aは、そのアース電極
端子4に近接する始端部においてはジグザグ状パターン
の蛇行ピッチを小ピッチq1とするものとはされず、ア
ース電極端子4とそれから見てジグザグ状パターンの半
ピッチ目の部分r1とが距離L1を隔て、さらに、半ピ
ッチ目の部分r1と1ピッチ目の部分r2とが距離L2
を隔てるものとされ、続く1.5ピッチ目の部分r3以降
においてジグザグ状パターンの蛇行ピッチを小ピッチq
1とするものとされている。ここで、距離L1及びL2
は、夫々、小ピッチq1の1/2に相当する距離、例え
ば、第1のパターン部5′aの1ピッチ目の部分r2
から1.5ピッチ目の部分r3までの距離L3より大に選
定され、例えば、上述の大ピッチq2の1/2に相当する
距離に等しいものとされる。
端子4に近接する始端部においてはジグザグ状パターン
の蛇行ピッチを小ピッチq1とするものとはされず、ア
ース電極端子4とそれから見てジグザグ状パターンの半
ピッチ目の部分r1とが距離L1を隔て、さらに、半ピ
ッチ目の部分r1と1ピッチ目の部分r2とが距離L2
を隔てるものとされ、続く1.5ピッチ目の部分r3以降
においてジグザグ状パターンの蛇行ピッチを小ピッチq
1とするものとされている。ここで、距離L1及びL2
は、夫々、小ピッチq1の1/2に相当する距離、例え
ば、第1のパターン部5′aの1ピッチ目の部分r2
から1.5ピッチ目の部分r3までの距離L3より大に選
定され、例えば、上述の大ピッチq2の1/2に相当する
距離に等しいものとされる。
抵抗体層5′aを構成する第1のパターン部5′a及
び第2のパターン部5′ahが上述の如くのジグザグ状パ
ターンを有するものとされることにより、絶縁基板1上
のアース電極端子4と最大電位差位置P′との間の単位
長内における第1のパターン部5′aの実効長は、そ
のアース電極端子4に近接する始端部を除いて、絶縁基
板1上の最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の
単位長内における第2のパターン部5′ahの実効長より
大となり、従って、アース電極端子4と最大電位差位置
P′との間の単位長当りの抵抗体層5′aの抵抗値は、
最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の単位長当
りの抵抗体層5′aの抵抗値より大となる。また、第1
のパターン部5′aのアース電極端子4に近接する始
端部が配された領域においては、単位長内における第1
のパターン部5′aの実効長は、第1のパターン部
5′aの他の部分が配された領域に比して小となり、
例えば、最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の
単位長当りの抵抗体層5′aの抵抗値と同等となる。
び第2のパターン部5′ahが上述の如くのジグザグ状パ
ターンを有するものとされることにより、絶縁基板1上
のアース電極端子4と最大電位差位置P′との間の単位
長内における第1のパターン部5′aの実効長は、そ
のアース電極端子4に近接する始端部を除いて、絶縁基
板1上の最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の
単位長内における第2のパターン部5′ahの実効長より
大となり、従って、アース電極端子4と最大電位差位置
P′との間の単位長当りの抵抗体層5′aの抵抗値は、
最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の単位長当
りの抵抗体層5′aの抵抗値より大となる。また、第1
のパターン部5′aのアース電極端子4に近接する始
端部が配された領域においては、単位長内における第1
のパターン部5′aの実効長は、第1のパターン部
5′aの他の部分が配された領域に比して小となり、
例えば、最大電位差位置P′とCV電極端子3との間の
単位長当りの抵抗体層5′aの抵抗値と同等となる。
一方、絶縁基板1上において分圧抵抗体層5′を覆う絶
縁被膜6は、例えば、流動体とされた鉛ガラスの絶縁基
板1上に塗布された後、乾燥・焼成されて形成され、第
2図に示される如く、その絶縁基板1に対する厚さt
は、全体的には略一定とされるが、例えばアース電極端
子4に近接する端縁部においては他の部分より薄くされ
ることになる。
縁被膜6は、例えば、流動体とされた鉛ガラスの絶縁基
板1上に塗布された後、乾燥・焼成されて形成され、第
2図に示される如く、その絶縁基板1に対する厚さt
は、全体的には略一定とされるが、例えばアース電極端
子4に近接する端縁部においては他の部分より薄くされ
ることになる。
G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) 上述の如くに構成された第1図に示される内蔵抵抗器
が、第6図に示される如くのカラー陰極線管の電子銃構
体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして取り付けら
れ、当該カラー陰極線管のノッキング処理時において、
高圧電極端子2にノッキング電圧が印加される場合に
は、絶縁被膜6の表面電位及び抵抗体層5′aの各部の
電位は、第3図に示される如くとなる。
が、第6図に示される如くのカラー陰極線管の電子銃構
体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして取り付けら
れ、当該カラー陰極線管のノッキング処理時において、
高圧電極端子2にノッキング電圧が印加される場合に
は、絶縁被膜6の表面電位及び抵抗体層5′aの各部の
電位は、第3図に示される如くとなる。
第3図は、横軸に絶縁基板1上におけるアース電極端子
4からのCV電極端子3側への距離Lをとり、縦軸に電
圧Vをとって表されたグラフを示す。これから明らかな
如く、抵抗体層5′aの各部の電位は、曲線b′で示さ
れる如く、抵抗体層5′aのアース電極端子4と最大電
位差位置P′との間に配された第1のパターン部5′a
におけるその始端部の後端から最大電位差位置P′へ
かけての電位上昇勾配が急峻なものとなり、また、最大
電位差位置P′とCV電極端子3との間に配された第2
のパターン部5′ahにおける最大電位差位置P′からC
V電極端子3へかけての電位上昇勾配が緩やかになる。
従って、抵抗体層5′aの各部の電位は、第7図に曲線
bで示される従来の内蔵抵抗器7の場合における抵抗体
層5の各部の電位に比して、最大電位差位置P′を中心
にして全体的に高められることになる。この結果、第3
図において曲線a′で示される第1図の内蔵抵抵抗器の
絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5′aの電位との差、
即ち、絶縁被膜6にかかる電位差が、従来の内蔵抵抗器
7の場合に比して、絶縁被膜6の全体に亙って低減さ
れ、特に、最大電位差位置P′及びその近傍において顕
著に低減されることになる。そして、第1図に示される
内蔵抵抗器にあっては、このように低減される最大電位
差位置P′において絶縁被膜6にかかる電位差が絶縁被
膜6の耐圧限界より小となるように、抵抗体層5′aの
第1のパターン部5′aの実効長及び第2のパターン
部5′ahの実効長が選定される。
4からのCV電極端子3側への距離Lをとり、縦軸に電
圧Vをとって表されたグラフを示す。これから明らかな
如く、抵抗体層5′aの各部の電位は、曲線b′で示さ
れる如く、抵抗体層5′aのアース電極端子4と最大電
位差位置P′との間に配された第1のパターン部5′a
におけるその始端部の後端から最大電位差位置P′へ
かけての電位上昇勾配が急峻なものとなり、また、最大
電位差位置P′とCV電極端子3との間に配された第2
のパターン部5′ahにおける最大電位差位置P′からC
V電極端子3へかけての電位上昇勾配が緩やかになる。
従って、抵抗体層5′aの各部の電位は、第7図に曲線
bで示される従来の内蔵抵抗器7の場合における抵抗体
層5の各部の電位に比して、最大電位差位置P′を中心
にして全体的に高められることになる。この結果、第3
図において曲線a′で示される第1図の内蔵抵抵抗器の
絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5′aの電位との差、
即ち、絶縁被膜6にかかる電位差が、従来の内蔵抵抗器
7の場合に比して、絶縁被膜6の全体に亙って低減さ
れ、特に、最大電位差位置P′及びその近傍において顕
著に低減されることになる。そして、第1図に示される
内蔵抵抗器にあっては、このように低減される最大電位
差位置P′において絶縁被膜6にかかる電位差が絶縁被
膜6の耐圧限界より小となるように、抵抗体層5′aの
第1のパターン部5′aの実効長及び第2のパターン
部5′ahの実効長が選定される。
さらに、抵抗体層5′aの第1のパターン部5′aの
始端部においては、アース電極端子4からシグザグ状パ
ターンの半ピッチ目の部分r1までの距離L1及び半ピ
ッチ目の部分r1から1ピッチ目の部分r2までの距離
L2が、第1のパターン部5′aの他の部分における
ピッチq1の1/2に相当する距離より大とされているの
で、電位上昇勾配は緩やかになる。これにより、アース
電極端子4と第1のパターン5′aのジグザク状パタ
ーンの半ピッチ目の部分r1及び1ピッチ目の部分r2
との間は、比較的大なる間隔のもとに、比較的小なる電
位差がかかる状態となり、アース電極端子4と第1のパ
ターン部5′aのジグザク状パターンの半ピッチ目の
部分r1及び1ピッチ目の部分r2との間の絶縁被膜6
の厚さが実質的に増大せしめられることになるととも
に、斯かる絶縁被膜6にかかる電位差は比較的小なるも
のとされる。この場合、上述の距離L1及びL2は、ア
ース電極端子4と第1のパターン部5′aのジグザク
状パターンの半ピッチ目の部分r1及び1ピッチ目の部
分r2との間における、絶縁基板1に対する厚さが小と
された絶縁被膜6の端縁部に、その耐圧限界を越える電
位差がかかることがないように選定されて、上述の如
く、例えば、抵抗体層5′aの第2のパターン部5′ah
における大ピッチq2の1/2に相当する距離に等しいも
のとされるのである。
始端部においては、アース電極端子4からシグザグ状パ
ターンの半ピッチ目の部分r1までの距離L1及び半ピ
ッチ目の部分r1から1ピッチ目の部分r2までの距離
L2が、第1のパターン部5′aの他の部分における
ピッチq1の1/2に相当する距離より大とされているの
で、電位上昇勾配は緩やかになる。これにより、アース
電極端子4と第1のパターン5′aのジグザク状パタ
ーンの半ピッチ目の部分r1及び1ピッチ目の部分r2
との間は、比較的大なる間隔のもとに、比較的小なる電
位差がかかる状態となり、アース電極端子4と第1のパ
ターン部5′aのジグザク状パターンの半ピッチ目の
部分r1及び1ピッチ目の部分r2との間の絶縁被膜6
の厚さが実質的に増大せしめられることになるととも
に、斯かる絶縁被膜6にかかる電位差は比較的小なるも
のとされる。この場合、上述の距離L1及びL2は、ア
ース電極端子4と第1のパターン部5′aのジグザク
状パターンの半ピッチ目の部分r1及び1ピッチ目の部
分r2との間における、絶縁基板1に対する厚さが小と
された絶縁被膜6の端縁部に、その耐圧限界を越える電
位差がかかることがないように選定されて、上述の如
く、例えば、抵抗体層5′aの第2のパターン部5′ah
における大ピッチq2の1/2に相当する距離に等しいも
のとされるのである。
なお、抵抗体層5′aの第1のパターン部5′aの始
端部においては、電位上昇勾配が緩やかにされることに
より絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5′aの電位との
差が低減されないことになるが、斯かる部分では絶縁被
膜6の表面電位は充分に低く、絶縁被膜6の表面電位と
抵抗体層5′aに電位との差は本来小であるので問題は
ない。
端部においては、電位上昇勾配が緩やかにされることに
より絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5′aの電位との
差が低減されないことになるが、斯かる部分では絶縁被
膜6の表面電位は充分に低く、絶縁被膜6の表面電位と
抵抗体層5′aに電位との差は本来小であるので問題は
ない。
上述の如くにして、第1図及び第2図に示される内蔵抵
抗器にあっては、第6図に示される如くのカラー陰極線
管の電子銃構体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして
取り付けられて、当該カラー陰極線管のノッキング処理
に供される場合において、絶縁基板1上における最大電
位差位置P′においても、また、アース電極端子4の近
傍においても、絶縁被膜6の絶縁劣化もしくは破壊を生
じることが回避され、その結果、抵抗体層5′aの抵抗
値のノッキング処理前後での変化が抑制される。
抗器にあっては、第6図に示される如くのカラー陰極線
管の電子銃構体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして
取り付けられて、当該カラー陰極線管のノッキング処理
に供される場合において、絶縁基板1上における最大電
位差位置P′においても、また、アース電極端子4の近
傍においても、絶縁被膜6の絶縁劣化もしくは破壊を生
じることが回避され、その結果、抵抗体層5′aの抵抗
値のノッキング処理前後での変化が抑制される。
H発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組
み込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶縁基板上
に低圧側とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端
子との間にジグザグ状パターンを有して配された抵抗体
層の電位が、第1の端子から絶縁基板上の第1の端子と
第2の端子との間に形成される高電位差部位へかけての
その上昇勾配が急峻なものとなるようにされて、絶縁基
板上で抵抗体層を被覆する絶縁被膜の表面電位と抵抗体
層の電位との間の電位差が、特に、高電位差部位におい
て顕著に低減せしめられ、また、第1の端子の抵抗体層
のそこからのジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピ
ッチ目との間においては、それらの間隔が比較的大とさ
れてその間における抵抗体層の電位上昇勾配が比較的緩
やかにされて、そこにおける絶縁被膜の厚さが実質的に
増大せしめられるとともに斯かる絶縁被膜にかかる電位
差が比較的小なるようにされるので、陰極線管のノッキ
ング処理に際して高電圧が印加される状況下におかれる
場合に、高電位差部位においても、第1の端子の近傍に
おいても、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が生じる虞
がなく、抵抗体層の抵抗値の変化を最小限に抑制するこ
とができる優れた特性を示すものとなる。
内蔵抵抗器は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組
み込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶縁基板上
に低圧側とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端
子との間にジグザグ状パターンを有して配された抵抗体
層の電位が、第1の端子から絶縁基板上の第1の端子と
第2の端子との間に形成される高電位差部位へかけての
その上昇勾配が急峻なものとなるようにされて、絶縁基
板上で抵抗体層を被覆する絶縁被膜の表面電位と抵抗体
層の電位との間の電位差が、特に、高電位差部位におい
て顕著に低減せしめられ、また、第1の端子の抵抗体層
のそこからのジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピ
ッチ目との間においては、それらの間隔が比較的大とさ
れてその間における抵抗体層の電位上昇勾配が比較的緩
やかにされて、そこにおける絶縁被膜の厚さが実質的に
増大せしめられるとともに斯かる絶縁被膜にかかる電位
差が比較的小なるようにされるので、陰極線管のノッキ
ング処理に際して高電圧が印加される状況下におかれる
場合に、高電位差部位においても、第1の端子の近傍に
おいても、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が生じる虞
がなく、抵抗体層の抵抗値の変化を最小限に抑制するこ
とができる優れた特性を示すものとなる。
しかも、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を防ぐべく、
その膜厚を増大するという手法がとられるものではない
ので、絶縁基板と絶縁被膜との熱膨張係数の差に起因す
る全体の反りや絶縁被膜の絶縁基板からの剥離等が生じ
る欠点を伴わず、さらに、安価に製造することができる
ものとなる利点を有している。
その膜厚を増大するという手法がとられるものではない
ので、絶縁基板と絶縁被膜との熱膨張係数の差に起因す
る全体の反りや絶縁被膜の絶縁基板からの剥離等が生じ
る欠点を伴わず、さらに、安価に製造することができる
ものとなる利点を有している。
第1図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示
す平面図、第2図は第1図に示される例についてのII−
IIに沿う部分断面図、第3図は第1図に示される例が陰
極線管に組み込まれた場合の各部における電位関係の説
明に供される特性図、第4図及び第5図は従来の陰極線
管の内蔵抵抗器を示す平面図及び側面図、第6図は第4
図及び第5図に示される内蔵抵抗器が組み込まれた陰極
線管の要部を示す概略構成図、第7図は第6図に示され
る陰極線管内における内蔵抵抗器に関連した電位関係の
説明に供される特性図である。 図中、1は絶縁基板、2は高圧電極端子、3はコンバー
ジェンス電極端子、4はアース電極端子、5及び5′は
分圧抵抗体層、5′aは分圧抵抗体層5を構成する抵抗
体層、5′aは第1のパターン部、5′ahは第2のパ
ターン部、9は電子銃構体である。
す平面図、第2図は第1図に示される例についてのII−
IIに沿う部分断面図、第3図は第1図に示される例が陰
極線管に組み込まれた場合の各部における電位関係の説
明に供される特性図、第4図及び第5図は従来の陰極線
管の内蔵抵抗器を示す平面図及び側面図、第6図は第4
図及び第5図に示される内蔵抵抗器が組み込まれた陰極
線管の要部を示す概略構成図、第7図は第6図に示され
る陰極線管内における内蔵抵抗器に関連した電位関係の
説明に供される特性図である。 図中、1は絶縁基板、2は高圧電極端子、3はコンバー
ジェンス電極端子、4はアース電極端子、5及び5′は
分圧抵抗体層、5′aは分圧抵抗体層5を構成する抵抗
体層、5′aは第1のパターン部、5′ahは第2のパ
ターン部、9は電子銃構体である。
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁基板と、 該絶縁基板上に形成された複数の電極端子と、 該複数の電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と
高圧側とされる第2の端子との間において上記絶縁基板
上に設けられる絶縁被膜と、 上記絶縁基板上における上記第1の端子と第2の端子と
の間に、ジグザグ状パターンを有し、上記絶縁被膜に覆
われて配され、上記第1の端子と上記第2の端子とを結
ぶ方向の単位長当たりの抵抗値が、上記絶縁被膜の表面
との間の電位差が大とされることになる上記絶縁基板上
の高電位差部位と上記第1の端子との間における第1の
パターン部より、上記高電位差部位と上記第2の端子と
の間における第2のパターン部の方が小とされるととも
に、上記第1のパターン部における上記第1の端子とそ
こからのジグザグ状パターンの半ピッチ目との間の半ピ
ッチ間隔及び上記半ピッチ目と1ピッチ目との間の半ピ
ッチ間隔が、上記第1のパターン部における1ピッチ目
以降の各半ピッチ間隔より大とされた抵抗体層と、 を備えて構成された陰極線管の内蔵抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091905A JPH0612654B2 (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091905A JPH0612654B2 (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250935A JPS61250935A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH0612654B2 true JPH0612654B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=14039591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60091905A Expired - Fee Related JPH0612654B2 (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612654B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4024990B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2007-12-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-04-29 JP JP60091905A patent/JPH0612654B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61250935A (ja) | 1986-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |