JPH0885261A

JPH0885261A - 光情報記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0885261A
Application number: JP6224686A
Authority: JP
Inventors: Masaru Suzuki; 勝鈴木
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1994-09-20
Filing date: 1994-09-20
Publication date: 1996-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】記録・消去特性に大きな影響を与えることな
く、長時間の再生による記録マークの劣化を防ぐことが
でき記録消去の繰り返しに優れた、相変化型の光情報記
録媒体およびその製造方法を提供する。【構成】透明な基板の一方の面に設けられた記録層に
結晶−非晶質間の相変化を生じさせることにより、情報
の記録・消去を行う光情報記録媒体において、記録層の
アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）および燐（Ｐ）の組成が原子数比で下記の式で
表される。〔数１〕（Ｓｂ_xＴｅ_yＧｅ_z）_100-w・Ｐ_w ５≦ｘ≦６０３５≦ｙ≦６５５≦ｚ≦６５０＜ｗ≦４０ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００【効果】再生回数（パス回数）の増加に伴うＣ／Ｎの
低下量および記録・消去の繰り返し特性が著しく改善さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記録層に結晶−非晶質
間の相変化を生じさせることにより、情報の記録・消去
を行う光情報記録媒体に関し、特に、記録データの信頼
性および、繰り返し性能の高い光情報記録媒体に関する
ものである。光情報記録媒体のうち、光学記録層が結晶
と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用して情
報の記録・消去を行う、いわゆる相変化型光ディスク
は、レーザ光のパワーを変化させるだけで古い情報を消
去すると同時に新たな情報を記録すること（以下「オー
バーライト」という）ができるという利点を有してい
る。

【０００２】オーバーライトが可能な相変化型光ディス
クの記録材料としては、低融点でレーザ光の吸収効率の
高いＩｎ−Ｓｂ系合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．第５０巻、６６７頁、１９８７年）やＩｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第５０巻、
１６頁、１９８７年）あるいはＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金
（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカルコゲン合金
が主として用いられている。

【０００３】オーバーライトにより、記録層のうち非晶
質化レベルのハイパワーのレーザ光が照射された部分
は、融点以上の温度への急熱・急冷により非晶質化され
て記録マークとなり、結晶化レベルのパワーのレーザ光
が照射された部分は、融点より低い結晶化可能温度への
昇温・徐冷により結晶化されて消去部分となる。このよ
うなオーバーライトは、光ディスクを駆動装置にかけ、
所定の線速度で回転させながらディスク面にレーザ光を
照射することにより行われるが、消去を一回のレーザ光
通過で完全に行うためには、記録層をなす材料の結晶化
速度 (非晶質から結晶への転移速度）が、レーザビーム
が光ディスクの一点を通過する間に完全に結晶化する速
度である必要がある。すなわち、レーザビームが光ディ
スクの一点を通過するのにかかる時間は光ディスクの回
転速度 (線速度) に依存するため、記録層材料の結晶化
速度はこの線速度より速くなければならない。

【０００４】また、結晶化速度が速すぎると、記録の際
に、一旦融解した部分が冷却中に部分的に結晶化する恐
れがあるため、非晶質化の冷却速度を著しく高くする必
要が生じ、記録感度の点から好ましくない。さらに、消
去速度を高めるために、結晶化温度 (結晶化が始まる温
度) の低い材料が選択されることもある。ところが、こ
のように結晶化速度を速くしたり結晶化温度を下げたり
することにより、記録時に形成された記録マーク (非晶
質部分) は、長時間の再生によりエネルギー準位の低い
結晶に徐々に移行して劣化し、記録マークが消失するこ
とにつながるため、記録データの信頼性が不十分になる
という問題点があった。

【０００５】この長時間の再生による記録マークの劣化
を防ぐために、従来は、カルコゲン合金に遷移金属を添
加することや、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のＧｅの比率を高
くすることが行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法のうち遷移金属を添加する方法では、１ａｔ（原子
数比）％程度の添加により記録マークの安定性が高まる
が、消去速度が遅くなり、特に高速で記録する媒体では
実用上の組成範囲が狭くなり（組成に対する余裕度とい
う）、かつ非晶質−結晶間の反射率のコントラストが低
下するといった問題があった。

【０００７】また、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のＧｅの比率
を高くする方法では、Ｇｅの量が増えるにしたがって融
解温度が高くなり、記録感度が低下するという問題があ
った。本発明は、このような従来技術の未解決の問題点
に着目してなされたものであり、記録・消去特性に大き
な変動を与えることなく、長時間の再生による記録マー
クの劣化を防ぐことができ、かつ繰り返し特性に優れた
光情報記録媒体と、その製造方法を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１の発明は、透明な基板の一方の面に設けられ
た記録層に結晶−非晶質間の相変化を生じさせることに
より、情報の記録・消去を行う光情報記録媒体におい
て、前記記録層のアンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及び燐（Ｐ）の組成が原子
数比で下記の式で表される

【数２】ことを特徴とする光情報記録媒体である。

【０００９】消去比の改善や記録マークの安定性を高め
るために、必要に応じて別元素、例えばＰｄ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ等の元素を添
加してもよいし、製造方法としてこれら元素の燐化合物
をターゲット中に添加する方法をとることも可能であ
る。基板としては、従来より光ディスクの基板として慣
用されている透明基板を使用することができるが、光学
的特性が良好で機械的強度が大きく、寸法安定性にも優
れたポリカーボネートやガラス等を使用することが好ま
しい。

【００１０】また、記録層の直上または直下の少なくと
も一方に、金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、窒化
物、フッ化物および硫化物から選ばれた少なくとも一種
類からなる保護層を設けたものであってもよい。この保
護層材料としては、ＺｎＳと、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂等の酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｃ等の
炭化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｍＳ、Ｓｒ
Ｓ等の硫化物、およびＭｇＦ₂等のフッ化物から選ばれ
た一種類または複数種類の物質との混合物が挙げられ
る。

【００１１】また、記録層の光入射側とは反対側に、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｈｆ、ＰｄおよびＴｉ等の金属
またはこれらの合金からなる反射層を設けてもよく、例
えばＡｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合
金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｐｄ合
金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金等の合金系が好ましい。反射
層の記録層の光入射側とは反対側の面には反射層をなす
薄膜の保護と強化のために、ＵＶ硬化樹脂（ウレタン
系、アクリル系、シリコン系、ポリエステル系等）やホ
ットメルト系の接着剤等からなる層を設けるとよい。

【００１２】記録層、保護層及び反射層は、一般的に図
１に示すような構成をとる。すなわち、透明基板１の上
に第一保護層２、続いて記録層３、第二保護層４、反射
層５の順に積層される。各々の膜厚は、要求される特性
によっても変わるが通常の光ディスクであれば、生産性
等を考慮し第一保護層の厚さは１００nm〜６００nm、記
録層は１０nm〜５０nm、第二保護層は１０nm〜５０nm、
反射層は５０nm〜３００nmの範囲が好ましい。

【００１３】さらに、より高速での記録・消去が必要な
場合、組成はアンチモン（Ｓｂ）の存在比率５≦ｘ≦５
０、テルル（Ｔｅ）の存在比率４５≦ｙ≦６０、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）の存在比率５≦ｚ≦５０、燐の存在比率
０＜ｗ≦１５がより好ましく、長時間の再生による記録
マークの劣化を防ぎかつ記録・消去特性を損なうことな
く繰り返し特性に優れた媒体を構成することができる。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１の光情報記録
媒体を製造するのに好適な方法であって、透明な基板の
一方の面に設けられた記録層に結晶−非晶質間の相変化
を生じさせることにより、情報の記録・消去を行う光情
報記録媒体の製造方法において、前記記録層をアンチモ
ン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）お
よび燐（Ｐ）からなる合金で構成するために、焼結体を
ターゲットとしてスパッタリング法により製造し、前記
スパッタリングのターゲットをなす焼結体には、予め燐
粉末もしくは、アンチモン（Ｓｂ）燐化合物あるいはテ
ルル（Ｔｅ）燐化合物あるいはゲルマニウム（Ｇｅ）燐
化合物の粉末を所定量で混合し含有させたことを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法である。

【００１５】すなわち、成膜時の雰囲気ガスをＡｒのみ
とし、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金に燐粉末を混合したものを
ターゲットにすることができる。さらに、Ｓｂ、Ｔｅ、
Ｇｅの代わりに、または、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅに加えてア
ンチモン化合物（ＳｂＰ）、テルル化合物（Ｐ₄Ｔ
ｅ₁₀、Ｐ₂Ｔｅ₅）、ゲルマニウム化合物（Ｐ₄Ｇ
ｅ₁₀）を含有することにより、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐ合
金を形成することができる。

【００１６】また、請求項３の発明は、請求項１の光情
報記録媒体を製造するのに好適な方法であって、透明な
基板の一方の面に設けられた記録層に結晶−非晶質間の
相変化を生じさせることにより、情報の記録・消去を行
う光情報記録媒体の製造方法において、前記記録層をア
ンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）および燐（Ｐ）からなる合金で構成するために、焼
結体をターゲットとしてスパッタリング法により製造
し、前記スパッタリングの雰囲気ガスとしてＰ（気体
燐）または燐を含有する気体とＡｒとの混合ガスを用い
たことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。

【００１７】すなわち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金をターゲ
ットとして用い、成膜時の雰囲気ガスをＡｒと燐を気化
させたガスの流量を調整したり、または、燐を含有する
気体例えば、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₅、Ｐ
₂Ｈ₄、ＰＨ₃等を利用して添加することができる。な
お、本発明の光情報記録媒体の記録層の成膜方法は、ス
パッタリング法以外にも蒸着法やそれ以外の従来より公
知の方法も採用することができる。

【００１８】

【作用】本発明によれば、光情報記録媒体の記録層をＳ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐで構成することにより、長時間の再
生による記録マークの劣化を防ぎかつ記録・消去特性を
損なうことなく繰り返し特性に優れた媒体を構成するこ
とができる。ここで、燐は半導体や金属に混ぜることに
よりそれらを非晶質にする能力（ガラス形成能) が高く
なる。これは燐元素が共有結合性の高い元素であって、
他の物質を非晶質にしやすい特性を有するためである。
この燐のガラス形成能により、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐ合
金はＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と比較して、構造的な自由度
が減って剛性が高くなるため構造的な安定性が高まると
ともに、非晶質−結晶間の活性化エネルギーが高くなる
ため反応性が低くなって安定性が増すと考えられる。こ
れにより、長時間の再生によっても記録マークの劣化が
生じにくくなる。

【００１９】また、ガラス形成能が高いということは結
晶化し難いことにつながり、燐の添加量が多くなるほど
結晶化速度は遅くなることになる。前述のように結晶化
速度はディスクの線速度より適度に速い必要があるた
め、燐の添加量はＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の組成とディス
クの線速度に応じて決定される。すなわち、ディスクの
線速度が遅い場合には燐を多く添加できるが、速くなる
につれて燐の最適な添加量は減少していく。しかし、燐
は昇華温度が低いため、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐ合金の燐
の存在比率ｗが４０を超えると記録の際の急熱により燐
が気化して、記録・消去特性および繰り返し特性を劣化
させる恐れが高くなる。したがって、燐の存在比率ｗは
０＜ｗ≦４０となる。

【００２０】また、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅの組成についても
組成に応じて、結晶化速度および融解温度が変わる。結
晶化速度については主にＳｂ，Ｔｅに依存している。ア
ンチモン（Ｓｂ）の存在比率ｘが６０を超えた場合、ま
たはテルル（Ｔｅ）の存在比率ｙが３５以下あるいは６
５を超えると結晶化速度が遅くなり消去特性が劣化す
る。例えば線速度１．２ｍ／ｓという遅い線速度でも消
去しにくくなる。従ってアンチモン（Ｓｂ）の存在比率
は５≦ｘ≦６０であり、テルル（Ｔｅ）の存在比率は３
５≦ｙ≦６５である。

【００２１】さらに、ゲルマニウム（Ｇｅ）は、融解温
度に大きな影響を与え、ゲルマニウムの存在比率ｚが増
えると共に融解温度が上昇し、６５を超えると記録感度
が低下する。さらに、ゲルマニウムの存在比率ｚが５以
下になると融解温度および結晶化温度が低くなるため、
記録マークの結晶化が起こり易くなるため、長時間の再
生および保存によって記録マークの劣化が生じる。従っ
て、ゲルマニウム（Ｇｅ）の存在比率ｚは５≦ｚ≦６５
である。

【００２２】請求項２〜３の発明は、本発明の光情報記
録媒体において、記録層組成が所定量となるように製造
するために有効な方法である。すなわち、請求項２によ
れば、ターゲットをなす焼結体中に燐粉末、アンチモン
（Ｓｂ）燐化合物、テルル（Ｔｅ）燐化合物またはゲル
マニウム（Ｇｅ）燐化合物を含有させることにより本発
明の光情報記録媒体を容易に作成できる。また、請求項
３の方法によれば、スパッタリングによる成膜時の雰囲
気としてＡｒとＰ（気体燐）または燐を含有する気体と
の混合ガスを用いたことで、本発明の光情報記録媒体を
容易に作成できる。

【００２３】

【実施例】以下本発明を実施例により詳細に説明する。

【００２４】

【実施例１】次のような手順により、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。まず、中心穴を有
し、直径１３０ｍｍ、厚さが１．２ｍｍで、片面に１．
６μｍピッチの溝が形成されている円板上のポリカーボ
ネート樹脂からなる基板１の溝面側に、ＺｎＳとＳｉＯ
₂の混合物（ＳｉＯ₂の存在比２０ｍｏｌ％）のターゲ
ットから、ＲＦスパッタリング法により１８０ｎｍの第
一保護層２を形成する。

【００２５】次に、この第一保護層２の上に、Ｓｂ−Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｐ系合金を記録層３として２５ｎｍ形成す
る。ここで、記録層３の形成はスパッタ法によって行
い、タ−ゲットとしてＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅの合金に燐を含
有させたものを用いた。さらに、記録層３の上に第一保
護層２と同様に第二保護層４を２０ｎｍ形成し、さらに
Ａｌ合金からなる反射層５を２００ｎｍ形成する。そし
て、ＵＶ硬化樹脂６をスピンコートにより１０μｍ塗布
して紫外線により硬化させた。

【００２６】なお、記録層３を形成する際には、Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ合金の組成を一定（Ｓｂ：２５ａｔ％, Ｔ
ｅ：５５ａｔ％, Ｇｅ：２０ａｔ％）にし、これに対し
て燐（Ｐ）を各比率で含有させたターゲットによりスパ
ッタリングを行い、得られた薄膜中の各原子の含有比
ｘ，ｙ，ｚ，ｗを蛍光Ｘ線の測定により算出した。その
結果を表１に示す。

【００２７】

【表１】

【００２８】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルを駆動装置にかけて１８００ｒｐｍで回
転させた。また、波長が８３０ｎｍのレーザ光をピーク
パワー１８ｍＷとバイアスパワー９ｍＷとの間で変調さ
せ、記録信号として２−７変調の最密パターンである
１．５Ｔに相当する３．７ＭＨｚ（デュ−ティ比５０
％）のパターンを１００回オーバーライトした。この時
の記録特性を表１に示すが、燐原子の含有比ｗが０＜ｗ
≦４０であるＮｏ．２〜４については記録可能（○）で
あったが、ｗ＝４１．５のＮｏ．５についてはレーザ光
による開孔が見られ記録不可能（×）であった。

【００２９】また、再生光に対する耐性を評価するため
に、得られた各サンプルについてリ−ドパワー２．０ｍ
Ｗで再生を繰り返し、再生光の照射回数（以下、パス回
数という）と再生信号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）との
関係を調べた。その結果を図２にグラフで示す。図２
は、初回（１回）記録した時のＣ／Ｎを０として規格化
し、その値からの低下量で記述してある。図２のグラフ
から分かるように、記録層中の燐の量が多いものほどパ
ス回数の増加に伴うＣ／Ｎの低下量が小さく、再生光に
対する耐性が高い。そして、ｗ≧１．７以上であれば１
０００万回の再生の後であってもＣ／Ｎの低下量が２ｄ
Ｂ以下となり、ｗ＝０である従来のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金からなる記録層と比べて再生光に対する耐性が著しく
改善されている。なお、このＣ／Ｎ低下の原因は主にキ
ャリアー（搬送波）の低下ではなく、ノイズ（雑音）の
増加によるものであった。

【００３０】次に、繰り返し特性を評価するために、得
られたサンプルについてピークパワー１８ｍＷとバイア
スパワー９ｍＷの間で変調させ、３．７ＭＨｚと１．３
８ＭＨｚを交互に記録し１００万回までオーバーライト
したときの３．７ＭＨｚのＣ／Ｎの低下を調べた。図３
も図２と同じく初回（１回）記録したときのＣ／Ｎの値
を０として規格化し、その値からのＣ／Ｎの変動量を示
している。図３のグラフから分かるように、記録層中の
Ｐの量が多いものほど繰り返し回数の増加に伴うＣ／Ｎ
の低下量が小さく、記録・消去の繰り返しに対する耐性
が高い。そして、ｗが１２．２であれば１０万回の繰り
返しの後であってもＣ／Ｎの低下量が２ｄＢ以下とな
り、ｗ＝０である従来のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金からなる
記録層と比べて繰り返しに対する耐性が１０ｄＢ（信号
振幅で３倍）改善されている。

【００３１】

【実施例２】実施例１と同様の手順により、中心穴を有
し、直径１３０ｍｍ厚さが１．２ｍｍで、片面に１．６
μｍピッチの溝が形成されている円板上のポリカーボネ
ート樹脂からなる基板１の溝面側に、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。

【００３２】ここで、記録層３を形成する際には、合金
中の燐の量を一定（Ｐ：８ａｔ％）にし、これに対して
Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を各比率で含有させたターゲット
によりスパッタリングを行い、得られた薄膜中の各原子
の含有比ｘ，ｙ，ｚ，ｗを蛍光Ｘ線の測定により算出し
た。表２はＴｅの比率を変化させ、残りのＳｂとＧｅの
比を１：１となるように作成した記録層の組成を示す。

【００３３】

【表２】

【００３４】このようにして得られた相変化型光ディス
クの消去特性を評価するため、各サンプルを駆動装置に
かけて波長が８３０ｎｍのレーザ光をピークパワー１２
ｍＷとバイアスパワー６ｍＷとの間で変調させ、１．５
Ｔのパターンを記録後、６００ｒｐｍで回転させレーザ
光を無変調のＤＣ発光させ消去し、この時の１．５Ｔの
消去比が、一回の消去動作で飽和するかどうか調べた。
ここで、消去比とは、記録されたデータ上に新たにデー
タを記録したとき、前回記録されたデータがどのくらい
消去されたかを示す指標であって、

【００３５】

【数３】

【００３６】で表される。表２において、Ｎｏ．２〜４
については一回の消去動作により消去比が飽和、即ち消
去可能（○）であったが、ｙ＝７０のＮｏ．1 およびｙ
＝３０のＮｏ．５については一回の消去動作により消去
比が飽和しないため、消去特性が低い組成（×）であっ
た。

【００３７】

【実施例３】実施例１と同様の手順により、中心穴を有
し、直径１３０ｍｍ厚さが１．２ｍｍで、片面に１．６
μｍピッチの溝が形成されている円板上のポリカーボネ
ート樹脂からなる基板１の溝面側に、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。

【００３８】ここで、記録層３を形成する際には、合金
中の燐の量を一定にし、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を各比率
で含有させたターゲットによりスパッタリングを行い、
得られた薄膜中の各原子の含有比ｘ，ｙ，ｚ，ｗを蛍光
Ｘ線の測定により算出した。表３は記録層中の燐とＴｅ
の比率を一定（Ｐ：８ａｔ％、Ｔｅ：５０ａｔ％）に
し、ＳｂとＧｅの比率を変化させたものである。

【００３９】

【表３】

【００４０】このようにして得られた相変化型光ディス
クのデータの保存特性を評価するため、ディスクの加速
試験を行った。各サンプルを駆動装置にかけて１８００
ｒｐｍで回転させ波長が８３０ｎｍのレーザ光をピーク
パワー１８ｍＷとバイアスパワー９ｍＷとの間で変調さ
せデータを記録した。ランダムパターンを記録後、８０
℃、８０％ＲＨ（相対湿度）の恒温恒湿槽中に入れ１０
００ｈ後にデータを読みとり、データの誤り率（バイト
エラーレート）で記録マークの保存安定性を評価した。
評価基準は、バイトエラーレートが、恒温恒湿槽に投入
する前の値の３倍未満の場合良好（○）、３倍以上の場
合不良（×）と言う基準で評価したところＮｏ．２〜４
についてはすべて３倍未満であったがｚ＝２．５のＮ
ｏ．１については、３倍を超え記録マークの保存性は不
良であった。

【００４１】

【実施例４】実施例１と同様の手順により、中心穴を有
し、直径１３０ｍｍ厚さが１．２ｍｍで、片面に１．６
μｍピッチの溝が形成されている円板上のポリカーボネ
ート樹脂からなる基板１の溝面側に、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作成した。

【００４２】ここで、記録層３を形成する際には、合金
中の燐（Ｐ）の量を一定（Ｐ：８ａｔ％）にし、これに
対してＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を各比率で含有させたター
ゲットによりスパッタリングを行い、得られた薄膜中の
各原子の含有比ｘ，ｙ，ｚ，ｗを蛍光Ｘ線の測定により
算出した。その結果を表４に示す。

【００４３】

【表４】

【００４４】このようにして得られた相変化型光ディス
クのデータの記録特性を評価するため、各サンプルを駆
動装置にかけて１８００ｒｐｍで回転させ波長が８３０
ｎｍのレーザ光をバイアスパワー９ｍＷに固定したま
ま、ピークパワーを種々変化させ評価を行った。記録感
度をＣ／Ｎが５０ｄＢを超えたピークパワーをもって、
定義した場合、２０ｍＷ以下の記録感度のものを記録良
好（○）、そのパワーでも５０ｄＢに達しなかったとき
記録不良（×）として評価した。Ｎｏ．２と３について
は記録感度が２０ｍＷ以下であり記録良好（○）であっ
たが、ｘ＝２．５のＮｏ．１については、記録感度が２
０ｍＷ以上の記録不良（×）であった。

【００４５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、記録層をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐ系合金（Ｓｂの原子
比ｘ：５≦ｘ≦６０、Ｔｅの原子比ｙ：３５≦ｙ≦６
５、Ｇｅの原子比ｚ：５≦ｚ≦６５、Ｐの原子比ｗ：０
＜ｗ≦４０）の材料で構成することにより、記録・消去
特性に大きな変動を与えることなく、長時間の再生によ
る記録マークの劣化を防ぐことができかつ繰り返しに対
する耐久性が向上するため、記録データの信頼性が高い
光情報記録媒体が得られる。

【００４６】また、請求項２〜３の方法によれば、請求
項１の光情報記録媒体における記録層組成が所定量とな
るように製造するために有効な方法であり光情報記録媒
体の量産が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の相変化型光ディスクの層構造を示す断
面図である。

【図２】Ｐの含有比率（ｗ）が異なる各サンプルについ
て、再生光の照射回数（パス回数）と再生信号のＣ／Ｎ
（搬送波対雑音比）との関係を示すグラフである。

【図３】Ｐの含有比率（ｗ）が異なる各サンプルについ
て、記録・消去の繰り返し回数とＣ／Ｎ（搬送波対雑音
比）との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１透明基板２第一保護層３記録層４第二保護層５反射層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板の一方の面に設けられた記録
層に結晶−非晶質間の相変化を生じさせることにより、
情報の記録・消去を行う光情報記録媒体において、前記
記録層のアンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）および燐（Ｐ）の組成が原子数比で下記
の式で表される【数１】ことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】透明な基板の一方の面に設けられた記録
層に結晶−非晶質間の相変化を生じさせることにより情
報の記録・消去を行う光情報記録媒体の製造方法におい
て、前記記録層をアンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）および燐（Ｐ）からなる合金で構成
するために、焼結体をターゲットとしてスパッタリング
法により製造し、前記スパッタリングのターゲットをなす焼結体には、予
め燐粉末あるいはアンチモン（Ｓｂ）燐化合物、テルル
（Ｔｅ）燐化合物またはゲルマニウム（Ｇｅ）燐化合物
を含有させたことを特徴とする光情報記録媒体の製造方
法。
【請求項３】透明な基板の一方の面に設けられた記録
層に結晶−非晶質間の相変化を生じさせることにより、
情報の記録・消去を行う光情報記録媒体の製造方法にお
いて、前記記録層をアンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）および燐（Ｐ）からなる合金で構成
するために、焼結体をターゲットとしてスパッタリング
法により製造し、前記スパッタリングの雰囲気ガスとしてＰ（気体燐）ま
たは燐を含有する気体とＡｒとの混合ガスを用いたこと
を特徴とする光情報記録媒体の製造方法。