JPS63211643A - 半導体ウエハプロセス装置のウエハ搬送装置 - Google Patents

半導体ウエハプロセス装置のウエハ搬送装置

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JPS63211643A
JPS63211643A JP62043761A JP4376187A JPS63211643A JP S63211643 A JPS63211643 A JP S63211643A JP 62043761 A JP62043761 A JP 62043761A JP 4376187 A JP4376187 A JP 4376187A JP S63211643 A JPS63211643 A JP S63211643A
Authority
JP
Japan
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wafer
fork
carrier
reaction chamber
load lock
Prior art date
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Pending
Application number
JP62043761A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuaki Nagao
長尾 泰明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体ウェハに対するエツチング・CVD、
エピタキシャル成長等の各種プロセス工程を行うウェハ
プロセス装置に組み込んだウェハ搬送装置に関する。
〔従来の技術〕
頭記したプロセス工程を行うウェハプロセス装置では、
真空維持されるプロセス反応室が大気に晒され^防止す
るために該反応室の前段に予備排気室としてのロードロ
ック室を付設している。
ここでウェハプロセスを行うには、まず複数枚のウェハ
を装填したウェハキャリアをロードロック室内に搬入し
、次いでウェハキャリアからウェハを1枚宛取出して反
応室内に移送し、反応室内で必要なプロセスを施した後
に再びウェハを反応室からロードロック室へ戻してウェ
ハキャリアへ受け渡す移送操作を行う必要がある。
一方、上記したウェハ搬送を行うためのウェハ搬送装置
として、従来よりベルト搬送、シリンダ搬送等の各種搬
送方式のものが公知である。ここでベルト搬送方式はロ
ードロック室と反応室との間にウェハ搬送用ベルトを敷
設して置き、ウェハキャリアから1枚宛すくい上げたウ
ェハを搬送ベルトに載せて反応室内へ搬送するものであ
る。またシリンダ搬送方式は室外に設置したシリンダの
駆動軸を0リングを介して室内に引き込み、この軸先端
にウェハの外周を把持するハンド機構を取付けたもので
ある。
(発明が解決しようとする問題点〕 ととろで昨今ではプロセス技術の進歩とともに半導体ウ
ェハの大口径化、ウェハ面に形成されるパターンの微細
、高集積度化が進み、かつこれに伴ってプロセス装置の
室内清浄度、並びに大口径ウェハのソフトハンドリング
に対する要求がますます高まる傾向にある。
かかる点、前記した従来のウェハ搬送装置では次記のよ
うな問題点がある。すなわち前者のベルトS送方式では
駆動系メカニズムが室内に設置されていることから、ベ
ルト駆動に伴いベルトからじんあいが多く発生したり、
油等が発生して室内を汚染し、室内清浄度を低下させる
。さらにベルトは水平搬送方式に制約されるために、例
えばプラズマ流CVDプロセスで反応室へ側方がらプラ
ズマ流を供給する場合等、ウェハの姿勢を水平から垂直
に近い姿勢に変えて行うプロセス工程に対応できない。
また後者のシリンダ搬送方式では室内、外の境界を封止
しているゴム等の0リングが長期使用の間に摩耗してそ
の粉塵が室内汚染を引き起こす他、さらにウェハの外周
を把持するハンド機構では大口径のウェハに破損を与え
るおそれがありソフトハンドリングが困難である。
この発明の目的は、ウェハプロセス装置内でウェハ搬送
を行う際に、室内汚染の原因となるじんあい等の発生の
おそれがなく、また大口径のウェハもソフトハンドリン
グでき、かつ必要によりウェハ搬送姿勢を反応室内で水
平姿勢から垂直姿勢へ容易に変更可能にして従来の問題
点解決を図るようにしたウェハ搬送装置を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明によれば、ロー
ドロック室内に搬入されたウェハキャリアを室内より隔
離して室外側に配備したアクチュエータで昇降操作する
キャリア昇降機構と、先端に連結したウェハ担持用フォ
ークを室内側より隔離して室外側に配備したアクチュエ
ータで反応室とロードロック室との間で往復移動操作す
るフォーク移動機構とを備え、前記キャリア昇降機構と
フォーク移動機構との共同操作によりウェハキャリアと
フォークとの間でのウェハの受け渡し、および反応室と
の間での搬送を行うよう構成する・ものとする。
〔作用〕
上記の構成において、キャリア昇降機構はロードロック
室内に搬入されたウェハキャリアを支え。
その上下移動操作によりウェハキャリアとフォークとの
間でのウェハ受け渡し位置を調節する。またフォーク移
動手段はその前進、後退移動操作によりフォークで担持
したウェハをロードロック室内のウェハキャリアとプロ
セス反応室との間で往復搬送する。ここで前記キャリア
昇降機構とフォーク移動機構とを組合せて共同操作する
ことによリ、ウェハキャリアに収容されているウェハが
1枚宛ソフトハンドリング式にフォークへ受け渡しされ
、さらに反応室との間で引き込み、戻し搬送され石。
また前記キャリア昇降機構、ウェハ移動機構は、その駆
動アクチュエータが動力伝達手段として例えば磁気カッ
プリングを介して室外側に隔離配備されており、駆動ア
クチュエータ側から発生するじんあい、油等の異物がプ
ロセス装置の室内を汚染するおそれは全くない。
〔実施例〕
第1図ないし第5図は半導体ウェハプロセス装置に組み
込まれたこの発明の実施例によるウェハ搬送装置の構成
を示すものであり、まず第1図により装置全体の構成を
説明する0図において1はプロセス装置の本体容器、2
はロードロック室、3はプロセス反応室であり、ロード
ロック室2にはその前面に!s4が、またロードロック
室2と反応室3との間には仕切扉5が設置されている。
なお図示されてないが各室2.3には排気系が接続され
ている。また6はロードロック室内に搬入されたウェハ
キャリアを示す、8亥ウエハキヤリア6はその内部に規
定枚数の半導体ウェハ7を水平姿勢に上下多段式に並べ
て収容する可搬ケースであり、前記した扉4を通じてロ
ードロック室2へ搬入、搬出される。
一方、ロードロック室2にはその底面側に前記ウェハキ
ャリア6を搭載して昇降移動操作するキャリア昇降機構
8が、また反応室3の後面側にはその先端に連結したウ
ェハ担持用のフォーク9を前記界5を通じてロードロッ
ク室2と反応室3との間で水平方向に移動操作するフォ
ーク移動機構10が設置されている。なお5aは室外に
設置した扉5の開閉操作用アクチュエータ、3aは反応
室3の側方に開口したプラズマ流の流入口である。
次に上記したフォーク9.およびキャリア昇降機構8.
フォーク移動機構10に付いての詳細構造を述べる。ま
ずフォーク9は第2図ないし第4図に示すように十字形
に成るフレーム9aの先端3箇所に半導体ウェハ7の外
形に対応する爪9bを備え。
かつフレーム9aの後端をフォーク移動装置の駆動軸に
連結した構造であり、半導体ウェハ7は前記爪9bの間
に嵌り込んでフレーム9a上の定位置に担持される。な
お図示は半導体ウェハ7を水平姿勢に担持している搬送
状態を示し、この状態からフォーク9を軸の回りで矢印
方向に回転操作することにより、半導体ウェハ7を担持
したままウェハの担持姿勢を水平から垂直に近い角度ま
で変えることができる。
また、前記フォーク9を移動操作するフォーク移動機構
10は、その詳細構造を第5図に示すようにプロセス反
応室3の後壁を貫通して引出したフォーク駆動軸11が
該駆動軸11の移動経路に沿って反応室に結合した長尺
の非磁性気密容器12に収容され、かつ該気密容器12
の外側には駆動モータ13゜ねじ送り機構14を含む駆
動アクチュエータ15が反応室内と隔離して配備されて
おり、さらに駆動軸11と駆動アクチュエータ15との
間が動力伝達手段としての磁気カップリング16を介し
て磁気的に結合されている。該磁気カップリング16は
駆動軸11の軸端に連結した従動側の磁石17と、気密
容器12を隔ててその外周側に対向する駆動側の磁石1
8と、該磁石18を保持した内ハウジング19と、内ハ
ウジング19を回転可能に保持した外ハウジング20と
から成り、外ハウジング20が駆動アクチュエータ15
のねじ送り機構14に結合されている。なお21は駆動
側磁石1日を包囲する磁気シールド、22は気密容器1
2内で駆動軸11および磁石17を可動式に支持したグ
リースレスの固定摺動形軸受である。また前記ハウジン
グ19には駆動モータ23.歯車機構24から成る回転
駆動機構25が連結されている。
かかる構成で駆動アクチュエータ15の駆動モータ13
で磁気カップリング16の外ハウジング20をねし送り
することにより、駆動側磁石18.従動側磁石17を介
して駆動軸11とともにフォーク9が矢印入方向に水平
移動し、またこの過程で回転駆動機構25を操作するこ
とにより内ハウジング19が回転し、磁気カップリング
16を介してフォーク9が駆動軸11の回りで矢印B方
向に向きを変えるようになる。
これに対しキャリア昇降機構8は、ロードロック室2内
に搬入したウェハキャリア6を載置支持するよう室内に
配備したキャリア支持台26と連結して該支持台を室内
で矢印C方向に昇降操作するものであり、その機構は前
記したフォーク移動機構と同様に室外に隔離して配備し
た駆動アクチュエータとキャリア支持台26の駆動軸と
が磁気カップリングを介して結合されている。ここで第
5図に示したフォーク移動機構10と異なる点は回転駆
動機構25が無く、内ハウジング19に相当する駆動側
磁石18を支持した磁気カップリング16のハウジング
が駆動アクチュエータ15のねじ送り機構14に連結さ
れた構造として成る。
次に上記構成による半導体ウェハプロセス工程でのウェ
ハ搬送動作に付いて説明する。まず指定枚数のウェハ7
を装填したウェハキャリア6をロードロック室2内に搬
入してキャリア支持台26の上に載せる。ここで前面扉
4を閉じ、ロードロック室2.プロセス反応室3を排気
した後に仕切扉5を開放、さらにフォーク移動機構10
を操作して反応室内に待機しているフォーク9をロード
ロック室2内に送り込み、ウェハ7の真下に停止させる
。次にキャリア昇降機構8を操作してウェハキャリア6
を僅かに下降移動させることにより、ウェハキャリア6
内に収容れているウェハ7がフォーク9にすくい上げら
れて水平姿勢のまま爪9bの間に嵌り込んでフォーク上
の定位置に担持される。
続いてフォーク移動機構10の操作によりフォーク9と
ともにウェハ7を反応室3内に引き込んで所定位置で停
止させ、仕切扉5を閉じた後に反応室3内をさらに高真
空度に真空引きする。これによりプロセス工程の準備が
整う。
次に反応室内でウェハ7に対し減圧CVD、プラズマC
VD、プラズマ流CVD、ないしはエツチング等のウェ
ハプロセスが行われる。なお図示はプラズマ流CVDの
プロセスの場合を示し、プラズマ流入口3aから紙面と
直角方向に供給されるプラズマ流に対向するよう、第5
図で述べた回転駆動機構25の回転操作でウェハ7をフ
ォーク9とともに水平姿勢から略直角に近い角度に向き
を変え、この状態でウェハのプロセス処理を行う。
ここで所定のウェハプロセスが完了すると、回転駆動機
構25によりウェハ7を垂直角度から再び水平姿勢に戻
し、さらにフォーク移動機構10の操作により仕切扉5
を通してウェハ7を反応室内からウェハキャリア6まで
搬送したところでキャリア昇降機構8の操作でウェハキ
ャリア6を僅かに上昇させ、ウェハ7をフォーク9から
ウェハキャリア6へ受け渡し、続いてフォーク9をウェ
ハキャリア6より一旦後退させる。これにより1枚分の
プロセス工程、並びにその搬送が終了する。
次に別なウェハをプロセス処理するには、キャリア昇降
機構8によりウェハキャリア6を1ピッチ分だけ昇降操
作し、次に処理するウェハ7をフォーク9との受け渡し
位置へ移し替えた後に前記と同様な順序で受け渡し、搬
送操作を行う、以下同様な操作を繰り返し行ってウェハ
キャリア6に装填されている全ウェハに付いてプロセス
処理する。また全てのウェハののプロセス処理が完了す
れば、フォーク9を反応室内に後退させて仕切扉5を閉
じ、さらにロードロック室2内の雰囲気を不活性ガスで
ガス置換した後に室内を大気に戻し、かつ前面rR4を
開放してロードロック室2よリウエハキャリア6を搬出
し、1セット分のウェハプロセス処理が全て完了するこ
とになる。
また上記の説明で明らかなようにウェハ搬送過程では、
ウェハキャリア6とフォーク9との間でウェハ7がソフ
トハンドリング式に受け渡しされる。しかもウェハ7は
水平姿゛勢のままウェハキャリア6よりすくい上げてフ
ォーク9の上に担持されるので大口径のウェハも破損の
おそれ無しに取扱うことができる。またプロセス工程に
応じ、反応室内にて回転駆動機構25でフォーク9を駆
動軸11の回りでで回転操作することにより、フォーク
に担持したウェハ7を水平搬送姿勢から略垂直に近い角
度にまで向きを変えることが可能である。
さらにキャリア昇降機構8.フォーク移動機構10に付
いてはその動力伝達経路の途中に磁気カップリング16
を介装し、駆動アクチュエータ15を気密容器の室内と
隔離して室外に配備したことにより、駆動アクチュエー
タ側で発生するじんあい、油等の異物がプロセス装置の
室内に侵入して汚染するおそれが全くなく室内の清浄維
持が図れる。
〔発明の効果〕
以上述べたようにこの発明によれば、ロードロック室内
に搬入されたウェハキャリアを室内より隔離して室外側
に配備したアクチュエータで昇降操作するキャリア昇降
a構と、先端に連結したウェハ担持用フォークを室内側
より隔離して室外側に配備したアクチュエータで反応室
とロードロック室との間で往復移動操作するフォーク移
動機構とを備え、前記キャリア昇降機構とフォーク移動
機構との共同操作によりウェハキャリアとフォークとの
間でのウェハの受け渡し、および反応室との間での搬送
を行うよう構成したことにより、簡易な搬送機構でウェ
ハキャリアとフォークとの間でのウェハ受け渡しをソフ
トハンドリング式に行い、ウェハを破損のおそれ無しに
安全に搬送できる。またプロセス工程に応じてフォーク
を駆動軸の回りで回転操作することによりウェハの姿勢
を水平搬送姿勢からプロセス処理に都合のよい垂直に近
い角度へ容易に変更することが可能である。
しかもキャリア昇降機構、フォーク移動機構の駆動アク
チュエータがプロセス装置の室外に隔翳して配備されい
るので、駆動アクチュエータ側に発生するじんあい、油
等の異物が室内側に侵入して汚染するおそれ無しにプロ
セス装置の室内清浄維持が図れる等、大口径、高集積度
のウェハのプロセス工程に充分対応し得る実用的価値の
高いウェハ搬送装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はウェハプロセス装置に組み込んだ本発明実施例
によるウェハ搬送装置全体の構成配置図、第2図ないし
第4図はそれぞれ第1図におけるフォークの平面図、側
面図、および部分拡大図、第5図は第1図におけるフォ
ーク移動機構の詳細構造を示す断面図である。各図にお
いて、1:半導体ウェハプロセス装置、2:ロードロッ
ク室、3:プロセス反応室、6:ウェハキャリア、7:
ウェハ、8:キャリア昇降機構、9:フォーク、10;
フォーク移動機構、11:駆動軸、12:気密室、15
:駆動アクチュエータ、16:ttt気カップリング、
25:回転駆動機構。 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体ウェハプロセス装置のロードロック室内に搬
    入されたウェハキャリアとロードロック室に隣接するプ
    ロセス反応室との間でウェハキャリアよりウェハを1枚
    宛取出して搬送するウェハ搬送装置であって、ロードロ
    ック室内に搬入されたウェハキャリアを室内より隔離し
    て室外側に配備したアクチュエータで昇降操作するキャ
    リア昇降機構と、先端に連結したウェハ担持用フォーク
    を室内側より隔離して室外側に配備したアクチュエータ
    で反応室とロードロック室との間で往復移動操作するフ
    ォーク移動機構とを備え、前記キャリア昇降機構とフォ
    ーク移動機構との共同操作によりウェハキャリアとフォ
    ークとの間でのウェハの受け渡し、および反応室との間
    での搬送を行うことを特徴とする半導体ウェハプロセス
    装置のウェハ搬送装置。 2)特許請求の範囲第1項記載のウェハ搬送装置におい
    て、キャリア昇降機構、フォーク移動機構が、室内外を
    隔離する気密容器を隔てて室外側に配備の駆動アクチュ
    エータと室内側の駆動軸との間に動力伝達手段として介
    装した磁気カップリングを装備していることを特徴とす
    る半導体ウェハプロセス装置のウェハ搬送装置。 3)特許請求の範囲第2項記載のウェハ搬送装置におい
    て、フォーク移動手段のアクチュエータがフォークの向
    きを軸の回りで水平姿勢から略垂直姿勢に変える回転駆
    動機構を備えていることを特徴とする半導体ウェハプロ
    セス装置のウェハ搬送装置。 4)特許請求の範囲第1項記載のウェハ搬送装置におい
    て、フォークがウェハをフォーク上の所定位置に担持す
    るウェハの外形に係合し合う爪を備えていることを特徴
    とする半導体ウェハプロセス装置のウェハ搬送装置。
JP62043761A 1987-02-26 1987-02-26 半導体ウエハプロセス装置のウエハ搬送装置 Pending JPS63211643A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5833426A (en) * 1996-12-11 1998-11-10 Applied Materials, Inc. Magnetically coupled wafer extraction platform
KR100677343B1 (ko) 2005-06-18 2007-02-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 수직형 다중 기판 처리 시스템 및 그 처리 방법
WO2012121267A1 (ja) * 2011-03-08 2012-09-13 株式会社エイブイシー 真空フィードスルー

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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