JPH0613521A

JPH0613521A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0613521A
Application number: JP4168776A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kawabe; 實川邉; Hiroaki Kamiura; 宏明上浦
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-06-26
Filing date: 1992-06-26
Publication date: 1994-01-21

Abstract

(57)【要約】【目的】電気機器の基板に安定して半田付けできる半
田ディップによる半導体装置を提供することである。【構成】電気機器の基板のランド電極に処理している
半田と、半導体装置の外部電極２に処理している半田
３，５が半田フィレットを形成して、安定した半田付け
ができるように、半導体装置の外部電極２に溝４ａを設
けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を電気機器
の基板に実装する際に、半導体装置の外部電極と基板の
ランド電極に安定した半田フィレットを形成することが
できる半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、産業界の動向として、半導体装置
を電気機器の基板に実装する方法は、リフロー半田によ
る面実装が主流となっている。なお、リフロー半田に使
用する半田の量はコスト面、環境面等により減少方向に
ある。

【０００３】半導体装置の外部電極には予め半田を付け
ているが、その形成方法は一般的にメッキによる半田処
理（半田メッキ）と、半田槽等で溶融した半田の中に浸
漬する半田処理（半田ディップ）がある。

【０００４】従来の半導体装置完成品を図５に示す。図
５（ａ）は半導体装置の正面図であり、半導体素子を封
止したパッケージ１と、半導体素子とつながる外部電極
２からなる。

【０００５】図５（ｂ）は図５（ａ）の斜視図である。
図５（ｃ）は図５（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った外部電極２
の断面図である。ここで、外部電極２を半田ディップ処
理した場合、外部電極２のエッジと側面部分に半田３が
薄く付く。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の構
成では、半導体装置を電気機器の基板へ安定に実装する
ために、半導体装置の外部電極２の表面に一定厚（５〜
１０μｍ程度）の半田３を均一に付けておく必要があ
る。半田メッキであれば、外部電極２に一定の厚みで均
一な半田３を付けることが可能である。しかし、半田デ
ィップは半田３の性質上、外部電極２のエッジと側面に
薄く付く。従って、半田ディップによる半導体装置は電
気機器の基板に安定な実装ができないという問題を有し
ている。

【０００７】本発明は、電気機器の基板に安定して実装
ができる半田ディップによる半導体装置を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、パッケージと、前記パッケ
ージから伸びた外部電極とを備え、前記外部電極の基板
と接触する先端部に凹凸構造を有している。

【０００９】

【作用】本発明の構成によれば、外部電極に溝、くぼ
み、穴等の凹凸を備えることにより、溶融した半田の性
質上、外部電極に備えた凹凸に半田が溜まる構造と、半
導体装置外部電極と電気機器の基板ランド電極に処理し
ている半田との接触面を広くして、半田付き性を良くす
る構造を備えるものであり、半導体装置を安定に電気機
器の基板へ実装することが可能である。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１１】ただし、図は本発明の特徴を説明するた
め、正面図と斜視図については、外部電極の半田状態は
記載していない。

【００１２】図１は、本発明の一実施例における半導体
装置を示し、図１（ａ）が正面図、図１（ｂ）が斜視
図、図１（ｃ）が図１（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った外部電
極の断面図である。

【００１３】図１において、半導体装置は半導体素子を
封止したパッケージ１と、半導体素子とつながる外部電
極２からなり、外部電極２の先端上部に溝４ａを有す
る。本実施例では、電気機器の基板ランド電極に処理さ
れている半田３と、半導体装置の外部電極２の半田３
が、リフロー半田時に安定したフィレットを形成するた
めに、溝４ａを外部電極２に形成している。溝４ａは、
外部電極２を製造する段階で機械的、または化学的に形
成される。

【００１４】溝４ａは外部電極２の先端部分で、半導体
装置設置時に平坦となる領域に形成されている。その形
状は、図１（ｃ）に見られるようにその断面形状は三角
形に形成されている。

【００１５】このように、溝４ａを外部電極２に形成し
ておくと、半田ディップ時に溝４ａに半田５が溜る。こ
の溝４ａと半田５は、リフロー半田の際、電気機器のラ
ンド電極に処理されている半田と外部電極２の半田付き
性を良くする構成となっているので、安定した半田フィ
レットを形成することができる。言い替えれば、溝４ａ
と半田５はリフロー半田の際、電気機器の基板ランド電
極に処理されている半田５を外部電極２の上に引き上げ
る構成となっている。

【００１６】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）、図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）、および図４（ａ），（ｂ），
（ｃ）に他の実施例を示す。それぞれの図は、図１で説
明した溝を孔、欠け等に置き替えているものであり、構
成は図１と同様である。また、対応する部分には同じ符
号が付されている。

【００１７】図２では、くぼみ４ｂは外部電極２の先端
部分に形成されている。その形状は図２（ａ）に見られ
るように半円形に形成されている。

【００１８】本実施例のくぼみ４ｂを外部電極２に形成
しておくと、半田ディップ時にくぼみ４ｂに半田５が溜
る。このくぼみ４ｂと半田５は、リフロー半田の際、電
気機器のランド電極に処理されている半田と外部電極２
の半田付き性を良くする構成となっているので、安定し
た半田フィレットを形成することができる。

【００１９】図３では、外部電極２の両端部分にくぼみ
４ｂが形成されている。くぼみ４ｂは外部電極２が折り
曲げられ、半導体装置設置時に平坦となる領域に形成さ
れている。その形状は図３（ａ）に見られるようにその
断面形状は半円形が外部電極２の両端に形成されてい
る。

【００２０】本実施例のくぼみ４ｂを外部電極２に形成
しておくと、半田ディップ時にくぼみ４ｂに半田５が溜
る。このくぼみ４ｂと半田５は、リフロー半田の際、電
気機器のランド電極に処理されている半田と外部電極２
の半田付き性を良くする構成となっているので、安定し
た半田フィレットを形成することができる。

【００２１】図４では、円形にくり抜かれた穴４ｃが外
部電極２の折り曲げられ、半導体装置設置時に平坦とな
る領域に形成されている。

【００２２】本実施例の穴４ｃを外部電極２に形成して
おくと、半田ディップ時に穴４ｃに半田５が溜る。この
穴４ｃと半田５は、リフロー半田の際、電気機器のラン
ド電極に処理されている半田と外部電極２の半田付き性
を良くする構成となっているので、安定した半田フィレ
ットを形成することが出来る。

【００２３】溝、くぼみ、穴等の数を上記に説明した実
施例より増やすことにより、実施例の効果を更に顕著に
することが可能であり、半田メッキをする半導体装置に
も利用が可能である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による溝、
くぼみ、穴等の凸、凹を半導体装置の外部電極に形成す
ると、半田ディップをした半導体装置の外部電極が電気
機器の基板ランド電極と安定した半田フィレットを形成
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の半導体装置の一実施例の正面
図（ｂ）はその斜視図（ｃ）は（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面図

【図２】（ａ）は本発明の半導体装置の他の実施例の正
面図（ｂ）はその斜視図（ｃ）は（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面図

【図３】（ａ）は本発明の半導体装置のさらに他の実施
例の正面図（ｂ）はその斜視図（ｃ）は（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面図

【図４】（ａ）は本発明の半導体装置のさらに他の実施
例の正面図（ｂ）はその斜視図（ｃ）は（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面図

【図５】（ａ）は従来の半導体装置の正面図（ｂ）はその斜視図（ｃ）は（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面図

【符号の説明】

１パッケージ２外部電極３半田４ａ溝４ｂくぼみ４ｃ穴５半田

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージと、前記パッケージから伸びた
外部電極とを備え、前記外部電極の基板と接触する先端
部に凹凸構造を有していることを特徴とする半導体装
置。