JPH0613466B2 - 新規なスクエアリウム化合物およびその製造方法 - Google Patents
新規なスクエアリウム化合物およびその製造方法Info
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- JPH0613466B2 JPH0613466B2 JP59092768A JP9276884A JPH0613466B2 JP H0613466 B2 JPH0613466 B2 JP H0613466B2 JP 59092768 A JP59092768 A JP 59092768A JP 9276884 A JP9276884 A JP 9276884A JP H0613466 B2 JPH0613466 B2 JP H0613466B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 125000002490 anilino group Chemical class [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 13
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethanol Chemical compound OCCCl SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N squaric acid Chemical compound OC1=C(O)C(=O)C1=O PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AUABZJZJXPSZCN-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)phenol Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1O AUABZJZJXPSZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- PQTIRJGIJDODDP-UHFFFAOYSA-N 3-[ethyl(methyl)amino]phenol Chemical compound CCN(C)C1=CC=CC(O)=C1 PQTIRJGIJDODDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIUIZBCITJMDCF-UHFFFAOYSA-N 3-[methyl(propyl)amino]phenol Chemical compound CCCN(C)C1=CC=CC(O)=C1 YIUIZBCITJMDCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真用感光体の電荷発生物質として、可視
域から近赤外の波長域にわたってフラットな光感度を有
する新規なスクエアリウム化合物及びその製造方法に関
する。
域から近赤外の波長域にわたってフラットな光感度を有
する新規なスクエアリウム化合物及びその製造方法に関
する。
従来技術 従来、電子写真用感光体材料として数多くの物質が知ら
れている。中でも、長波長域に光感度を示すものとして
Se/Te、Se/As、CdSe、フタロシアニン化合物などがあ
る。このうち、Se/Teなどの無機化合物は可視域から近
赤外域にわたってフラットな光感度を有する感光体を得
ることが難しく、また可撓性がないためベルト状に加工
することが困難であるなど多くの問題点がある。また、
有機化合物のフタロシアニン化合物は550nm以下での光
感度が低いことと、精製が困難であることが問題であ
り、可視域から近赤外域にわたってフラットな光感度を
示す実用的な物質はみつかっていない。
れている。中でも、長波長域に光感度を示すものとして
Se/Te、Se/As、CdSe、フタロシアニン化合物などがあ
る。このうち、Se/Teなどの無機化合物は可視域から近
赤外域にわたってフラットな光感度を有する感光体を得
ることが難しく、また可撓性がないためベルト状に加工
することが困難であるなど多くの問題点がある。また、
有機化合物のフタロシアニン化合物は550nm以下での光
感度が低いことと、精製が困難であることが問題であ
り、可視域から近赤外域にわたってフラットな光感度を
示す実用的な物質はみつかっていない。
発明の目的 本発明の目的は可視域から近赤外の波長域の全体にわた
ってフラットな光感度を有する新規なスクエアリウム化
合物を提供することにある。
ってフラットな光感度を有する新規なスクエアリウム化
合物を提供することにある。
発明の構成 本発明者等は鋭意検討の結果、前記の目的にかなった新
規なスクエアリウム化合物及びその製造方法を見出し、
本発明を完成した。
規なスクエアリウム化合物及びその製造方法を見出し、
本発明を完成した。
すなわち本発明の第1の対象は下記一般式(I)で示され
るスクエアリウム化合物である。
るスクエアリウム化合物である。
(I)式中、Rはエチル基(C2H5)またはプロピル基(C3H
7)を表わす。
7)を表わす。
本発明の第2の対象は式(II) で示される3,4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2
−ジオン(以下スクエアリック酸と呼ぶ。)と一般式(I
II) (式中、Rは前記と同じ意味を表わす。) で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する前記一般Iで示される新規なスクエアリウム化合物
の製造方法である。
−ジオン(以下スクエアリック酸と呼ぶ。)と一般式(I
II) (式中、Rは前記と同じ意味を表わす。) で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する前記一般Iで示される新規なスクエアリウム化合物
の製造方法である。
前記の新規スクエアリウム化合物はスクエアリック酸と
アニリン誘導体を溶媒(例えば、n−ブチルアルコール
あるいはアミルアルコール)中で、120〜140℃で3時間
から5時間反応させることによって得られる。得られた
化合物は、洗浄後、さらに適当な溶媒で再結晶すること
によって精製される。
アニリン誘導体を溶媒(例えば、n−ブチルアルコール
あるいはアミルアルコール)中で、120〜140℃で3時間
から5時間反応させることによって得られる。得られた
化合物は、洗浄後、さらに適当な溶媒で再結晶すること
によって精製される。
この様にして得られる本発明の新規なスクエアリウム化
合物の具体例を構造式で以下の表1に示す。
合物の具体例を構造式で以下の表1に示す。
この様にして製造される新規なスクエアリウム化合物は
積層型感光体の電荷発生物質として有効である。
積層型感光体の電荷発生物質として有効である。
また、分光感度は400〜850nmの範囲にわたってフラット
な光感度を示し、全可視域及び近赤外域において充分な
光感度を有する。
な光感度を示し、全可視域及び近赤外域において充分な
光感度を有する。
発明の効果 従って本発明のスクエアリウム化合物は通常の電子写真
用複写機のみならず、半導体レーザープリンターとして
の応用が可能で、インテリジェント複写機として広く用
いることができる。また電子写真分野以外にも、レーザ
ーディスクなどの光学記録媒体としてや有機太陽電池な
どの様々な応用が可能である。
用複写機のみならず、半導体レーザープリンターとして
の応用が可能で、インテリジェント複写機として広く用
いることができる。また電子写真分野以外にも、レーザ
ーディスクなどの光学記録媒体としてや有機太陽電池な
どの様々な応用が可能である。
次に本発明の実施例を挙げる。
実施例1 化合物(1)の製造 N−エチル−N−メチル−m−ヒドロキシアニリン2.4
gとスクエアリック酸0.9gをn−ブチルアルコール40m
lとトルエン20mlの混合溶媒中で攪拌しながら120〜130
℃にて3時間加熱した。冷却後、析出した緑色の結晶を
過し、メタノールで洗浄後エチレンクロロヒドリンで
再結晶を行ない、目的のスクエアリウム化合物1.3g
(収率43%)を得た。
gとスクエアリック酸0.9gをn−ブチルアルコール40m
lとトルエン20mlの混合溶媒中で攪拌しながら120〜130
℃にて3時間加熱した。冷却後、析出した緑色の結晶を
過し、メタノールで洗浄後エチレンクロロヒドリンで
再結晶を行ない、目的のスクエアリウム化合物1.3g
(収率43%)を得た。
分解点:280.5℃。
赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法): νc=o=1610cm-1。
可視吸収スペクトル: λmax=641nm(ジクロロメタン溶液中)。
元素分析: 実測値 理論値 C 69.53% 69.45% H 6.44% 6.36% N 7.32% 7.36% 実施例2 化合物(2)の製造 アニリン誘導体をN−メチル−N−プロピル−m−ヒド
ロキシアニリンにかえて実施例1と同様にして化合物
(2)を得た。
ロキシアニリンにかえて実施例1と同様にして化合物
(2)を得た。
化合物(2): 分解点:256.5〜257.5℃ 赤外線吸収スペクトル:νc=o 1620cm-1。
可視吸収スペクトル:λmax 645nm (ジクロロメタン溶液中)。
元素分析: 実測値(%) 理論値(%) C 70.70 70.56 H 6.85 6.91 N 6.77 6.86 参考例1 一般式(I)でRがC2H5である実施例1のスクエア
リウム化合物(化合物(1))1gをエチレンクロロヒド
リン140mlから再結晶して精製した。次にこの化合物
を塩化メチレン、鋼球と共に12時間粉砕した後、ポリ
エステル樹脂(商品名、バイロン200、市販元:東洋
紡績株式会社)に30重量%添加混合した。混合物をア
ルミニウムプレート上に乾燥後の膜厚が約0.5μとなる
様、アプリケータによって塗布して電荷発生層を形成し
た。この上に、1−フェニル−3−[p−ジエチルアミ
ノスチリル]−5−[p−ジエチルアミノフェニル]−
ピラゾリンをポリカーボネート樹脂(商品名、パンライ
ト、市販元:帝人化成株式会社)中に50重量%添加混
合した電荷輸送層を膜厚約15μとなる様アプリケータ
によって塗布して、積層型の電子写真感光体を得た。
リウム化合物(化合物(1))1gをエチレンクロロヒド
リン140mlから再結晶して精製した。次にこの化合物
を塩化メチレン、鋼球と共に12時間粉砕した後、ポリ
エステル樹脂(商品名、バイロン200、市販元:東洋
紡績株式会社)に30重量%添加混合した。混合物をア
ルミニウムプレート上に乾燥後の膜厚が約0.5μとなる
様、アプリケータによって塗布して電荷発生層を形成し
た。この上に、1−フェニル−3−[p−ジエチルアミ
ノスチリル]−5−[p−ジエチルアミノフェニル]−
ピラゾリンをポリカーボネート樹脂(商品名、パンライ
ト、市販元:帝人化成株式会社)中に50重量%添加混
合した電荷輸送層を膜厚約15μとなる様アプリケータ
によって塗布して、積層型の電子写真感光体を得た。
次に、この感光体の感光層表面に川口電気製静電複写紙
試験装置により−6KVのコロナ放電を2秒間行なって
負帯電させた後、2秒間暗所に放置し、その時の表面電
位V0を測定し、ついで照度10ルックスのタングステ
ン・ハロゲンランプを感光層に照射し、その表面電位が
V0の1/2になるまでの時間(秒)を求めて半減露光量
E1/2を求めた。その結果、V0=850V、E1/2=1.
5ルックス・秒であり、初期帯電電位、光感度ともに高
いものであった。
試験装置により−6KVのコロナ放電を2秒間行なって
負帯電させた後、2秒間暗所に放置し、その時の表面電
位V0を測定し、ついで照度10ルックスのタングステ
ン・ハロゲンランプを感光層に照射し、その表面電位が
V0の1/2になるまでの時間(秒)を求めて半減露光量
E1/2を求めた。その結果、V0=850V、E1/2=1.
5ルックス・秒であり、初期帯電電位、光感度ともに高
いものであった。
参考例2 一般式(I)でRがC3H7である実施例2のスクエア
リウム化合物(化合物(2))1gをエチレンクロロヒド
リン140mlから再結晶して精製した。この精製物を用
いて、参考例1と同様の方法で積層型の電子写真感光体
を作製し、電気特性を測定した結果、V0=890V、
E1/2=1.8ルックス・秒であり、初期帯電電位、光感度
ともに高いものであった。
リウム化合物(化合物(2))1gをエチレンクロロヒド
リン140mlから再結晶して精製した。この精製物を用
いて、参考例1と同様の方法で積層型の電子写真感光体
を作製し、電気特性を測定した結果、V0=890V、
E1/2=1.8ルックス・秒であり、初期帯電電位、光感度
ともに高いものであった。
比較例1 一般式(I)でRがCH3であるスクエアリウム化合物
を用いたこと以外は参考例1と同様にして積層型の電子
写真感光体を作製し、電気特性を測定したところ、V0
=410V、E1/2=1.1ルックス・秒であった。
を用いたこと以外は参考例1と同様にして積層型の電子
写真感光体を作製し、電気特性を測定したところ、V0
=410V、E1/2=1.1ルックス・秒であった。
すなわち、窒素に結合する置換基がともにメチル基のジ
メチルアミノ基を有する化合物では、感光体の暗減衰率
が大きいために光感度はある程度満足できるものの、初
期帯電電位が低くなってしまう。
メチルアミノ基を有する化合物では、感光体の暗減衰率
が大きいために光感度はある程度満足できるものの、初
期帯電電位が低くなってしまう。
この化合物は有機溶媒に不溶であり、再結晶により精製
することができなかった。原料として精製したジメチル
アミノフェノールを用いても原料自体が酸化されやすい
ために、純度の高い化合物を得ることは困難であった。
なお、原料のジメチルアミノフェノールを精製しない場
合には、感光体の光感度が100ルックス・秒以上とな
り、電荷発生材料としては到底使用できないものであっ
た。
することができなかった。原料として精製したジメチル
アミノフェノールを用いても原料自体が酸化されやすい
ために、純度の高い化合物を得ることは困難であった。
なお、原料のジメチルアミノフェノールを精製しない場
合には、感光体の光感度が100ルックス・秒以上とな
り、電荷発生材料としては到底使用できないものであっ
た。
比較例2 一般式(I)でCH3およびRをともにC2H5としたス
クエアリウム化合物を用いたこと以外は参考例1と同様
にして積層型の電子写真感光体を作製し、電気特定を測
定したところ、V0=640V、E1/2=100ルック
ス・秒であった。
クエアリウム化合物を用いたこと以外は参考例1と同様
にして積層型の電子写真感光体を作製し、電気特定を測
定したところ、V0=640V、E1/2=100ルック
ス・秒であった。
すなわち、窒素に結合する置換基がともにエチル基のジ
エチルアミノ基を有する化合物では、初期帯電電位はあ
る程度満足できるものの、光感度が低く、感光体には使
用できないものであった。
エチルアミノ基を有する化合物では、初期帯電電位はあ
る程度満足できるものの、光感度が低く、感光体には使
用できないものであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 夫 龍淳 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ツクス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 昭55−53335(JP,A) 特公 昭52−4188(JP,B2)
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) (式中、RはC2H5またはC3H7を表わす。) で示されるスクエアリウム化合物
- 【請求項2】式(II) で示される3,4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2
−ジオンと一般式(III) (式中、RはC2H5又はC3H7基を表わす。) で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する一般式(I) (式中、Rは前記と同じ意味を表わす。) で示されるスクエアリウム化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092768A JPH0613466B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 新規なスクエアリウム化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092768A JPH0613466B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 新規なスクエアリウム化合物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260554A JPS60260554A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0613466B2 true JPH0613466B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=14063599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092768A Expired - Fee Related JPH0613466B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 新規なスクエアリウム化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613466B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113468A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524188A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-13 | Taiyo Musen Kk | Receiving pulse leading edge position detecting method for loran recei ver |
| JPS5553335A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Hitachi Ltd | Composite type electrophotographic plate |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59092768A patent/JPH0613466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60260554A (ja) | 1985-12-23 |
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