JPH06132546A - フローセンサおよびその製造方法 - Google Patents
フローセンサおよびその製造方法Info
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- JPH06132546A JPH06132546A JP4282042A JP28204292A JPH06132546A JP H06132546 A JPH06132546 A JP H06132546A JP 4282042 A JP4282042 A JP 4282042A JP 28204292 A JP28204292 A JP 28204292A JP H06132546 A JPH06132546 A JP H06132546A
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- flow sensor
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Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１と、該基板１の表面１ａに形成された
絶縁層２と、該絶縁層２の表面に形成された流量検出回
路導体３，４，５とを有し、基板１の、流量検出回路導
体３，４，５の裏側に位置する部分が取り除かれること
により薄膜部９が形成されてなるものにおいて、薄膜部
９に補強用の梁部１０を設けてなる。 【効果】 薄膜部９に設けられた梁部１０によって、流
速感度の大きな低下を招くことなく薄膜部９の機械的強
度が向上されることになるため、強い流体の流れや衝突
があっても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅
に向上しかつ歩留りが向上する。
絶縁層２と、該絶縁層２の表面に形成された流量検出回
路導体３，４，５とを有し、基板１の、流量検出回路導
体３，４，５の裏側に位置する部分が取り除かれること
により薄膜部９が形成されてなるものにおいて、薄膜部
９に補強用の梁部１０を設けてなる。 【効果】 薄膜部９に設けられた梁部１０によって、流
速感度の大きな低下を招くことなく薄膜部９の機械的強
度が向上されることになるため、強い流体の流れや衝突
があっても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅
に向上しかつ歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極めて微少な流体の流
速を検出するフローセンサおよびその製造方法に関す
る。
速を検出するフローセンサおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】極めて微少な流体の流速を検出するフロ
ーセンサとして、例えば、特開平２−１０７９２３号公
報に記載されたものあるいは本出願人が先に出願した特
願平３−１７９９８２号に記載されたもの等、極めて熱
容量の小さい薄膜橋架構造または薄膜構造（以下薄膜構
造と称す）を有する流量センサチップからなるものがあ
る。これは、薄膜部に、流量を検出するための流量検出
回路導体を薄膜形成技術および薄膜加工技術等によって
形成してなるものであって、流量検出回路導体の上流側
と下流側とに流速に応じた温度差が生じることを利用し
ている。すなわち、例えば流量検出回路導体を発熱体と
該発熱体の上流側および下流側に設けられた一対の感温
抵抗体とから構成し、前記両側の感温抵抗体に、流速に
応じた温度差による抵抗値の差が生じることを利用する
ものである。
ーセンサとして、例えば、特開平２−１０７９２３号公
報に記載されたものあるいは本出願人が先に出願した特
願平３−１７９９８２号に記載されたもの等、極めて熱
容量の小さい薄膜橋架構造または薄膜構造（以下薄膜構
造と称す）を有する流量センサチップからなるものがあ
る。これは、薄膜部に、流量を検出するための流量検出
回路導体を薄膜形成技術および薄膜加工技術等によって
形成してなるものであって、流量検出回路導体の上流側
と下流側とに流速に応じた温度差が生じることを利用し
ている。すなわち、例えば流量検出回路導体を発熱体と
該発熱体の上流側および下流側に設けられた一対の感温
抵抗体とから構成し、前記両側の感温抵抗体に、流速に
応じた温度差による抵抗値の差が生じることを利用する
ものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】微少な流体の流速を検
出するためには、流量検出回路導体を形成する領域の熱
容量を小さくして微少な温度変化を検知する必要があ
り、そのため流量検出回路導体の形成領域となる薄膜部
は極力薄く形成されることになる。これにより、薄膜部
の機械的強度が不足して、強い流体の流れや衝突により
破損を生じる可能性があり、この点で改善の余地があっ
た。
出するためには、流量検出回路導体を形成する領域の熱
容量を小さくして微少な温度変化を検知する必要があ
り、そのため流量検出回路導体の形成領域となる薄膜部
は極力薄く形成されることになる。これにより、薄膜部
の機械的強度が不足して、強い流体の流れや衝突により
破損を生じる可能性があり、この点で改善の余地があっ
た。
【０００４】したがって、本発明の目的は、薄膜部の機
械的強度を向上させ、強い流体の流れや衝突があっても
破損を生じることがないフローセンサおよびその製造方
法を提供することである。
械的強度を向上させ、強い流体の流れや衝突があっても
破損を生じることがないフローセンサおよびその製造方
法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のフローセンサは、基板と、該基板の表面に
形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された流量
検出回路導体とを有し、前記基板の、前記流量検出回路
導体の裏側に位置する部分が取り除かれることにより薄
膜部が形成されてなるものであって、前記薄膜部に補強
用の梁部を設けてなることを特徴としている。
に、本発明のフローセンサは、基板と、該基板の表面に
形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された流量
検出回路導体とを有し、前記基板の、前記流量検出回路
導体の裏側に位置する部分が取り除かれることにより薄
膜部が形成されてなるものであって、前記薄膜部に補強
用の梁部を設けてなることを特徴としている。
【０００６】また、本発明のフローセンサの製造方法
は、基板と、該基板の表面に形成された絶縁層と、該絶
縁層の表面に形成された流量検出回路導体とを有し、前
記基板の、前記流量検出回路導体の裏側に位置する部分
が取り除かれることにより薄膜部が形成されるととも
に、該薄膜部に補強用の梁部を設けてなるものの製造方
法であって、前記基板の表面側から前記梁部形成位置に
ドーピング処理を施し、前記基板の裏面側からエッチン
グを施すことにより、前記基板の、前記流量検出回路導
体の裏側に位置する部分を取り除くとともに、ドーピン
グ処理部を残存させて前記梁部を形成することを特徴と
している。
は、基板と、該基板の表面に形成された絶縁層と、該絶
縁層の表面に形成された流量検出回路導体とを有し、前
記基板の、前記流量検出回路導体の裏側に位置する部分
が取り除かれることにより薄膜部が形成されるととも
に、該薄膜部に補強用の梁部を設けてなるものの製造方
法であって、前記基板の表面側から前記梁部形成位置に
ドーピング処理を施し、前記基板の裏面側からエッチン
グを施すことにより、前記基板の、前記流量検出回路導
体の裏側に位置する部分を取り除くとともに、ドーピン
グ処理部を残存させて前記梁部を形成することを特徴と
している。
【０００７】
【作用】本発明のフローセンサによれば、薄膜部に設け
られた梁部によって、薄膜部の機械的強度が向上される
ことになるため、強い流体の流れや衝突があっても破損
を生じることがなくなる。
られた梁部によって、薄膜部の機械的強度が向上される
ことになるため、強い流体の流れや衝突があっても破損
を生じることがなくなる。
【０００８】また、本発明のフローセンサの製造方法に
よれば、基板の表面側から梁部形成位置にドーピング処
理を施し、基板の裏面側からエッチングを施すことによ
り、基板の、流量検出回路導体の裏側に位置する部分を
取り除くとともに、ドーピング処理部を残存させて梁部
を形成することになるため、複雑な製造方法を用いるこ
となく簡単に梁部を形成できる。
よれば、基板の表面側から梁部形成位置にドーピング処
理を施し、基板の裏面側からエッチングを施すことによ
り、基板の、流量検出回路導体の裏側に位置する部分を
取り除くとともに、ドーピング処理部を残存させて梁部
を形成することになるため、複雑な製造方法を用いるこ
となく簡単に梁部を形成できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例によるフローセンサ
およびその製造方法を図１〜図１３を参照して以下に説
明する。
およびその製造方法を図１〜図１３を参照して以下に説
明する。
【００１０】本実施例のフローセンサは、図１，図２に
示す如く、基板１と、この基板１の表面１ａに形成され
た絶縁層２と、この絶縁層２の表面に形成された流量検
出回路導体３，４，５と、これら流量検出回路導体３，
４，５を覆うように絶縁層２の表面に形成された絶縁膜
６と、基板１の裏面１ｂ側の絶縁膜７とを有している。
なお、このフローセンサは、裏面側が流路を形成する管
の内面等に取り付けられ、流体がその表面側を図１にお
いて符号Ｘで示す方向に流れるように設置されるもので
ある。
示す如く、基板１と、この基板１の表面１ａに形成され
た絶縁層２と、この絶縁層２の表面に形成された流量検
出回路導体３，４，５と、これら流量検出回路導体３，
４，５を覆うように絶縁層２の表面に形成された絶縁膜
６と、基板１の裏面１ｂ側の絶縁膜７とを有している。
なお、このフローセンサは、裏面側が流路を形成する管
の内面等に取り付けられ、流体がその表面側を図１にお
いて符号Ｘで示す方向に流れるように設置されるもので
ある。
【００１１】そして、流量検出回路導体３，４，５の裏
側には、基板１が部分的に取除かれることにより、絶縁
層２を裏側に露出させる開口部８が形成されている。こ
の開口部８を形成することにより、この開口部８に臨む
絶縁層２、流量検出回路導体３，４，５および絶縁膜６
が薄膜部９を構成することになる。また、開口部８の開
口範囲に位置する絶縁層２の裏側には梁部１０が、流体
の流れの方向に直交して開口部８を貫いて設けられてい
る。
側には、基板１が部分的に取除かれることにより、絶縁
層２を裏側に露出させる開口部８が形成されている。こ
の開口部８を形成することにより、この開口部８に臨む
絶縁層２、流量検出回路導体３，４，５および絶縁膜６
が薄膜部９を構成することになる。また、開口部８の開
口範囲に位置する絶縁層２の裏側には梁部１０が、流体
の流れの方向に直交して開口部８を貫いて設けられてい
る。
【００１２】ここで、流量検出回路導体３，４，５は、
所定量の熱を発生させるヒータ４と、絶縁層２の表面に
おけるヒータ４の両側の所定位置に形成された感温抵抗
体３，５（上流側感温抵抗体３、下流側感温抵抗体５）
とよりなる。
所定量の熱を発生させるヒータ４と、絶縁層２の表面に
おけるヒータ４の両側の所定位置に形成された感温抵抗
体３，５（上流側感温抵抗体３、下流側感温抵抗体５）
とよりなる。
【００１３】そして、例えば、基板１の板厚は２００〜
４００μｍ、絶縁層２および絶縁膜６の全体の厚さは約
１μｍ、ヒータ４および感温抵抗体３，５の厚さは８０
ｎｍ、梁部１０の厚さは数μｍとされている。
４００μｍ、絶縁層２および絶縁膜６の全体の厚さは約
１μｍ、ヒータ４および感温抵抗体３，５の厚さは８０
ｎｍ、梁部１０の厚さは数μｍとされている。
【００１４】このような構成の本実施例のフローセンサ
によれば、薄膜部９に設けられた梁部１０によって、流
速感度の大きな低下を招くことなく薄膜部９の機械的強
度が向上されることになるため、強い流体の流れや衝突
があっても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅
に向上しかつ歩留りが向上する。なお、梁部１０は、薄
膜部９の裏面側に形成されるため、流体が通る表面には
凹凸を形成することがなく、よって、流体の流れを乱す
ことがない。
によれば、薄膜部９に設けられた梁部１０によって、流
速感度の大きな低下を招くことなく薄膜部９の機械的強
度が向上されることになるため、強い流体の流れや衝突
があっても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅
に向上しかつ歩留りが向上する。なお、梁部１０は、薄
膜部９の裏面側に形成されるため、流体が通る表面には
凹凸を形成することがなく、よって、流体の流れを乱す
ことがない。
【００１５】上記フローセンサは、例えば以下の手順で
容易に製作できる。まず、図３に示す如く、前記板厚の
基板１としてシリコン基板を用意する。次に、図４に示
す如く、基板１の表面１ａに絶縁膜１１を形成する。こ
の絶縁膜１１としては、例えば酸化シリコン等が採用さ
れ、該酸化シリコンを熱酸化法により基板１の表面１ａ
に所定圧厚形成する。
容易に製作できる。まず、図３に示す如く、前記板厚の
基板１としてシリコン基板を用意する。次に、図４に示
す如く、基板１の表面１ａに絶縁膜１１を形成する。こ
の絶縁膜１１としては、例えば酸化シリコン等が採用さ
れ、該酸化シリコンを熱酸化法により基板１の表面１ａ
に所定圧厚形成する。
【００１６】そして、図５に示す如く、基板１の梁部１
０形成位置に対応させて、絶縁膜１１の一部をリソグラ
フィにより梁部１０の平面パターン形状に除去する。次
に、図６に示す如く、基板１の絶縁膜１１を除去した領
域に、表面１ａ側から不純物として例えばボロン等を熱
拡散により深さ数μｍ程度ドーピングしてドーピング処
理部１０Ａを形成する。ここで、後述するように、シリ
コンの異方性エッチングに一般に用いられているＫＯＨ
（水酸化カリウム）溶液を用いると、ボロン濃度が、例
えば、１０20ｃｍ-3以上でドーピング処理部１０Ａのエ
ッチング速度がシリコンのエッチング速度の２０倍減少
することになるため、このドーピング処理部１０Ａの領
域が残存して梁部１０をなすことになる。
０形成位置に対応させて、絶縁膜１１の一部をリソグラ
フィにより梁部１０の平面パターン形状に除去する。次
に、図６に示す如く、基板１の絶縁膜１１を除去した領
域に、表面１ａ側から不純物として例えばボロン等を熱
拡散により深さ数μｍ程度ドーピングしてドーピング処
理部１０Ａを形成する。ここで、後述するように、シリ
コンの異方性エッチングに一般に用いられているＫＯＨ
（水酸化カリウム）溶液を用いると、ボロン濃度が、例
えば、１０20ｃｍ-3以上でドーピング処理部１０Ａのエ
ッチング速度がシリコンのエッチング速度の２０倍減少
することになるため、このドーピング処理部１０Ａの領
域が残存して梁部１０をなすことになる。
【００１７】そして、図７に示す如く、その後、酸化シ
リコンからなる絶縁膜１１をバッフアードフッ酸で除去
する。次に、図８に示す如く、ボロンをドーピングした
基板１の表面１ａおよび裏面１ｂに絶縁膜（窒化シリコ
ン）をスパッタ法、プラスマＣＶＤ法等により堆積し、
表面１ａの絶縁膜を前記絶縁層２とし、裏面１ｂの絶縁
膜を前記絶縁膜７とする。なお、絶縁膜７は、後述する
ように、基板１に開口部８を形成するために設けられる
ものである。
リコンからなる絶縁膜１１をバッフアードフッ酸で除去
する。次に、図８に示す如く、ボロンをドーピングした
基板１の表面１ａおよび裏面１ｂに絶縁膜（窒化シリコ
ン）をスパッタ法、プラスマＣＶＤ法等により堆積し、
表面１ａの絶縁膜を前記絶縁層２とし、裏面１ｂの絶縁
膜を前記絶縁膜７とする。なお、絶縁膜７は、後述する
ように、基板１に開口部８を形成するために設けられる
ものである。
【００１８】そして、図９に示す如く、絶縁層２にヒー
タ４および感温抵抗体３，５を形成する金属膜を蒸着
し、リソグラフィにより所望の形状に加工する。金属膜
は、Ｎi，Ｎi−Ｆe，Ｐt等を用いて、真空蒸着法、スパ
ッタ法等により成膜する。次に、図１０に示す如く、ヒ
ータ４および感温抵抗体３，５が形成された絶縁層２
に、絶縁膜６を絶縁層２又は絶縁膜７と同様に形成す
る。
タ４および感温抵抗体３，５を形成する金属膜を蒸着
し、リソグラフィにより所望の形状に加工する。金属膜
は、Ｎi，Ｎi−Ｆe，Ｐt等を用いて、真空蒸着法、スパ
ッタ法等により成膜する。次に、図１０に示す如く、ヒ
ータ４および感温抵抗体３，５が形成された絶縁層２
に、絶縁膜６を絶縁層２又は絶縁膜７と同様に形成す
る。
【００１９】そして、図１１に示す如く、開口部８を形
成しようとするヒータ４および感温抵抗体３，５の裏側
の対応する所定位置において絶縁膜７の一部を除去し、
シリコン面（基板１の裏面１ｂ）を露出させる。その
後、異方性エッチングにより露出している裏面１ｂ側か
らエッチングを行い、図１２に示す如く、開口部８を形
成し、薄膜部９を形成する。
成しようとするヒータ４および感温抵抗体３，５の裏側
の対応する所定位置において絶縁膜７の一部を除去し、
シリコン面（基板１の裏面１ｂ）を露出させる。その
後、異方性エッチングにより露出している裏面１ｂ側か
らエッチングを行い、図１２に示す如く、開口部８を形
成し、薄膜部９を形成する。
【００２０】ここで、異方性エッチング液としては、一
般に用いられているＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用
いる。このエッチング液はシリコンをエッチングする
が、絶縁膜（窒化シリコン）はエッチングすることな
く、また、ボロンが高濃度でドーピングされたシリコン
のドーピング処理部１０Ａはエッチング速度が極端に減
少する。これにより、ヒータ４および感温抵抗体３，５
の裏側の所定の位置のみを所定の面積だけ取除くことが
でき、絶縁層２の裏面側に高濃度のボロンを含んだシリ
コン領域を残存させて梁部１０を形成することができ
る。
般に用いられているＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用
いる。このエッチング液はシリコンをエッチングする
が、絶縁膜（窒化シリコン）はエッチングすることな
く、また、ボロンが高濃度でドーピングされたシリコン
のドーピング処理部１０Ａはエッチング速度が極端に減
少する。これにより、ヒータ４および感温抵抗体３，５
の裏側の所定の位置のみを所定の面積だけ取除くことが
でき、絶縁層２の裏面側に高濃度のボロンを含んだシリ
コン領域を残存させて梁部１０を形成することができ
る。
【００２１】以上に述べた本実施例の製造方法によれ
ば、基板１の表面１ａ側から梁部１０形成位置にドーピ
ング処理を施し、基板１の裏面１ｂ側からエッチングを
施すことにより、基板１の、流量検出回路導体３，４，
５の裏側に位置する部分を取り除くとともに、ドーピン
グ処理部１０Ａを残存させて梁部１０を形成することに
なるため、複雑な製造方法を用いることなく簡単に梁部
１０を形成できる。
ば、基板１の表面１ａ側から梁部１０形成位置にドーピ
ング処理を施し、基板１の裏面１ｂ側からエッチングを
施すことにより、基板１の、流量検出回路導体３，４，
５の裏側に位置する部分を取り除くとともに、ドーピン
グ処理部１０Ａを残存させて梁部１０を形成することに
なるため、複雑な製造方法を用いることなく簡単に梁部
１０を形成できる。
【００２２】ここで、上記フローセンサは、ヒータ４を
周囲温度よりも一定の高い温度で制御すれば、流体の流
れがない場合、温度分布はヒータ４を中心にその両側で
対称となる。そして、流体が図１において矢印Ｘで示す
如く移動すると上流側の感温抵抗体３は冷却され、下流
側の感温抵抗体５は流体の流れを媒体としてヒータ４か
らの熱伝導が促進され温度が上昇し、結果として両抵抗
体３，５において温度差が生じる。このため、各感温抵
抗体３，５をホイートストンブリッジ回路に組込むこと
により上記温度差を電圧に変換すれば、流速に応じた電
圧出力が得られ流体の流速が検出できる。
周囲温度よりも一定の高い温度で制御すれば、流体の流
れがない場合、温度分布はヒータ４を中心にその両側で
対称となる。そして、流体が図１において矢印Ｘで示す
如く移動すると上流側の感温抵抗体３は冷却され、下流
側の感温抵抗体５は流体の流れを媒体としてヒータ４か
らの熱伝導が促進され温度が上昇し、結果として両抵抗
体３，５において温度差が生じる。このため、各感温抵
抗体３，５をホイートストンブリッジ回路に組込むこと
により上記温度差を電圧に変換すれば、流速に応じた電
圧出力が得られ流体の流速が検出できる。
【００２３】なお、上記梁部１０の形状は上記に限定さ
れることはなく、例えば、複数設けたり、流体の方向に
沿って設けたり、流体の方向に沿う部分と直交する部分
とからなる十字状に形成したりすること等が可能であ
る。
れることはなく、例えば、複数設けたり、流体の方向に
沿って設けたり、流体の方向に沿う部分と直交する部分
とからなる十字状に形成したりすること等が可能であ
る。
【００２４】また、薄膜部９の強度を向上する目的から
は、梁部１０の材料を金属材料とすることも可能であ
る。この場合、図１３に示すように、絶縁層２の成膜を
２回に分けて二層２ａ，２ｂに分け、一方の層２ａに梁
部１０を構成する金属膜を所望の形状にパターニングし
て形成することも可能である。また、絶縁膜６上に所望
の形状にパターニングして形成することも可能である。
は、梁部１０の材料を金属材料とすることも可能であ
る。この場合、図１３に示すように、絶縁層２の成膜を
２回に分けて二層２ａ，２ｂに分け、一方の層２ａに梁
部１０を構成する金属膜を所望の形状にパターニングし
て形成することも可能である。また、絶縁膜６上に所望
の形状にパターニングして形成することも可能である。
【００２５】さらに、流量検出回路導体としてヒータ４
と感温抵抗体３，５を用いた例を説明したが、流量検出
回路導体が二つの発熱体により構成され、この発熱体の
温度に流速に応じた差が生じることを利用した方式のも
のであっても、本発明を適用することができ、同様の効
果を奏することができる。
と感温抵抗体３，５を用いた例を説明したが、流量検出
回路導体が二つの発熱体により構成され、この発熱体の
温度に流速に応じた差が生じることを利用した方式のも
のであっても、本発明を適用することができ、同様の効
果を奏することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフローセ
ンサによれば、薄膜部に設けられた梁部によって、流速
感度の大きな低下を招くことなく薄膜部の機械的強度が
向上されることになるため、強い流体の流れや衝突があ
っても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅に向
上しかつ歩留りが向上する。
ンサによれば、薄膜部に設けられた梁部によって、流速
感度の大きな低下を招くことなく薄膜部の機械的強度が
向上されることになるため、強い流体の流れや衝突があ
っても破損を生じることがなくなり、信頼性が大幅に向
上しかつ歩留りが向上する。
【００２７】また、本発明のフローセンサの製造方法に
よれば、基板の表面側から梁部形成位置にドーピング処
理を施し、基板の裏面側からエッチングを施すことによ
り、基板の、流量検出回路導体の裏側に位置する部分を
取り除くとともに、ドーピング処理部を残存させて梁部
を形成することになるため、複雑な製造方法を用いるこ
となく簡単に梁部を形成できる。
よれば、基板の表面側から梁部形成位置にドーピング処
理を施し、基板の裏面側からエッチングを施すことによ
り、基板の、流量検出回路導体の裏側に位置する部分を
取り除くとともに、ドーピング処理部を残存させて梁部
を形成することになるため、複雑な製造方法を用いるこ
となく簡単に梁部を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるフローセンサの斜視図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例によるフローセンサの図１に
示すＡ−Ａ線断面図である。
示すＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図５】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図７】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図８】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図９】本発明の一実施例によるフローセンサの製造工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図１０】本発明の一実施例によるフローセンサの製造
工程を示す側断面図である。
工程を示す側断面図である。
【図１１】本発明の一実施例によるフローセンサの製造
工程を示す側断面図である。
工程を示す側断面図である。
【図１２】本発明の一実施例によるフローセンサの製造
工程を示す側断面図である。
工程を示す側断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例によるフローセンサの断
面図である。
面図である。
１ 基板 １ａ 表面 １ｂ 裏面 ２ 絶縁層 ３，４，５ 流量検出回路導体 ９ 薄膜部 １０ 梁部 １０Ａ ドーピング処理部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、該基板の表面に形成された絶縁
層と、該絶縁層の表面に形成された流量検出回路導体と
を有し、前記基板の、前記流量検出回路導体の裏側に位
置する部分が取り除かれることにより薄膜部が形成され
てなるフローセンサにおいて、 前記薄膜部に補強用の梁部を設けてなることを特徴とす
るフローセンサ。 - 【請求項２】 基板と、該基板の表面に形成された絶縁
層と、該絶縁層の表面に形成された流量検出回路導体と
を有し、前記基板の、前記流量検出回路導体の裏側に位
置する部分が取り除かれることにより薄膜部が形成され
るとともに、該薄膜部に補強用の梁部を設けてなるフロ
ーセンサの製造方法であって、 前記基板の表面側から前記梁部形成位置にドーピング処
理を施し、 前記基板の裏面側からエッチングを施すことにより、前
記基板の、前記流量検出回路導体の裏側に位置する部分
を取り除くとともに、ドーピング処理部を残存させて前
記梁部を形成することを特徴とするフローセンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282042A JPH06132546A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | フローセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282042A JPH06132546A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | フローセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132546A true JPH06132546A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17647415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4282042A Withdrawn JPH06132546A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | フローセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019196933A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 愛知時計電機株式会社 | 熱線式流量計 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP4282042A patent/JPH06132546A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019196933A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 愛知時計電機株式会社 | 熱線式流量計 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |