JPH06132708A - マイクロ波ｉｃモジュール - Google Patents
マイクロ波ｉｃモジュールInfo
- Publication number
- JPH06132708A JPH06132708A JP4260998A JP26099892A JPH06132708A JP H06132708 A JPH06132708 A JP H06132708A JP 4260998 A JP4260998 A JP 4260998A JP 26099892 A JP26099892 A JP 26099892A JP H06132708 A JPH06132708 A JP H06132708A
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- carrier
- microwave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】導波管−分布定数線路変換回路をマイクロ波Ｉ
Ｃモジュールのキャリア上に形成することにより、同モ
ジュールを実装する誘電体基板の損失による雑音指数の
劣化を防ぎ、同誘電体基板の選択肢を広げ、装置の低コ
スト化、小型化をはかる。 【構成】マイクロ波ＩＣモジュール１１のキャリア１２
の一方端側裏面に、導波管−分布定数線路変換回路１５
を形成する。キャリア１２を誘電体基板１４上に実装し
たとき、導波管−分布定数線路変換回路１５が導波管１
７の側面に設けられたスリット孔１６から所定長だけ導
波管内に突出するように設定する。導波管−分布定数線
路変換回路１５は、導波管内のマイクロ波を受信し、同
一キャリア１２上に形成されている半導体素子を含む高
周波回路へ送出する。カバー１３は、キャリア１２上に
形成された高周波回路を密閉し保護する。
Ｃモジュールのキャリア上に形成することにより、同モ
ジュールを実装する誘電体基板の損失による雑音指数の
劣化を防ぎ、同誘電体基板の選択肢を広げ、装置の低コ
スト化、小型化をはかる。 【構成】マイクロ波ＩＣモジュール１１のキャリア１２
の一方端側裏面に、導波管−分布定数線路変換回路１５
を形成する。キャリア１２を誘電体基板１４上に実装し
たとき、導波管−分布定数線路変換回路１５が導波管１
７の側面に設けられたスリット孔１６から所定長だけ導
波管内に突出するように設定する。導波管−分布定数線
路変換回路１５は、導波管内のマイクロ波を受信し、同
一キャリア１２上に形成されている半導体素子を含む高
周波回路へ送出する。カバー１３は、キャリア１２上に
形成された高周波回路を密閉し保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波ＩＣモジュー
ルに関し、特に導波管からマイクロ波信号を受信するマ
イクロ波ＩＣモジュールの構造に関する。
ルに関し、特に導波管からマイクロ波信号を受信するマ
イクロ波ＩＣモジュールの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波ＩＣモジュール
の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−
Ａ線で切断したときの断面図である。
の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−
Ａ線で切断したときの断面図である。
【０００３】ここで、マイクロ波ＩＣモジュール２１
は、セラミック等の誘電体材料により成るキャリア２２
上にマイクロ波用半導体素子を含む高周波回路（低雑音
増幅回路、周波数変換回路等）を有し、カバー２３によ
って密閉されている。また、キャリア２２は、入出力
用、バイアス電源用および接地用のリード端子を有して
おり、誘電体基板２４上に実装される。なお、キャリア
２２の裏面と表面との配線はスルーホールを介して行っ
ている。
は、セラミック等の誘電体材料により成るキャリア２２
上にマイクロ波用半導体素子を含む高周波回路（低雑音
増幅回路、周波数変換回路等）を有し、カバー２３によ
って密閉されている。また、キャリア２２は、入出力
用、バイアス電源用および接地用のリード端子を有して
おり、誘電体基板２４上に実装される。なお、キャリア
２２の裏面と表面との配線はスルーホールを介して行っ
ている。
【０００４】誘電体基板２４の一方端側の表面には、導
波管−分布定数線路変換部２５が形成されており、導波
管２７の側面に設けられたスリット孔２６から導波管内
に挿入される。導波管−分布定数線路変換部２５は、導
波管内のマイクロ波信号を受信し、分布定数線路を介し
てマイクロ波ＩＣモジュール２１の入力用リードへ出力
する。
波管−分布定数線路変換部２５が形成されており、導波
管２７の側面に設けられたスリット孔２６から導波管内
に挿入される。導波管−分布定数線路変換部２５は、導
波管内のマイクロ波信号を受信し、分布定数線路を介し
てマイクロ波ＩＣモジュール２１の入力用リードへ出力
する。
【０００５】ところで、誘電体基板２４の裏面には導体
膜が形成されているが、導波管内に挿入される部分の導
体膜は除去されている。また、挿入される先端部分の長
さは管内波長の約１／４に、また、先端部分の高さは、
導波管の短絡面から管内波長の約１／４に選定してい
る。
膜が形成されているが、導波管内に挿入される部分の導
体膜は除去されている。また、挿入される先端部分の長
さは管内波長の約１／４に、また、先端部分の高さは、
導波管の短絡面から管内波長の約１／４に選定してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来
は、導波管とマイクロ波ＩＣモジュールとの間に、誘電
体基板上に形成された導波管−分布定数線路変換部が存
在する。従って、誘電体基板の損失は直接雑音指数の劣
化となるので、誘電体基板の損失を少なくする必要があ
る。このため、誘電体基板の材料としては、マイクロ波
帯において誘電損失の少ない、例えばテフロン等の高価
なものを使用する必要があり、ＩＣモジュールを実装す
る装置がコスト高になるという問題点がある。また、一
般に誘電損失の少ない誘電体基板の誘電率は低いので、
波長短縮効果による回路の小型化に限界があるという問
題点がある。
は、導波管とマイクロ波ＩＣモジュールとの間に、誘電
体基板上に形成された導波管−分布定数線路変換部が存
在する。従って、誘電体基板の損失は直接雑音指数の劣
化となるので、誘電体基板の損失を少なくする必要があ
る。このため、誘電体基板の材料としては、マイクロ波
帯において誘電損失の少ない、例えばテフロン等の高価
なものを使用する必要があり、ＩＣモジュールを実装す
る装置がコスト高になるという問題点がある。また、一
般に誘電損失の少ない誘電体基板の誘電率は低いので、
波長短縮効果による回路の小型化に限界があるという問
題点がある。
【０００７】本発明の目的は、マイクロ波ＩＣモジュー
ルのキャリアの一方端側に導波管−分布定数線路変換回
路を形成することにより、同モジュールを実装する誘電
体基板の損失による雑音指数の劣化を防ぎ、また誘電体
基板として高誘電率，低価格の基板が使用でき、結果と
して装置全体の低コスト化、小型化を実現できるマイク
ロ波ＩＣモジュールを提供することにある。
ルのキャリアの一方端側に導波管−分布定数線路変換回
路を形成することにより、同モジュールを実装する誘電
体基板の損失による雑音指数の劣化を防ぎ、また誘電体
基板として高誘電率，低価格の基板が使用でき、結果と
して装置全体の低コスト化、小型化を実現できるマイク
ロ波ＩＣモジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波ＩＣ
モジュールは、誘電体基板上に実装されて導波管からの
マイクロ波信号を受信するマイクロ波ＩＣモジュールで
あって、誘電体材料からなるキャリアと、このキャリア
の一方端側の裏面に形成されて前記誘電体基板上に実装
されたときに前記導波管の内部に突出する導波管−分布
定数線路変換回路と、前記キャリアの他方端側の表面に
形成されて前記導波管−分布定数線路変換回路が受信し
たマイクロ波信号を受ける半導体素子を含む高周波回路
と、前記導波管−分布定数線路変換回路の出力端と前記
高周波回路の入力端とを接続するために前記キャリアに
設けられるスルーホールと、少なくとも前記高周波回路
を密閉するように設けられるカバーとを備えて構成され
る。また、前記導波管−分布定数線路変換回路が、前記
高周波回路と同じ前記キャリアの表面上に形成され、ま
た前記カバーが、誘電体材料により形成されて前記導波
管−分布定数線路変換回路を含む前記キャリア表面全体
を密閉するように構成してもよい。
モジュールは、誘電体基板上に実装されて導波管からの
マイクロ波信号を受信するマイクロ波ＩＣモジュールで
あって、誘電体材料からなるキャリアと、このキャリア
の一方端側の裏面に形成されて前記誘電体基板上に実装
されたときに前記導波管の内部に突出する導波管−分布
定数線路変換回路と、前記キャリアの他方端側の表面に
形成されて前記導波管−分布定数線路変換回路が受信し
たマイクロ波信号を受ける半導体素子を含む高周波回路
と、前記導波管−分布定数線路変換回路の出力端と前記
高周波回路の入力端とを接続するために前記キャリアに
設けられるスルーホールと、少なくとも前記高周波回路
を密閉するように設けられるカバーとを備えて構成され
る。また、前記導波管−分布定数線路変換回路が、前記
高周波回路と同じ前記キャリアの表面上に形成され、ま
た前記カバーが、誘電体材料により形成されて前記導波
管−分布定数線路変換回路を含む前記キャリア表面全体
を密閉するように構成してもよい。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断したときの断
面図である。また、図２は図１に示したキャリア１２の
裏面を示す図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断したときの断
面図である。また、図２は図１に示したキャリア１２の
裏面を示す図である。
【００１１】ここで、マイクロ波ＩＣモジュール１１
は、誘電体材料からなるキャリア１２および密閉用のカ
バー１３とを有しており、キャリア１２の一方端側の裏
面には、導波管−分布定数線路変換回路１５が形成され
ている。また、キャリア１２の他方端側の表面には、低
雑音マイクロ波用半導体素子等を含む高周波回路（図示
せず）が形成され、カバー１３によって密閉されてい
る。
は、誘電体材料からなるキャリア１２および密閉用のカ
バー１３とを有しており、キャリア１２の一方端側の裏
面には、導波管−分布定数線路変換回路１５が形成され
ている。また、キャリア１２の他方端側の表面には、低
雑音マイクロ波用半導体素子等を含む高周波回路（図示
せず）が形成され、カバー１３によって密閉されてい
る。
【００１２】図２はキャリア１２の裏面側を示す図であ
る。ここで、導波管−分布定数線路変換回路１５の部分
を除き裏面全体に導体膜１８が形成されており、この導
体膜１８を介して誘電体基板１４のパターン上にマイク
ロ波ＩＣモジュール１１が実装される。また、キャリア
１２の表面側と裏面側との接続はスルーホール１９を介
して行われる。つまり、裏面側の導波管−分布定数線路
変換回路１５からの信号は、スルーホール１９を介して
表面側の高周波回路に入力する。
る。ここで、導波管−分布定数線路変換回路１５の部分
を除き裏面全体に導体膜１８が形成されており、この導
体膜１８を介して誘電体基板１４のパターン上にマイク
ロ波ＩＣモジュール１１が実装される。また、キャリア
１２の表面側と裏面側との接続はスルーホール１９を介
して行われる。つまり、裏面側の導波管−分布定数線路
変換回路１５からの信号は、スルーホール１９を介して
表面側の高周波回路に入力する。
【００１３】ところで、図１に示したように、誘電体基
板１４上にマイクロ波ＩＣモジュール１１を実装したと
きに、キャリア１２の導波管−分布定数線路変換回路１
５が、導波管１７の側面に設けられたスリット孔１６か
ら所定長だけ導波管内に突出するように設定している。
板１４上にマイクロ波ＩＣモジュール１１を実装したと
きに、キャリア１２の導波管−分布定数線路変換回路１
５が、導波管１７の側面に設けられたスリット孔１６か
ら所定長だけ導波管内に突出するように設定している。
【００１４】このようにして、キャリア１２上に形成さ
れた導波管−分布定数線路変換回路１５が導波管内のマ
イクロ波を受信し、同一キャリア上に形成された高周波
回路へマイクロ波信号を供給することにより、マイクロ
波ＩＣモジュールを実装する誘電体基板１４として、従
来のように、特に誘電損失の少ないものを使用する必要
はなく、例えば、ガラスエポキシ材のような安価な基板
を採用できる。また、高誘電率化に伴う波長短縮効果に
よって誘電体基板１４を小型化でき、結果的に同基板を
実装する装置を小型化できる。
れた導波管−分布定数線路変換回路１５が導波管内のマ
イクロ波を受信し、同一キャリア上に形成された高周波
回路へマイクロ波信号を供給することにより、マイクロ
波ＩＣモジュールを実装する誘電体基板１４として、従
来のように、特に誘電損失の少ないものを使用する必要
はなく、例えば、ガラスエポキシ材のような安価な基板
を採用できる。また、高誘電率化に伴う波長短縮効果に
よって誘電体基板１４を小型化でき、結果的に同基板を
実装する装置を小型化できる。
【００１５】なお、本実施例では、導波管−分布定数線
路変換回路をキャリアの裏面側に形成した場合について
説明したが、導波管−分布定数線路変換回路を高周波回
路と同じキャリア表面側に形成しても同様な効果が得ら
れることは明らかである。
路変換回路をキャリアの裏面側に形成した場合について
説明したが、導波管−分布定数線路変換回路を高周波回
路と同じキャリア表面側に形成しても同様な効果が得ら
れることは明らかである。
【００１６】この場合は、誘電体材料より成るカバーを
使用し、ガラス系接着剤によりキャリアに接合すること
により、導波管−分布定数線路変換回路を含むキャリア
表面全体を密閉し保護することができる。
使用し、ガラス系接着剤によりキャリアに接合すること
により、導波管−分布定数線路変換回路を含むキャリア
表面全体を密閉し保護することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
イクロ波ＩＣモジュールのキャリアの一方端側に導波管
−分布定数線路変換回路を形成し、この導波管−分布定
数線路変換回路が導波管側面のスリット孔から導波管内
に突出するように誘電体基板上に実装することにより、
導波管−分布定数線路変換回路が受信した導波管内のマ
イクロ波信号は、同一キャリア上に形成された高周波回
路へ供給されるので、マイクロ波ＩＣモジュールを実装
する誘電体基板の損失による雑音指数の劣化を防ぎ、ま
た誘電体基板として、従来のように、特に誘電損失の少
ないものを使用する必要はなく、安価な基板を採用でき
る。また、高誘電率化に伴う波長短縮効果によって誘電
体基板を小型化でき、結果的に誘電体基板を実装する装
置の低コスト化、小型化が実現できる。
イクロ波ＩＣモジュールのキャリアの一方端側に導波管
−分布定数線路変換回路を形成し、この導波管−分布定
数線路変換回路が導波管側面のスリット孔から導波管内
に突出するように誘電体基板上に実装することにより、
導波管−分布定数線路変換回路が受信した導波管内のマ
イクロ波信号は、同一キャリア上に形成された高周波回
路へ供給されるので、マイクロ波ＩＣモジュールを実装
する誘電体基板の損失による雑音指数の劣化を防ぎ、ま
た誘電体基板として、従来のように、特に誘電損失の少
ないものを使用する必要はなく、安価な基板を採用でき
る。また、高誘電率化に伴う波長短縮効果によって誘電
体基板を小型化でき、結果的に誘電体基板を実装する装
置の低コスト化、小型化が実現できる。
【００１８】更に、キャリアの同一表面上に導波管−分
布定数線路変換回路および高周波回路を形成することに
より、キャリア表面全体を誘電体材料より成るカバーに
より密閉して保護できる。
布定数線路変換回路および高周波回路を形成することに
より、キャリア表面全体を誘電体材料より成るカバーに
より密閉して保護できる。
【図１】本発明の一実施例を示す図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断したときの断面図であ
る。
面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断したときの断面図であ
る。
【図２】図１に示したキャリア１２の裏面を示す図であ
る。
る。
【図３】従来のマイクロ波ＩＣモジュールの一例を示す
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断し
たときの断面図である。
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断し
たときの断面図である。
１１ マイクロ波ＩＣモジュール １２ キャリア １３ カバー １４ 誘電体基板 １５ 導波管−分布定数線路変換回路 １６ スリット孔 １７ 導波管 １８ 導体膜 １９ スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板上に実装されて導波管からの
マイクロ波信号を受信するマイクロ波ＩＣモジュールで
あって、誘電体材料からなるキャリアと、このキャリア
の一方端側の裏面に形成されて前記誘電体基板上に実装
されたときに前記導波管の内部に突出する導波管−分布
定数線路変換回路と、前記キャリアの他方端側の表面に
形成されて前記導波管−分布定数線路変換回路が受信し
たマイクロ波信号を受ける半導体素子を含む高周波回路
と、前記導波管−分布定数線路変換回路の出力端と前記
高周波回路の入力端とを接続するために前記キャリアに
設けられるスルーホールと、少なくとも前記高周波回路
を密閉するように設けられるカバーとを備えることを特
徴とするマイクロ波ＩＣモジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロ波ＩＣモジュー
ルにおいて、前記導波管−分布定数線路変換回路が、前
記高周波回路と同じ前記キャリアの表面上に形成され、
また前記カバーが、誘電体材料により形成されて前記導
波管−分布定数線路変換回路を含む前記キャリア表面全
体を密閉するように設けられることを特徴とするマイク
ロ波ＩＣモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260998A JPH06132708A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | マイクロ波ｉｃモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260998A JPH06132708A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | マイクロ波ｉｃモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132708A true JPH06132708A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17355645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4260998A Pending JPH06132708A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | マイクロ波ｉｃモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007066406A1 (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | The University Of Tokyo | 通信装置 |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| WO2014068811A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ及びその実装構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571301A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | Micro wave integrated circuit device |
| JPS60192401A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Hitachi Ltd | マイクロ波回路装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4260998A patent/JPH06132708A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571301A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | Micro wave integrated circuit device |
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| EP2916384A4 (en) * | 2012-11-02 | 2016-06-22 | Nec Corp | SEMICONDUCTOR HOUSING AND MOUNTING STRUCTURE THEREOF |
| US9577310B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-02-21 | Nec Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980616 |