JPH0613434A - 半導体装置用フィルムキャリア - Google Patents
半導体装置用フィルムキャリアInfo
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- JPH0613434A JPH0613434A JP3172550A JP17255091A JPH0613434A JP H0613434 A JPH0613434 A JP H0613434A JP 3172550 A JP3172550 A JP 3172550A JP 17255091 A JP17255091 A JP 17255091A JP H0613434 A JPH0613434 A JP H0613434A
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- film carrier
- lead
- leads
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウイスカを発生させることなく、機械的強度も
強く更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に増
加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキャ
リアを提供する。 【構成】インナーリード６及びアウターリード７は図１
に示すようにＮｉ又はＮｉ合金のメッキ層９が全面に、
その上に少なくともインナーリード６及びアウターリー
ド７の半導体素子１２の電極及び配線基板１６との接合
面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層１０が施され、インナー
リード６及びアウターリード７の全面は、めっき層９又
は１０で被覆されている。
強く更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に増
加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキャ
リアを提供する。 【構成】インナーリード６及びアウターリード７は図１
に示すようにＮｉ又はＮｉ合金のメッキ層９が全面に、
その上に少なくともインナーリード６及びアウターリー
ド７の半導体素子１２の電極及び配線基板１６との接合
面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層１０が施され、インナー
リード６及びアウターリード７の全面は、めっき層９又
は１０で被覆されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用フィルムキ
ャリアに関する、特にＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用フィルムキャリアに関する
ものである。
ャリアに関する、特にＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用フィルムキャリアに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の実装では、一定水準以上の
性能の半導体装置を高速で量産するため、ＴＡＢにより
自動化が図られている。このＴＡＢでは、連続帯状のフ
ィルムキャリアにパターン形成された銅箔を半導体素子
にワイヤレスボンディングによって接合することにより
連続的な実装を可能にしている。
性能の半導体装置を高速で量産するため、ＴＡＢにより
自動化が図られている。このＴＡＢでは、連続帯状のフ
ィルムキャリアにパターン形成された銅箔を半導体素子
にワイヤレスボンディングによって接合することにより
連続的な実装を可能にしている。
【０００３】図４及び図５はこのＴＡＢによる実装例を
示す。図４において、長尺可撓性絶縁フィルム２上にイ
ンナーリード６及びアウターリード７をパターン形成し
たフィルムキャリア１が示されており、このフィルムキ
ャリア１のシンナーリード６と半導体素子１２の電極上
のＡｕバンプ１３とを位置合わせし、加熱状態のボンデ
ィングツール１４を押圧することにより、インナーリー
ド６と半導体素子１２のＡｕバンプ１３をボンディング
する。このインナーリードのボンディングの後必要に応
じて図５に示すように半導体素子１２及びインナーリー
ド６をモールド樹脂１５によって封止し、フィルムキャ
リア１から分離した後、図５に示すアウターリードボン
ディングに供される。図５において、１６は外部配線基
板であり、上面には、配線を行うための導体パターン１
７が形成されている。この外部配線基板１６の導体パタ
ーン１７とフィルムキャリアのアウターリード７とを位
置合わせした後、加熱状態のボンディングツール１４に
より押圧してこれらの接合が行われる。
示す。図４において、長尺可撓性絶縁フィルム２上にイ
ンナーリード６及びアウターリード７をパターン形成し
たフィルムキャリア１が示されており、このフィルムキ
ャリア１のシンナーリード６と半導体素子１２の電極上
のＡｕバンプ１３とを位置合わせし、加熱状態のボンデ
ィングツール１４を押圧することにより、インナーリー
ド６と半導体素子１２のＡｕバンプ１３をボンディング
する。このインナーリードのボンディングの後必要に応
じて図５に示すように半導体素子１２及びインナーリー
ド６をモールド樹脂１５によって封止し、フィルムキャ
リア１から分離した後、図５に示すアウターリードボン
ディングに供される。図５において、１６は外部配線基
板であり、上面には、配線を行うための導体パターン１
７が形成されている。この外部配線基板１６の導体パタ
ーン１７とフィルムキャリアのアウターリード７とを位
置合わせした後、加熱状態のボンディングツール１４に
より押圧してこれらの接合が行われる。
【０００４】図３は従来のフィルムキャリアの一部分の
断面図であり、後述する図２のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線断
面図に相当している。このフィルムキャリアはポリイミ
ド樹脂等の可撓絶縁フィルム２にデバイスホール４ａ、
アウターホール４ｂ、スプロケットホール３等を打抜き
によって形成した後、銅箔８を接着し、この銅箔８をフ
ォトエッチング法によってエッチングして、所定パター
ンのインナーリード６及びアウターリード７を形成する
ことによって得られている。そして半導体素子の電極及
び外部配線基板の導体パターンとの接合を良好に行うた
め、インナーリード６及びアウターリード７にめっき層
１１を施している。このめっき層１１は融点が低く、し
かも接合性の良好なＳｎ又はＳｎ合金（例えば、Ｓｎ−
Ｐｂ合金）が使用されており、インナーリード６及びア
ウターリード７の全面に形成されるものである。この場
合、接合部分のめっき層１１は半導体素子の電極や外部
配線基板の導体パターンとの接合のために施される一
方、銅箔８の酸化防止、腐食防止のためにも施されてい
る。
断面図であり、後述する図２のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線断
面図に相当している。このフィルムキャリアはポリイミ
ド樹脂等の可撓絶縁フィルム２にデバイスホール４ａ、
アウターホール４ｂ、スプロケットホール３等を打抜き
によって形成した後、銅箔８を接着し、この銅箔８をフ
ォトエッチング法によってエッチングして、所定パター
ンのインナーリード６及びアウターリード７を形成する
ことによって得られている。そして半導体素子の電極及
び外部配線基板の導体パターンとの接合を良好に行うた
め、インナーリード６及びアウターリード７にめっき層
１１を施している。このめっき層１１は融点が低く、し
かも接合性の良好なＳｎ又はＳｎ合金（例えば、Ｓｎ−
Ｐｂ合金）が使用されており、インナーリード６及びア
ウターリード７の全面に形成されるものである。この場
合、接合部分のめっき層１１は半導体素子の電極や外部
配線基板の導体パターンとの接合のために施される一
方、銅箔８の酸化防止、腐食防止のためにも施されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のフ
ィルムキャリアでは、インナーリード６及びアウターリ
ード７の全体に施されためっき層１１のＳｎ又はＳｎ合
金より、ウイスカと呼ばれる針状の金属単結晶が発生
し、隣接するリード間、半導体素子の電極間或は、外部
基板の導体パターン間を短絡させる恐れがある。更にＳ
ｎ又はＳｎ合金めっき層は軟質で機械的強度が小さいた
め、外部部材との擦れ、接触によって傷付き易く、この
傷によって内部の銅箔が露出して酸化、腐食することも
ある。前述したウイスカの発生を防止するため、一般的
にめっき工程後に１００℃程度で熱処理を行う必要があ
る。しかし、このような処理を行うのは面倒なでけでな
く、加熱を行うことにより酸化被膜が形成し、はんだ濡
れ性及びボンディグ性の低下、更に変色等の問題が生じ
た。
ィルムキャリアでは、インナーリード６及びアウターリ
ード７の全体に施されためっき層１１のＳｎ又はＳｎ合
金より、ウイスカと呼ばれる針状の金属単結晶が発生
し、隣接するリード間、半導体素子の電極間或は、外部
基板の導体パターン間を短絡させる恐れがある。更にＳ
ｎ又はＳｎ合金めっき層は軟質で機械的強度が小さいた
め、外部部材との擦れ、接触によって傷付き易く、この
傷によって内部の銅箔が露出して酸化、腐食することも
ある。前述したウイスカの発生を防止するため、一般的
にめっき工程後に１００℃程度で熱処理を行う必要があ
る。しかし、このような処理を行うのは面倒なでけでな
く、加熱を行うことにより酸化被膜が形成し、はんだ濡
れ性及びボンディグ性の低下、更に変色等の問題が生じ
た。
【０００６】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消しウイスカを発生させることなく、機械的強度も
強く、更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に
増加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキ
ャリアを提供することにある。
を解消しウイスカを発生させることなく、機械的強度も
強く、更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に
増加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキ
ャリアを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の要旨
は、半導体装置用フィルムキャリアめっき層としてＰｄ
又はＰｄ合金を用い、又はその下地としてＮｉ又はＮｉ
合金めっき層を施したことにあり、それによってＳｎ及
びＳｎ合金のめっき層より耐熱及び耐食性を大幅に向上
させたものである。更にＰｄ又はＰｄ合金のめっき層は
Ｓｎ及びＳｎ合金のめっき層よりウイスカー発生、マイ
グレーションの問題がなく、又、はんだ濡れ性も良いた
め信頼性の向上に結びつくものである。
は、半導体装置用フィルムキャリアめっき層としてＰｄ
又はＰｄ合金を用い、又はその下地としてＮｉ又はＮｉ
合金めっき層を施したことにあり、それによってＳｎ及
びＳｎ合金のめっき層より耐熱及び耐食性を大幅に向上
させたものである。更にＰｄ又はＰｄ合金のめっき層は
Ｓｎ及びＳｎ合金のめっき層よりウイスカー発生、マイ
グレーションの問題がなく、又、はんだ濡れ性も良いた
め信頼性の向上に結びつくものである。
【０００８】本発明の上記目的は、半導体素子の電極と
接合されるインナーリードと、このインナーリードに連
設された外部配線基板と接合されるアウターリードを可
撓性絶縁フィルム上にパターン形成した半導体装置用フ
ィルムキャリアにおいて、少なくとも、前記インナーリ
ード及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基
板との接合面にＰｄ又はＰｄ合金のめっき層が施されて
いることを特徴とする半導体装置用フィルムキャリア、
又はＰｄ又はＰｄ合金めっき層の下地としてＮｉ又はＮ
ｉ合金めっき層を施していることを特徴とする前記の半
導体装置用フィルムキャリアによって達成される。
接合されるインナーリードと、このインナーリードに連
設された外部配線基板と接合されるアウターリードを可
撓性絶縁フィルム上にパターン形成した半導体装置用フ
ィルムキャリアにおいて、少なくとも、前記インナーリ
ード及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基
板との接合面にＰｄ又はＰｄ合金のめっき層が施されて
いることを特徴とする半導体装置用フィルムキャリア、
又はＰｄ又はＰｄ合金めっき層の下地としてＮｉ又はＮ
ｉ合金めっき層を施していることを特徴とする前記の半
導体装置用フィルムキャリアによって達成される。
【０００９】本発明に用いるフィルムキャリアとしては
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキシ樹
脂などからなる可撓性絶縁フィルムを用いる。
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキシ樹
脂などからなる可撓性絶縁フィルムを用いる。
【００１０】本発明における、インナーリード及びアウ
ターリードの材料としては銅箔を用いるが、銅箔の種類
は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれでも構わない。
ターリードの材料としては銅箔を用いるが、銅箔の種類
は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれでも構わない。
【００１１】本発明において、Ｐｄ又はＰｄ合金めっき
層の下地としてのＮｉ及びＮｉ合金のめっき膜は、厚い
程良いが硬質なため曲げ加工等の工程が含まれる場合割
れる等の現象が見られるので、０．３〜１．０μｍの範
囲の被覆を施すことが望ましい。
層の下地としてのＮｉ及びＮｉ合金のめっき膜は、厚い
程良いが硬質なため曲げ加工等の工程が含まれる場合割
れる等の現象が見られるので、０．３〜１．０μｍの範
囲の被覆を施すことが望ましい。
【００１２】本発明におけるＰｄ及びＰｄ合金のめっき
膜は特性を満たすには０．０１〜１．０μｍの範囲の被
覆を必要とするが、コストが高くなるためなるべく薄い
めっき層とするが望ましい。
膜は特性を満たすには０．０１〜１．０μｍの範囲の被
覆を必要とするが、コストが高くなるためなるべく薄い
めっき層とするが望ましい。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例を図を用いて詳しく説明す
る。
る。
【００１４】図２は、本発明の半導体装置用フィルムキ
ャリアの一実施例の平面図、図１は図２のＡ−Ａ線の断
面図（Ａ）及びＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）であり、従来技
術と同一の要素は同一符号で対応させてある。フィルム
キャリア１はポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラ
スエポキシ樹脂などからなる可撓性絶縁フィルム２とこ
の絶縁フィルム２上にパターン形成された銅箔等の金属
導体膜のリード５とを備えている。絶縁フィルム２は長
尺な連続帯状となっており、その幅方向両側にはスプロ
ケットホール３が所定間隔で打抜き形成されている。
又、幅方向中央部分には半導体素子（図示せず）を位置
させるデバイスホール４ａが形成され、このデバイスホ
ール４ａの外側には外部配線基板（図示せず）の導体パ
ターンに臨むアウターホール４ｂが形成されている。リ
ード５はインナーリード６が内側に、アウターリード７
が外側に連設されることで形成され、インナーリード６
の先端部分が図４にも示すように絶縁フイルム２のデバ
イスホール４ａの内に延びている。このインナーリード
６に連設されるアウターリード７はアウターホール４ｂ
上を通過して外方に延びている。このような構造では、
デバイスホール４ａ内に延びたインナーリード６の先端
部分が半導体素子の電極と接合され、アウターリード７
はフイルムキャリアから切り離されアウターホール４ｂ
を介して外部配線基板１６の配線１７と接合される。
ャリアの一実施例の平面図、図１は図２のＡ−Ａ線の断
面図（Ａ）及びＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）であり、従来技
術と同一の要素は同一符号で対応させてある。フィルム
キャリア１はポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラ
スエポキシ樹脂などからなる可撓性絶縁フィルム２とこ
の絶縁フィルム２上にパターン形成された銅箔等の金属
導体膜のリード５とを備えている。絶縁フィルム２は長
尺な連続帯状となっており、その幅方向両側にはスプロ
ケットホール３が所定間隔で打抜き形成されている。
又、幅方向中央部分には半導体素子（図示せず）を位置
させるデバイスホール４ａが形成され、このデバイスホ
ール４ａの外側には外部配線基板（図示せず）の導体パ
ターンに臨むアウターホール４ｂが形成されている。リ
ード５はインナーリード６が内側に、アウターリード７
が外側に連設されることで形成され、インナーリード６
の先端部分が図４にも示すように絶縁フイルム２のデバ
イスホール４ａの内に延びている。このインナーリード
６に連設されるアウターリード７はアウターホール４ｂ
上を通過して外方に延びている。このような構造では、
デバイスホール４ａ内に延びたインナーリード６の先端
部分が半導体素子の電極と接合され、アウターリード７
はフイルムキャリアから切り離されアウターホール４ｂ
を介して外部配線基板１６の配線１７と接合される。
【００１５】インナーリード６及びアウターリード７は
図１に示すようにＮｉ又はＮｉ合金のメッキ層９が全面
に、その上に少なくともインナーリード６及びアウター
リード７の半導体素子１２の電極及び配線基板１６との
接合面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層１０が施され、イン
ナーリード６及びアウターリード７の全面は、めっき層
９又は１０で被覆されている。図４及び図５に示される
ように、インナーリード６の下面は半導体素子の電極と
接合され、アウターリード７の下面は外部配線基板の導
体パターンと接合されるものであり、これらのリード
６、７の下面は接合面となっている。このような接合面
に施されるＰｄ又はＰｄ合金のめっき層はいずれも化学
的に安定で、酸化被膜を形成しにくいため、半導体素子
又は外部配線基板との接合を良好に行うことができる。
更に、Ｐｄ又はＰｄ合金のめっき層は耐食性が高く硬質
であり、上記接合面以外のインナーリード６及びアウタ
ーリード７の上面及び側面に形成されることで、これら
のリード６、７の保護に寄与する。即ち、半導体素子、
外部配線基板との接合のため、ボンディングツールがイ
ンナーリード６又はアウターリード７に下降してこれら
リード６、７の上面にはＮｉ又Ｎｉ合金めっき層９か或
はＰｄ又はＰｄ合金のめっき層１０が施されており、こ
のめっき層９、１０は硬質のため、傷付難く、内部のイ
ンナーリード６及びアウターリード７の酸化及び腐食の
防止を図っている。
図１に示すようにＮｉ又はＮｉ合金のメッキ層９が全面
に、その上に少なくともインナーリード６及びアウター
リード７の半導体素子１２の電極及び配線基板１６との
接合面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層１０が施され、イン
ナーリード６及びアウターリード７の全面は、めっき層
９又は１０で被覆されている。図４及び図５に示される
ように、インナーリード６の下面は半導体素子の電極と
接合され、アウターリード７の下面は外部配線基板の導
体パターンと接合されるものであり、これらのリード
６、７の下面は接合面となっている。このような接合面
に施されるＰｄ又はＰｄ合金のめっき層はいずれも化学
的に安定で、酸化被膜を形成しにくいため、半導体素子
又は外部配線基板との接合を良好に行うことができる。
更に、Ｐｄ又はＰｄ合金のめっき層は耐食性が高く硬質
であり、上記接合面以外のインナーリード６及びアウタ
ーリード７の上面及び側面に形成されることで、これら
のリード６、７の保護に寄与する。即ち、半導体素子、
外部配線基板との接合のため、ボンディングツールがイ
ンナーリード６又はアウターリード７に下降してこれら
リード６、７の上面にはＮｉ又Ｎｉ合金めっき層９か或
はＰｄ又はＰｄ合金のめっき層１０が施されており、こ
のめっき層９、１０は硬質のため、傷付難く、内部のイ
ンナーリード６及びアウターリード７の酸化及び腐食の
防止を図っている。
【００１６】一方、Ｎｉ又はＮｉ合金のめっき層は、ア
ンモニア系めっき液に対して安定であり、Ｐｄ又はＰｄ
合金のめっき層の下地として施されることで、アンモニ
ア系のめっき液であるＰｄ又はＰｄ合金のめっき液への
素地である銅の溶解による汚染を防ぐことができる。更
に、Ｎｉ又はＮｉ合金のめっき層は耐食性であり、素地
の銅の溶出及び拡散を防ぐためめっき界面での内部電池
の形成を防ぎ、インナーリード６及びアウターリード７
の耐食性を高めている。
ンモニア系めっき液に対して安定であり、Ｐｄ又はＰｄ
合金のめっき層の下地として施されることで、アンモニ
ア系のめっき液であるＰｄ又はＰｄ合金のめっき液への
素地である銅の溶解による汚染を防ぐことができる。更
に、Ｎｉ又はＮｉ合金のめっき層は耐食性であり、素地
の銅の溶出及び拡散を防ぐためめっき界面での内部電池
の形成を防ぎ、インナーリード６及びアウターリード７
の耐食性を高めている。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置用フィルムキャリアは、少なくとも、インナーリード
及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基板と
の接合面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層が、又、その下地
としてＮｉ又はＮｉ合金めっき層が施されているため、
Ｐｄ又はＰｄ合金のめっき液の汚染を防ぎ、更にリード
の耐食性を高めることができる。又、Ｐｄ又はＰｄ合金
は化学的に安定であり酸化被覆を形成し難く、ボンディ
ング性を高め更に硬質のため傷付きにくく、リードの表
面保護を行うことができ、信頼性を向上させることがで
きる。
置用フィルムキャリアは、少なくとも、インナーリード
及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基板と
の接合面にＰｄ又はＰｄ合金めっき層が、又、その下地
としてＮｉ又はＮｉ合金めっき層が施されているため、
Ｐｄ又はＰｄ合金のめっき液の汚染を防ぎ、更にリード
の耐食性を高めることができる。又、Ｐｄ又はＰｄ合金
は化学的に安定であり酸化被覆を形成し難く、ボンディ
ング性を高め更に硬質のため傷付きにくく、リードの表
面保護を行うことができ、信頼性を向上させることがで
きる。
【００１８】又、ウイスカの発生も心配ない。
【００１９】又、Ａｕめっきに比較してＰｄ又はＰｄ合
金の方が安価である。
金の方が安価である。
【図１】本発明の図２におけるＡ−Ａ線の断面図（Ａ）
及びＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）。
及びＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）。
【図２】本発明の半導体装置用フィルムキャリアーの一
実施例を示す平面図。
実施例を示す平面図。
【図３】図１（Ａ）、（Ｂ）に対応する従来の半導体装
置用フィルムキャリアーの一例のＡ−Ａ線の断面図
（Ａ）とＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）。
置用フィルムキャリアーの一例のＡ−Ａ線の断面図
（Ａ）とＢ−Ｂ線の断面図（Ｂ）。
【図４】ＴＡＢによる半導体素子の実装の一例を示す断
面図（Ａ）。
面図（Ａ）。
【図５】図４に続くＴＡＢによる外部配線基板への実装
の一例を示す断面図（Ｂ）。
の一例を示す断面図（Ｂ）。
１ フィルムキャリア ２ 絶縁フィルム ３ スプロケットホール ４ａ デバイスホール ４ｂ アウターホール ５ リード ６ インナーリード ７ アウターリード ８ 銅箔 ９ Ｎｉ又はＮｉ合金のめっき層 １０ Ｐｄ又はＰｄ合金のめっき層 １１ Ｓｎ又はＳｎ合金のめっき層 １２ 半導体素子 １３ Ａｕバンプ １４ ボンディングツール １５ モールド樹脂 １６ 外部配線基板 １７ 配線
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】ＴＡＢによる半導体素子の実装の一例を示す断
面図。
面図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】図４に続くＴＡＢによる外部配線基板への実装
の一例を示す断面図。
の一例を示す断面図。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子の電極と接合されるインナーリ
ードと、このインナーリードに連設された外部配線基板
と接合されるアウターリードを可撓性絶縁フィルム上に
パターン形成した半導体装置用フィルムキャリアにおい
て、少なくとも前記インナーリード及びアウターリード
の半導体素子の電極及び配線基板との接合面に、Ｐｄ又
はＰｄ合金のめっき層が施されていることを特徴とする
半導体装置用フィルムキャリア。 - 【請求項２】Ｐｄ又はＰｄ合金めっき層の下地としてＮ
ｉ又はＮｉ合金めっき層を施していることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用フィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172550A JP2850579B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172550A JP2850579B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613434A true JPH0613434A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2850579B2 JP2850579B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=15943947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172550A Expired - Fee Related JP2850579B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850579B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
| JP2006316196A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Yasuo Ishikawa | 油化装置 |
| US12113321B1 (en) * | 2023-04-10 | 2024-10-08 | Napra Co., Ltd. | Terminal |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3172550A patent/JP2850579B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
| JP2006316196A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Yasuo Ishikawa | 油化装置 |
| US12113321B1 (en) * | 2023-04-10 | 2024-10-08 | Napra Co., Ltd. | Terminal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850579B2 (ja) | 1999-01-27 |
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