JPH0613257Y2 - 横型気相成長装置 - Google Patents

横型気相成長装置

Info

Publication number
JPH0613257Y2
JPH0613257Y2 JP1988140304U JP14030488U JPH0613257Y2 JP H0613257 Y2 JPH0613257 Y2 JP H0613257Y2 JP 1988140304 U JP1988140304 U JP 1988140304U JP 14030488 U JP14030488 U JP 14030488U JP H0613257 Y2 JPH0613257 Y2 JP H0613257Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
transfer device
vapor phase
phase growth
substrate transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1988140304U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0261958U (ja
Inventor
秀雄 関谷
博 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Sanso Corp filed Critical Nippon Sanso Corp
Priority to JP1988140304U priority Critical patent/JPH0613257Y2/ja
Publication of JPH0261958U publication Critical patent/JPH0261958U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0613257Y2 publication Critical patent/JPH0613257Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、基板面に薄膜を形成する横型気相成長装置に
関し、特に基板を搬送する手段の改善に関する。
〔従来の技術〕
第3図に示す如く、従来の横型気相成長装置1は、基板
Pに気相成長を行う反応室2と、該基板Pの入れ替えを
行う前室3とをゲート弁4を介して連設すると共に、該
前室3に基板搬送装置5を連設し、かつ該基板搬送装置
5に昇降装置6を連設したものである。
基板搬送装置5は、前記基板Pを反応室2と前室3との
間で水平方向に搬送するもので、前記前室3にベロー
管、フレキシブル管等の屈曲可能な可撓管7を介して連
設するガイド筒8と、反応室2側の端部に基板載置部9
を有し他端部に内部磁石10を有して該ガイド筒8内を
水平方向に移動するガイド棒11と、該ガイド棒11を
ガイド筒8の外周部に遊嵌したリング状の外部磁石12
を利用して水平方向に移動させる水平駆動機構13とで
構成される。水平駆動機構13は、前記ガイド筒8の両
端に固設された平板上の端板14a,14bに支承さ
れ、外周にネジ部を有する誘導軸15と、これにベルト
16を介して連設するモータ17と、該誘導軸15に一
端部が螺合し他端部が前記外部磁石12に連結する誘導
部材18とから構成され、該モータ17で誘導軸15を
回転させて誘導部材18に回転力を伝達し、該回転力を
受ける誘導部材18が外部磁石12との連結部で回転を
制限されて水平方向に移動し、これによって外部磁石1
2が水平方向に移動してこれに磁気結合する内部磁石1
0の移動を介してガイド棒11を水平方向に移動するも
のである。
また、昇降装置6は、前記基板搬送装置5全体を床に固
定された前室3に対して垂直に昇降するもので、昇降部
19とこれを昇降する昇降駆動部20とからなり、該昇
降部19は上端部が平板状に形成され、該平板状の部分
に前記搬送用のモータ17およびガイド筒8両端の端板
14a,14bが適宜の連結部材21,22を介して連
結されている。
前記の如く構成された横型気相成長装置1で気相成長を
行うには、まず基板搬送装置5を作動させてガイド棒1
1の基板載置部9を前室3内に後退させ、この状態で前
室3の開閉扉23から基板載置部9上に未処理の基板P
を載置した後、昇降装置6を作動して基板搬送装置5を
上動させ、この状態で基板載置部9を反応室2内のフロ
ーチャンネル24に設けられた保持台25まで前進さ
せ、該保持台25の位置で基板搬送装置5を降下させて
基板Pを保持台25上にセットする。次いで、基板載置
部9を前室3に後退させてゲート弁4を閉じ、RFコイ
ル26に通電して保持台25を介して基板Pを所定の温
度に保持すると共にガス導入管27から気相成長ガスを
導入して気相成長を実施する。なお、基板Pを通過した
気相成長ガスはガス排出管28から排出される。
反応室2内で気相成長が終了したら、ゲート弁4を開い
て基板載置部9を基板Pの下方まで前進させ、基板搬送
装置5を上昇させて基板Pを基板載置部9に載せて前室
3内に後退させ、該前室3内で処理済みの基板Pを外部
に取り出し、新たに未処理の基板Pを基板載置部9にセ
ットして再び前記同様に気相成長を実施する。
なお、基板Pの搬送は基板のみを搬送するものだけでな
く、前記保持台25上に平板状のトレイをセットし、該
トレイに基板を載せて搬送する形式のものもある。
〔考案が解決しようとする課題〕
しかしながら、前記従来の横型気相成長装置1では、基
板搬送装置5全体の昇降により基板載置部9を昇降し、
これによって保持台25上への基板Pの着脱を行ってい
たため、ガイド筒8と前室3とを接続する可撓管7が第
4図に示す如く大きく変形し大きな荷重を受ける。しか
も基板搬送装置5の昇降の度に大きく変形するので可撓
管7が激しく劣化し、短時間で気密性が損われ危険だっ
た。即ち、気相成長後の基板Pを前室3内に後退させる
ためゲート弁4を開けると、これに伴って反応室2内の
極めて有毒な気相成長ガスが前室3内に流入し、可撓管
7の破損部から漏洩するからである。そこで、可撓管7
は破損する前に交換する必要があるが、前記の如く従来
装置では、可撓管7の劣化が激しいので繁雑な交換を必
要とし保守作業が面倒だった。また、保守作業中は気相
成長が実施できないので生産性にも悪影響を与えてい
た。
そこで本考案は前記可撓管7への荷重を軽減して寿命を
延ばすことのできる横型気相成長装置を提供することを
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案は基板載置部の昇降を
基板搬送装置の傾動により行うようにしたもので、その
特徴とするところは、反応室と前室との間の基板の搬送
を、該前室に連結したガイド筒の内部を先端部に基板載
置部を有して水平方向に移動するガイド棒で行う基板搬
送装置を有する横型気相成長装置において、前記基板搬
送装置のガイド筒と前記前室とを可撓管で接続し、該可
撓管の近傍で該基板搬送装置の前端側を前記前室または
床面に立設した連結材に回動可能に連結すると共に、該
基板搬送装置の後端側を昇降可能に支持し、前記前室ま
たは床面に立設した連結材との連結部を支点として基板
搬送装置を垂直方向に傾動できるよう構成したことにあ
る。
〔実施例〕
以下、本考案に係る横型気相成長装置の一実施例を第1
図及び第2図に基づいて説明する。
第1図は本実施例装置の断面側面図であって、可撓管7
の近傍、昇降装置40および水平駆動機構13の一部を
側面図で示している。また第2図は前室3と基板搬送装
置5との連結部近傍の断面平面図である。なお、図中前
記第3図と同一構成部分には同一記号を付して詳細な説
明を省略する。
本実施例装置は、前室3および基板搬送装置5の前室側
端板14aから各々直径の異なる短管からなる連結材3
0,31を、可撓管7を囲繞して、かつ交差部を形成し
て突設すると共に、該交差部に水平方向の2カ所から支
持ピン32,32を挿通して両連結材30,31を垂直
方向に回動可能に連結すると共に、該基板搬送装置5の
後端側端板14bを昇降装置40により昇降可能に支持
したものである。この昇降装置40は前記従来装置の昇
降装置と同様なもので昇降部41とこれを昇降する昇降
駆動部42とからなり、該昇降部41は前記後端側板1
4bの下端に当接または連設されている。
前記の如く構成された本実施例装置は、昇降装置40を
作動して基板搬送装置5の後端側を下降させると、該基
板搬送装置5が前記連結部の支持ピン32,32を支点
として時計周り方向に傾動し、これに伴ってガイド棒1
1も時計方向に傾動して基板載置部9が上昇する。ま
た、基板搬送装置5の後端側を上昇させると前記とは逆
に基板載置部9が降下する。この様に、本実施例装置
は、基板載置部9の昇降を基板搬送装置5の傾動によっ
て行うものであり、基板への気相成長は従来装置と同様
にして実施することができる。
以上の如く、本実施例装置は、基板搬送装置5の傾動に
よって基板載置部9を昇降し、保持台25への基板9の
着脱を行うよう構成したので可撓管7に生ずる垂直方向
の変位量を大幅に低減することができる。例えば、基板
載置部9を20mm昇降させる場合、従来装置では可撓管
7も20mm昇降するが、本実施例装置では、例えば指示
ピン32と可撓管7のガイド筒8側の端部との距離を3
0mm、支持ピン32と基板載置部9との距離を700mm
とすれば可撓管7のガイド筒8側の端部における変位量
は1mm以下の僅かな量となる。従って、可撓管7が受け
る荷重は激減し、その寿命を大幅に延ばすことができ
る。
なお、前記基板搬送装置5の傾動に伴って搬送用モータ
17にも若干の昇降力が生ずるが前記の如く変位量は僅
かなのでベルト16で吸収することができ、該搬送用モ
ータ17を固定して設置しても殆ど問題はない。また
は、搬送用モータ17を適宜な支持手段で基板搬送装置
5に吊り下げることもできる。
なお、本実施例では前室3と基板搬送装置5とから各々
短管を突設して連結材30,31とし、両連結材30,
31の交差部に水平方向から支持ピン32,32を挿通
して回動可能な連結部を形成したが、連結材として板状
物を用いることもできる。例えば、前室3および基板搬
送装置5の各々から可撓管7の両側に板状物を突設して
交差させ、交差した部分に支持ピンを挿通しても良い。
また、この際十分な強度があれば1本の支持ピンで連結
部を形成しても良い。更に、基板搬送装置5は、床面に
立設した連結材に基板搬送装置5側から突設した連結材
を交差させ、交差した部分に支持ピンを水平方向から挿
通して回動可能な連結部とすることもできる。この場
合、連結部はいずれも可撓管7の近傍に形成する。ま
た、前記種々の連結部はいずれも支持ピンの挿通(支持
ピンがフリーな状態での取付)により形成したが、支持
ピンは両連結材のいずれか一方のみには固定しても良
く、更には連結材自体に支持ピンを形成しても良い。
また、基板搬送装置5の水平駆動機構13は前記実施例
に限るものではなく、例えば外部磁石12を基板搬送装
置5の後端側から前室3側に前進、または後退させるよ
う構成しても良く、また、内部磁石10や外部磁石12
を用いず、ガイド筒8の後端部を気密に、かつ摺動可能
に貫通した棒状体の端部をガイド棒11に連設し、該棒
状体を前進、後退させる構成としても良い。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案の横型気相成長装置は、基
板搬送装置を可撓管の近傍で前室または床面に立設した
連結材に回動可能に連結し、該基板搬送装置を垂直方向
に傾動して基板載置部を昇降し保持台への基板の着脱が
行えるように構成したから、保持台への基板の着脱に伴
う可撓管の変位量を少なくし、該可撓管が受ける荷重を
減少し寿命を延ばすことができる。従って、可撓管の交
換等による装置の停止回数も少なくなるので保守作業が
軽減でき、かつ生産性を向上させることができる。
更に、従来より可撓管の変位量が小さいので可撓管を従
来より短くすることもでき、これにより気相成長装置全
体をコンパクトにできると共に、前室内での基板の交換
をより短時間で行うことができる。即ち、前記の如く気
相成長後の基板を前室内に戻すと前室内にも反応室から
気相成長ガスが流入するので基板の交換作業をする前に
前室内を真空排気した後乾燥ガスを導入する。この場
合、ガイド棒とガイド筒との間も真空排気されるので可
撓管が短いと真空排気に要する時間も短縮され結局前室
内での基板の交換に要する時間も短縮される。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本考案の一実施例を示すもので、第
1図は横型気相成長装置の断面側面図、第2図は要部の
断面平面図、第3図及び第4図は従来の横型気相成長装
置を示すもので、第3図は断面側面図、第4図は要部の
断面側面図である。 2……反応室、3……前室、5……基板搬送装置、7…
…可撓管、8……ガイド筒、9……基板載置部、11…
…ガイド棒、25……保持台、30,31……連結材、
32……支持ピン、40……昇降装置、P……基板

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板に気相成長を行う反応室と該基板の入
    れ替えを行う前室との間の基板の搬送を、該前室に連設
    したガイド筒の内部を先端部に基板載置部を有して水平
    方向に移動するガイド棒で行う基板搬送装置を有する横
    型気相成長装置において、前記基板搬送装置のガイド筒
    と前記前室とを可撓管で接続し、該可撓管の近傍で該基
    板搬送装置の前端側を前記前室または床面に立設した連
    結材に回動可能に連結すると共に、該基板搬送装置の後
    端側を昇降可能に支持し、前記前室または床面に立設し
    た連結材との連結部を支点として基板搬送装置を垂直方
    向に傾動可能としたことを特徴とする横型気相成長装
    置。
JP1988140304U 1988-10-27 1988-10-27 横型気相成長装置 Expired - Lifetime JPH0613257Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1988140304U JPH0613257Y2 (ja) 1988-10-27 1988-10-27 横型気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1988140304U JPH0613257Y2 (ja) 1988-10-27 1988-10-27 横型気相成長装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0261958U JPH0261958U (ja) 1990-05-09
JPH0613257Y2 true JPH0613257Y2 (ja) 1994-04-06

Family

ID=31404348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1988140304U Expired - Lifetime JPH0613257Y2 (ja) 1988-10-27 1988-10-27 横型気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0613257Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0261958U (ja) 1990-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4244555B2 (ja) 被処理体の支持機構
JP4642608B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2009206270A (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
CN101989563B (zh) 基板载置机构和使用该基板载置机构的基板处理装置
JPH0846013A (ja) マルチチャンバ処理システム用搬送装置
JP4645696B2 (ja) 被処理体の支持機構及びロードロック室
JP5595202B2 (ja) 処理装置およびそのメンテナンス方法
JP3350234B2 (ja) 被処理体のバッファ装置、これを用いた処理装置及びその搬送方法
JP4841035B2 (ja) 真空処理装置
JP4283914B2 (ja) 二平板ガス補助加熱モジュール
CN101093793B (zh) 用于制造平板显示器的设备
JP4098283B2 (ja) スパッタリング装置
JP5488227B2 (ja) 基板処理装置
JPH0719149Y2 (ja) 二重フオーク横型搬送装置
TWI632630B (zh) 立式熱處理裝置
JP3816929B2 (ja) 半導体処理装置
JP2005277049A (ja) 熱処理システム及び熱処理方法
JP4776061B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH03155619A (ja) 真空処理装置
JPH0525642A (ja) 熱処理装置
JP2011117085A (ja) ロードロック室及びそれを備えた薄膜形成装置
JPH0661329A (ja) ウエハ処理装置のロードロック機構
TW201428876A (zh) 基板搬送裝置及基板處理系統
JP2508687Y2 (ja) 熱処理炉
JPS63211643A (ja) 半導体ウエハプロセス装置のウエハ搬送装置