JPH061313B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH061313B2
JPH061313B2 JP2219685A JP2219685A JPH061313B2 JP H061313 B2 JPH061313 B2 JP H061313B2 JP 2219685 A JP2219685 A JP 2219685A JP 2219685 A JP2219685 A JP 2219685A JP H061313 B2 JPH061313 B2 JP H061313B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称す）等の
スイッチング素子を内蔵したアクティブ・マトリックス
型液晶表示装置に関し、特に分割露光方式により表示装
置のセル基板に大面積のＴＦＴを形成する場合に上記ス
イッチング素子の各電極を連結するバスバーの断線や接
続不良等を解消することを企図した液晶表示装置用ＴＦ
Ｔアレイ搭載基板の構造に関するものである。
＜従来技術＞ 従来の一般的なＴＦＴを搭載した表示装置用セル基板の
構造及びその形成方法について、第４図(A)(B)とともに
説明する。第４図(A)はＴＦＴ構造を示す要部断面図、
第４図(B)は同平面図である。表示セルの基板を兼備す
る絶縁基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導
体層４を順次堆積し、半導体層４にソース電極５及びド
レイン電極６を形成することによりＴＦＴが作製され、
ドレイン電極６には表示用絵素電極７が連結される。
上記構造を有するＴＦＴをマトリックス状に正規配列し
たケル基板を用いて液晶表示セルを形成し、ＴＦＴを駆
動回路に接続してＸ−Ｙマトリックス型液晶表示装置の
スイッチング素子として動作させ、各絵素電極７の給電
制御用に使用する場合、マトリックス表示における表示
特性が良好で絵素毎のコントラストが均一な液晶表示装
置を得るためには個々のＴＦＴの特性が良好でかつ相互
に均一であるようにＴＦＴアレイ聞板を作製することが
要求される。一方、大面積にわたって高解像度で明るい
パターンの表示画面を得るためには、表示面全域に小さ
なＴＦＴを数多く形成する必要があり、大面積の薄膜を
高精度にパターン化するためのフォトリソグラフィー技
術が必要となる。しかしながら、面積が大きくなるほど
レジストをパターン化するためのフォトマスク及びマス
クアライナーの精度が悪化し、薄膜の高精度なパターン
化は困難となる。薄膜のパターン化精度が悪くなると、
ゲート電極とソース及びドレイン電極の重なり状態がば
らつくことになり、ゲート電極とソース電極及びゲート
電極とトレイン電極間の容量が不均一となる。また位置
ずれがはなはだしい場合にはゲート電極とソース電極ま
たはドレイン電極のオフセットが起り、ＴＦＴの特性が
悪化する。このため、ＴＦＴの形成された広い面積の表
示領域を精度良くパターン化するために、表示領域のＴ
ＦＴを複数に群割し、各群単位で順次パターンを形成す
る分割露光方式が提唱されている。しかしながら分割露
光の場合には、形成された各群におけるパターン間相互
の接合境界での位置ずれによって、各パターン間で導通
が必要なゲート電極やソース電極をＸ−Ｙ方向に連結す
る線（バスバー）が接合部で正確に合致せず、バスバー
に線幅の狭小化や断線が生じる。
各ＴＦＴ素子のゲート電極及びソース電極に信号を供給
するバスバーはＴＦＴの配列間隙に沿ってＸ−Ｙ方向に
配列され、同一行・同一列のゲート電極・ソース電極を
共通接続するため、直線的な帯状に成形する必要があ
る。しかしながら、例えばポジ型レジストを用いて分割
露光方式によりＴＦＴのゲート電極又はソース電極のバ
スバーをパターン成形した場合、第５図(A)に示す如く
分割露光を境界領域でバスバーが完全に合致せず接合ず
れを生じ易い。従ってこの部分でバスバーの線幅が狭く
なり、接合ずれが大きくなるとバスバーが断線された結
果となる。尚、実際の分割露光においては分割境界部は
重なり合って双方の露光時に２度露光される結果となる
ため分割境界領域でのバスバーの接合ずれは第５図(B)
に示すような重なり部Ｗをもった形状となる。
＜発明の目的＞ 本発明は上述の問題点に鑑み、技術的手段を駆使するこ
とにより、分割露光により形成されたＴＦＴアレイ等の
バスバー間の接合不良を防止し、信頼性の高いＴＦＴア
レイ基板用いた液晶表示装置を提供することを目的とす
るものである。
＜実施例＞ 以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
第１図は本発明の１実施例の説明に供するＴＦＴアレイ
搭載基板の要部平面図である。ガラス、セラミック等の
絶縁基板上に正規配列されたＴＦＴアレイが形成されて
おり、また絶縁基板上にはＴＦＴのドレイン電極６に連
結された絵素電極７がＸ−Ｙマトリックス状に配置さ
れ、マトリックス表示の際の絵素を構成する。ＴＦＴの
ゲート電極２はＸ方向に配列されたゲート電極用バスバ
ー２１によって同一行のゲート電極２が共通接続されて
おり、またＴＦＴのソース電極５はＹ方向に配列された
ソース電極用バスバー５１によって同一列のソース電極
５が共通接続されている。分割露光時に群割されるＴＦ
Ｔパターンの分割境界線に位置するゲート電極用バスバ
ー２１には微小な膨出部２２が形成されており、またソ
ース電極用バスバー５１にも同様に微小な膨出部５２が
形成されている。これら膨出部２２，５２は分割露光に
よるパターン形成の際、各分割領域で形成されたバスバ
ー２１，５１の接合部における連結パッドとなる。バス
バー２１，５１の接合部の詳細を第２図に示す。分割露
光の際、バスバー２１，５１のパターン形成位置が各分
割領域でずれた場合であっても膨出部２２，５２が分割
境界の重なり部Ｗで重なり合って連結パッドを構成し、
これによって接合ずれに起因するバスバー２１，５１の
線幅の狭小化を防止することができる。バスバー２１，
５１の膨出部２２，５２はバスバーパターンを形成する
露光用マスクを成形することによってバスバーパターン
と同時に形成される。膨出部２２，５２の寸法はバスバ
ーパターンの分割露光時の接合位置合せ精度に応じて適
宜決定する。分割露光における分割境界はＴＦＴを切断
しない位置に設定することが望ましい。従って、膨出部
２２，５２はＴＦＴより離れた位置に設けられ、膨出部
２２，５２と接触しないように絵素電極７には縁部に切
欠が形成されている。この切欠は絵素電極７の全面積に
比べて非常に小さいので表示パターンに影響を与えるこ
とはない。
第３図は上記ＴＦＴアレイ搭載基板を用いた透過型マト
リックス液晶表示装置の１実施例を示す断面図である。
ガラス又は透明プラスチック等から成る光透過性絶縁基
板１上にＡｌ等から成るゲート電極２，Ｓi3Ｎ４からな
るゲート絶縁膜３、アモルファスシリコンから成る半導
体層４が順次積層され、半導体層４上にはＡｌ等から成
るソース電極５とドレイン電極６が左右方向より重畳さ
れ、ＴＦＴが構成されている。またドレイン電極６には
透明導電膜（I.T.O）から成る絵素電極７が連結されて
いる。ＴＦＴ及び絵素電極７は第１図に示す如く絶縁基
板１上にマトリックス状に配置され、ＴＦＴのゲート電
極２とソース電極５は膨出部２２，５２を有するバスバ
ー２１，５１によりＸ−Ｙ方向に共通接続されている。
更にこれらの上に液晶との接触による劣化を防止するた
めＳi3Ｎ４から成る保護膜８と液晶分子の配向を決定す
るラビング処理されたSiO2から成る配向層１０が重畳し
て堆積され、半導体層４直上の保護膜８と配向層１０の
界面には半導体層４への高照射によるＴＦＴ特性の変動
を防止するためＡｌ等から成る光シールド層９が介挿さ
れている。一方、絶縁基板１とともに液晶表示表示セル
のセル基板を構成する他方の光透過性絶縁基板１１には
その内面に透明導電膜から成る対向電１２とSiO2から成
る配向層１３が積層され、両配向層１０，１３間にはツ
イステッドネマティック型液晶１４が封入されている。
ゲート電極２のバスバー２１とソース電極５のバスバー
５１は外部駆動回路に接続されてＴＦＴのスイッチング
動作が制御され、また対向電極１２も外部駆動回路に接
続されてTFTに連結された絵素電極７との間で液晶１４
に電界を印加する。以上により本実施例の液晶表示装置
が構成される。
ＴＦＴに動作信号を供給するバスバーは接合部が連結パ
ッドにより接合されているため線幅の狭小化による動作
信号の不通や断線等がなく、全てＴＦＴに確実に必要と
する動作信号を供給することができる。従って大面積に
わたってＴＦＴの動作特性が均一化され、表示品位の良
好な表示パターンが得られる。
尚、上記実施例はＴＦＴのバスバーに膨出部を形成して
連結パッドとする場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、MOS・FETやＭＩＭ等の回
路素子を多数配列した場合のバスバーにも適用すること
ができる。
＜発明の効果＞ 以上詳説した如く本発明によれば液晶表示装置のセル基
板に多数配置された表示駆動用回路素子に確実に動作信
号を供給することができ、広い表示画面の全てにわたっ
てコントラスト等の均一な信頼性の高い表示パターンを
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例の説明に供するTFTアレイ搭
載基板の要部平面図である。第２図は第１図に示すバス
バーの接合部の詳細図である。第３図は第１図のＴＦＴ
アレイ搭載基板を用いて作製した液晶表示装置の１実施
例を示す要部断面構成図である。 第４図は従来のＴＦＴアレイ搭載基板の要部断面図及び
要部平面図である。第５図は従来のバスバーの接合部を
示す詳細図である。 １，11…絶縁基板 ２…ゲート電極 ３…ゲート絶縁膜
４…半導体層 ５…ソース電極 ６…ドレイン電極
７…絵素電極 １４…液晶 21，51…バスバー 22，52
…膨出部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一方のセル基板に複数の表示駆
    動用回路素子を配置して成る液晶表示装置において、前
    記回路素子を相互に接続するバスバーの分割露光境界に
    対応する接合位置にバスバー形状を膨出成形した連結パ
    ッドを形成したことを特徴とする液晶表示装置。
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