JPH06140300A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH06140300A JPH06140300A JP4287274A JP28727492A JPH06140300A JP H06140300 A JPH06140300 A JP H06140300A JP 4287274 A JP4287274 A JP 4287274A JP 28727492 A JP28727492 A JP 28727492A JP H06140300 A JPH06140300 A JP H06140300A
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- JP
- Japan
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- light
- exposure method
- mask
- film
- dielectric
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- Pending
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Landscapes
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】密着露光法の簡便さを維持したまま、高解像度
の露光を可能とする露光方法を提供すること。 【構成】基板上に設けられた微細図形状誘電体により構
成される位相シフト型光学マスクを感光性物質膜に近接
して配置し、位相シフト型光学マスクに光を照射し、回
折光の干渉によって生ずる光の明暗像中に０次回折光が
現れない又は極めて小さい条件で、感光性物質膜に光の
明暗像を直接転写する露光方法。
の露光を可能とする露光方法を提供すること。 【構成】基板上に設けられた微細図形状誘電体により構
成される位相シフト型光学マスクを感光性物質膜に近接
して配置し、位相シフト型光学マスクに光を照射し、回
折光の干渉によって生ずる光の明暗像中に０次回折光が
現れない又は極めて小さい条件で、感光性物質膜に光の
明暗像を直接転写する露光方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体デバイスを製作する際に用いられる感光性樹脂材料や
銀塩写真フィルム等の感光性材料にパタンを形成するた
めの或いはこれらの感光性材料の解像度評価等のための
露光方法に関する。
体デバイスを製作する際に用いられる感光性樹脂材料や
銀塩写真フィルム等の感光性材料にパタンを形成するた
めの或いはこれらの感光性材料の解像度評価等のための
露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度
化や高速化のためには、半導体装置の内部構造の微細化
が必要である。従って、その内部構造を製作する際の微
細加工に使われる感光性レジスト材料にも高い解像能力
をもつことが要求される。
化や高速化のためには、半導体装置の内部構造の微細化
が必要である。従って、その内部構造を製作する際の微
細加工に使われる感光性レジスト材料にも高い解像能力
をもつことが要求される。
【０００３】レジスト材料の解像度評価は、通常、半導
体装置を実際に製作する工程に使われている露光装置を
用いて行なわれる。しかし、そのような装置は非常に高
価であり、これをレジスト材料の解像度評価にのみ使用
することは許されない場合が多い。そこで、このような
装置を利用することなく、レジスト材料の解像度を評価
する簡便な方法があれば、その方法は、新しいレジスト
材料を開発する上で、極めて有効な手段となる。
体装置を実際に製作する工程に使われている露光装置を
用いて行なわれる。しかし、そのような装置は非常に高
価であり、これをレジスト材料の解像度評価にのみ使用
することは許されない場合が多い。そこで、このような
装置を利用することなく、レジスト材料の解像度を評価
する簡便な方法があれば、その方法は、新しいレジスト
材料を開発する上で、極めて有効な手段となる。
【０００４】従来、レジスト材料の解像度を評価するた
めの最も簡単な方法としては、密着露光法が利用されて
きている。この方法は、白黒の微細図形をもつ光学マス
クをレジストの塗膜に密着させ、マスクを通してレジス
ト膜を図形状に露光し、その後に、どこまで細かな図形
がレジスト膜像として転写できているかを観察するとい
うものである。なお、この方法に関連するものとして、
右高正俊著 新ＬＳＩ工学入門 オーム社発行、第１４
８頁〜第１５１頁（平成４年３月）がある。
めの最も簡単な方法としては、密着露光法が利用されて
きている。この方法は、白黒の微細図形をもつ光学マス
クをレジストの塗膜に密着させ、マスクを通してレジス
ト膜を図形状に露光し、その後に、どこまで細かな図形
がレジスト膜像として転写できているかを観察するとい
うものである。なお、この方法に関連するものとして、
右高正俊著 新ＬＳＩ工学入門 オーム社発行、第１４
８頁〜第１５１頁（平成４年３月）がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、レジ
スト材料の数マイクロメートルまでの解像度を見るため
の評価手段としては簡便な方法である。しかし、１マイ
クロメートル以下の解像度を見るための手段としては、
マスクとレジスト膜との密着性が十分に高くは保てない
等の理由によって、適当なものではない。
スト材料の数マイクロメートルまでの解像度を見るため
の評価手段としては簡便な方法である。しかし、１マイ
クロメートル以下の解像度を見るための手段としては、
マスクとレジスト膜との密着性が十分に高くは保てない
等の理由によって、適当なものではない。
【０００６】本発明の目的は、密着露光の簡便さを維持
したまま、高解像度の露光を可能とする露光方法を提供
することにある。
したまま、高解像度の露光を可能とする露光方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の露光方法は、基板上に設けられた微細図形
状誘電体により構成される位相シフト型光学マスクを用
い、これを感光性物質膜に近接して配置し、この位相シ
フト型光学マスクに光を照射し、回折光の干渉によって
生ずる光の明暗像を感光性物質膜に直接転写する方法で
ある。
に、本発明の露光方法は、基板上に設けられた微細図形
状誘電体により構成される位相シフト型光学マスクを用
い、これを感光性物質膜に近接して配置し、この位相シ
フト型光学マスクに光を照射し、回折光の干渉によって
生ずる光の明暗像を感光性物質膜に直接転写する方法で
ある。
【０００８】この位相シフト型光学マスクを使用した場
合には、光学マスクと感光性物質膜とを密着させる必要
はなく、いわゆる近接露光法によって、十分に高い解像
度の露光が可能となる。光学マスクと感光性材料膜との
距離は論理的には制限されないが、実際には、マスクへ
の入射光が完全には平行光ではないために、１ｍｍ以内
であることが望ましい。
合には、光学マスクと感光性物質膜とを密着させる必要
はなく、いわゆる近接露光法によって、十分に高い解像
度の露光が可能となる。光学マスクと感光性材料膜との
距離は論理的には制限されないが、実際には、マスクへ
の入射光が完全には平行光ではないために、１ｍｍ以内
であることが望ましい。
【０００９】
【作用】従来から密着露光による解像評価に多く用いら
れてきた白黒の光学図形マスクと本発明に用いられる光
学図形マスクの一例とを比較して模式的に図面に示し、
本発明の作用を説明する。
れてきた白黒の光学図形マスクと本発明に用いられる光
学図形マスクの一例とを比較して模式的に図面に示し、
本発明の作用を説明する。
【００１０】図１（ａ）は従来の白黒光学図形マスクの
断面図、図１（ｂ）はその底面図であり、透明基板１の
上に平行縞状の光不透過性膜２が形成されている。図１
（ｃ）は本発明の一例の誘電体光学図形マスクの断面
図、図１（ｄ）はその底面図であり、透明基板１の上に
平行縞状の誘電体膜３が形成されている。
断面図、図１（ｂ）はその底面図であり、透明基板１の
上に平行縞状の光不透過性膜２が形成されている。図１
（ｃ）は本発明の一例の誘電体光学図形マスクの断面
図、図１（ｄ）はその底面図であり、透明基板１の上に
平行縞状の誘電体膜３が形成されている。
【００１１】図１に示した２種類の光学図形マスクは、
いずれも光の回折格子として働く。このとき、図１
（ａ）、（ｂ）に示した光学図形マスクを通過した後の
光の中には、入射光の方向と全く同じ方向に進む光（０
次回折光）が必ず含まれる。ところが、図１（ｃ）、
（ｄ）に示した光学図形マスクに光が入射した場合に
は、ある条件が満たされると、そのような０次回折光が
現れない。すなわち、この光学図形マスクにおいて、誘
電体膜の厚さｄが、光の波長λとその波長における誘電
体の屈折率ｎとの間に、
いずれも光の回折格子として働く。このとき、図１
（ａ）、（ｂ）に示した光学図形マスクを通過した後の
光の中には、入射光の方向と全く同じ方向に進む光（０
次回折光）が必ず含まれる。ところが、図１（ｃ）、
（ｄ）に示した光学図形マスクに光が入射した場合に
は、ある条件が満たされると、そのような０次回折光が
現れない。すなわち、この光学図形マスクにおいて、誘
電体膜の厚さｄが、光の波長λとその波長における誘電
体の屈折率ｎとの間に、
【００１２】
【数１】
【００１３】なる関係にあり、かつ、光がマスクに垂直
に入射した場合には０次回折光が現れない。これは、誘
電体が存在する場所を通過した光の波の位相が、誘電体
が存在しない場所を通過した光の波の位相に対して、半
波長分だけずらされた（シフトされた）結果、２つの波
が完全に打ち消し合うために起こる現象である。なお、
本発明の光学図形マスクとしては、０次回折光の強度が
零であるか、或いは１次回折光の強度の合計よりも小
（好ましくは５０％以下）であるものを用いることが好
ましい。
に入射した場合には０次回折光が現れない。これは、誘
電体が存在する場所を通過した光の波の位相が、誘電体
が存在しない場所を通過した光の波の位相に対して、半
波長分だけずらされた（シフトされた）結果、２つの波
が完全に打ち消し合うために起こる現象である。なお、
本発明の光学図形マスクとしては、０次回折光の強度が
零であるか、或いは１次回折光の強度の合計よりも小
（好ましくは５０％以下）であるものを用いることが好
ましい。
【００１４】図２は、図１（ａ）、（ｂ）に示した光学
図形マスクを光が通過することによって生ずる回折光の
干渉の様子と、図１（ｃ）、（ｄ）に示した光学図形マ
スクを光が通過することによって生ずる回折光の干渉の
様子とを比較して模型的に示したものである。ただし、
後者においては０次回折光が現れないという条件が満た
されているものとする。図２において、複数の回折光の
干渉によって生じた光の明暗はモアレ模様の明暗によっ
て表されている。図２（ａ）は光不透過性膜を持つ光学
マスクによる回折光の干渉の様子を示している。この場
合には、マスクの明暗に忠実に従った光の明暗像はマス
クのごく近傍に限られている。
図形マスクを光が通過することによって生ずる回折光の
干渉の様子と、図１（ｃ）、（ｄ）に示した光学図形マ
スクを光が通過することによって生ずる回折光の干渉の
様子とを比較して模型的に示したものである。ただし、
後者においては０次回折光が現れないという条件が満た
されているものとする。図２において、複数の回折光の
干渉によって生じた光の明暗はモアレ模様の明暗によっ
て表されている。図２（ａ）は光不透過性膜を持つ光学
マスクによる回折光の干渉の様子を示している。この場
合には、マスクの明暗に忠実に従った光の明暗像はマス
クのごく近傍に限られている。
【００１５】一方、図２（ｂ）は誘電体膜を持つ光学マ
スクによる回折光の干渉の様子を示している。この場合
には、各誘電体帯の端面に相当する位置が暗部となるよ
うな光の明暗像がマスクから離れた位置にまで生じてい
て、しかも、その明暗の繰り返しが前の場合の２倍にな
っている。この明暗の光像を感光性材料の露光に用いる
のが本発明の露光方法である。従って、本発明の露光方
法は、高解像度の露光を行なうことができる。
スクによる回折光の干渉の様子を示している。この場合
には、各誘電体帯の端面に相当する位置が暗部となるよ
うな光の明暗像がマスクから離れた位置にまで生じてい
て、しかも、その明暗の繰り返しが前の場合の２倍にな
っている。この明暗の光像を感光性材料の露光に用いる
のが本発明の露光方法である。従って、本発明の露光方
法は、高解像度の露光を行なうことができる。
【００１６】
【実施例】〈実施例１〉以下、本発明の一実施例につい
て説明する。まず、本実施例に用いる光学マスクの製造
工程を図３を用いて説明する。合成石英基板１１上に透
明性導電膜１２を積層したものを用意した（図３
（ａ））。ここで透明性導電膜１２は、電子線描画時の
チャージアップ防止のために設けたものであり、インジ
ウム・チタン酸化物を用いたが、材料はこれに限るもの
ではない。
て説明する。まず、本実施例に用いる光学マスクの製造
工程を図３を用いて説明する。合成石英基板１１上に透
明性導電膜１２を積層したものを用意した（図３
（ａ））。ここで透明性導電膜１２は、電子線描画時の
チャージアップ防止のために設けたものであり、インジ
ウム・チタン酸化物を用いたが、材料はこれに限るもの
ではない。
【００１７】次に、上記基板上に誘電体膜として塗布型
ガラス材料ＯＣＤタイプ７（東京応化工業株式会社、商
品名、加熱によりＳｉＯ2となる材料）をスピン塗布し
て塗布膜１３を形成した（図３（ｂ））。なお、本実施
例で用いた塗布型ガラス材料は電子線に対して感光し、
ネガ型に作用するため、電子線用ネガ型レジスト材料と
同様に扱うことができる。
ガラス材料ＯＣＤタイプ７（東京応化工業株式会社、商
品名、加熱によりＳｉＯ2となる材料）をスピン塗布し
て塗布膜１３を形成した（図３（ｂ））。なお、本実施
例で用いた塗布型ガラス材料は電子線に対して感光し、
ネガ型に作用するため、電子線用ネガ型レジスト材料と
同様に扱うことができる。
【００１８】一般に、誘電体膜の膜厚最適値は、前述の
ように式（１）で決定される。ここで、ｄは誘電体膜の
厚さ、λは光の波長、ｎは波長λにおける誘電体の屈折
率である。本実施例で用いるλは３６５ｎｍであり、こ
れに対して、以下で述べる熱処理後の塗布型ガラス膜の
屈折率ｎは１．４５である。これより式（１）に従うと
塗布型ガラスの膜厚の最適値は４０６ｎｍとなる。一
方、塗布膜１３は以下で述べる工程を行なうと膜厚が塗
布膜厚の９０％の厚さになることが分かった。そこで、
本実施例では塗布膜１３の膜厚を４５１ｎｍとした。
ように式（１）で決定される。ここで、ｄは誘電体膜の
厚さ、λは光の波長、ｎは波長λにおける誘電体の屈折
率である。本実施例で用いるλは３６５ｎｍであり、こ
れに対して、以下で述べる熱処理後の塗布型ガラス膜の
屈折率ｎは１．４５である。これより式（１）に従うと
塗布型ガラスの膜厚の最適値は４０６ｎｍとなる。一
方、塗布膜１３は以下で述べる工程を行なうと膜厚が塗
布膜厚の９０％の厚さになることが分かった。そこで、
本実施例では塗布膜１３の膜厚を４５１ｎｍとした。
【００１９】次に、加速電圧３０ｋＶの電子線描画装置
を用いて電子線照射量６００μＣ／ｃｍ2で所定のパタ
ンを電子線描画した。しかる後、メタノ−ルで３０秒間
現像したのち、温度２００℃で３０分間熱処理を行な
い、線幅０．４μｍ、間隔０．４μｍの周期的線状誘電
体パタン１４を形成し、所望の光学マスクとした（図３
（ｃ））。
を用いて電子線照射量６００μＣ／ｃｍ2で所定のパタ
ンを電子線描画した。しかる後、メタノ−ルで３０秒間
現像したのち、温度２００℃で３０分間熱処理を行な
い、線幅０．４μｍ、間隔０．４μｍの周期的線状誘電
体パタン１４を形成し、所望の光学マスクとした（図３
（ｃ））。
【００２０】本実施例では上述のように電子線描画装置
及び電子線用ネガ型感光性材料を用いて誘電体パタンを
形成して光学マスクを作製したが、他のさまざまな公知
の方法によって光学マスクを製作してもよいことは言う
までもないことである。例えば、レジストパタンをマス
クにして、透明基板をエッチングして誘電体パタンとし
てもよい。
及び電子線用ネガ型感光性材料を用いて誘電体パタンを
形成して光学マスクを作製したが、他のさまざまな公知
の方法によって光学マスクを製作してもよいことは言う
までもないことである。例えば、レジストパタンをマス
クにして、透明基板をエッチングして誘電体パタンとし
てもよい。
【００２１】上記のようにして製作した光学マスクを用
いて下記のようなレジスト膜への露光を行なった。使用
したレジストはナガセ電子化学株式会社製のポジ型（光
可溶型）感光性レジストＮＰＲーΛ１８ ＳＨ３（商品
名）である。このレジストの溶液をガラス基板に回転塗
布によって塗布し、８０℃に５分間加熱して厚さ約０．
５μｍの塗膜とした。これに厚さ１０μｍのスペーサを
介して、上記光学マスクを近付け、５００Ｗの超高圧水
銀灯から約１ｍの距離において、水銀灯からの光を東芝
ガラスフィルターＵＶＤ１Ｃに通し、波長３６５ｎｍの
紫外線を相対的に多く含む光としたものを光学マスクに
垂直に入射し、光学マスクを透過した光によってレジス
ト膜を約６０秒間露光した。
いて下記のようなレジスト膜への露光を行なった。使用
したレジストはナガセ電子化学株式会社製のポジ型（光
可溶型）感光性レジストＮＰＲーΛ１８ ＳＨ３（商品
名）である。このレジストの溶液をガラス基板に回転塗
布によって塗布し、８０℃に５分間加熱して厚さ約０．
５μｍの塗膜とした。これに厚さ１０μｍのスペーサを
介して、上記光学マスクを近付け、５００Ｗの超高圧水
銀灯から約１ｍの距離において、水銀灯からの光を東芝
ガラスフィルターＵＶＤ１Ｃに通し、波長３６５ｎｍの
紫外線を相対的に多く含む光としたものを光学マスクに
垂直に入射し、光学マスクを透過した光によってレジス
ト膜を約６０秒間露光した。
【００２２】露光後のレジスト膜を２．３８重量％の水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で約２分間現像
し、水洗し、乾燥して、微細な平行縞のレジスト像を得
た。走査型電子顕微鏡を用いた観察によって、線幅０．
２μｍのレジスト線像が得られていることを確認した。
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で約２分間現像
し、水洗し、乾燥して、微細な平行縞のレジスト像を得
た。走査型電子顕微鏡を用いた観察によって、線幅０．
２μｍのレジスト線像が得られていることを確認した。
【００２３】本実施例ではスペーサの厚さを１０μｍと
したが、光学マスクと感光性材料との距離は論理的には
制限されない。しかしながら、実際には光学マスクへの
入射光が完全には平行光ではないために、上記距離は１
ｍｍ以内であることが望ましい。また、光学マスクの図
形は、平行縞図形としたが、直交格子縞図形等他の図形
であってもよい。
したが、光学マスクと感光性材料との距離は論理的には
制限されない。しかしながら、実際には光学マスクへの
入射光が完全には平行光ではないために、上記距離は１
ｍｍ以内であることが望ましい。また、光学マスクの図
形は、平行縞図形としたが、直交格子縞図形等他の図形
であってもよい。
【００２４】〈実施例２〉実施例１で製造した光学マス
クを用いて、極めて微細な金属の平行線を透明基板上に
形成した例を述べる。このような金属平行線は非吸収性
偏光フィルタとして用いられる。
クを用いて、極めて微細な金属の平行線を透明基板上に
形成した例を述べる。このような金属平行線は非吸収性
偏光フィルタとして用いられる。
【００２５】まず、合成石英基板上に、アルミニウム膜
を膜厚３００ｎｍになるように蒸着した。このアルミニ
ウム膜を加工するため、下層有機膜として、ＭＰ１４０
０（シップレイ・ファーイースト株式会社、商品名）を
厚さ０．７μｍに、中間膜として塗布型ガラス材料ＯＣ
Ｄタイプ２（東京応化工業株式会社、商品名）を膜厚１
００ｎｍに、上層レジストとしてポジ型感光性レジスト
ＮＰＲーΛ１８ ＳＨ３（ナガセ電子化学株式会社、商
品名）を厚さ０．５μｍに積層した。
を膜厚３００ｎｍになるように蒸着した。このアルミニ
ウム膜を加工するため、下層有機膜として、ＭＰ１４０
０（シップレイ・ファーイースト株式会社、商品名）を
厚さ０．７μｍに、中間膜として塗布型ガラス材料ＯＣ
Ｄタイプ２（東京応化工業株式会社、商品名）を膜厚１
００ｎｍに、上層レジストとしてポジ型感光性レジスト
ＮＰＲーΛ１８ ＳＨ３（ナガセ電子化学株式会社、商
品名）を厚さ０．５μｍに積層した。
【００２６】これに厚さ１０μｍのスペーサを介して、
上記光学マスクを近付け、実施例１と同じ条件でレジス
ト膜を約６０秒間露光した。露光後のレジスト膜を２．
３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で
約２分間現像し、水洗し、乾燥して、線幅０．３μｍの
平行縞のレジスト像を得た。次に１６０℃で１２０秒間
熱処理した後、レジスト像が形成されていない位置の中
間膜及び下層膜をそれぞれ反応性フッ素イオンエッチン
グ及び反応性酸素イオンエッチングにより順にドライエ
ッチングしてレジストパタンを形成した。
上記光学マスクを近付け、実施例１と同じ条件でレジス
ト膜を約６０秒間露光した。露光後のレジスト膜を２．
３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で
約２分間現像し、水洗し、乾燥して、線幅０．３μｍの
平行縞のレジスト像を得た。次に１６０℃で１２０秒間
熱処理した後、レジスト像が形成されていない位置の中
間膜及び下層膜をそれぞれ反応性フッ素イオンエッチン
グ及び反応性酸素イオンエッチングにより順にドライエ
ッチングしてレジストパタンを形成した。
【００２７】今度は、形成したレジストパタンをマスク
にして、塩素系のガスによりＲＦパワー１４０Ｗ、マイ
クロ波パワー５８０Ｗ、ガス圧力１．３Ｐａの条件を用
いて上記アルミニウム膜ドライエッチングした。この条
件ではガラス基板のエッチング速度に対するアルミニウ
ム膜のエッチング速度は３０倍程度であることからアル
ミニウム膜を高精度にエッチングできた。この後フッ酸
及び酸素アッシング装置を用いて、上記レジストパタン
を除去し、ガラス基板上に線幅０．３μｍ、周期０．６
μｍのアルミニウムパタンを形成した。
にして、塩素系のガスによりＲＦパワー１４０Ｗ、マイ
クロ波パワー５８０Ｗ、ガス圧力１．３Ｐａの条件を用
いて上記アルミニウム膜ドライエッチングした。この条
件ではガラス基板のエッチング速度に対するアルミニウ
ム膜のエッチング速度は３０倍程度であることからアル
ミニウム膜を高精度にエッチングできた。この後フッ酸
及び酸素アッシング装置を用いて、上記レジストパタン
を除去し、ガラス基板上に線幅０．３μｍ、周期０．６
μｍのアルミニウムパタンを形成した。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、誘電体を利用した位
相シフト型光学マスクを用いることによって、従来の白
黒光学マスクを用いては実現できない高解像度の露光が
可能となった。この方法においては、マスクと感光性材
料との距離を小さく保つことに特別の注意を払う必要が
なく、しかも誘電体帯の幅の２分の１の寸法の解像度を
得ることができる。この２つの特徴は従来の密着露光法
には見られない特徴であり、本発明の方法を用いること
によって、実用的露光装置を用いる感光性材料解像度評
価方法に比べればはるかに低費用かつ簡便な方法で、実
用露光装置を用いた場合よりも高い解像度評価が可能と
なった。
相シフト型光学マスクを用いることによって、従来の白
黒光学マスクを用いては実現できない高解像度の露光が
可能となった。この方法においては、マスクと感光性材
料との距離を小さく保つことに特別の注意を払う必要が
なく、しかも誘電体帯の幅の２分の１の寸法の解像度を
得ることができる。この２つの特徴は従来の密着露光法
には見られない特徴であり、本発明の方法を用いること
によって、実用的露光装置を用いる感光性材料解像度評
価方法に比べればはるかに低費用かつ簡便な方法で、実
用露光装置を用いた場合よりも高い解像度評価が可能と
なった。
【００２９】本発明の方法は感光性材料の解像度評価に
有効な手段であるにとどまらず、これを実際の写真食刻
法における感光性レジスト材料の露光工程に適用するこ
とによって、例えば、きわめて微細な金属の平行線を透
明基板上に形成させることができ、そのような金属平行
線は非吸収性偏光フィルタとしての実用的価値を持って
いる。
有効な手段であるにとどまらず、これを実際の写真食刻
法における感光性レジスト材料の露光工程に適用するこ
とによって、例えば、きわめて微細な金属の平行線を透
明基板上に形成させることができ、そのような金属平行
線は非吸収性偏光フィルタとしての実用的価値を持って
いる。
【図１】従来の白黒光学図形マスクと本発明の誘電体光
学図形マスクのそれぞれの模型的な断面図及び底面図。
学図形マスクのそれぞれの模型的な断面図及び底面図。
【図２】従来の白黒光学図形マスクと本発明の誘電体光
学図形マスクとによって発生する回折光の干渉の様子を
示した模式図。
学図形マスクとによって発生する回折光の干渉の様子を
示した模式図。
【図３】実施例１に用いた本発明の誘電体光学図形マス
クの製造工程図。
クの製造工程図。
１…透明基板 ２…光不透過性膜 ３…誘電体膜 １１…合成石英基板 １２…透明性導電膜 １３…塗布膜 １４…周期的線状誘電体パタン
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に設けられた微細図形状誘電体によ
り構成される位相シフト型光学マスクを感光性物質膜に
近接して配置し、該位相シフト型光学マスクに光を照射
し、回折光の干渉によって生ずる光の明暗像を該感光性
物質膜に直接転写することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】請求項１記載の露光方法において、上記位
相シフト型光学マスクは、上記感光性物質膜から１ｍｍ
以内の距離に配置することを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の露光方法において、
上記微細図形状誘電体は、微細平行縞の誘電体であるこ
とを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の露光方法におい
て、上記微細図形状誘電体の厚さは、該厚さをｄ、上記
位相シフト型光学マスクを照射する光の波長をλ、その
波長における上記誘電体の屈折率をｎとするとき、ｄ＝
λ／｛２（ｎ−１）｝なる条件を満たすことを特徴とす
る露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287274A JPH06140300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4287274A JPH06140300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140300A true JPH06140300A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17715282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4287274A Pending JPH06140300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140300A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331564A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイス |
| JP2007523468A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-16 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ３次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置 |
| JP2011501430A (ja) * | 2007-10-17 | 2011-01-06 | エルジー・ケム・リミテッド | 回折格子を用いたレーザー干渉リソグラフィー方法 |
| US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP4287274A patent/JPH06140300A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523468A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-16 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ３次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置 |
| JP2005331564A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイス |
| JP2011501430A (ja) * | 2007-10-17 | 2011-01-06 | エルジー・ケム・リミテッド | 回折格子を用いたレーザー干渉リソグラフィー方法 |
| US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
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