JPH0269002A - マイクロ波・ミリ波集積装置 - Google Patents
マイクロ波・ミリ波集積装置Info
- Publication number
- JPH0269002A JPH0269002A JP63221820A JP22182088A JPH0269002A JP H0269002 A JPH0269002 A JP H0269002A JP 63221820 A JP63221820 A JP 63221820A JP 22182088 A JP22182088 A JP 22182088A JP H0269002 A JPH0269002 A JP H0269002A
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- JP
- Japan
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- circuit
- microwave
- millimeter wave
- substrate
- bias
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要 〕
マイクロ波からミリ波に及ぶ周波数帯の集積装置に関し
、特に能動素子を含むパッケージ化されたマイクロ波・
ミリ波集積回路と、誘電体板と該誘電体板上に設けられ
た伝送線路からなりパッケージ内から外部に延びる接続
回路と、外部から前記接続回路を介して送られるバイア
スを能動素子に与えるバイアス回路からなるマイクロ波
・ミリ波集積装置に関し、 ＭＩＣ基板を小型化、簡略化し、かつパッケージ自体、
ひいては集積装置自体を小型化し高周波に対応可能なマ
イクロ波・ミリ波集積装置の提供を目的とし、 前記バイアス回路が前記接続回路の誘電体板上に設けら
れているマイクロ波・ミリ波集積装置を構成する。
、特に能動素子を含むパッケージ化されたマイクロ波・
ミリ波集積回路と、誘電体板と該誘電体板上に設けられ
た伝送線路からなりパッケージ内から外部に延びる接続
回路と、外部から前記接続回路を介して送られるバイア
スを能動素子に与えるバイアス回路からなるマイクロ波
・ミリ波集積装置に関し、 ＭＩＣ基板を小型化、簡略化し、かつパッケージ自体、
ひいては集積装置自体を小型化し高周波に対応可能なマ
イクロ波・ミリ波集積装置の提供を目的とし、 前記バイアス回路が前記接続回路の誘電体板上に設けら
れているマイクロ波・ミリ波集積装置を構成する。
マイクロ波からミリ波に及ぶ周波数帯の集積装置に関す
る。
る。
マイクロ波・ミリ波集積回路を使用する場合、空気・ゴ
ミ・水分等の影響を避け、信顛性・性能の向上を目的と
してマイクロ波・ミリ波集積回路をパッケージ化する。
ミ・水分等の影響を避け、信顛性・性能の向上を目的と
してマイクロ波・ミリ波集積回路をパッケージ化する。
第３図にマイクロ波・ミリ波集積装置の従来例を示す
。図中５１３はガリウム・砒素トランジスタ（ＣａＡｓ
ＦＥＴ） 、５１４はマイクロ波・ミリ波集積回路用
基板（ＭＩＣ基板）、５１５は入力整合回路、５１６は
出力整合回路、５１７はバイアス回路、５１８はパッケ
ージ側壁である。入力整合回路５１５．出力整合回路５
１６．ＧａＡｓ ＦＥＴ５１３がマイクロ波・ミリ波集
積回路（Ｍ Ｉ Ｃ回路）に相当するものである。この
マイクロ波・ミリ波集積回路にバイアスを与え不要周波
数を除去する為にＭＩＣ基板上にバイアス回路が設けら
れている。
。図中５１３はガリウム・砒素トランジスタ（ＣａＡｓ
ＦＥＴ） 、５１４はマイクロ波・ミリ波集積回路用
基板（ＭＩＣ基板）、５１５は入力整合回路、５１６は
出力整合回路、５１７はバイアス回路、５１８はパッケ
ージ側壁である。入力整合回路５１５．出力整合回路５
１６．ＧａＡｓ ＦＥＴ５１３がマイクロ波・ミリ波集
積回路（Ｍ Ｉ Ｃ回路）に相当するものである。この
マイクロ波・ミリ波集積回路にバイアスを与え不要周波
数を除去する為にＭＩＣ基板上にバイアス回路が設けら
れている。
第４，５図にマイクロ波・ミリ波集積回路のパッケージ
の例を示す。第４．５図で（ａ）はパッケージの蓋を取
った状態を真上からみたもの、（ｂ）は側面図、（ｃ）
はＡ−Ａ、Ｂ−Ｂでの断面図である。図中３１１は電源
端子、３１２は高周波端子、３１４は基板収容スペース
、３１８はパッケージ側壁、３１９はパッケージの蓋、
３２０はパッケージキャリア、３２１はマイクロストリ
ップ線路である。
の例を示す。第４．５図で（ａ）はパッケージの蓋を取
った状態を真上からみたもの、（ｂ）は側面図、（ｃ）
はＡ−Ａ、Ｂ−Ｂでの断面図である。図中３１１は電源
端子、３１２は高周波端子、３１４は基板収容スペース
、３１８はパッケージ側壁、３１９はパッケージの蓋、
３２０はパッケージキャリア、３２１はマイクロストリ
ップ線路である。
第３．４図からもわかるように、パッケージ化されると
外部から入力及び外部への出力のために外部との接続線
路、ここではマイクロストリップ線路３２１が必要とな
る。
外部から入力及び外部への出力のために外部との接続線
路、ここではマイクロストリップ線路３２１が必要とな
る。
金属でできたパッケージ内は導波管と同様と考えられ、
ある周波数以上で導波管モード（パッケージ内空間を飛
ぶ波）により共振することがある。
ある周波数以上で導波管モード（パッケージ内空間を飛
ぶ波）により共振することがある。
従って通常使用周波数帯以上で共振が発生するような小
さいのパッケージを使用してこの現象を避けてきた。
さいのパッケージを使用してこの現象を避けてきた。
しかし、周波数が高くなる程波長は短くなるために、周
波数が高（なるにつれてパッケージの形状を増々小さく
しなければならないにもかかわらず、ＭＩＣ基板上のバ
イアス回路が占める割合がかなり高＜ＭＩＣ基板を小型
化できないという問題を生じていた。
波数が高（なるにつれてパッケージの形状を増々小さく
しなければならないにもかかわらず、ＭＩＣ基板上のバ
イアス回路が占める割合がかなり高＜ＭＩＣ基板を小型
化できないという問題を生じていた。
本発明は、ＭＩＧ基板を小型化、簡略化し、かつパッケ
ージ自体、ひいては集積装置自体を小型化し高周波に対
応可能なマイクロ波・ミリ波集積装置の提供を目的とす
る。
ージ自体、ひいては集積装置自体を小型化し高周波に対
応可能なマイクロ波・ミリ波集積装置の提供を目的とす
る。
設ける必要がなくなり、従来に比べＭＩＣ基板を小型化
、簡略化できる。またＭＩＣ基板を小型化することによ
りパッケージ自体も小型化でき、高周波に対応可能なマ
イクロ波・ミリ波集積装置が構成できる。
、簡略化できる。またＭＩＣ基板を小型化することによ
りパッケージ自体も小型化でき、高周波に対応可能なマ
イクロ波・ミリ波集積装置が構成できる。
第１図に本発明の原理図を示す。図中１はパッケージ、
２は接続回路、３はマイクロ波・ミリ波集積回路、４は
バイアス回路、５は入出力線路である。
２は接続回路、３はマイクロ波・ミリ波集積回路、４は
バイアス回路、５は入出力線路である。
従来ＭＩＣ基板上に設けられその締める割合が高く問題
を生じていたバイアス回路４を、従来から外部からのバ
イアスの入出力のために設けられていた接続回路２の誘
電体板上に設けてマイクロ波・ミリ波集積装置を構成す
る。
を生じていたバイアス回路４を、従来から外部からのバ
イアスの入出力のために設けられていた接続回路２の誘
電体板上に設けてマイクロ波・ミリ波集積装置を構成す
る。
前記手段の如くバイアス回路を誘電体板上に設けること
により、ＭＩＣ基板上にバイアス回路を〔実施例 〕 本発明の実施例を第２図（ａ）に示す。図中１１１は電
源端子、１１２は高周波端子、１１３はＧａＡｓＦＥＴ
、１１４は基板収容スペース、１１５は入力整合回路、
１１６は出力整合回路、１１７はバイアス回路、１１８
はパッケージ側壁、１１９はマイクロストリップ線路（
原理図での接続回路２に相当する）、１２０はパッケー
ジキャリアで、本図はパッケージの蓋を取った状態を真
上から見た図である。入力整合回路１１５の入力線路及
び出力整合回路１１６の線路はそれぞれバイアス回路１
１７と接続金線２１２により接続されている。マイクロ
ストリップ線路１１９も同様である。
により、ＭＩＣ基板上にバイアス回路を〔実施例 〕 本発明の実施例を第２図（ａ）に示す。図中１１１は電
源端子、１１２は高周波端子、１１３はＧａＡｓＦＥＴ
、１１４は基板収容スペース、１１５は入力整合回路、
１１６は出力整合回路、１１７はバイアス回路、１１８
はパッケージ側壁、１１９はマイクロストリップ線路（
原理図での接続回路２に相当する）、１２０はパッケー
ジキャリアで、本図はパッケージの蓋を取った状態を真
上から見た図である。入力整合回路１１５の入力線路及
び出力整合回路１１６の線路はそれぞれバイアス回路１
１７と接続金線２１２により接続されている。マイクロ
ストリップ線路１１９も同様である。
本実施例では、バイアス回路１１７は図の如くパッケー
ジ側壁１１８と基板収容スペース１１４の間とのマイク
ロストリップ線路の誘電体板に設けられている。これは
従来からＭＩＣ基板上の回路との接続のために設けられ
ている前記マイクロストリップ線路１１９の誘電体板の
スペースを利用したものである。前記バイアス回路１１
７を前記誘電体板上に設けたことにより、ＭＩＣ基板上
にはバイアス回路１１７を設ける必要がな（なり、ＭＩ
Ｃ基板を小型化できることになる。
ジ側壁１１８と基板収容スペース１１４の間とのマイク
ロストリップ線路の誘電体板に設けられている。これは
従来からＭＩＣ基板上の回路との接続のために設けられ
ている前記マイクロストリップ線路１１９の誘電体板の
スペースを利用したものである。前記バイアス回路１１
７を前記誘電体板上に設けたことにより、ＭＩＣ基板上
にはバイアス回路１１７を設ける必要がな（なり、ＭＩ
Ｃ基板を小型化できることになる。
第２図（ｂ）、（Ｃ）にバイアス回路１１７の例を示す
。マイクロ波・ミリ波集積装置では、使用される周波数
によりバイアス回路のスタップ２１３の長さを変えなけ
ればならない。従来はＭＩＣ基板上にＭＩＣ回路といっ
しょにエツチングされその際に長さを調節していた。本
実施例では使用される周波数によりスタップ２１３の長
さを接続金線によって先のスタンプ２１３に接続するこ
とによりスタップ２１３の長さを変えて、幅広い周波数
帯に対応出来るよう構成されている。（ｂ）が周波数が
高い場合で、（Ｃ）が周波数が低い場合である。
。マイクロ波・ミリ波集積装置では、使用される周波数
によりバイアス回路のスタップ２１３の長さを変えなけ
ればならない。従来はＭＩＣ基板上にＭＩＣ回路といっ
しょにエツチングされその際に長さを調節していた。本
実施例では使用される周波数によりスタップ２１３の長
さを接続金線によって先のスタンプ２１３に接続するこ
とによりスタップ２１３の長さを変えて、幅広い周波数
帯に対応出来るよう構成されている。（ｂ）が周波数が
高い場合で、（Ｃ）が周波数が低い場合である。
以上実施例ではバイアス回路１１７がパッケージ内のマ
イクロストリップ線路１１９の誘電体板上に設けられて
いるが、バイアス回路１１７からＭＩＣ回路への引き込
み線路が長くなっても影響がない場合は、パッケージ外
の誘電体板上にバイアス回路１１７を設けることも可能
である。また本発明は実施例で使用している第４図の電
源端子３１１と高周波端子３１２が直角方向に存在する
パッケージだけでなく第５図の電源端子３１１と高周波
端子３１２が平行方向に存在するパッケージ等にも対応
可能である。
イクロストリップ線路１１９の誘電体板上に設けられて
いるが、バイアス回路１１７からＭＩＣ回路への引き込
み線路が長くなっても影響がない場合は、パッケージ外
の誘電体板上にバイアス回路１１７を設けることも可能
である。また本発明は実施例で使用している第４図の電
源端子３１１と高周波端子３１２が直角方向に存在する
パッケージだけでなく第５図の電源端子３１１と高周波
端子３１２が平行方向に存在するパッケージ等にも対応
可能である。
本発明により、バイアス回路を接続回路の誘電体板上に
設けることにより、ＭＩＣ基板を小型化。
設けることにより、ＭＩＣ基板を小型化。
簡略化できるとともにパッケージをも小型化できる。従
ってパッケージ内の共振の心配もなく、高周波に対応可
能なマイクロ波・ミリ波集積装置を提供できる。
ってパッケージ内の共振の心配もなく、高周波に対応可
能なマイクロ波・ミリ波集積装置を提供できる。
第１図は本発明の原理図
第２図は本発明の実施例
第３図は従来例
第４．５図はパッケージの例である。
１１９゜
１２０゜
２１２ ・
２１３ ・
２１１・・・マイクロストリップ線路
３２０・・・パッケージキャリア
・・接続金線
・・スタンプ
図中
１・・・パッケージ ２・・・接続回路３・・・マイ
クロ波・ミリ波集積回路 ４・・・バイアス回路 ５・・・入出力線路１．１１，
３１１，５１１・・・電源端子１１．２，３１２，５１
２・・・高周波端子１１３．５１３ ・・・ＧａＡｓＦ
ＥＴ１１４・・・基板収容スペース １１５．５１５・・・入力整合回路 １１６．５１６・・・出力整合回路 １１７．５１７・・・バイアス回路
クロ波・ミリ波集積回路 ４・・・バイアス回路 ５・・・入出力線路１．１１，
３１１，５１１・・・電源端子１１．２，３１２，５１
２・・・高周波端子１１３．５１３ ・・・ＧａＡｓＦ
ＥＴ１１４・・・基板収容スペース １１５．５１５・・・入力整合回路 １１６．５１６・・・出力整合回路 １１７．５１７・・・バイアス回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 能動素子を含むパッケージ化されたマイクロ波・ミリ波
集積回路と、誘電体板及び該誘電体板上に設けられた伝
送線路からなりパッケージ内から外部に延びる接続回路
と、外部から前記接続回路を介して送られるバイアスを
能動素子に与えるバイアス回路からなるマイクロ波・ミ
リ波集積装置に於いて、 前記バイアス回路（４）が前記接続回路（２）の誘電体
板上に設けられていることを特徴とするマイクロ波・ミ
リ波集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221820A JPH0269002A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マイクロ波・ミリ波集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221820A JPH0269002A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マイクロ波・ミリ波集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269002A true JPH0269002A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16772699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221820A Pending JPH0269002A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マイクロ波・ミリ波集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7990223B1 (en) | 2010-05-31 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency module and operating method of the same |
| US8912647B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device for smoothing the voltage of the end face of a drain of a high frequency semiconductor chip |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63221820A patent/JPH0269002A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7990223B1 (en) | 2010-05-31 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency module and operating method of the same |
| US8912647B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device for smoothing the voltage of the end face of a drain of a high frequency semiconductor chip |
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