JPH06135948A - スチレン誘導体又はその塩 - Google Patents
スチレン誘導体又はその塩Info
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- JPH06135948A JPH06135948A JP4333429A JP33342992A JPH06135948A JP H06135948 A JPH06135948 A JP H06135948A JP 4333429 A JP4333429 A JP 4333429A JP 33342992 A JP33342992 A JP 33342992A JP H06135948 A JPH06135948 A JP H06135948A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】次式のスチレン誘導体又はその塩。
〔式中、R1及びR2は水素原子、低級アルコキシ基、
ハロゲン原子又は低級アルキル基を、R3は水酸基、低
級アルコキシ基、低級アルキル基、低級アシルオキシ
基、保護基を有していてよいアミノ酸残基等を、lは0
〜5の整数、mは0〜5の整数を示す。Xは一般式−N
(Z)CO−〔式中、Zは一般式(CH2)nA(式
中、Aは水素原子、カルボキシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−アシル
アミノ基等あるいは置換されていてもよいフェニル基、
ピリジル基またはチエニル基をnは0〜5の整数を表
す)〕もしくは単結合を、Yは−CZ′=CH−等の二
価の基(式中Z′はZと同一)を示す。〕 【効果】優れたリポキシゲナーゼ阻害作用及びシクロオ
キシゲナーゼ阻害作用を有し、抗喘息剤、抗アレルギー
剤、消炎鎮痛剤、抗リウマチ剤等の治療剤として有用で
ある。
ハロゲン原子又は低級アルキル基を、R3は水酸基、低
級アルコキシ基、低級アルキル基、低級アシルオキシ
基、保護基を有していてよいアミノ酸残基等を、lは0
〜5の整数、mは0〜5の整数を示す。Xは一般式−N
(Z)CO−〔式中、Zは一般式(CH2)nA(式
中、Aは水素原子、カルボキシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−アシル
アミノ基等あるいは置換されていてもよいフェニル基、
ピリジル基またはチエニル基をnは0〜5の整数を表
す)〕もしくは単結合を、Yは−CZ′=CH−等の二
価の基(式中Z′はZと同一)を示す。〕 【効果】優れたリポキシゲナーゼ阻害作用及びシクロオ
キシゲナーゼ阻害作用を有し、抗喘息剤、抗アレルギー
剤、消炎鎮痛剤、抗リウマチ剤等の治療剤として有用で
ある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なスチレン誘導体に
関する。本発明の化合物は、リポキシゲナーゼ阻害作用
及びシクロオキシゲナーゼ阻害作用を有する。
関する。本発明の化合物は、リポキシゲナーゼ阻害作用
及びシクロオキシゲナーゼ阻害作用を有する。
【0002】
【従来の技術】アレルギー性喘息、アレルギー性鼻炎、
炎症等の発症にはアラキドン酸のリポキシゲナーゼ生成
物であるロイコトリエン類、シクロオキシゲナーゼ生成
物であるプロスタグランジン類が深く関与する物質であ
ると考えられている。従って、種々のアレルギー性疾
患、炎症等をより強力に且つ的確に抑制するには、リポ
キシゲナーゼを阻害すると共にシクロオキシゲナーゼを
阻害することが望ましく、これら両方を強力に阻害する
薬剤の開発が強く望まれている。
炎症等の発症にはアラキドン酸のリポキシゲナーゼ生成
物であるロイコトリエン類、シクロオキシゲナーゼ生成
物であるプロスタグランジン類が深く関与する物質であ
ると考えられている。従って、種々のアレルギー性疾
患、炎症等をより強力に且つ的確に抑制するには、リポ
キシゲナーゼを阻害すると共にシクロオキシゲナーゼを
阻害することが望ましく、これら両方を強力に阻害する
薬剤の開発が強く望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は優れた
リポキシゲナーゼ阻害作用及びシクロオキシゲナーゼ阻
害作用を有し、抗喘息剤、抗アレルギー剤、脳疾患用
剤、循環器用剤、腎炎治療剤、消炎鎮痛剤、抗リウマチ
剤、乾癬等に代表される皮膚疾患治療剤及び肝疾患用剤
として有用な新規なスチレン誘導体を提供することにあ
る。
リポキシゲナーゼ阻害作用及びシクロオキシゲナーゼ阻
害作用を有し、抗喘息剤、抗アレルギー剤、脳疾患用
剤、循環器用剤、腎炎治療剤、消炎鎮痛剤、抗リウマチ
剤、乾癬等に代表される皮膚疾患治療剤及び肝疾患用剤
として有用な新規なスチレン誘導体を提供することにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式(1):
【0005】
【化2】 〔式中、R1及びR2は同一もしくは相異なって水素原
子、低級アルコキシ基、ハロゲン原子又は低級アルキル
基を、R3は同一もしくは相異なって水酸基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル
オキシ基、低級アシルオキシ基、リン酸ジ低級アルキル
残基又は保護基を有していてよいアミノ酸残基を、lは
0〜5の整数、mは0〜5の整数を示す。Xは一般式−
N(Z)CO−〔式中、Zは一般式(CH2)nA(式
中、Aは水素原子、カルボキシル基、ジ又はモノ低級ア
ルキルカルバモイル基、カルバモイル基、低級アルコキ
シカルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−ア
シルアミノ基、置換されていてもよいフェニル基、ピリ
ジル基またはチエニル基を、nは0〜5の整数を表
す)〕もしくは単結合を、Yは−CZ′=CH−、−C
H=CH−CZ′=CH−、−CZ′=CH−CH=C
H−(式中Z′はZと同一)但し、Z及びZ′はn=0
で同時に水素原子である場合を除き、lが0のときXは
単結合を示す。〕で表わされるスチレン誘導体又はその
塩に係る。
子、低級アルコキシ基、ハロゲン原子又は低級アルキル
基を、R3は同一もしくは相異なって水酸基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル
オキシ基、低級アシルオキシ基、リン酸ジ低級アルキル
残基又は保護基を有していてよいアミノ酸残基を、lは
0〜5の整数、mは0〜5の整数を示す。Xは一般式−
N(Z)CO−〔式中、Zは一般式(CH2)nA(式
中、Aは水素原子、カルボキシル基、ジ又はモノ低級ア
ルキルカルバモイル基、カルバモイル基、低級アルコキ
シカルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−ア
シルアミノ基、置換されていてもよいフェニル基、ピリ
ジル基またはチエニル基を、nは0〜5の整数を表
す)〕もしくは単結合を、Yは−CZ′=CH−、−C
H=CH−CZ′=CH−、−CZ′=CH−CH=C
H−(式中Z′はZと同一)但し、Z及びZ′はn=0
で同時に水素原子である場合を除き、lが0のときXは
単結合を示す。〕で表わされるスチレン誘導体又はその
塩に係る。
【0006】一般式(1)で表わされる本発明化合物
は、優れたリポキシゲナーゼ阻害活性及びシクロオキシ
ゲナーゼ阻害活性を有しており、抗喘息剤、抗アレルギ
ー剤、脳疾患用剤、循環器用剤、腎炎治療剤、消炎鎮痛
剤、抗リウマチ剤、乾癬等に代表される皮膚疾患治療剤
及び肝疾患用剤として有効である。
は、優れたリポキシゲナーゼ阻害活性及びシクロオキシ
ゲナーゼ阻害活性を有しており、抗喘息剤、抗アレルギ
ー剤、脳疾患用剤、循環器用剤、腎炎治療剤、消炎鎮痛
剤、抗リウマチ剤、乾癬等に代表される皮膚疾患治療剤
及び肝疾患用剤として有効である。
【0007】本発明において、R1及びR2で示される
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
又はヨウ素原子を、R1、R2、R3及びAで示される
低級アルコキシ基とはメトキシ、エトキシ、n−プロポ
キシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキ
シ等の炭素数1〜4までの直鎖状又は分枝状のアルコキ
シ基を、R1、R2及びR3で示される低級アルキル基
とはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチル、tert−ブチル等の炭素数1
〜4までの直鎖状または分枝状のアルキル基を、Aで示
される低級アルコキシカルボニル基とはメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、n−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル、tert−ブトキシカル
ボニル等の炭素数2〜5までの直鎖状又は分枝状のアル
コキシカルボニル基を、R3で示される低級アシルオキ
シ基とはアセチルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタノ
イルオキシ、2−メチルプロパノイルオキシ、バレリル
オキシ等の炭素数2〜5までの直鎖状または分枝状のア
シルオキシ基を、R3で示される低級アルコキシカルボ
ニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ、エ
トキシカルボニルオキシ、n−プロポキシカルボニルオ
キシ、イソプロポキシカルボニルオキシ、n−ブトキシ
カルボニルオキシ、イソブトキシカルボニルオキシ、t
ert−ブトキシカルボニルオキシ等の炭素数2〜5ま
での直鎖状または分枝状のアルコキシカルボニルオキシ
基を、R3で示されるリン酸ジ低級アルキル残基として
はジメチルリン酸エステル残基、ジエチルリン酸エステ
ル残基、ジプロピルリン酸エステル残基、ジブチルリン
酸エステル残基等の炭素数1〜4のアルキル基2個で置
換されたリン酸残基、特に、式−O−P(O)(O
R0)3で表される基(式中、R0は炭素数1〜4のア
ルキル基を示す)を、R3で示される保護基を有してい
てもよいアミノ酸残基とは、アミノ酸のカルボキシル基
から水素原子を除いて形成される基を示し、該アミノ酸
としては、例えば、グリシン、アラニン、メチオニン、
バリン、セリン、プロリン、ロイシン、イソロイシン、
グルタミン、ヒスチジン、フェニルアラニン、フェニル
グリシン等の天然又は合成のアミノ酸が挙げられ、アミ
ノ酸のアミノ基に対する保護基としては、炭素数1〜6
の低級アルキル基、炭素数2〜5の低級アシル基、炭素
数2〜5の低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオキ
シカルボニル基等が挙げられ、保護基を有するアミノ酸
としては、例えば、N,N−ジメチルグリシン、N−ア
セチルグリシン、N−t−ブトキシカルボニルグリシ
ン、N−ベンジルオキシカルボニルグリシン、N−アセ
チルバリン、N−t−ブトキシカルボニルバリン等を、
Aで示されるジ又はモノ低級アルキルカルバモイル基と
してはメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、プロ
ピルカルバモイル、ブチルカルバモイル等の炭素数2〜
5のモノアルキルカルバモイル基、又はジメチルカルバ
モイル、ジエチルカルバモイル、ジブロピルカルバモイ
ル、ジブチルカルバモイル等の炭素数3〜9のジアルキ
ルカルバモイル基を、Aで示されるN−アシルアミノ基
としてはアセチルアミノ、プロパノイルアミノ、ブタノ
イルアミノ、2−メチルプロパノイルアミノ、バレリル
アミノ、ベンゾイルアミノ等の炭素数2〜7までの直鎖
状、分枝状の脂肪族又は芳香族のアシルアミノ基を、置
換されていてもよいフェニル基としては置換基として低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基、塩素、フ
ッ素、臭素等のハロゲン原子の1種又は2種以上が1〜
3個置換していてもよいフェニル基を意味する。具体的
にはトリル、キシリル、4−エチルフェニル、p−クミ
ル、2−メトキシフェニル、4−エトキシフェニル、4
−クロロフェニル、2−クロロフェニル、2,4−ジク
ロロフェニル、3−ブロモフェニル等が例示できる。ピ
リジル基としては2−ピリジル、3−ビリジル、4−ピ
リジルを、チエニル基としては2−チエニル、3−チエ
ニルを例示できる。
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
又はヨウ素原子を、R1、R2、R3及びAで示される
低級アルコキシ基とはメトキシ、エトキシ、n−プロポ
キシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキ
シ等の炭素数1〜4までの直鎖状又は分枝状のアルコキ
シ基を、R1、R2及びR3で示される低級アルキル基
とはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチル、tert−ブチル等の炭素数1
〜4までの直鎖状または分枝状のアルキル基を、Aで示
される低級アルコキシカルボニル基とはメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、n−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル、tert−ブトキシカル
ボニル等の炭素数2〜5までの直鎖状又は分枝状のアル
コキシカルボニル基を、R3で示される低級アシルオキ
シ基とはアセチルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタノ
イルオキシ、2−メチルプロパノイルオキシ、バレリル
オキシ等の炭素数2〜5までの直鎖状または分枝状のア
シルオキシ基を、R3で示される低級アルコキシカルボ
ニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ、エ
トキシカルボニルオキシ、n−プロポキシカルボニルオ
キシ、イソプロポキシカルボニルオキシ、n−ブトキシ
カルボニルオキシ、イソブトキシカルボニルオキシ、t
ert−ブトキシカルボニルオキシ等の炭素数2〜5ま
での直鎖状または分枝状のアルコキシカルボニルオキシ
基を、R3で示されるリン酸ジ低級アルキル残基として
はジメチルリン酸エステル残基、ジエチルリン酸エステ
ル残基、ジプロピルリン酸エステル残基、ジブチルリン
酸エステル残基等の炭素数1〜4のアルキル基2個で置
換されたリン酸残基、特に、式−O−P(O)(O
R0)3で表される基(式中、R0は炭素数1〜4のア
ルキル基を示す)を、R3で示される保護基を有してい
てもよいアミノ酸残基とは、アミノ酸のカルボキシル基
から水素原子を除いて形成される基を示し、該アミノ酸
としては、例えば、グリシン、アラニン、メチオニン、
バリン、セリン、プロリン、ロイシン、イソロイシン、
グルタミン、ヒスチジン、フェニルアラニン、フェニル
グリシン等の天然又は合成のアミノ酸が挙げられ、アミ
ノ酸のアミノ基に対する保護基としては、炭素数1〜6
の低級アルキル基、炭素数2〜5の低級アシル基、炭素
数2〜5の低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオキ
シカルボニル基等が挙げられ、保護基を有するアミノ酸
としては、例えば、N,N−ジメチルグリシン、N−ア
セチルグリシン、N−t−ブトキシカルボニルグリシ
ン、N−ベンジルオキシカルボニルグリシン、N−アセ
チルバリン、N−t−ブトキシカルボニルバリン等を、
Aで示されるジ又はモノ低級アルキルカルバモイル基と
してはメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、プロ
ピルカルバモイル、ブチルカルバモイル等の炭素数2〜
5のモノアルキルカルバモイル基、又はジメチルカルバ
モイル、ジエチルカルバモイル、ジブロピルカルバモイ
ル、ジブチルカルバモイル等の炭素数3〜9のジアルキ
ルカルバモイル基を、Aで示されるN−アシルアミノ基
としてはアセチルアミノ、プロパノイルアミノ、ブタノ
イルアミノ、2−メチルプロパノイルアミノ、バレリル
アミノ、ベンゾイルアミノ等の炭素数2〜7までの直鎖
状、分枝状の脂肪族又は芳香族のアシルアミノ基を、置
換されていてもよいフェニル基としては置換基として低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基、塩素、フ
ッ素、臭素等のハロゲン原子の1種又は2種以上が1〜
3個置換していてもよいフェニル基を意味する。具体的
にはトリル、キシリル、4−エチルフェニル、p−クミ
ル、2−メトキシフェニル、4−エトキシフェニル、4
−クロロフェニル、2−クロロフェニル、2,4−ジク
ロロフェニル、3−ブロモフェニル等が例示できる。ピ
リジル基としては2−ピリジル、3−ビリジル、4−ピ
リジルを、チエニル基としては2−チエニル、3−チエ
ニルを例示できる。
【0008】一般式(1)の化合物において好ましい化
合物としては、R1及びR2が低級アルコキシ基、R3
が水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル基、低級ア
ルコキシカルボニルオキシ基又は低級アシルオキシ基、
Xが一般式−N(Z)CO−で表わされる基、この時Z
を示すnが0〜2、Aが水素原子、ジ又はモノ低級アル
キルカルバモイル基、低級アルコキシカルボニル基、低
級アルコキシ基又はチエニル基、Yが−C(Z′)=C
H−、−CH=CH−C(Z′)=CH−、−C
(Z′)=CH−CH=CH−である化合物である。
合物としては、R1及びR2が低級アルコキシ基、R3
が水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル基、低級ア
ルコキシカルボニルオキシ基又は低級アシルオキシ基、
Xが一般式−N(Z)CO−で表わされる基、この時Z
を示すnが0〜2、Aが水素原子、ジ又はモノ低級アル
キルカルバモイル基、低級アルコキシカルボニル基、低
級アルコキシ基又はチエニル基、Yが−C(Z′)=C
H−、−CH=CH−C(Z′)=CH−、−C
(Z′)=CH−CH=CH−である化合物である。
【0009】本発明のイソオキサゾール化合物の塩とし
て、例えば塩基性基の塩としては、塩酸塩、硫酸塩、硝
酸塩、リン酸塩などの無機酸塩、マレイン酸塩、コハク
酸塩、リンゴ酸塩、フマル酸塩、p−トルエンスルホン
酸塩、メタンスルホン酸塩などの有機酸塩が挙げられ、
酸性基の塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム
塩、カルシウム塩などが挙げられる。
て、例えば塩基性基の塩としては、塩酸塩、硫酸塩、硝
酸塩、リン酸塩などの無機酸塩、マレイン酸塩、コハク
酸塩、リンゴ酸塩、フマル酸塩、p−トルエンスルホン
酸塩、メタンスルホン酸塩などの有機酸塩が挙げられ、
酸性基の塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム
塩、カルシウム塩などが挙げられる。
【0010】一般式(1)で表わされる本発明の化合物
は、下記の反応工程式(i)〜(v)に示す方法により
製造される。 <反応工程式(i)>
は、下記の反応工程式(i)〜(v)に示す方法により
製造される。 <反応工程式(i)>
【0011】
【化3】 〔式中、R1、R2、R3、l、m、Y及びZは前記に
同じ。〕 一般式(2)で表わされるアミンを、一般式(3)で表
わされるカルボン酸と溶媒中、場合により触媒の存在下
に縮合剤を用いて反応させることにより、目的の一般式
(1a)で表わされるスチレン誘導体を得る。この時、
一般式(3)で示される化合物のR3が水酸基である場
合には、適当な保護基によって保護した後に縮合させ、
次いで脱保護を行なうこともできる。保護基としては、
後に脱保護反応によってこの基を除去する際に、他に影
響を及ぼすことがない限り特に制限はなく、例えばメト
キシエトキシメチル基、メトキシメチル基、テトラヒド
ロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等を使用でき、
これら保護基の導入方法としては、ジャーナル オブ
アメリカン ケミカル ソサエティー(Journal
of American Chemical Soc
iety) 100,8031(1978)に記載の方
法に従って行える。上記溶媒としては、反応に関与しな
いものであれば特に制限はなく、例えばエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロ
ホルム等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン
等の芳香族炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等の非プロ
トン性極性溶媒等が使用できる。縮合剤としては、例え
ばN,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド、クロル炭
酸エチル、ピバロイルクロライド、クロルスルホニルイ
ソシアネート等を例示できる。触媒としては、例えば4
−ジメチルアミノピリジン、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール、ピリジン、トリエチルアミン等を例示するこ
とができる。反応に際しては、一般式(2)の化合物に
対し、一般式(3)の化合物を1〜2倍当量程度、縮合
剤を1〜3倍当量程度及び触媒を0.1〜2倍当量程度
用いるのが好ましい。また、反応温度は氷冷下から室温
程度であり、反応時間は、1〜48時間程度で反応は有
利に進行する。 <反応工程式(ii)>
同じ。〕 一般式(2)で表わされるアミンを、一般式(3)で表
わされるカルボン酸と溶媒中、場合により触媒の存在下
に縮合剤を用いて反応させることにより、目的の一般式
(1a)で表わされるスチレン誘導体を得る。この時、
一般式(3)で示される化合物のR3が水酸基である場
合には、適当な保護基によって保護した後に縮合させ、
次いで脱保護を行なうこともできる。保護基としては、
後に脱保護反応によってこの基を除去する際に、他に影
響を及ぼすことがない限り特に制限はなく、例えばメト
キシエトキシメチル基、メトキシメチル基、テトラヒド
ロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等を使用でき、
これら保護基の導入方法としては、ジャーナル オブ
アメリカン ケミカル ソサエティー(Journal
of American Chemical Soc
iety) 100,8031(1978)に記載の方
法に従って行える。上記溶媒としては、反応に関与しな
いものであれば特に制限はなく、例えばエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロ
ホルム等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン
等の芳香族炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等の非プロ
トン性極性溶媒等が使用できる。縮合剤としては、例え
ばN,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド、クロル炭
酸エチル、ピバロイルクロライド、クロルスルホニルイ
ソシアネート等を例示できる。触媒としては、例えば4
−ジメチルアミノピリジン、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール、ピリジン、トリエチルアミン等を例示するこ
とができる。反応に際しては、一般式(2)の化合物に
対し、一般式(3)の化合物を1〜2倍当量程度、縮合
剤を1〜3倍当量程度及び触媒を0.1〜2倍当量程度
用いるのが好ましい。また、反応温度は氷冷下から室温
程度であり、反応時間は、1〜48時間程度で反応は有
利に進行する。 <反応工程式(ii)>
【0012】
【化4】 〔式中、R1、R2、R3及びmは前記と同一。R4は
低級アルコキシカルボニル基又はシアノ基を、R5は−
CH=CH−基又は単結合を意味する。〕 一般式(4)で表わされる化合物と、一般式(5)で表
わされるアルデヒドを溶媒中もしくは無溶媒で塩基の存
在下に反応させることにより、目的の一般式(1b)で
表わされるスチレン誘導体を得る。上記溶媒としては、
例えば反応工程式(i)で例示した溶媒を用いることが
できる他、メタノール、エタノール等のアルコール類を
使用しても良い。塩基としては、例えばピペリジン、ピ
リジン等の有機アミンを例示することができる。反応に
際しては、−般式(4)の化合物に対し、一般式(5)
の化合物を1〜1.5倍当量程度,塩基を1〜2倍当量
程度用いるのが好ましい。反応温度は、溶媒が還流する
温度、無溶媒のときは100〜150℃程度であり、反
応時間は2〜5時間程度で反応は有利に進行する。尚、
この反応工程式(ii)の反応条件は、上記条件に限ら
れることなく、通常行われるKnoevenagel反
応の条件に従うことで、目的の一般式(1b)で表わさ
れるスチレン誘導体を得ることができる。 <反応工程式(iii)>
低級アルコキシカルボニル基又はシアノ基を、R5は−
CH=CH−基又は単結合を意味する。〕 一般式(4)で表わされる化合物と、一般式(5)で表
わされるアルデヒドを溶媒中もしくは無溶媒で塩基の存
在下に反応させることにより、目的の一般式(1b)で
表わされるスチレン誘導体を得る。上記溶媒としては、
例えば反応工程式(i)で例示した溶媒を用いることが
できる他、メタノール、エタノール等のアルコール類を
使用しても良い。塩基としては、例えばピペリジン、ピ
リジン等の有機アミンを例示することができる。反応に
際しては、−般式(4)の化合物に対し、一般式(5)
の化合物を1〜1.5倍当量程度,塩基を1〜2倍当量
程度用いるのが好ましい。反応温度は、溶媒が還流する
温度、無溶媒のときは100〜150℃程度であり、反
応時間は2〜5時間程度で反応は有利に進行する。尚、
この反応工程式(ii)の反応条件は、上記条件に限ら
れることなく、通常行われるKnoevenagel反
応の条件に従うことで、目的の一般式(1b)で表わさ
れるスチレン誘導体を得ることができる。 <反応工程式(iii)>
【0013】
【化5】 〔式中、R1、R2、R3、l及びmは前記と同一。X
1は一般式−N(Z1)CO−〔式中、Z1は一般式
(CH2)nA1(式中、A1は水素原子、ジ又はモノ
低級アルキルカルバモイル基、カルバモイル基、低級ア
ルコキシカルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、
N−アシルアミノ基、置換されていてもよいフェニル
基、ピリジル基、チエニル基を、nは前記と同一の意味
を表す)もしくは単結合を、X2は一般式−N(Z2)
CO−〔式中、Z2は、一般式−(CH2)nA2(式
中、A2は水素原子、ジ又はモノ低級アルキルカルバモ
イル基、カルバモイル基、カルボキシル基、シアノ基、
低級アルコキシ基、N−アシルアミノ基、置換されてい
てもよいフェニル基、ピリジル基又はチエニル基を、n
は前記と同一の意味を表す)もしくは単結合を、Y1は
−CZ1′=CH−、−CH=CH−CZ1′=CH
−、−CZ1′=CH−CH=CH−(式中Z1′はZ
1と同一)を、Y2は−CZ2′=CH−、−CH=C
H−CZ2′=CH−、−CZ2′=CH−CH=CH
−(式中Z2′はZ2と同一)を表す。但し、Z1及び
Z1′はn=0で同時に水素原子である場合を除き、且
つ、X1およびY1の基のうち、少なくとも一方には低
級アルコキシカルボニル基を有するものとする。Z2及
びZ2′はn=0で同時に水素原子である場合を除き、
且つX2及びY2の基のうち、少なくとも一方にはカル
ボキシル基を有するものとする〕 本反応工程式(iii)で製造される化合物は、一般式
(1)で表わされる化合物のうちAで表わされる基がカ
ルボキシル基である化合物の製造方法に係る。
1は一般式−N(Z1)CO−〔式中、Z1は一般式
(CH2)nA1(式中、A1は水素原子、ジ又はモノ
低級アルキルカルバモイル基、カルバモイル基、低級ア
ルコキシカルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、
N−アシルアミノ基、置換されていてもよいフェニル
基、ピリジル基、チエニル基を、nは前記と同一の意味
を表す)もしくは単結合を、X2は一般式−N(Z2)
CO−〔式中、Z2は、一般式−(CH2)nA2(式
中、A2は水素原子、ジ又はモノ低級アルキルカルバモ
イル基、カルバモイル基、カルボキシル基、シアノ基、
低級アルコキシ基、N−アシルアミノ基、置換されてい
てもよいフェニル基、ピリジル基又はチエニル基を、n
は前記と同一の意味を表す)もしくは単結合を、Y1は
−CZ1′=CH−、−CH=CH−CZ1′=CH
−、−CZ1′=CH−CH=CH−(式中Z1′はZ
1と同一)を、Y2は−CZ2′=CH−、−CH=C
H−CZ2′=CH−、−CZ2′=CH−CH=CH
−(式中Z2′はZ2と同一)を表す。但し、Z1及び
Z1′はn=0で同時に水素原子である場合を除き、且
つ、X1およびY1の基のうち、少なくとも一方には低
級アルコキシカルボニル基を有するものとする。Z2及
びZ2′はn=0で同時に水素原子である場合を除き、
且つX2及びY2の基のうち、少なくとも一方にはカル
ボキシル基を有するものとする〕 本反応工程式(iii)で製造される化合物は、一般式
(1)で表わされる化合物のうちAで表わされる基がカ
ルボキシル基である化合物の製造方法に係る。
【0014】一般式(1c)で表わされる化合物を溶媒
中、アルカリ加水分解することにより、目的の一般式
(1d)で表わされる化合物を得る。溶媒としては、メ
タノール、エタノール等のアルコール類と水の混合溶媒
を用い、必要ならばテトラヒドロフランを補助溶媒とし
て用いることができる。アルカリ加水分解に用いるアル
カリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を例
示することができる。
中、アルカリ加水分解することにより、目的の一般式
(1d)で表わされる化合物を得る。溶媒としては、メ
タノール、エタノール等のアルコール類と水の混合溶媒
を用い、必要ならばテトラヒドロフランを補助溶媒とし
て用いることができる。アルカリ加水分解に用いるアル
カリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を例
示することができる。
【0015】反応は、一般式(1c)で表わされる化合
物に対して、アルカリを1〜2当量用い、氷冷から室温
程度で12時間〜48時間程度反応させることにより、
目的の一般式(1d)で表わされる化合物を得ることが
できる。 <反応工程式(iv)>
物に対して、アルカリを1〜2当量用い、氷冷から室温
程度で12時間〜48時間程度反応させることにより、
目的の一般式(1d)で表わされる化合物を得ることが
できる。 <反応工程式(iv)>
【0016】
【化6】 〔式中、R1、R2、R3、X2、Y2、l及びmは前
記と同一。X3は一般式−N(Z3)CO−〔式中、Z
3は一般式−(CH2)nA3、(式中、A3は水素原
子、ジ又はモノ低級アルキルカルバモイル基、カルバモ
イル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−アシルアミ
ノ基、置換されていてもよいフェニル基、ピリジル基又
はチエニル基を、nは前記と同一の意味を表す)もしく
は単結合を、Y3は−CZ3′=CH−、−CH=CH
−CZ3′=CH−、−CZ3′=CH−CH=CH−
(式中Z3′はZ3と同一)、但し、Z3及びZ3′は
n=0で同時に水素原子である場合を除き、且つ、X3
及びY3の基のうち、少なくとも一方にはジ又はモノ低
級アルキルカルバモイル基又はカルバモイル基を有する
ものとする。〕 本反応工程式で製造される化合物は、一般式(1)で表
わされる化合物のうちAで表わされる基が、ジ又はモノ
低級アルキルカルバモイル基又はカルバモイル基を有す
る化合物の製造法に係る。より具体的には一般式(1
d)で表わされる化合物のX2及びY2基のカルボン酸
部分をアミン化合物によりアミド化することにより一般
式(1e)で表わされる化合物を製造する。
記と同一。X3は一般式−N(Z3)CO−〔式中、Z
3は一般式−(CH2)nA3、(式中、A3は水素原
子、ジ又はモノ低級アルキルカルバモイル基、カルバモ
イル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−アシルアミ
ノ基、置換されていてもよいフェニル基、ピリジル基又
はチエニル基を、nは前記と同一の意味を表す)もしく
は単結合を、Y3は−CZ3′=CH−、−CH=CH
−CZ3′=CH−、−CZ3′=CH−CH=CH−
(式中Z3′はZ3と同一)、但し、Z3及びZ3′は
n=0で同時に水素原子である場合を除き、且つ、X3
及びY3の基のうち、少なくとも一方にはジ又はモノ低
級アルキルカルバモイル基又はカルバモイル基を有する
ものとする。〕 本反応工程式で製造される化合物は、一般式(1)で表
わされる化合物のうちAで表わされる基が、ジ又はモノ
低級アルキルカルバモイル基又はカルバモイル基を有す
る化合物の製造法に係る。より具体的には一般式(1
d)で表わされる化合物のX2及びY2基のカルボン酸
部分をアミン化合物によりアミド化することにより一般
式(1e)で表わされる化合物を製造する。
【0017】一般式(1d)で表わされる化合物とアミ
ンとを<反応工程式(i)>と同様の方法で反応させる
ことにより目的の一般式(1e)で表わされる化合物を
得る。
ンとを<反応工程式(i)>と同様の方法で反応させる
ことにより目的の一般式(1e)で表わされる化合物を
得る。
【0018】アミンとしては例えばガス状アンモニア、
ガス状メチルアミン、ガス状ジメチルアミン等を例示で
きる。
ガス状メチルアミン、ガス状ジメチルアミン等を例示で
きる。
【0019】また、<反応工程式(i)>で用いた縮合
剤のほかに、p−トルエンスルホニルクロリド、メタン
スルホニルクロリドを例示することができる。 <反応工程式(v)>
剤のほかに、p−トルエンスルホニルクロリド、メタン
スルホニルクロリドを例示することができる。 <反応工程式(v)>
【0020】
【化7】 〔R1、R2、X、Y、lは前記と同一。R6は低級ア
ルコキシ基又は低級アルキル基を、R7は低級アルコキ
シカルボニルオキシ基、低級アルキルカルボニルオキシ
基、リン酸ジ低級アルキル残基又は保護基を有していて
もよいアミノ酸を、m1は1〜5を、m2は0〜4の整
数を示し、m1+m2=m(但し、mは1〜5の整数)
である〕 一般式(1f)で表わされる化合物を適当な溶媒中で、
低級アルコキシカルボニルクロリド(クロロ炭酸低級ア
ルキルエステル)、アミノ酸もしくはN−保護アミノ
酸、低級脂肪酸もしくはその酸塩化物またはジ低級アル
キルリン酸クロリドと縮合剤を用いて反応させることに
より、目的の一般式(1g)で表されるスチレン誘導体
を得る。
ルコキシ基又は低級アルキル基を、R7は低級アルコキ
シカルボニルオキシ基、低級アルキルカルボニルオキシ
基、リン酸ジ低級アルキル残基又は保護基を有していて
もよいアミノ酸を、m1は1〜5を、m2は0〜4の整
数を示し、m1+m2=m(但し、mは1〜5の整数)
である〕 一般式(1f)で表わされる化合物を適当な溶媒中で、
低級アルコキシカルボニルクロリド(クロロ炭酸低級ア
ルキルエステル)、アミノ酸もしくはN−保護アミノ
酸、低級脂肪酸もしくはその酸塩化物またはジ低級アル
キルリン酸クロリドと縮合剤を用いて反応させることに
より、目的の一般式(1g)で表されるスチレン誘導体
を得る。
【0021】低級アルコキシカルボニルクロリドとして
は、例えばメトキシカルボニルクロリド、エトキシカル
ボニルクロリド、n−プロポキシカルボニルクロリド、
イソプロポキシカルボニルクロリド、n−ブトキシカル
ボニルクロリド、イソブトキシカルボニルクロリド、s
ec−ブトキシカルボニルクロリド、t−ブトキシカル
ボニルクロリド等の炭素数2〜5のアルコキシカルボニ
ルクロリドを例示できる。
は、例えばメトキシカルボニルクロリド、エトキシカル
ボニルクロリド、n−プロポキシカルボニルクロリド、
イソプロポキシカルボニルクロリド、n−ブトキシカル
ボニルクロリド、イソブトキシカルボニルクロリド、s
ec−ブトキシカルボニルクロリド、t−ブトキシカル
ボニルクロリド等の炭素数2〜5のアルコキシカルボニ
ルクロリドを例示できる。
【0022】アミノ酸としてはグリシン、アラニン、メ
チオニン、バリン、セリン、プロリン、ロイシン、イソ
ロイシン、グルタミン、ヒスチジン、フェニルアラニ
ン、フェニルグリシン等の天然又は合成のアミノ酸が例
示できるが、通常アミノ基が保護された前記N−保護ア
ミノ酸が好ましい。保護基としては、上記のアミノ酸の
保護基をいずれも用いることができ、具体的にはN−ジ
メチル、N−アセチル、N−t−ブトキシカルボニル、
N−ベンジルオキシカルボニル基等が例示できる。
チオニン、バリン、セリン、プロリン、ロイシン、イソ
ロイシン、グルタミン、ヒスチジン、フェニルアラニ
ン、フェニルグリシン等の天然又は合成のアミノ酸が例
示できるが、通常アミノ基が保護された前記N−保護ア
ミノ酸が好ましい。保護基としては、上記のアミノ酸の
保護基をいずれも用いることができ、具体的にはN−ジ
メチル、N−アセチル、N−t−ブトキシカルボニル、
N−ベンジルオキシカルボニル基等が例示できる。
【0023】低級脂肪酸としては、例えば酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバリ
ン酸等の直鎖状又は分枝状の炭素数2〜5の脂肪酸が、
その酸塩化物としては、例えば酢酸クロリド、プロピオ
ン酸クロリド、酪酸クロリド、イソ酪酸クロリド、吉草
酸クロリド、イソ吉草酸クロリド、ピバリン酸クロリド
等の直鎖状又は分枝状の炭素数2〜5の脂肪酸の酸塩化
物が例示できる。
オン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバリ
ン酸等の直鎖状又は分枝状の炭素数2〜5の脂肪酸が、
その酸塩化物としては、例えば酢酸クロリド、プロピオ
ン酸クロリド、酪酸クロリド、イソ酪酸クロリド、吉草
酸クロリド、イソ吉草酸クロリド、ピバリン酸クロリド
等の直鎖状又は分枝状の炭素数2〜5の脂肪酸の酸塩化
物が例示できる。
【0024】ジ低級アルキルリン酸クロリドとしては、
ジ(C1−C4アルキル)リン酸クロリド、例えばジメ
チルクロロホスフェート、ジエチルクロロホスフェー
ト、ジプロピルクロロホスフェート、ジブチルクロロホ
スフェート等を例示できる。
ジ(C1−C4アルキル)リン酸クロリド、例えばジメ
チルクロロホスフェート、ジエチルクロロホスフェー
ト、ジプロピルクロロホスフェート、ジブチルクロロホ
スフェート等を例示できる。
【0025】溶媒としては、反応に関与しないものであ
れば特に制限はなく、例えばエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム等の
ハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の非プロトン性極性溶媒等が使用でき
る。縮合剤としては、N−保護アミノ酸又は低級脂肪酸
を使用する場合は、通常ペプチド合成に利用されている
縮合剤が使用でき、例えばN,N′−ジシクロヘキシル
カルボジイミド、エトキシカルボニルクロリド等を示す
ことができる。この場合、必要に応じて添加剤を用いて
も良く、添加剤としてはN,N−ジメチルアミノピリジ
ン、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール等の有機アミン
を用いると反応は有利に進行する場合がある。低級アル
コキシカルボニルクロリド、低級脂肪酸の酸塩化物もし
くはジ低級アルキルリン酸クロリドとの反応は、一般に
縮合剤として塩基を用いることができ、該塩基として
は、例えばピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機塩基等を
例示することができる。反応原料の使用割合は、一般式
(1f)の化合物に対し、低級アルコキシカルボニルク
ロリド(クロロ炭酸低級アルキルエステル)、アミノ酸
もしくは保護アミノ酸、低級脂肪酸もしくはその酸塩化
物、又はジ低級アルキルリン酸クロリドを1〜2.5倍
当量程度、縮合剤を1〜2.5倍当量程度用いるのが好
ましい。また、添加剤として前記有機アミンを用いる場
合、該有機アミンの使用量は、一般式(1f)の化合物
に対し、1〜2.5倍当量程度とすれば良い。反応時間
は1〜15時間程度であり、反応温度は氷冷下から室温
程度で反応は完結する。N−保護アミノ酸を用いた場
合、必要ならば常法に従い脱保護しても良く、脱保護剤
としては、通常使用されているもの、例えば塩酸、硫酸
等の無機酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢
酸、ギ酸等の有機酸等が使用できる。脱保護の条件は、
通常のペプチド合成に用いられる公知慣用の方法におけ
るのと同様の条件を採用すれば良い。
れば特に制限はなく、例えばエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム等の
ハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の非プロトン性極性溶媒等が使用でき
る。縮合剤としては、N−保護アミノ酸又は低級脂肪酸
を使用する場合は、通常ペプチド合成に利用されている
縮合剤が使用でき、例えばN,N′−ジシクロヘキシル
カルボジイミド、エトキシカルボニルクロリド等を示す
ことができる。この場合、必要に応じて添加剤を用いて
も良く、添加剤としてはN,N−ジメチルアミノピリジ
ン、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール等の有機アミン
を用いると反応は有利に進行する場合がある。低級アル
コキシカルボニルクロリド、低級脂肪酸の酸塩化物もし
くはジ低級アルキルリン酸クロリドとの反応は、一般に
縮合剤として塩基を用いることができ、該塩基として
は、例えばピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機塩基等を
例示することができる。反応原料の使用割合は、一般式
(1f)の化合物に対し、低級アルコキシカルボニルク
ロリド(クロロ炭酸低級アルキルエステル)、アミノ酸
もしくは保護アミノ酸、低級脂肪酸もしくはその酸塩化
物、又はジ低級アルキルリン酸クロリドを1〜2.5倍
当量程度、縮合剤を1〜2.5倍当量程度用いるのが好
ましい。また、添加剤として前記有機アミンを用いる場
合、該有機アミンの使用量は、一般式(1f)の化合物
に対し、1〜2.5倍当量程度とすれば良い。反応時間
は1〜15時間程度であり、反応温度は氷冷下から室温
程度で反応は完結する。N−保護アミノ酸を用いた場
合、必要ならば常法に従い脱保護しても良く、脱保護剤
としては、通常使用されているもの、例えば塩酸、硫酸
等の無機酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢
酸、ギ酸等の有機酸等が使用できる。脱保護の条件は、
通常のペプチド合成に用いられる公知慣用の方法におけ
るのと同様の条件を採用すれば良い。
【0026】尚、上記反応により得られた塩基性基を有
する本発明の化合物は、これを例えばエーテル類、低級
アルコール、酢酸エチル、ヘキサンなどの溶媒中、室温
程度の温度下に前記無機酸又は有機酸と反応させる等の
公知の方法により塩基性基のの形態とすることができ
る。また、上記反応により得られた酸性基を有する本発
明の化合物は、これを上記のような溶媒中、無機酸又は
有機酸に代えて水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金
属水酸化物もしくはナトリウムメトキシド、カリウムメ
トキシド、水素化ナトリウムなどの強塩基と反応させる
などの従来公知の方法により酸性基の塩の形態とするこ
とができる。
する本発明の化合物は、これを例えばエーテル類、低級
アルコール、酢酸エチル、ヘキサンなどの溶媒中、室温
程度の温度下に前記無機酸又は有機酸と反応させる等の
公知の方法により塩基性基のの形態とすることができ
る。また、上記反応により得られた酸性基を有する本発
明の化合物は、これを上記のような溶媒中、無機酸又は
有機酸に代えて水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金
属水酸化物もしくはナトリウムメトキシド、カリウムメ
トキシド、水素化ナトリウムなどの強塩基と反応させる
などの従来公知の方法により酸性基の塩の形態とするこ
とができる。
【0027】本発明化合物の製造に使用される原料の合
成法は、後記実施例及び国際特許願PCT/JP92/
00571号に記載されており、該合成法は公知の種々
の文献を参照して行うことができるが、具体的には、以
下の方法により合成できる。 <反応工程式(vi)>
成法は、後記実施例及び国際特許願PCT/JP92/
00571号に記載されており、該合成法は公知の種々
の文献を参照して行うことができるが、具体的には、以
下の方法により合成できる。 <反応工程式(vi)>
【0028】
【化8】 〔式中、R1およびR2は前記に同じ。R8は低級アル
キル基を、Z3は低級アルコキシカルボニル基またはニ
トリル基を示す〕 (A工程)一般式(6)で表されるデオキシベンゾイン
誘導体と一般式(7)で表されるアルコキシアクリロニ
トリルまたはアルコキシアクリル酸誘導体を適当な溶媒
中で塩基の存在下に反応させることにより、一般式
(8)で表される化合物を得る。
キル基を、Z3は低級アルコキシカルボニル基またはニ
トリル基を示す〕 (A工程)一般式(6)で表されるデオキシベンゾイン
誘導体と一般式(7)で表されるアルコキシアクリロニ
トリルまたはアルコキシアクリル酸誘導体を適当な溶媒
中で塩基の存在下に反応させることにより、一般式
(8)で表される化合物を得る。
【0029】R8で表される低級アルキル基としては、
前述の低級アルキル基が挙げられる。Z3で表される低
級アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、n−ブトキシカルボ
ニル、イソブトキシカルボニル、tert−ブトキシカ
ルボニル基を例示できる。
前述の低級アルキル基が挙げられる。Z3で表される低
級アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、n−ブトキシカルボ
ニル、イソブトキシカルボニル、tert−ブトキシカ
ルボニル基を例示できる。
【0030】上記溶媒としては、例えば、メタノール、
エタノール、tert−ブタノールなどのアルコール
類、エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベ
ンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素類、四塩化炭
素、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類、N,N
−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの
非プロトン性極性溶媒などが使用できる。塩基として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素
化ナトリウム、ナトリウムアミド、ナトリウムメトキシ
ド、カリウムtert−ブトキシド、ブチルリチウム等
のアルカリ塩基、トリエチルアミン、ジエチルアミノピ
リジン、ピリジン等の有機塩基などを例示できる。反応
の割合は、一般式(6)の化合物に対し、一般式(7)
の化合物を1〜3倍量程度、塩基を0.1〜3倍当量程
度用いるのが好ましい。また、反応温度は、氷冷下から
溶媒の沸点程度であり、反応時間は0.5〜20時間程
度で反応は有利に進行する。 (B工程)A工程で得られた一般式(8)で表される化
合物を、適当な溶媒中ヒドロキシルアミンもしくはその
塩と反応させることにより、一般式(9)で表される化
合物を得る。反応に使用されるヒドロキシルアミンの塩
としては、特に限定されないが、例えば一般に市販され
ている塩酸塩や硫酸塩などが挙げられる。溶媒としては
反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば
A工程で例示した溶媒を使用することができる。反応の
割合は、一般式(8)の化合物に対し、ヒドロキシルア
ミンもしくはその塩を1〜10倍当量程度用いるのが好
ましい。又、反応温度は室温から溶媒の沸点程度であ
り、反応時間は、1〜30時間程度で反応は有利に進行
する。又、本反応の際に、必要に応じて酸又は塩基を加
えるか、又は緩衝液等の混合溶媒中で反応を行っても良
い。 (C工程)一般式(9)で表わされる化合物を適当な溶
媒中、ハロゲン化剤等を用いて環化させるか、もしくは
適当な溶媒中又は無溶媒中で酸化剤と反応させることに
より、一般式(10)で表わされる化合物を得る。溶媒
としては反応に関与しないものであれば特に制限はな
く、例えばA工程で例示した溶媒を使用することができ
る他、酢酸等を用いても良い。環化反応に用いられるハ
ロゲン化剤としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素、N−
クロロコハク酸イミド、N−ブロモコハク酸イミド等を
例示できる。反応の割合は、一般式(9)の化合物に対
し、ハロゲン化剤を1〜3倍当量程度用いるのが好まし
い。又、反応温度は−70〜150℃程度であり、反応
時間は、1〜24時間程度で反応は有利に進行する。
エタノール、tert−ブタノールなどのアルコール
類、エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベ
ンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素類、四塩化炭
素、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類、N,N
−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの
非プロトン性極性溶媒などが使用できる。塩基として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素
化ナトリウム、ナトリウムアミド、ナトリウムメトキシ
ド、カリウムtert−ブトキシド、ブチルリチウム等
のアルカリ塩基、トリエチルアミン、ジエチルアミノピ
リジン、ピリジン等の有機塩基などを例示できる。反応
の割合は、一般式(6)の化合物に対し、一般式(7)
の化合物を1〜3倍量程度、塩基を0.1〜3倍当量程
度用いるのが好ましい。また、反応温度は、氷冷下から
溶媒の沸点程度であり、反応時間は0.5〜20時間程
度で反応は有利に進行する。 (B工程)A工程で得られた一般式(8)で表される化
合物を、適当な溶媒中ヒドロキシルアミンもしくはその
塩と反応させることにより、一般式(9)で表される化
合物を得る。反応に使用されるヒドロキシルアミンの塩
としては、特に限定されないが、例えば一般に市販され
ている塩酸塩や硫酸塩などが挙げられる。溶媒としては
反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば
A工程で例示した溶媒を使用することができる。反応の
割合は、一般式(8)の化合物に対し、ヒドロキシルア
ミンもしくはその塩を1〜10倍当量程度用いるのが好
ましい。又、反応温度は室温から溶媒の沸点程度であ
り、反応時間は、1〜30時間程度で反応は有利に進行
する。又、本反応の際に、必要に応じて酸又は塩基を加
えるか、又は緩衝液等の混合溶媒中で反応を行っても良
い。 (C工程)一般式(9)で表わされる化合物を適当な溶
媒中、ハロゲン化剤等を用いて環化させるか、もしくは
適当な溶媒中又は無溶媒中で酸化剤と反応させることに
より、一般式(10)で表わされる化合物を得る。溶媒
としては反応に関与しないものであれば特に制限はな
く、例えばA工程で例示した溶媒を使用することができ
る他、酢酸等を用いても良い。環化反応に用いられるハ
ロゲン化剤としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素、N−
クロロコハク酸イミド、N−ブロモコハク酸イミド等を
例示できる。反応の割合は、一般式(9)の化合物に対
し、ハロゲン化剤を1〜3倍当量程度用いるのが好まし
い。又、反応温度は−70〜150℃程度であり、反応
時間は、1〜24時間程度で反応は有利に進行する。
【0031】酸化剤としては、例えば過マンガン酸カリ
ウム、二酸化マンガン、過ヨウ素酸カリウム等の酸化
物、四酢酸鉛、酢酸水銀等の金属塩、過酸化水素、過酢
酸等の過酸化物等を例示できる。これら酸化試剤を用い
る方法の他、空気や酸素等を用いる酸素酸化及び陽極酸
化を利用する有機電解酸化法等によっても一般式(1
0)の化合物が得られる。
ウム、二酸化マンガン、過ヨウ素酸カリウム等の酸化
物、四酢酸鉛、酢酸水銀等の金属塩、過酸化水素、過酢
酸等の過酸化物等を例示できる。これら酸化試剤を用い
る方法の他、空気や酸素等を用いる酸素酸化及び陽極酸
化を利用する有機電解酸化法等によっても一般式(1
0)の化合物が得られる。
【0032】酸化試剤を用いる反応においては、一般式
(9)の化合物に対し、酸化試剤を0.2〜10倍当量
程度用いるのが好ましい。又、反応温度は氷冷下から1
00℃程度であり、反応時間は、5分〜10時間程度で
反応は有利に進行する。
(9)の化合物に対し、酸化試剤を0.2〜10倍当量
程度用いるのが好ましい。又、反応温度は氷冷下から1
00℃程度であり、反応時間は、5分〜10時間程度で
反応は有利に進行する。
【0033】酸素酸化法及び有機電解酸化法において
は、反応温度は−20℃〜100℃程度であり、反応時
間は、5分〜10時間程度で反応は有利に進行する。一
般にこれらの反応は、触媒の存在下に効率良く進行する
ことが知られており、一般式(9)の化合物に対し、触
媒を1×10−5〜10倍当量程度用いるのが好まし
い。触媒としては、例えばコバルト、ロジウム、パラジ
ウム、銅、セリウム、ルテニウム等の金属もしくは金属
塩、金属酸化物、金属錯体等の金属化合物等を例示でき
る。 (D工程)一般式(10)でZ3がニトリル基で表わさ
れる化合物の場合、酸または塩基の存在下、加溶媒分解
又は加水分解することによりカルボン酸とした後、エス
テル化し、さらに還元することにより一般式(11)で
表わされる化合物を得る。加溶媒分解又は加水分解は、
特開昭60−75471号に記載の加溶媒分解方法、ま
たは当分野で慣用される加水分解方法によりなされる。
加溶媒分解反応又は加水分解反応に使用される酸として
は塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸、塩基としては水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩
基を例示できる。エステル化の方法も当分野で通常行わ
れる方法によりなされ、例えばメタノール、エタノール
等のアルコール溶媒中、酸を触媒として用いることによ
り行うことができる。酸としては、例えば塩酸、硫酸等
の無機酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸を例示で
きる。
は、反応温度は−20℃〜100℃程度であり、反応時
間は、5分〜10時間程度で反応は有利に進行する。一
般にこれらの反応は、触媒の存在下に効率良く進行する
ことが知られており、一般式(9)の化合物に対し、触
媒を1×10−5〜10倍当量程度用いるのが好まし
い。触媒としては、例えばコバルト、ロジウム、パラジ
ウム、銅、セリウム、ルテニウム等の金属もしくは金属
塩、金属酸化物、金属錯体等の金属化合物等を例示でき
る。 (D工程)一般式(10)でZ3がニトリル基で表わさ
れる化合物の場合、酸または塩基の存在下、加溶媒分解
又は加水分解することによりカルボン酸とした後、エス
テル化し、さらに還元することにより一般式(11)で
表わされる化合物を得る。加溶媒分解又は加水分解は、
特開昭60−75471号に記載の加溶媒分解方法、ま
たは当分野で慣用される加水分解方法によりなされる。
加溶媒分解反応又は加水分解反応に使用される酸として
は塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸、塩基としては水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩
基を例示できる。エステル化の方法も当分野で通常行わ
れる方法によりなされ、例えばメタノール、エタノール
等のアルコール溶媒中、酸を触媒として用いることによ
り行うことができる。酸としては、例えば塩酸、硫酸等
の無機酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸を例示で
きる。
【0034】還元方法としては、適当な溶媒中で還元剤
を用いることにより行うことができ、溶媒としては、例
えばA工程で例示した溶媒を使用することができる。還
元剤としては、例えば水素化リチウムアルミニウム、水
素化ホウ素ナトリウム等を例示できる。反応の割合は、
エステル体に対し、還元剤を1〜10倍当量程度用いる
のが好ましい。又、反応温度は氷冷から室温程度であ
り、反応時間は、10分〜24時間程度で反応は有利に
進行する。
を用いることにより行うことができ、溶媒としては、例
えばA工程で例示した溶媒を使用することができる。還
元剤としては、例えば水素化リチウムアルミニウム、水
素化ホウ素ナトリウム等を例示できる。反応の割合は、
エステル体に対し、還元剤を1〜10倍当量程度用いる
のが好ましい。又、反応温度は氷冷から室温程度であ
り、反応時間は、10分〜24時間程度で反応は有利に
進行する。
【0035】一般式(10)でZ3が低級アルコキシカ
ルボニル基で表わされる化合物の場合、上記還元方法と
同様にして一般式(11)で表わされる化合物を得る。
ルボニル基で表わされる化合物の場合、上記還元方法と
同様にして一般式(11)で表わされる化合物を得る。
【0036】この方法において中間体(Z3はカルボン
酸)は、特開昭56−59764号に記載の方法によっ
ても得られる。 (E工程)一般式(11)で表わされるアルコール体、
フタルイミド、トリフェニルホスフィンおよびアゾジカ
ルボン酸ジエチルを適当な溶媒中で反応させることによ
り一般式(12)で表わされる化合物を得る。溶媒とし
ては、例えばエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等を
例示できる。
酸)は、特開昭56−59764号に記載の方法によっ
ても得られる。 (E工程)一般式(11)で表わされるアルコール体、
フタルイミド、トリフェニルホスフィンおよびアゾジカ
ルボン酸ジエチルを適当な溶媒中で反応させることによ
り一般式(12)で表わされる化合物を得る。溶媒とし
ては、例えばエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等を
例示できる。
【0037】反応の割合は、一般式(11)のアルコー
ル体に対し、フタルイミド、トリフェニルホスフィンお
よびアゾジカルボン酸ジエチルを各々1〜2倍当量程度
用いるのが好ましい。又、反応温度は氷冷から室温程度
であり、反応時間は、1〜48時間程度で反応は有利に
進行する。 (F工程)一般式(12)で表わされる化合物を、通常
行われるGabriel反応の条件に従って反応させる
ことにより、一般式(13)で表わされる化合物を得
る。反応は、例えばエタノール溶媒中、一般式(12)
の化合物に対し、ヒドラジン水和物を1〜1.1倍当量
程度用い、室温からエタノールの沸点付近で、1〜24
時間程度反応させることで反応は有利に進行する。
ル体に対し、フタルイミド、トリフェニルホスフィンお
よびアゾジカルボン酸ジエチルを各々1〜2倍当量程度
用いるのが好ましい。又、反応温度は氷冷から室温程度
であり、反応時間は、1〜48時間程度で反応は有利に
進行する。 (F工程)一般式(12)で表わされる化合物を、通常
行われるGabriel反応の条件に従って反応させる
ことにより、一般式(13)で表わされる化合物を得
る。反応は、例えばエタノール溶媒中、一般式(12)
の化合物に対し、ヒドラジン水和物を1〜1.1倍当量
程度用い、室温からエタノールの沸点付近で、1〜24
時間程度反応させることで反応は有利に進行する。
【0038】また、通常行われる酸もしくはアルカリの
加水分解により目的とするアミンを得ることもできる。 <反応工程式(vii)>
加水分解により目的とするアミンを得ることもできる。 <反応工程式(vii)>
【0039】
【化9】 [式中、R1、R2およびA2は前記に同じ。l1は3
〜5を示す。] (G工程)上記反応工程式(vi)のB工程と同様なオ
キシム化の方法に準じて行うことにより一般式(14)
で表される化合物を得る。 (H工程)一般式(14)で表される化合物を溶媒中、
アルキルリチウム又はフェニルリチウムと反応させた
後、さらに酸無水物と反応させることにより、一般式
(15)で表されるカルボン酸を得る。上記溶媒として
は、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例
えばエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ヘキサン、シクロヘキサン等の飽和アルキル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類等
が使用できる。アルキルリチウムとしては、例えばメチ
ルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチ
ウム、t−ブチルリチウム等を例示できる。酸無水物と
しては、例えば、無水コハク酸、無水グルタル酸、無水
アジピン酸、ヘプタン二酸無水物等を例示できる。反応
は一般式(14)の化合物に対し、アルキルリチウム又
はフェニルリチウムを2〜3倍当量程度、酸無水物を1
〜2倍当量程度用い、好ましくは窒素、アルゴン等の不
活性乾燥ガス雰囲気下で行うことで有利に進行する。反
応温度は−20℃〜室温程度であり、反応時間はアルキ
ルリチウム又はフェニルリチウムとの反応に1〜2時間
程度、酸無水物との反応は0.5〜2時間程度で有利に
進行する。 (I工程)上記反応工程式(vi)のD工程で用いたエ
ステル化の方法と同様にして一般式(16)で表される
化合物を得る。 <反応工程式(viii)>
〜5を示す。] (G工程)上記反応工程式(vi)のB工程と同様なオ
キシム化の方法に準じて行うことにより一般式(14)
で表される化合物を得る。 (H工程)一般式(14)で表される化合物を溶媒中、
アルキルリチウム又はフェニルリチウムと反応させた
後、さらに酸無水物と反応させることにより、一般式
(15)で表されるカルボン酸を得る。上記溶媒として
は、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例
えばエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ヘキサン、シクロヘキサン等の飽和アルキル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類等
が使用できる。アルキルリチウムとしては、例えばメチ
ルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチ
ウム、t−ブチルリチウム等を例示できる。酸無水物と
しては、例えば、無水コハク酸、無水グルタル酸、無水
アジピン酸、ヘプタン二酸無水物等を例示できる。反応
は一般式(14)の化合物に対し、アルキルリチウム又
はフェニルリチウムを2〜3倍当量程度、酸無水物を1
〜2倍当量程度用い、好ましくは窒素、アルゴン等の不
活性乾燥ガス雰囲気下で行うことで有利に進行する。反
応温度は−20℃〜室温程度であり、反応時間はアルキ
ルリチウム又はフェニルリチウムとの反応に1〜2時間
程度、酸無水物との反応は0.5〜2時間程度で有利に
進行する。 (I工程)上記反応工程式(vi)のD工程で用いたエ
ステル化の方法と同様にして一般式(16)で表される
化合物を得る。 <反応工程式(viii)>
【0040】
【化10】 [式中、R1及びR2は前記に同じ。m3は1〜5を表
す。] 一般式(14)で表される化合物を溶媒中、アルキルリ
チウム又はフェニルリチウムと反応させた後に、例えば
ビス(クロロ酢酸)無水物、ビス(クロロプロピオン
酸)無水物などのω−クロロ無水低級脂肪酸と反応させ
ることにより、一般式(17)で表される化合物を得
る。上記溶媒としては、反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えばエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の
飽和アルキル類が使用できる。アルキルリチウムとして
は、例えばメチルリチウム、n−ブチルリチウム、se
c−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム等を例示でき
る。反応は、一般式(14)の化合物に対し、アルキル
リチウム又はフェニルリチウムを2〜3倍当量程度、ω
−クロロ無水低級脂肪酸を1〜2倍当量程度用い、好ま
しくは窒素、アルゴン等の不活性乾燥ガス雰囲気下で行
うことで有利に進行する。反応温度は−20℃〜室温程
度であり、反応時間はアルキルリチウム又はフェニルリ
チウムとの反応に1〜2時間程度、ω−クロロ無水低級
脂肪酸との反応に0.5〜2時間程度で有利に進行す
る。
す。] 一般式(14)で表される化合物を溶媒中、アルキルリ
チウム又はフェニルリチウムと反応させた後に、例えば
ビス(クロロ酢酸)無水物、ビス(クロロプロピオン
酸)無水物などのω−クロロ無水低級脂肪酸と反応させ
ることにより、一般式(17)で表される化合物を得
る。上記溶媒としては、反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えばエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の
飽和アルキル類が使用できる。アルキルリチウムとして
は、例えばメチルリチウム、n−ブチルリチウム、se
c−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム等を例示でき
る。反応は、一般式(14)の化合物に対し、アルキル
リチウム又はフェニルリチウムを2〜3倍当量程度、ω
−クロロ無水低級脂肪酸を1〜2倍当量程度用い、好ま
しくは窒素、アルゴン等の不活性乾燥ガス雰囲気下で行
うことで有利に進行する。反応温度は−20℃〜室温程
度であり、反応時間はアルキルリチウム又はフェニルリ
チウムとの反応に1〜2時間程度、ω−クロロ無水低級
脂肪酸との反応に0.5〜2時間程度で有利に進行す
る。
【0041】次いで、得られた一般式(17)で表され
る化合物を溶媒中、アンモニアと反応させることによ
り、一般式(18)で表される化合物を得る。上記溶媒
としては、反応に関与しないものであれば特に制限はな
く、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類や
水等が使用できる。アンモニアは上記溶媒にアンモニア
ガスを通じるか若しくはアンモニア水として用いること
ができる。反応の割合は、一般式(17)の化合物に対
し、アンモニアを過剰量用い、反応温度は室温〜溶媒の
沸点程度であり、反応時間は2〜12時間程度で反応は
有利に進行する。 <反応工程式(ix)>
る化合物を溶媒中、アンモニアと反応させることによ
り、一般式(18)で表される化合物を得る。上記溶媒
としては、反応に関与しないものであれば特に制限はな
く、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類や
水等が使用できる。アンモニアは上記溶媒にアンモニア
ガスを通じるか若しくはアンモニア水として用いること
ができる。反応の割合は、一般式(17)の化合物に対
し、アンモニアを過剰量用い、反応温度は室温〜溶媒の
沸点程度であり、反応時間は2〜12時間程度で反応は
有利に進行する。 <反応工程式(ix)>
【0042】
【化11】 〔式中、R1、R2及びm3は前記に同じ。〕 一般式(17)で表される化合物を溶媒中、シアン化ア
ルカリと反応させることにより、目的の一般式(19)
で表される化合物を得る。溶媒としては、ジメチルスル
ホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、水などを単
独または混合して用いることができる。反応は、一般式
(17)で表される化合物に対し、シアン化カリウムま
たはシアン化ナトリウムを1.5〜3倍当量程度用い、
室温程度にて、12〜24時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(x)>
ルカリと反応させることにより、目的の一般式(19)
で表される化合物を得る。溶媒としては、ジメチルスル
ホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、水などを単
独または混合して用いることができる。反応は、一般式
(17)で表される化合物に対し、シアン化カリウムま
たはシアン化ナトリウムを1.5〜3倍当量程度用い、
室温程度にて、12〜24時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(x)>
【0043】
【化12】 〔式中、R3、m及びnは前記に同じ。A3は低級アル
キル基若しくはβ−メトキシエトキシメチル基又はメト
キシメチル基を示す。A4は、水素原子(但し、nは0
でない。)、モノ又はジ低級アルキルカルバモイル基、
カルバモイル基、低級アルコキシカルボニル基、シアノ
基、低級アルコキシ基、置換されていても良いフェニル
基、ピリジル基又はチエニル基を、Y4は単結合又は一
般式−CH=C(Z)−(式中Zは前記に同じ)で表さ
れる基を示す。〕 (J工程)一般式(20)で表される化合物と一般式
(21)で表される化合物を溶媒中塩基若しくは酸の存
在下に反応させることにより、目的の一般式(22)で
表される化合物を得る。溶媒としては、反応に関与しな
いものであれば特に制限はなく、例えばメタノール、エ
タノール等のアルコール類、エチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素類を例示できる。塩基としては、水素化ナ
トリウム、カリウム−t−ブトキシド、ピペリジン、ピ
リジン等を例示できる。酸としては、p−トルエンスル
ホン酸、塩酸、硫酸等を例示できる。反応は、一般式
(20)で表される化合物に対し、一般式(21)で表
される化合物を1〜1.5倍当量程度、塩基若しくは酸
を0.1〜2倍当量程度用いて行う。反応温度は室温か
ら溶媒の沸点程度で、反応時間は1〜48時間程度で反
応は有利に進行する。 (K工程)反応工程式(iv)と同様に、一般式(2
2)で表される化合物をアルカリ加水分解することによ
り、目的の一般式(23)で表される化合物を得る。ま
た、A3がβ−メトキシエトキシメチル基若しくはメト
キシメチル基で表される化合物については、溶媒中酸触
媒を用いて反応を行い、目的の一般式(23)で表され
る化合物を得る。上記溶媒としては、エチルエーテル、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノール、エタ
ノール等のアルコール類を例示することができる。酸と
しては、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸等を例示
できる。 <反応工程式(xi)>
キル基若しくはβ−メトキシエトキシメチル基又はメト
キシメチル基を示す。A4は、水素原子(但し、nは0
でない。)、モノ又はジ低級アルキルカルバモイル基、
カルバモイル基、低級アルコキシカルボニル基、シアノ
基、低級アルコキシ基、置換されていても良いフェニル
基、ピリジル基又はチエニル基を、Y4は単結合又は一
般式−CH=C(Z)−(式中Zは前記に同じ)で表さ
れる基を示す。〕 (J工程)一般式(20)で表される化合物と一般式
(21)で表される化合物を溶媒中塩基若しくは酸の存
在下に反応させることにより、目的の一般式(22)で
表される化合物を得る。溶媒としては、反応に関与しな
いものであれば特に制限はなく、例えばメタノール、エ
タノール等のアルコール類、エチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素類を例示できる。塩基としては、水素化ナ
トリウム、カリウム−t−ブトキシド、ピペリジン、ピ
リジン等を例示できる。酸としては、p−トルエンスル
ホン酸、塩酸、硫酸等を例示できる。反応は、一般式
(20)で表される化合物に対し、一般式(21)で表
される化合物を1〜1.5倍当量程度、塩基若しくは酸
を0.1〜2倍当量程度用いて行う。反応温度は室温か
ら溶媒の沸点程度で、反応時間は1〜48時間程度で反
応は有利に進行する。 (K工程)反応工程式(iv)と同様に、一般式(2
2)で表される化合物をアルカリ加水分解することによ
り、目的の一般式(23)で表される化合物を得る。ま
た、A3がβ−メトキシエトキシメチル基若しくはメト
キシメチル基で表される化合物については、溶媒中酸触
媒を用いて反応を行い、目的の一般式(23)で表され
る化合物を得る。上記溶媒としては、エチルエーテル、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノール、エタ
ノール等のアルコール類を例示することができる。酸と
しては、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸等を例示
できる。 <反応工程式(xi)>
【0044】
【化13】 〔式中、R3及びmは前記に同じ。R9は低級アルキル
基若しくはフェニル基を示す。〕 以下のL工程及びM工程ともに、Synthesis,
793(1992)に記載の方法に従い製造した。 (L工程)一般式(24)で表される化合物と一般式
(25)で表される化合物を無水酢酸中酢酸ナトリウム
の存在下に反応させることにより、目的の一般式(2
6)で表される化合物を得る。反応は、一般式(24)
で表される化合物に対し、一般式(25)で表される化
合物を1〜1.5倍当量程度、酢酸ナトリウムを1〜
1.5倍当量程度、無水酢酸を5〜10倍当量程度用い
るのが好ましい。反応温度は90〜120℃程度で、反
応時間は2〜8時間程度で有利に進行する。 (M工程)一般式(26)で表される化合物をアセトン
−水溶媒中酢酸ナトリウムの存在下に反応させるか、ま
たは0.2N塩酸と反応させることにより、目的の一般
式(27)で表される化合物を得る。反応は、一般式
(26)で表される化合物に対し、酢酸ナトリウムの場
合は1〜1.5倍当量程度、0.2N塩酸の場合は一般
式(26)で表される化合物1mmolに対し5〜20
ml用いるのが好ましい。反応温度は溶媒の沸点付近
で、反応時間は0.5〜1.5時間程度で有利に進行す
る。 <反応工程式(xii)>
基若しくはフェニル基を示す。〕 以下のL工程及びM工程ともに、Synthesis,
793(1992)に記載の方法に従い製造した。 (L工程)一般式(24)で表される化合物と一般式
(25)で表される化合物を無水酢酸中酢酸ナトリウム
の存在下に反応させることにより、目的の一般式(2
6)で表される化合物を得る。反応は、一般式(24)
で表される化合物に対し、一般式(25)で表される化
合物を1〜1.5倍当量程度、酢酸ナトリウムを1〜
1.5倍当量程度、無水酢酸を5〜10倍当量程度用い
るのが好ましい。反応温度は90〜120℃程度で、反
応時間は2〜8時間程度で有利に進行する。 (M工程)一般式(26)で表される化合物をアセトン
−水溶媒中酢酸ナトリウムの存在下に反応させるか、ま
たは0.2N塩酸と反応させることにより、目的の一般
式(27)で表される化合物を得る。反応は、一般式
(26)で表される化合物に対し、酢酸ナトリウムの場
合は1〜1.5倍当量程度、0.2N塩酸の場合は一般
式(26)で表される化合物1mmolに対し5〜20
ml用いるのが好ましい。反応温度は溶媒の沸点付近
で、反応時間は0.5〜1.5時間程度で有利に進行す
る。 <反応工程式(xii)>
【0045】
【化14】 〔式中、R3及びmは前記に同じ。n3は1〜5を示
す。A5は低級アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基若しくはジまたはモノ低級アルキルカルバモイル基を
示す。〕 (N工程)一般式(24)で表される化合物と一般式
(28)で表されるジエステルを溶媒中塩基の存在下に
反応させることにより、目的の一般式(29)で表され
る化合物を得る。溶媒としては、反応に関与しないもの
であれば特に制限はなく、例えばエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類を例示できる。塩基とし
ては、水素化ナトリウム、カリウム−t−ブトキシド等
を例示できる。皮応は、一般式(28)で表される化合
物に対し、塩基を1〜2倍当量程度用いるのが好まし
い。反応温度は室温から溶媒の沸点付近であり、反応時
間は6〜24時間程度で反応は有利に進行する。
す。A5は低級アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基若しくはジまたはモノ低級アルキルカルバモイル基を
示す。〕 (N工程)一般式(24)で表される化合物と一般式
(28)で表されるジエステルを溶媒中塩基の存在下に
反応させることにより、目的の一般式(29)で表され
る化合物を得る。溶媒としては、反応に関与しないもの
であれば特に制限はなく、例えばエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類を例示できる。塩基とし
ては、水素化ナトリウム、カリウム−t−ブトキシド等
を例示できる。皮応は、一般式(28)で表される化合
物に対し、塩基を1〜2倍当量程度用いるのが好まし
い。反応温度は室温から溶媒の沸点付近であり、反応時
間は6〜24時間程度で反応は有利に進行する。
【0046】上記一般式(28)で表されるジエステル
としては、例えばコハク酸ジエチル、グルタル酸ジエチ
ル、アジピン酸ジエチル、ピメリン酸ジエチル等を例示
できる。(O工程)一般式(29)で表される化合物を
溶媒中縮合剤を用い、塩基およびジメチルアミン若しく
はその塩酸塩の存在下に反応させることにより、目的の
一般式(30)で表される化合物を得る。上記溶媒、縮
合剤及び塩基としては、例えば反応工程式(i)で例示
したものを挙げることができる。反応の試薬の割合、温
度及び時間も同様に反応工程式(i)に従うことで、有
利に進行する。 (P工程)一般式(30)で表される化合物に溶媒中ア
ミン類を反応させるか、若しくは酸の存在下にアルコー
ル類を反応させることにより、目的の一般式(31)で
表される化合物を得る。上記溶媒としては、反応に関与
しないものであれば特に制限はなく、例えばエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、クロロホル
ム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素類を例示できる。アミ
ン類としては、ガス状アンモニア、ガス状メチルアミ
ン、ガス状ジメチルアミン、ガス状ジエチルアミン等を
例示できる。アルコール類としては、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、2−プロパノール、ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール等を例示でき
る。反応は、一般式(30)で表される化合物に対し、
アミン類若しくはアルコール類を1倍量〜過剰量用いる
のが好ましい。反応温度は氷冷下から室温付近で、反応
時間は1〜24時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(xiii)>
としては、例えばコハク酸ジエチル、グルタル酸ジエチ
ル、アジピン酸ジエチル、ピメリン酸ジエチル等を例示
できる。(O工程)一般式(29)で表される化合物を
溶媒中縮合剤を用い、塩基およびジメチルアミン若しく
はその塩酸塩の存在下に反応させることにより、目的の
一般式(30)で表される化合物を得る。上記溶媒、縮
合剤及び塩基としては、例えば反応工程式(i)で例示
したものを挙げることができる。反応の試薬の割合、温
度及び時間も同様に反応工程式(i)に従うことで、有
利に進行する。 (P工程)一般式(30)で表される化合物に溶媒中ア
ミン類を反応させるか、若しくは酸の存在下にアルコー
ル類を反応させることにより、目的の一般式(31)で
表される化合物を得る。上記溶媒としては、反応に関与
しないものであれば特に制限はなく、例えばエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、クロロホル
ム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素類を例示できる。アミ
ン類としては、ガス状アンモニア、ガス状メチルアミ
ン、ガス状ジメチルアミン、ガス状ジエチルアミン等を
例示できる。アルコール類としては、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、2−プロパノール、ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール等を例示でき
る。反応は、一般式(30)で表される化合物に対し、
アミン類若しくはアルコール類を1倍量〜過剰量用いる
のが好ましい。反応温度は氷冷下から室温付近で、反応
時間は1〜24時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(xiii)>
【0047】
【化15】 〔式中、R3及びmは前記に同じ。〕 (Q工程)一般式(32)で表される化合物を溶媒中塩
基と反応させた後、親電子試剤と反応させることによ
り、目的の一般式(33)で表される化合物を得る。上
記溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制
限はなく、例えばエチルエーテル、テトラヒドロフラン
等のエーテル類を例示できる。塩基としては、n−ブチ
ルリチウム、sec−ブチルリチウム、t−ブチルリチ
ウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラ
メチルピペリジドを例示できる。親電子試剤としては、
例えばギ酸メチル、ギ酸エチル、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N−ホルミルピペリジン等を例示することが
できる。反応は、一般式(32)で表される化合物に対
し、塩基を1〜2倍当量、親電子試剤を1〜2倍当量用
いるのが好ましい。反応温度は−78℃〜−50℃程度
で、反応時間は一般式(32)の化合物と塩基との反応
に30〜60分間程度、親電子試剤との反応に1〜2時
間程度で有利に進行する。 (R工程)一般式(33)で表される化合物を、溶媒
中、カルボエトキシメチレントリフェニルホスホラン
(34)と反応させることにより、目的の一般式(3
5)で表される化合物のエチルエステル体を得る。これ
をアルカリ加水分解することにより、目的の一般式(3
5)で表される化合物を得る。上記溶媒としては、反応
に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類を例示
できる。反応は、一般式(33)で表される化合物に対
し、化合物(34)を1〜5倍当量程度用いるのが好ま
しく、反応温度は氷冷〜室温程度で、反応時間は12〜
48時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(xiv)>
基と反応させた後、親電子試剤と反応させることによ
り、目的の一般式(33)で表される化合物を得る。上
記溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制
限はなく、例えばエチルエーテル、テトラヒドロフラン
等のエーテル類を例示できる。塩基としては、n−ブチ
ルリチウム、sec−ブチルリチウム、t−ブチルリチ
ウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラ
メチルピペリジドを例示できる。親電子試剤としては、
例えばギ酸メチル、ギ酸エチル、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N−ホルミルピペリジン等を例示することが
できる。反応は、一般式(32)で表される化合物に対
し、塩基を1〜2倍当量、親電子試剤を1〜2倍当量用
いるのが好ましい。反応温度は−78℃〜−50℃程度
で、反応時間は一般式(32)の化合物と塩基との反応
に30〜60分間程度、親電子試剤との反応に1〜2時
間程度で有利に進行する。 (R工程)一般式(33)で表される化合物を、溶媒
中、カルボエトキシメチレントリフェニルホスホラン
(34)と反応させることにより、目的の一般式(3
5)で表される化合物のエチルエステル体を得る。これ
をアルカリ加水分解することにより、目的の一般式(3
5)で表される化合物を得る。上記溶媒としては、反応
に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類を例示
できる。反応は、一般式(33)で表される化合物に対
し、化合物(34)を1〜5倍当量程度用いるのが好ま
しく、反応温度は氷冷〜室温程度で、反応時間は12〜
48時間程度で有利に進行する。 <反応工程式(xiv)>
【0048】
【化16】 〔式中、R1、R2、l、n及びAは前記に同じ。〕 一般式(36)で表される化合物を、溶媒中ω−塩化化
合物(37)と、必要により塩基の存在下に反応させる
ことにより、目的の一般式(38)で表される化合物の
エチルエステル体を得る。上記溶媒としては、反応に関
与しないものであれば特に制限はなく、例えばエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素類を例示できる。塩基
としては、例えばトリエチルアミン、ジメチルアミノピ
リジン等を例示できる。反応は、一般式(36)で表さ
れる化合物に対し、ω−塩化化合物(37)を0.5〜
1倍当量程度、塩基は1〜2倍当量程度用いるのが好ま
しく、反応温度は室温〜溶媒の沸点付近で、反応時間は
1〜8時間程度で有利に進行する。
合物(37)と、必要により塩基の存在下に反応させる
ことにより、目的の一般式(38)で表される化合物の
エチルエステル体を得る。上記溶媒としては、反応に関
与しないものであれば特に制限はなく、例えばエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素類を例示できる。塩基
としては、例えばトリエチルアミン、ジメチルアミノピ
リジン等を例示できる。反応は、一般式(36)で表さ
れる化合物に対し、ω−塩化化合物(37)を0.5〜
1倍当量程度、塩基は1〜2倍当量程度用いるのが好ま
しく、反応温度は室温〜溶媒の沸点付近で、反応時間は
1〜8時間程度で有利に進行する。
【0049】上記反応工程式(i)〜(xiv)で得ら
れた化合物は、濃縮、濾過、再結晶、各種クロマトグラ
フィー等の通常当分野で用いられる手段により単離精製
される。
れた化合物は、濃縮、濾過、再結晶、各種クロマトグラ
フィー等の通常当分野で用いられる手段により単離精製
される。
【0050】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。尚、第1表に
は本発明化合物の構造式並びに物性値を示した。表中、
元素分析値の項は上段が実測値、下段が理論値を示す。 実施例1 a) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾール1.2g(3.7
0mmol)、α−エトキシカルボニル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸1.07g(3.61
mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(15m
l)溶液に、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール670
mg(4.38mmol)、ジシクロヘキシルカルボジ
イミド900mg(4.36mmol)を加え、室温下
42時間撹拌した。酢酸エチル50mlを加え析出晶を
濾去、有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:1)で精製し、
化合物1を1.1g(収率50.6%)得た。 b) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾールの合成 tert−ブタノール430ml中に、デオキシアニソ
イン128g、カリウムtert−ブトキシド67.3
g及びメチル3−メトキシアクリレート116gを加
え、70℃にて3時間撹拌した。反応終了後、反応混合
物にn−ヘキサンを加え、室温下放置した。析出物を濾
取し、酢酸エチル1000mlと3N−硫酸300ml
を加えて溶解した後、有機層を分取し、有機層を3N−
硫酸、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。有機層を減圧下濃縮し、メチル4,5−ビス
(4−メトキシフェニル)−5−オキソ−3−ペンテノ
エートを油状物として153g(収率90%)得た。
は本発明化合物の構造式並びに物性値を示した。表中、
元素分析値の項は上段が実測値、下段が理論値を示す。 実施例1 a) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾール1.2g(3.7
0mmol)、α−エトキシカルボニル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸1.07g(3.61
mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(15m
l)溶液に、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール670
mg(4.38mmol)、ジシクロヘキシルカルボジ
イミド900mg(4.36mmol)を加え、室温下
42時間撹拌した。酢酸エチル50mlを加え析出晶を
濾去、有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:1)で精製し、
化合物1を1.1g(収率50.6%)得た。 b) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾールの合成 tert−ブタノール430ml中に、デオキシアニソ
イン128g、カリウムtert−ブトキシド67.3
g及びメチル3−メトキシアクリレート116gを加
え、70℃にて3時間撹拌した。反応終了後、反応混合
物にn−ヘキサンを加え、室温下放置した。析出物を濾
取し、酢酸エチル1000mlと3N−硫酸300ml
を加えて溶解した後、有機層を分取し、有機層を3N−
硫酸、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。有機層を減圧下濃縮し、メチル4,5−ビス
(4−メトキシフェニル)−5−オキソ−3−ペンテノ
エートを油状物として153g(収率90%)得た。
【0051】メチル4,5−ビス(4−メトキシフェニ
ル)−5−オキソ−3−ペンテノエート24.5g及び
塩酸ヒドロキシルアミン51.5gをメタノール650
ml、水72ml中、23時間加熱還流した。この時、
反応液に炭酸水素ナトリウム0.9当量を反応の進行に
合わせて分割して加えた。反応終了後、メタノールを減
圧留去した。残渣に水及び酢酸エチルを加えて溶解し、
有機層を分取し、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した。有機層を減圧下濃縮し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒、酢酸エチ
ル−n:ヘキサン=1:1)にて分離精製し、メチル5
−ヒドロキシイミノ−4,5−ビス(4−メトキシフェ
ニル)−3−ペンテノエートを油状物として23g(収
率90%)得た。
ル)−5−オキソ−3−ペンテノエート24.5g及び
塩酸ヒドロキシルアミン51.5gをメタノール650
ml、水72ml中、23時間加熱還流した。この時、
反応液に炭酸水素ナトリウム0.9当量を反応の進行に
合わせて分割して加えた。反応終了後、メタノールを減
圧留去した。残渣に水及び酢酸エチルを加えて溶解し、
有機層を分取し、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した。有機層を減圧下濃縮し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒、酢酸エチ
ル−n:ヘキサン=1:1)にて分離精製し、メチル5
−ヒドロキシイミノ−4,5−ビス(4−メトキシフェ
ニル)−3−ペンテノエートを油状物として23g(収
率90%)得た。
【0052】メチル5−ヒドロキシイミノ−4,5−ビ
ス(4−メトキシフェニル)−3−ペンテノエート3.
7gを酢酸40ml中、酢酸コバルト4水和物0.4g
存在下、空気を通気させ60℃にて24時間加熱撹拌し
た。反応後、3N−硫酸を加えて酢酸エチルにて抽出
後、有機層を飽和炭酸カリウム溶液、飽和食塩水にて順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。有機層
を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(展開溶媒、酢酸エチル:n−ヘキサン=1:
1)にて分離精製し、5−メトキシカルボニルメチル−
3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾー
ルを3.3g(収率90%)得た。
ス(4−メトキシフェニル)−3−ペンテノエート3.
7gを酢酸40ml中、酢酸コバルト4水和物0.4g
存在下、空気を通気させ60℃にて24時間加熱撹拌し
た。反応後、3N−硫酸を加えて酢酸エチルにて抽出
後、有機層を飽和炭酸カリウム溶液、飽和食塩水にて順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。有機層
を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(展開溶媒、酢酸エチル:n−ヘキサン=1:
1)にて分離精製し、5−メトキシカルボニルメチル−
3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾー
ルを3.3g(収率90%)得た。
【0053】5−メトキシカルボニルメチル−3,4−
ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール5gを
メタノール20mlに懸濁し、水素化ホウ素ナトリウム
5.9gを加え、氷冷下1時間撹拌した。1N−塩酸を
少しずつ加え酸性とした後、酢酸エチル80mlで抽出
し、1N−塩酸20ml、水20mlで洗浄した。無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮し、5−(2−
ヒドロキシエチル)−3,4−ビス(4−メトキシフェ
ニル)イソオキサゾールを4.5g(収率98%)得
た。
ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール5gを
メタノール20mlに懸濁し、水素化ホウ素ナトリウム
5.9gを加え、氷冷下1時間撹拌した。1N−塩酸を
少しずつ加え酸性とした後、酢酸エチル80mlで抽出
し、1N−塩酸20ml、水20mlで洗浄した。無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮し、5−(2−
ヒドロキシエチル)−3,4−ビス(4−メトキシフェ
ニル)イソオキサゾールを4.5g(収率98%)得
た。
【0054】5−(2−ヒドロキシエチル)−3,4−
ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール1.3
g、トリフェニルホスフィン1.1g、フタルイミド6
00mgの乾燥テトラヒドロフラン溶液15mlに窒素
雰囲気、氷冷下にアゾジカルボン酸ジエチル0.62m
lを加え、20.5時間撹拌した。反応液にジエチルエ
ーテル150mlを加えて抽出し、水30mlで洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。抽出液を減圧下
濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン:酢酸エチル=2:1)で精製し、フタルイミド体
1.5gを得た。これをエタノール15mlに懸濁し、
ヒドラジン水和物165mgを加え、室温下40.5時
間撹拌した。析出晶を濾去し、エタノール10mlで洗
浄し、母液と合わせて減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィー(20%メタノール/クロロホル
ム)で精製し、5−(2−アミノエチル)−3,4−ビ
ス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを600
mg(収率46%)得た。 c) α−エトキシカルボニル−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 3,5−ジメトキシ−4−βメトキシエトキシメトキシ
ベンズアルデヒド1g(3.70mmol)、β−メト
キシエトキシメチル−エチルマロネート815mg
(3.70mmol)をベンゼン20mlに溶解し、ピ
ペリジン0.2ml(2.02mmol)を加え140
℃で約5時間撹拌した。
ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール1.3
g、トリフェニルホスフィン1.1g、フタルイミド6
00mgの乾燥テトラヒドロフラン溶液15mlに窒素
雰囲気、氷冷下にアゾジカルボン酸ジエチル0.62m
lを加え、20.5時間撹拌した。反応液にジエチルエ
ーテル150mlを加えて抽出し、水30mlで洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。抽出液を減圧下
濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン:酢酸エチル=2:1)で精製し、フタルイミド体
1.5gを得た。これをエタノール15mlに懸濁し、
ヒドラジン水和物165mgを加え、室温下40.5時
間撹拌した。析出晶を濾去し、エタノール10mlで洗
浄し、母液と合わせて減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィー(20%メタノール/クロロホル
ム)で精製し、5−(2−アミノエチル)−3,4−ビ
ス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを600
mg(収率46%)得た。 c) α−エトキシカルボニル−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 3,5−ジメトキシ−4−βメトキシエトキシメトキシ
ベンズアルデヒド1g(3.70mmol)、β−メト
キシエトキシメチル−エチルマロネート815mg
(3.70mmol)をベンゼン20mlに溶解し、ピ
ペリジン0.2ml(2.02mmol)を加え140
℃で約5時間撹拌した。
【0055】減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:
0.5〜1)で精製した。得られたオイル状物質をテト
ラヒドロフラン20mlに溶解し、濃塩酸5滴を加え、
室温下約48時間撹拌した。反応液に酢酸エチル30m
lを加え、水洗いし、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
目的とするα−エトキシ−3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシケイヒ酸を830mg(収率75.7%)得
た。 (実施例2) a) 実施例1a)で用いたα−エトキシカルボニル−
3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸に代えて
α−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイ
ヒ酸を用い、化合物2を得た。 b) α−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキ
シケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド2g(11.0mmol)、シアノ
酢酸エチル1.2ml(11.3mmol)のエタノー
ル30ml溶液にピペリジン2mlを加え室温下16時
間撹拌した。減圧下溶液を留去し、1N塩酸を加え酸性
とした後、酢酸エチル200mlで抽出した。有機層を
水洗後、減圧下濃縮し、析出晶をエタノールで洗浄し
た。これをテトラヒドロフラン、メタノール(30m
l、20ml)混合液に溶解し、水酸化カリウム水溶液
(3.0g/30ml)を加え、室温下1.5時間撹拌
した。反応液に水100ml及び酢酸エチル50mlを
加え分層した。水層を濃塩酸で酸性とし、析出晶を濾取
し、目的のα−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒド
ロキシケイヒ酸を1.4g(収率51.1%)得た。 (実施例3) a) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾール500mg(1.
54mmo1)、α−メトキシメチル−3,5−ジメト
キシ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシケイヒ酸
550mg(1.54mmol)の乾燥塩化メチレン溶
液25mlに、氷冷下4−ジメチルアミノピリジン22
mg(0.18mmol)及びジシクロヘキシルカルボ
ジイミド380mg(1.84mmol)を加え、室温
に戻して約40時間撹拌した。減圧下濃縮し、酢酸エチ
ル30mlを加え、不溶物を濾去、減圧下濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチ
ル=1:2)にて精製し、得られたオイル状物質をメタ
ノール20mlに溶解し、p−トルエンスルホン酸・1
水和物少量を加え、室温下17時間撹拌した。減圧下溶
媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン:酢酸エチル=1:2)で精製し、化合物3を4
21mg(47.6%)得た。 b) α−メトキシメチル−3,5−ジメトキシ−4−
(β−メトキシエトキシ)メトキシケイヒ酸の合成 氷冷下、水素化ナトリウム(666mg)のテトラヒド
ロフラン(15ml)溶液に、3−メトキシプロピオン
酸メチル2.6g(22.0mmol)のテトラヒドロ
フラン溶液(5ml)を加え、続いて3,5−ジメトキ
シ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシベンズアル
デヒド3g(11.1mmol)のテトラヒドロフラン
溶液10mlを加え、室温に戻して約17時間撹拌し
た。氷を加え、酢酸エチル60mlで抽出し、水洗後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下、溶媒を留去
し、得られたオイル状物質をテトラヒドロフラン20m
lに溶解し,水酸化カリウム水溶液(740mg/5m
l)を加え、室温下21時間撹拌した。減圧下溶媒を留
去し、水40mlを加え酢酸エチル30mlで洗浄後、
水層を酢酸で中和し、塩化メチレン60mlで抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶
媒を留去し、目的とするα−メトキシメチル3,5−ジ
メトキシ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシケイ
ヒ酸を2.5g(収率63.2%)得た。 (実施例4)実施例3で用いた3−メトキシプロピオン
酸メチルに代えて吉草酸エチルを用い、同様にして化合
物4を得た。 (実施例5〜12)実施例2と同様にして、化合物5〜
12を得た。 (実施例13) a) 5−(3−アミノプロピル)−3,4−ビス−
(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを、α−
N,N−ジメチルカルバモイル−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1a)と同様に
して、化合物13を得た。 b) 5−(3−アミノプロピル)−3,4−ビス−
(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインケトオキシム18gをテトラヒドロ
フラン180mlに溶解し、窒素雰囲気下0℃でn−ブ
チルリチウム94ml(1.6M)を滴下した。30分
後、無水コハク酸8.2gのテトラヒドロフラン100
ml溶液を滴下し、3時間撹拌した。1N−塩酸で酸性
とした後、酢酸エチル100mlで抽出した。酢酸エチ
ル層を1N−水酸化ナトリウム水溶液50mlで2回抽
出し、水層を濃塩酸で酸性とした後、酢酸エチル100
mlで抽出した。残渣をメタノール80mlに溶解し、
濃硫酸数滴を加え、室温下12時間撹拌した後、溶媒を
減圧下留去した。残渣を酢酸エチル100mlに溶解
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50ml、飽和食塩
水50mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(クロロホルム)で精製した。得られた3,4−
ビス−(4−メトキシフェニル)−イソオキサゾール−
5−プロピオン酸をメタノール1000mlに懸濁し、
濃硫酸0.5mlを加え室温下24時間撹拌した。析出
晶を濾取し、3,4−ビス−(4−メトキシフェニル)
イソオキサゾール−5−プロピオン酸メチルを13.5
g(収率52.0%)得た。以下、実施例1b)と同様
にして目的とする5−(3−アミノプロピル)3,4−
ビス−(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを
2.8g(収率23.4%)得た。 c) α−N,N−ジメチルカルバモイル−3,5−ジ
メトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド8.1g(44.5mmol)、α
−ジメチルカルバモイル酢酸エチル7.2g(44.4
mmol)、ピペリジン6.6ml(66.7mmo
l)のエタノール150ml溶液を110℃で約12時
間撹拌した。減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(メタノール/クロロホルム=2〜4%)に
て精製し、得られたオイル状化合物をテトラヒドロフラ
ン50mlに溶解し、水酸化カリウム水溶液(4.3g
/10ml)を加え室温下に約15時間撹拌した。酢酸
エチル50mlを加え、水100mlで抽出し、水層を
濃塩酸で酸性とし、塩化メチレン120mlで抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶
媒を留去し、目的のα−ジメチルカルバモイル−3,5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を4.6g(収
率35%)得た。 (実施例14)200mg(0.33mmol)の化合
物1をテトラヒドロフランとメタノールの混液(5m
l、5ml)に溶解し、水酸化カリウム水溶液(65m
g/3ml)を加え、室温下に約67時間撹拌した。酢
酸エチル50mlを加え、1N水酸化ナトリウム30m
lで抽出し、水層を濃塩酸で酸性とし、塩化メチレン6
0mlで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧
下濃縮乾固し、化合物14を106mg(収率55.9
%)得た。 (実施例15)205mg(0.36mmol)の化合
物14、塩化p−トルエンスルホニル75mg(0.3
9mmol)のテトラヒドロフラン溶液(10ml)
に、氷冷下トリエチルアミン0.05ml(0.36m
mol)を加え撹拌した。2時間後、アンモニアガスを
バブリングし(30分間)、室温に戻して12時間撹拌
した。減圧下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:2)にて精製
し、ヘキサン−エタノールから再結晶により化合物15
を23mg(収率11%)得た。 (実施例16) a) α−メトキシカルボニルメチル−3,5−ジメト
キシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1と同様
にして化合物16を得た。 b) α−メトキシカルボニルメチル−3,5−ジメト
キシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド3.6g、コハク酸ジエチル5ml
をテトラヒドロフラン60mlに溶解し、カリウムt−
ブトキシド4.9gを加え、24時間加熱還流した。反
応液を氷水中に注ぎ、6N塩酸を加え酸性とし、酢酸エ
チル100mlで抽出した。有機層を飽和食塩水洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢
酸エチル)にて精製し、α−カルボキシメチル−3,5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸エチルエステル
を3g(収率48%)得た。これをN,N−ジメチルホ
ルムアミド20mlに溶解し、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド2.1gを加え、室温下に30分間撹拌した。
反応液にメタノールを加え、不溶物を濾取し、メタノー
ル洗浄後乾燥し、酸無水物体2g(収率80%)を得
た。
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:
0.5〜1)で精製した。得られたオイル状物質をテト
ラヒドロフラン20mlに溶解し、濃塩酸5滴を加え、
室温下約48時間撹拌した。反応液に酢酸エチル30m
lを加え、水洗いし、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
目的とするα−エトキシ−3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシケイヒ酸を830mg(収率75.7%)得
た。 (実施例2) a) 実施例1a)で用いたα−エトキシカルボニル−
3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸に代えて
α−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイ
ヒ酸を用い、化合物2を得た。 b) α−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキ
シケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド2g(11.0mmol)、シアノ
酢酸エチル1.2ml(11.3mmol)のエタノー
ル30ml溶液にピペリジン2mlを加え室温下16時
間撹拌した。減圧下溶液を留去し、1N塩酸を加え酸性
とした後、酢酸エチル200mlで抽出した。有機層を
水洗後、減圧下濃縮し、析出晶をエタノールで洗浄し
た。これをテトラヒドロフラン、メタノール(30m
l、20ml)混合液に溶解し、水酸化カリウム水溶液
(3.0g/30ml)を加え、室温下1.5時間撹拌
した。反応液に水100ml及び酢酸エチル50mlを
加え分層した。水層を濃塩酸で酸性とし、析出晶を濾取
し、目的のα−シアノ−3,5−ジメトキシ−4−ヒド
ロキシケイヒ酸を1.4g(収率51.1%)得た。 (実施例3) a) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−
メトキシフェニル)イソオキサゾール500mg(1.
54mmo1)、α−メトキシメチル−3,5−ジメト
キシ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシケイヒ酸
550mg(1.54mmol)の乾燥塩化メチレン溶
液25mlに、氷冷下4−ジメチルアミノピリジン22
mg(0.18mmol)及びジシクロヘキシルカルボ
ジイミド380mg(1.84mmol)を加え、室温
に戻して約40時間撹拌した。減圧下濃縮し、酢酸エチ
ル30mlを加え、不溶物を濾去、減圧下濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチ
ル=1:2)にて精製し、得られたオイル状物質をメタ
ノール20mlに溶解し、p−トルエンスルホン酸・1
水和物少量を加え、室温下17時間撹拌した。減圧下溶
媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン:酢酸エチル=1:2)で精製し、化合物3を4
21mg(47.6%)得た。 b) α−メトキシメチル−3,5−ジメトキシ−4−
(β−メトキシエトキシ)メトキシケイヒ酸の合成 氷冷下、水素化ナトリウム(666mg)のテトラヒド
ロフラン(15ml)溶液に、3−メトキシプロピオン
酸メチル2.6g(22.0mmol)のテトラヒドロ
フラン溶液(5ml)を加え、続いて3,5−ジメトキ
シ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシベンズアル
デヒド3g(11.1mmol)のテトラヒドロフラン
溶液10mlを加え、室温に戻して約17時間撹拌し
た。氷を加え、酢酸エチル60mlで抽出し、水洗後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下、溶媒を留去
し、得られたオイル状物質をテトラヒドロフラン20m
lに溶解し,水酸化カリウム水溶液(740mg/5m
l)を加え、室温下21時間撹拌した。減圧下溶媒を留
去し、水40mlを加え酢酸エチル30mlで洗浄後、
水層を酢酸で中和し、塩化メチレン60mlで抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶
媒を留去し、目的とするα−メトキシメチル3,5−ジ
メトキシ−4−(β−メトキシエトキシ)メトキシケイ
ヒ酸を2.5g(収率63.2%)得た。 (実施例4)実施例3で用いた3−メトキシプロピオン
酸メチルに代えて吉草酸エチルを用い、同様にして化合
物4を得た。 (実施例5〜12)実施例2と同様にして、化合物5〜
12を得た。 (実施例13) a) 5−(3−アミノプロピル)−3,4−ビス−
(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを、α−
N,N−ジメチルカルバモイル−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1a)と同様に
して、化合物13を得た。 b) 5−(3−アミノプロピル)−3,4−ビス−
(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインケトオキシム18gをテトラヒドロ
フラン180mlに溶解し、窒素雰囲気下0℃でn−ブ
チルリチウム94ml(1.6M)を滴下した。30分
後、無水コハク酸8.2gのテトラヒドロフラン100
ml溶液を滴下し、3時間撹拌した。1N−塩酸で酸性
とした後、酢酸エチル100mlで抽出した。酢酸エチ
ル層を1N−水酸化ナトリウム水溶液50mlで2回抽
出し、水層を濃塩酸で酸性とした後、酢酸エチル100
mlで抽出した。残渣をメタノール80mlに溶解し、
濃硫酸数滴を加え、室温下12時間撹拌した後、溶媒を
減圧下留去した。残渣を酢酸エチル100mlに溶解
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50ml、飽和食塩
水50mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(クロロホルム)で精製した。得られた3,4−
ビス−(4−メトキシフェニル)−イソオキサゾール−
5−プロピオン酸をメタノール1000mlに懸濁し、
濃硫酸0.5mlを加え室温下24時間撹拌した。析出
晶を濾取し、3,4−ビス−(4−メトキシフェニル)
イソオキサゾール−5−プロピオン酸メチルを13.5
g(収率52.0%)得た。以下、実施例1b)と同様
にして目的とする5−(3−アミノプロピル)3,4−
ビス−(4−メトキシフェニル)イソオキサゾールを
2.8g(収率23.4%)得た。 c) α−N,N−ジメチルカルバモイル−3,5−ジ
メトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド8.1g(44.5mmol)、α
−ジメチルカルバモイル酢酸エチル7.2g(44.4
mmol)、ピペリジン6.6ml(66.7mmo
l)のエタノール150ml溶液を110℃で約12時
間撹拌した。減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(メタノール/クロロホルム=2〜4%)に
て精製し、得られたオイル状化合物をテトラヒドロフラ
ン50mlに溶解し、水酸化カリウム水溶液(4.3g
/10ml)を加え室温下に約15時間撹拌した。酢酸
エチル50mlを加え、水100mlで抽出し、水層を
濃塩酸で酸性とし、塩化メチレン120mlで抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶
媒を留去し、目的のα−ジメチルカルバモイル−3,5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を4.6g(収
率35%)得た。 (実施例14)200mg(0.33mmol)の化合
物1をテトラヒドロフランとメタノールの混液(5m
l、5ml)に溶解し、水酸化カリウム水溶液(65m
g/3ml)を加え、室温下に約67時間撹拌した。酢
酸エチル50mlを加え、1N水酸化ナトリウム30m
lで抽出し、水層を濃塩酸で酸性とし、塩化メチレン6
0mlで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧
下濃縮乾固し、化合物14を106mg(収率55.9
%)得た。 (実施例15)205mg(0.36mmol)の化合
物14、塩化p−トルエンスルホニル75mg(0.3
9mmol)のテトラヒドロフラン溶液(10ml)
に、氷冷下トリエチルアミン0.05ml(0.36m
mol)を加え撹拌した。2時間後、アンモニアガスを
バブリングし(30分間)、室温に戻して12時間撹拌
した。減圧下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=1:2)にて精製
し、ヘキサン−エタノールから再結晶により化合物15
を23mg(収率11%)得た。 (実施例16) a) α−メトキシカルボニルメチル−3,5−ジメト
キシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1と同様
にして化合物16を得た。 b) α−メトキシカルボニルメチル−3,5−ジメト
キシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド3.6g、コハク酸ジエチル5ml
をテトラヒドロフラン60mlに溶解し、カリウムt−
ブトキシド4.9gを加え、24時間加熱還流した。反
応液を氷水中に注ぎ、6N塩酸を加え酸性とし、酢酸エ
チル100mlで抽出した。有機層を飽和食塩水洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢
酸エチル)にて精製し、α−カルボキシメチル−3,5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸エチルエステル
を3g(収率48%)得た。これをN,N−ジメチルホ
ルムアミド20mlに溶解し、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド2.1gを加え、室温下に30分間撹拌した。
反応液にメタノールを加え、不溶物を濾取し、メタノー
ル洗浄後乾燥し、酸無水物体2g(収率80%)を得
た。
【0056】これをメタノール10mlに懸濁し、濃硫
酸0.2m1を加え室温下に24時間撹拌した。反応液
を減圧下濃縮し酢酸エチル50mlで抽出し、飽和食塩
水洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃
縮乾固することにより目的のα−メトキシカルボニルメ
チル−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸2
g(収率90%)を得た。 (実施例17) a) α−ジメチルカルバモイルメチル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1a)
と同様にして化合物17を得た。 b) α−ジメチルカルバモイルメチル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 実施例16b)と同様にして得たα−〔(3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシ)ベンジリデン〕無水コハク酸
1gをテトラヒドロフラン10mlに溶解し、ジメチル
アミンガスを氷冷下にバブリングした。30分後不溶物
を濾取し、テトラヒドロフラン洗浄し、目的のα−ジメ
チルカルバモイルメチル−3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシケイヒ酸0.9g(収率70%)を得た。 (実施例18) a) α−N−アセチルアミノ−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1と同様にして
化合物18を得た。 b) α−N−アセチルアミノ−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド1.8g(9.88mmol)、N
−アセチルグリシン1.4g(12.0mmol)、酢
酸ナトリウム1g(12.2mmol)、無水酢酸5m
lを120℃、6時間撹拌した。析出物を水洗後エタノ
ールで洗い減圧下乾燥した。これに0.1N塩酸80m
lを加え、90℃で1時間撹拌した。析出晶を水洗後ア
セトンで洗い、目的とするα−N−アセチルアミノ−
3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を880
mg(収率31.7%)得た。 (実施例19)実施例18と同様にして化合物19を得
た。 (実施例20) a) 5−シアノメチル−3,4−ビス−(4−メトキ
シフェニル)イソオキサゾール200mg(0.62m
mol)、3,5−ジメトキシ−4−(β−メトキシエ
トキシ)メトキシベンズアルデヒド170mg(0.6
3mmol)、ピペリジン2ml、エタノール10ml
を120℃で17時間撹拌した。酢酸エチル80mlで
抽出し、水洗い後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減
圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン:酢酸エチル=2〜1:1)にて精製し、得られ
たオイル状化合物をメタノール20mlに溶解し、p−
トルエンスルホン酸1水和物少量を加え、室温下3時間
撹拌した。減圧下溶媒を留去し、残渣をエタノールから
再結晶し、化合物20を124mg(収率41.3%)
得た。 b)5−シアノメチル−3,4−ビス−(4−メトキシ
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインケトオキシム10gをテトラヒドロ
フラン100mlに溶解し、窒素雰囲気下、10℃以下
で1.6モルのn−ブチルリチウム49mlを滴下し
た。1時間後、クロロ無水酢酸7.8gのテトラヒドロ
フラン40ml溶液を滴下し、1.5時間撹拌した。こ
の溶液に濃硫酸30mlを加え、室温下11.5時間撹
拌した。酢酸エチル200mlを加え、水50mlで3
回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n
−ヘキサン:酢酸エチル=4:1)で精製し、5−クロ
ロメチル−3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソ
オキサゾール3.8g(収率32%)を得た。
酸0.2m1を加え室温下に24時間撹拌した。反応液
を減圧下濃縮し酢酸エチル50mlで抽出し、飽和食塩
水洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃
縮乾固することにより目的のα−メトキシカルボニルメ
チル−3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸2
g(収率90%)を得た。 (実施例17) a) α−ジメチルカルバモイルメチル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1a)
と同様にして化合物17を得た。 b) α−ジメチルカルバモイルメチル−3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 実施例16b)と同様にして得たα−〔(3,5−ジメ
トキシ−4−ヒドロキシ)ベンジリデン〕無水コハク酸
1gをテトラヒドロフラン10mlに溶解し、ジメチル
アミンガスを氷冷下にバブリングした。30分後不溶物
を濾取し、テトラヒドロフラン洗浄し、目的のα−ジメ
チルカルバモイルメチル−3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシケイヒ酸0.9g(収率70%)を得た。 (実施例18) a) α−N−アセチルアミノ−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸を用い、実施例1と同様にして
化合物18を得た。 b) α−N−アセチルアミノ−3,5−ジメトキシ−
4−ヒドロキシケイヒ酸の合成 シリンガアルデヒド1.8g(9.88mmol)、N
−アセチルグリシン1.4g(12.0mmol)、酢
酸ナトリウム1g(12.2mmol)、無水酢酸5m
lを120℃、6時間撹拌した。析出物を水洗後エタノ
ールで洗い減圧下乾燥した。これに0.1N塩酸80m
lを加え、90℃で1時間撹拌した。析出晶を水洗後ア
セトンで洗い、目的とするα−N−アセチルアミノ−
3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイヒ酸を880
mg(収率31.7%)得た。 (実施例19)実施例18と同様にして化合物19を得
た。 (実施例20) a) 5−シアノメチル−3,4−ビス−(4−メトキ
シフェニル)イソオキサゾール200mg(0.62m
mol)、3,5−ジメトキシ−4−(β−メトキシエ
トキシ)メトキシベンズアルデヒド170mg(0.6
3mmol)、ピペリジン2ml、エタノール10ml
を120℃で17時間撹拌した。酢酸エチル80mlで
抽出し、水洗い後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減
圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン:酢酸エチル=2〜1:1)にて精製し、得られ
たオイル状化合物をメタノール20mlに溶解し、p−
トルエンスルホン酸1水和物少量を加え、室温下3時間
撹拌した。減圧下溶媒を留去し、残渣をエタノールから
再結晶し、化合物20を124mg(収率41.3%)
得た。 b)5−シアノメチル−3,4−ビス−(4−メトキシ
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインケトオキシム10gをテトラヒドロ
フラン100mlに溶解し、窒素雰囲気下、10℃以下
で1.6モルのn−ブチルリチウム49mlを滴下し
た。1時間後、クロロ無水酢酸7.8gのテトラヒドロ
フラン40ml溶液を滴下し、1.5時間撹拌した。こ
の溶液に濃硫酸30mlを加え、室温下11.5時間撹
拌した。酢酸エチル200mlを加え、水50mlで3
回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n
−ヘキサン:酢酸エチル=4:1)で精製し、5−クロ
ロメチル−3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソ
オキサゾール3.8g(収率32%)を得た。
【0057】5−クロロメチル−3,4−ビス(4−メ
トキシフェニル)イソオキサゾール500mgをジメチ
ルスルホキシド(3ml)と水(1ml)の混合溶媒に
溶解し、シアン化カリウム122mgを加え室温下18
時間撹拌した。酢酸エチル80mlを加え、水洗後無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮した。残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エ
チル=4:1)にて精製し、目的の5−シアノメチル−
3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾー
ルを210mg(収率43.1%)得た。 (実施例21)3,4−ビス(4−メトキシフェニル)
イソオキサゾール−5−酢酸メチルエステル10g、バ
ニリン4.4g、ピペリジン25ml、エタノール40
mlを19時間加熱還流し、放冷後、減圧下に濃縮し
た。酢酸エチル250m1を加え、水洗し、1N塩酸洗
浄の後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキ
サン:酢酸エチル=2:1)にて精製し、得られた物質
をメタノール10mlに溶解し、水酸化カリウム水溶液
(1.1g、1.0ml)を加え、室温下に11時間撹
拌した。減圧下に濃縮し、酢酸エチルを30ml、水7
0mlを加え分配した。水層を濃塩酸で酸性とし、塩化
メチレン80mlで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後減圧下濃縮乾固し、化合物21を5.3g(収率3
9.6%)得た。 (実施例22) a) 5−〔2−(N−メトキシカルボニルメチル)ア
ミノエチル〕−3,4−ビス−(4−メトキシフェニ
ル)イソオキサゾールを用い、実施例1a)と同様にし
て化合物22を得た。 b) 5−〔2−(N−メトキシカルボニルメチル)ア
ミノエチル〕−3,4−ビス−(4−メトキシフェニ
ル)イソオキサゾールの合成 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス−(4−メト
キシフェニル)イソオキサゾール3.1gのベンゼン
(20ml)溶液に、ブロモ酢酸メチル0.44mlを
加え4時間加熱還流した。反応液を減圧下濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチ
ル=1:1)にて精製し、5−〔2−(N−メトキシカ
ルボニルメチル)アミノエチル〕−3,4−ビス−(4
−メトキシフェニル)イソオキサゾール2g(収率 5
2.7%)得た。 (実施例23)化合物22を用い、実施例14と同様に
して化合物23を得た。 (実施例24) a) γ−シアノ−δ−(3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシ)フェニル−2,4−ペンタジエン酸を用い、
実施例1a)と同様にして化合物24を得た。 b) γ−シアノ−δ−(3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシ)フェニル−2,4−ペンタジエン酸の合成 窒素雰囲気下−70℃以下でジイソプロピルアミン0.
9mlのテトラヒドロフラン溶液(20ml)に、n−
ブチルリチウム4.0ml(1.6M)を加えた。15
分後3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシシンナモニト
リル1.24gのテトラヒドロフラン溶液(8ml)を
−60℃以下で加え、1時間撹拌した。ギ酸エチル0.
7mlを加え、更に1時間撹拌した。1N塩酸を加え室
温に戻し、酢酸エチル250mlで抽出し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下濃縮した。析出晶をエタノ
ール洗浄し、α−ホルミル−3,5−ジメトキシ−4−
ヒドロキシ−シンナモニトリル430mg(収率43.
6%)得た。これをテトラヒドロフラン20mlに溶解
し、カルボエトキシメチレントリフェニルホスホラン
3.2gを加え、約32時間室温にて撹拌した。減圧下
濃縮し、エチルエーテル80mlを加え水、1N塩酸の
順で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下に濃
縮した。析出晶をエタノールで洗い、γ−シアノ−δ−
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ)フェニル−
2,4−ペンタジエン酸エチルエステル320mg(収
率57.3%)を得た。これをテトラヒドロフラン8m
l及びメタノール10mlの混合溶媒に溶解し、水酸化
カリウム水溶液(140mg/5ml)を加え、室温下
に約48時間撹拌した。減圧下濃縮し、水70mlを加
え、酢酸エチル洗浄後、濃塩酸で酸性とした。水層を酢
酸エチル200mlで抽出し無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下に濃縮乾固し、目的のγ−シアノ−δ−
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ)フェニル−
2,4−ペンタジエン酸190mg(収率65.1%)
を得た。 (実施例25)150mgの化合物2を塩化メチレン1
0mlに溶解し、氷冷下ピリジン0.03ml、クロロ
ギ酸エチル0.03mlを加え5分間撹拌した。反応液
を塩化メチレン30mlで稀釈し、水洗した後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去し、残
渣をトルエンから再結晶し、化合物25を117mg
(収率69.0%)得た。 (実施例26〜29)実施例25と同様にして化合物2
6〜29を得た。 (実施例30)化合物8(300mg)をN,N−ジメ
チルホルムアミド(3ml)に溶解し、N−t−ブトキ
シカルボニルグリシン(95mg)、1−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール(90mg)、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド(121mg)を加え、室温下に48時間撹
拌した。酢酸エチル50mlを加え析出晶を濾去、有機
層を水洗した後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧
下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)にて精製し、エタ
ノールから再結晶して、化合物30を50mg(収率1
3%)得た。 (実施例31)化合物30(40mg)を酢酸エチル5
mlに溶解し、4N塩酸/酢酸エチル0.5mlを加
え、室温下に15時間撹拌した。析出晶を濾取し、化合
物31を20mg(収率54.6%)得た。
トキシフェニル)イソオキサゾール500mgをジメチ
ルスルホキシド(3ml)と水(1ml)の混合溶媒に
溶解し、シアン化カリウム122mgを加え室温下18
時間撹拌した。酢酸エチル80mlを加え、水洗後無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮した。残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エ
チル=4:1)にて精製し、目的の5−シアノメチル−
3,4−ビス(4−メトキシフェニル)イソオキサゾー
ルを210mg(収率43.1%)得た。 (実施例21)3,4−ビス(4−メトキシフェニル)
イソオキサゾール−5−酢酸メチルエステル10g、バ
ニリン4.4g、ピペリジン25ml、エタノール40
mlを19時間加熱還流し、放冷後、減圧下に濃縮し
た。酢酸エチル250m1を加え、水洗し、1N塩酸洗
浄の後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキ
サン:酢酸エチル=2:1)にて精製し、得られた物質
をメタノール10mlに溶解し、水酸化カリウム水溶液
(1.1g、1.0ml)を加え、室温下に11時間撹
拌した。減圧下に濃縮し、酢酸エチルを30ml、水7
0mlを加え分配した。水層を濃塩酸で酸性とし、塩化
メチレン80mlで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後減圧下濃縮乾固し、化合物21を5.3g(収率3
9.6%)得た。 (実施例22) a) 5−〔2−(N−メトキシカルボニルメチル)ア
ミノエチル〕−3,4−ビス−(4−メトキシフェニ
ル)イソオキサゾールを用い、実施例1a)と同様にし
て化合物22を得た。 b) 5−〔2−(N−メトキシカルボニルメチル)ア
ミノエチル〕−3,4−ビス−(4−メトキシフェニ
ル)イソオキサゾールの合成 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス−(4−メト
キシフェニル)イソオキサゾール3.1gのベンゼン
(20ml)溶液に、ブロモ酢酸メチル0.44mlを
加え4時間加熱還流した。反応液を減圧下濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチ
ル=1:1)にて精製し、5−〔2−(N−メトキシカ
ルボニルメチル)アミノエチル〕−3,4−ビス−(4
−メトキシフェニル)イソオキサゾール2g(収率 5
2.7%)得た。 (実施例23)化合物22を用い、実施例14と同様に
して化合物23を得た。 (実施例24) a) γ−シアノ−δ−(3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシ)フェニル−2,4−ペンタジエン酸を用い、
実施例1a)と同様にして化合物24を得た。 b) γ−シアノ−δ−(3,5−ジメトキシ−4−ヒ
ドロキシ)フェニル−2,4−ペンタジエン酸の合成 窒素雰囲気下−70℃以下でジイソプロピルアミン0.
9mlのテトラヒドロフラン溶液(20ml)に、n−
ブチルリチウム4.0ml(1.6M)を加えた。15
分後3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシシンナモニト
リル1.24gのテトラヒドロフラン溶液(8ml)を
−60℃以下で加え、1時間撹拌した。ギ酸エチル0.
7mlを加え、更に1時間撹拌した。1N塩酸を加え室
温に戻し、酢酸エチル250mlで抽出し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下濃縮した。析出晶をエタノ
ール洗浄し、α−ホルミル−3,5−ジメトキシ−4−
ヒドロキシ−シンナモニトリル430mg(収率43.
6%)得た。これをテトラヒドロフラン20mlに溶解
し、カルボエトキシメチレントリフェニルホスホラン
3.2gを加え、約32時間室温にて撹拌した。減圧下
濃縮し、エチルエーテル80mlを加え水、1N塩酸の
順で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下に濃
縮した。析出晶をエタノールで洗い、γ−シアノ−δ−
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ)フェニル−
2,4−ペンタジエン酸エチルエステル320mg(収
率57.3%)を得た。これをテトラヒドロフラン8m
l及びメタノール10mlの混合溶媒に溶解し、水酸化
カリウム水溶液(140mg/5ml)を加え、室温下
に約48時間撹拌した。減圧下濃縮し、水70mlを加
え、酢酸エチル洗浄後、濃塩酸で酸性とした。水層を酢
酸エチル200mlで抽出し無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下に濃縮乾固し、目的のγ−シアノ−δ−
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ)フェニル−
2,4−ペンタジエン酸190mg(収率65.1%)
を得た。 (実施例25)150mgの化合物2を塩化メチレン1
0mlに溶解し、氷冷下ピリジン0.03ml、クロロ
ギ酸エチル0.03mlを加え5分間撹拌した。反応液
を塩化メチレン30mlで稀釈し、水洗した後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去し、残
渣をトルエンから再結晶し、化合物25を117mg
(収率69.0%)得た。 (実施例26〜29)実施例25と同様にして化合物2
6〜29を得た。 (実施例30)化合物8(300mg)をN,N−ジメ
チルホルムアミド(3ml)に溶解し、N−t−ブトキ
シカルボニルグリシン(95mg)、1−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール(90mg)、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド(121mg)を加え、室温下に48時間撹
拌した。酢酸エチル50mlを加え析出晶を濾去、有機
層を水洗した後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧
下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)にて精製し、エタ
ノールから再結晶して、化合物30を50mg(収率1
3%)得た。 (実施例31)化合物30(40mg)を酢酸エチル5
mlに溶解し、4N塩酸/酢酸エチル0.5mlを加
え、室温下に15時間撹拌した。析出晶を濾取し、化合
物31を20mg(収率54.6%)得た。
【0058】結果を第1表に示す。
【0059】
【表1】
【0060】
【表2】
【0061】
【表3】
【0062】
【表4】
【0063】
【表5】
【0064】
【表6】
【0065】
【表7】
【0066】
【表8】
【0067】
【表9】
【0068】
【表10】
【0069】
【表11】
【0070】
【表12】
【0071】
【表13】
【0072】
【表14】
【0073】
【表15】
【0074】
【表16】
【0075】
【表17】 薬理試験 (1)シクロオキシゲナーゼ阻害作用 ルセル ジェイ.テイラー(Russell J.Ta
ylor)ら、バイオケミカル ファーマコロジー(B
iochem.Pharmacol.)25,2479
−2484(1976)に記載の方法に従い試験を行っ
た。すなわち、14C−アラキドン酸にヒツジ精のう腺
ミクロゾームおよび各種濃度の被験薬を一定時間反応さ
せ、生成するプロスタグランジンE2を薄層クロマトグ
ラフィーにより分離し、その放射活性を液体シンチレー
ションカウンターで測定し、対照群との放射活性の比較
からIC50を算出した。 (2) 5−リポキシゲナーゼ阻害作用 ケンキチ オチ(Kenkichi Ochi)ら、ジ
ャーナル オブ バイオロジカルケミストリー(J.B
iol.Chem.)258,5754−5758(1
983)に記載の方法に従い、試験を行った。すなわ
ち、モルモットの腹腔内にカゼインを注射し、多形核白
血球を採取し、その細胞質画分を酵素標本として得た。
ylor)ら、バイオケミカル ファーマコロジー(B
iochem.Pharmacol.)25,2479
−2484(1976)に記載の方法に従い試験を行っ
た。すなわち、14C−アラキドン酸にヒツジ精のう腺
ミクロゾームおよび各種濃度の被験薬を一定時間反応さ
せ、生成するプロスタグランジンE2を薄層クロマトグ
ラフィーにより分離し、その放射活性を液体シンチレー
ションカウンターで測定し、対照群との放射活性の比較
からIC50を算出した。 (2) 5−リポキシゲナーゼ阻害作用 ケンキチ オチ(Kenkichi Ochi)ら、ジ
ャーナル オブ バイオロジカルケミストリー(J.B
iol.Chem.)258,5754−5758(1
983)に記載の方法に従い、試験を行った。すなわ
ち、モルモットの腹腔内にカゼインを注射し、多形核白
血球を採取し、その細胞質画分を酵素標本として得た。
【0076】14C−アラキドン酸に酵素標本及び各種
濃度の被験薬を一定時間反応させ、生成する5−ヒドロ
キシエイコサテトラエン酸を薄層クロマトグラフィーに
より分離し、その放射活性を測定し、対照群との放射活
性の比較からIC50を算出した。
濃度の被験薬を一定時間反応させ、生成する5−ヒドロ
キシエイコサテトラエン酸を薄層クロマトグラフィーに
より分離し、その放射活性を測定し、対照群との放射活
性の比較からIC50を算出した。
【0077】上記(1)及び(2)の試験結果を、以下
の第2表に示す。
の第2表に示す。
【0078】
【表18】 第2表の結果から、本発明の化合物はシクロオキシゲナ
ーゼ及びリポキシゲナーゼをいずれも強力に阻害するこ
とが確認された。 (参考例1) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ジフェニルイソオ
キサゾールの合成 デオキシアニソインに代えてデオキシベンゾインを用い
たほかは実施例1b)と同様にして、標記化合物を得
た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
ーゼ及びリポキシゲナーゼをいずれも強力に阻害するこ
とが確認された。 (参考例1) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ジフェニルイソオ
キサゾールの合成 デオキシアニソインに代えてデオキシベンゾインを用い
たほかは実施例1b)と同様にして、標記化合物を得
た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
【0079】1H−NMR(DMSOd6+D2O)δ
ppm:2.85(m,4H),7.17−7.83
(m,10H) (参考例2) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−クロル
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインに代えて1,2−ビス(4−クロル
フェニル)エタノンを用いた他は実施例1b)と同様に
して、標記化合物を得た。得られた化合物の物性値を以
下に示す。
ppm:2.85(m,4H),7.17−7.83
(m,10H) (参考例2) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−クロル
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインに代えて1,2−ビス(4−クロル
フェニル)エタノンを用いた他は実施例1b)と同様に
して、標記化合物を得た。得られた化合物の物性値を以
下に示す。
【0080】1H−NMR(DMSOd6+D2O)δ
ppm:2.87(m,4H),7.23−7.54
(m,8H) (参考例3) 5−(2−アミノエチル)−3−(4−クロルフェニ
ル)−4−(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール
の合成 デオキシアニソインに代えて1−(4−クロルフェニ
ル)−2−(4−メトキシフェニル)エタノンを用いた
他は実施例1b)と同様にして、標記化合物を得た。得
られた化合物の物性値を以下に示す。
ppm:2.87(m,4H),7.23−7.54
(m,8H) (参考例3) 5−(2−アミノエチル)−3−(4−クロルフェニ
ル)−4−(4−メトキシフェニル)イソオキサゾール
の合成 デオキシアニソインに代えて1−(4−クロルフェニ
ル)−2−(4−メトキシフェニル)エタノンを用いた
他は実施例1b)と同様にして、標記化合物を得た。得
られた化合物の物性値を以下に示す。
【0081】1H−NMR(DMSOd6+D2O)δ
ppm:2.85(m,4H),3.79(s,3
H),7.02−7.53(m,8H) (参考例4) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−メチル
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインに代えて1,2−(4−メチルフェ
ニル)エタノンを用いた他は実施例1b)と同様にし
て、標記化合物を得た。得られた化合物の物性値を以下
に示す。
ppm:2.85(m,4H),3.79(s,3
H),7.02−7.53(m,8H) (参考例4) 5−(2−アミノエチル)−3,4−ビス(4−メチル
フェニル)イソオキサゾールの合成 デオキシアニソインに代えて1,2−(4−メチルフェ
ニル)エタノンを用いた他は実施例1b)と同様にし
て、標記化合物を得た。得られた化合物の物性値を以下
に示す。
【0082】1H−NMR(DMSOd6+D2O)δ
ppm:2.30(s,3H),2.33(s,3
H),2.82(m,4H),7.05−7.28
(m,8H) 上記参考例1〜4で得たイソオキサゾール誘導体は、例
えばα−エトキシカルボニル−3,5−ジメトキシ−4
−ヒドロキシケイヒ酸と実施例1a)の方法に従い反応
させることにより、本発明のスチレン誘導体に導くこと
ができる。
ppm:2.30(s,3H),2.33(s,3
H),2.82(m,4H),7.05−7.28
(m,8H) 上記参考例1〜4で得たイソオキサゾール誘導体は、例
えばα−エトキシカルボニル−3,5−ジメトキシ−4
−ヒドロキシケイヒ酸と実施例1a)の方法に従い反応
させることにより、本発明のスチレン誘導体に導くこと
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 A61K 31/42 ABN 9360−4C ACF 9360−4C ACV 9360−4C AED 9360−4C (72)発明者 馬崎 雄二 埼玉県飯能市入間市仏子769−2 (72)発明者 小島 道代 埼玉県川越市脇田新町6−13 (72)発明者 松浦 直資 徳島県鳴門市大麻町大谷字道ノ上52−24
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式(1): 【化1】 〔式中、R1及びR2は同一もしくは相異なって水素原
子、低級アルコキシ基、ハロゲン原子又は低級アルキル
基を、R3は同一もしくは相異なって水酸基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル
オキシ基、低級アシルオキシ基、リン酸ジ低級アルキル
残基又は保護基を有していてよいアミノ酸残基を、lは
0〜5の整数、mは0〜5の整数を示す。Xは一般式−
N(Z)CO−〔式中、Zは一般式(CH2)nA(式
中、Aは水素原子、カルボキシル基、ジ又はモノ低級ア
ルキルカルバモイル基、カルバモイル基、低級アルコキ
シカルボニル基、シアノ基、低級アルコキシ基、N−ア
シルアミノ基、置換されていてもよいフェニル基、ピリ
ジル基またはチエニル基を、nは0〜5の整数を表
す)〕もしくは単結合を、Yは−CZ′=CH−、−C
H=CH−CZ′=CH−、−CZ′=CH−CH=C
H−(式中Z′はZと同一)但し、Z及びZ′はn=0
で同時に水素原子である場合を除き、lが0のときXは
単結合を示す。〕で表わされるスチレン誘導体又はその
塩。
Priority Applications (6)
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| JP4333429A JPH06135948A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | スチレン誘導体又はその塩 |
| PCT/JP1993/001572 WO1994010157A1 (fr) | 1992-10-30 | 1993-10-29 | Derive du styrene et sels de ce derive |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333429A JPH06135948A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | スチレン誘導体又はその塩 |
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Family
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Country Status (6)
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| US6699463B2 (en) | 2002-04-10 | 2004-03-02 | Em Industries | Photostable cationic organic sunscreen compounds with antioxidant properties and compositions obtained therefrom |
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| BR112020009158A2 (pt) | 2017-11-10 | 2020-10-27 | Dermavant Sciences GmbH | processo para o preparo de um composto, composto e composição farmacêutica |
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| CA1128526A (en) * | 1979-10-05 | 1982-07-27 | Cdc Life Sciences Inc. | 3,4-diarylisoxazol-5-acetic acids |
| ZA872997B (en) * | 1986-05-09 | 1988-12-28 | Warner Lambert Co | Novel styryl pyrazoles,isoxazoles and analogs thereof having activity as 5-lipoxygenase inhibitors,pharmaceutical compositions and methods of use therefor |
| IE59813B1 (en) * | 1986-05-09 | 1994-04-06 | Warner Lambert Co | Styryl pyrazoles, isoxazoles and analogs thereof having activity as 5-lipoxy-genase inhibitors and pharmaceutical compositions containing them |
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-
1992
- 1992-10-30 JP JP4333429A patent/JPH06135948A/ja active Pending
-
1993
- 1993-10-29 US US08/256,058 patent/US5478856A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-29 WO PCT/JP1993/001572 patent/WO1994010157A1/ja not_active Ceased
- 1993-10-29 CA CA002126972A patent/CA2126972C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-29 AU AU53450/94A patent/AU671170B2/en not_active Ceased
- 1993-10-29 EP EP93923667A patent/EP0623603A4/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005503365A (ja) * | 2001-07-16 | 2005-02-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化防止特性を有する光安定性の有機日焼け止め化合物およびそれから得られる組成物 |
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| CA2126972C (en) | 1997-12-23 |
| CA2126972A1 (en) | 1994-05-11 |
| EP0623603A1 (en) | 1994-11-09 |
| EP0623603A4 (en) | 1995-03-08 |
| US5478856A (en) | 1995-12-26 |
| WO1994010157A1 (fr) | 1994-05-11 |
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