JPH06140349A - 半導体熱処理用治具 - Google Patents
半導体熱処理用治具Info
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- JPH06140349A JPH06140349A JP28821792A JP28821792A JPH06140349A JP H06140349 A JPH06140349 A JP H06140349A JP 28821792 A JP28821792 A JP 28821792A JP 28821792 A JP28821792 A JP 28821792A JP H06140349 A JPH06140349 A JP H06140349A
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- Japan
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- coating film
- silicon carbide
- cvd coating
- heat treatment
- jig
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- Pending
Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化珪素よりなる半導体熱処理治具の表面に
破損につながる熱ストレスがかからないようにＣＶＤコ
ーティング膜を形成し、炭化珪素からの不純物拡散を防
止する。 【構成】 炭化珪素よりなる半導体熱処理用治具１の表
面にＣＶＤコーティング膜２をタイルのように細かく区
切って形成する。ＣＶＤコーティング膜の材質としてポ
リシリコン膜，ＳｉＣ膜が一例である。また、膜厚は金
属不純物の拡散を防止するために充分な厚さを用いる。 【効果】 ＣＶＤコーティング膜を細かく区切ることに
より、炭化珪素からの金属不純物拡散の抑制機能を維持
し、かつ、熱ストレスによる破損防止の効果を出す。
破損につながる熱ストレスがかからないようにＣＶＤコ
ーティング膜を形成し、炭化珪素からの不純物拡散を防
止する。 【構成】 炭化珪素よりなる半導体熱処理用治具１の表
面にＣＶＤコーティング膜２をタイルのように細かく区
切って形成する。ＣＶＤコーティング膜の材質としてポ
リシリコン膜，ＳｉＣ膜が一例である。また、膜厚は金
属不純物の拡散を防止するために充分な厚さを用いる。 【効果】 ＣＶＤコーティング膜を細かく区切ることに
より、炭化珪素からの金属不純物拡散の抑制機能を維持
し、かつ、熱ストレスによる破損防止の効果を出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体熱処理用治具
に関し、特に炭化珪素からなる治具の表面構造に関す
る。
に関し、特に炭化珪素からなる治具の表面構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】炉芯管，ボート等の半導体プロセスの押
し込み炉，酸化炉用等の熱処理用治具は、その純度を要
求されることにより、石英ガラス質のものが多用されて
いたが、最近これに変わって耐熱性にまさる炭化珪素か
らなるものが採用されている。
し込み炉，酸化炉用等の熱処理用治具は、その純度を要
求されることにより、石英ガラス質のものが多用されて
いたが、最近これに変わって耐熱性にまさる炭化珪素か
らなるものが採用されている。
【０００３】特に炭化珪素に含有されている不純物の飛
散を防ぐため、炭化珪素表面にＣＶＤコーティング膜を
形成した熱処理用治具が新しく採用されてきている。図
３は従来の半導体熱処理用治具の一部断面図である。図
において１は炭化珪素、２はＣＶＤコーティング膜であ
る。
散を防ぐため、炭化珪素表面にＣＶＤコーティング膜を
形成した熱処理用治具が新しく採用されてきている。図
３は従来の半導体熱処理用治具の一部断面図である。図
において１は炭化珪素、２はＣＶＤコーティング膜であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の炭化
珪素の表面にＣＶＤコーティング膜が形成されている熱
処理用治具は、使用用途がその耐熱性を利用した高温炉
（１０００℃〜１４００℃）であるため、炭化珪素と表
面層のＣＶＤコーティング膜間の熱ストレスから破損に
つながりやすい欠点があった。
珪素の表面にＣＶＤコーティング膜が形成されている熱
処理用治具は、使用用途がその耐熱性を利用した高温炉
（１０００℃〜１４００℃）であるため、炭化珪素と表
面層のＣＶＤコーティング膜間の熱ストレスから破損に
つながりやすい欠点があった。
【０００５】また、熱ストレス低減のため、ＣＶＤコー
ティング膜を薄くすると炭化珪素が含有する不純物から
の半導体材料への金属汚染が抑えられない欠点があっ
た。
ティング膜を薄くすると炭化珪素が含有する不純物から
の半導体材料への金属汚染が抑えられない欠点があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体熱処
理用治具において、炭化珪素の表面にＣＶＤコーティン
グ膜が形成されていて、前記ＣＶＤコーティング膜には
小面積に分割し、その部分は膜の薄い溝が形成されてい
ることを特徴とする。
理用治具において、炭化珪素の表面にＣＶＤコーティン
グ膜が形成されていて、前記ＣＶＤコーティング膜には
小面積に分割し、その部分は膜の薄い溝が形成されてい
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記の構成によると、治具表面に形成されたＣ
ＶＤコーティング膜は、炭化珪素に含有される金属不純
物が、半導体材料の熱処理時に半導体材料へ拡散するこ
とを防止するマスク材として働く。また、半導体材料の
熱処理時に炭化珪素−ＣＶＤコーティング膜間に熱スト
レスが働いてもＣＶＤコーティング膜が部分的に区切ら
れているため、破損につながるような大きな応力になら
ず、破損しない。
ＶＤコーティング膜は、炭化珪素に含有される金属不純
物が、半導体材料の熱処理時に半導体材料へ拡散するこ
とを防止するマスク材として働く。また、半導体材料の
熱処理時に炭化珪素−ＣＶＤコーティング膜間に熱スト
レスが働いてもＣＶＤコーティング膜が部分的に区切ら
れているため、破損につながるような大きな応力になら
ず、破損しない。
【０００８】また、ＣＶＤコーティング膜が薄い部分
（溝）が形成されるが、全体のコーティング面積と比較
して溝部の面積は非常に小さいので金属不純物のマスク
材としての機能を損なうことはない。
（溝）が形成されるが、全体のコーティング面積と比較
して溝部の面積は非常に小さいので金属不純物のマスク
材としての機能を損なうことはない。
【０００９】
【実施例】以下、この考案について図面を参照して説明
する。
する。
【００１０】図１（ａ）はこの発明の一実施例の半導体
拡散用熱処理治具の一部断面図である。図１（ｂ）は図
１（ａ）の４部の拡大図である。１は炭化珪素，２は細
かく区切られて形成されているＣＶＤコーティング膜で
ある。ＣＶＤコーティング膜としてはｐｏｌｙＳｉ膜Ｓ
ｉＣ膜等が使用できる。この実施例によれば、炭化珪素
の表面に形成されているＣＶＤコーティング膜がタイル
のように細かく区切られているため、炭化珪素とも熱ス
トレスにより応力が生じても部分的な応力となり、破損
につながりにくい利点がある。また、厚いＣＶＤコーテ
ィング膜を形成することが可能となり、炭化珪素からの
不純物の拡散を抑えやすくなる利点がある。製造方法に
ついては次の方法が一例として挙げられる。まず、最初
に治具の表面に全面的にＣＶＤコーティング膜を形成す
る。次にＣＶＤコーティング膜の上にコーティング膜を
残す部分のみがカバー膜を付ける。そして、エッチング
を行い、溝部のＣＶＤコーティング膜を薄くする。最後
にカバー膜を除去する。
拡散用熱処理治具の一部断面図である。図１（ｂ）は図
１（ａ）の４部の拡大図である。１は炭化珪素，２は細
かく区切られて形成されているＣＶＤコーティング膜で
ある。ＣＶＤコーティング膜としてはｐｏｌｙＳｉ膜Ｓ
ｉＣ膜等が使用できる。この実施例によれば、炭化珪素
の表面に形成されているＣＶＤコーティング膜がタイル
のように細かく区切られているため、炭化珪素とも熱ス
トレスにより応力が生じても部分的な応力となり、破損
につながりにくい利点がある。また、厚いＣＶＤコーテ
ィング膜を形成することが可能となり、炭化珪素からの
不純物の拡散を抑えやすくなる利点がある。製造方法に
ついては次の方法が一例として挙げられる。まず、最初
に治具の表面に全面的にＣＶＤコーティング膜を形成す
る。次にＣＶＤコーティング膜の上にコーティング膜を
残す部分のみがカバー膜を付ける。そして、エッチング
を行い、溝部のＣＶＤコーティング膜を薄くする。最後
にカバー膜を除去する。
【００１１】
【実施例２】図２（ａ）はこの考案の第２実施例の縦断
面図である。図２（ｂ）はその４部の拡大図である。１
は炭化珪素，２はＶ字形状の溝で細かく区切られている
ＣＶＤコーティング膜である。ＣＶＤコーティング膜と
してはｐｏｌｙＳｉ膜ＳｉＣ膜等が使用できる。この実
施例によれば炭化珪素の表面に形成されているＣＶＤコ
ーティング膜がＶ字形状の溝によって細かく区切られて
いるため、炭化珪素と熱ストレスにより応力が生じても
部分的な応力となり、破損につながりにくい利点があ
る。また、Ｖ字の溝形状により炭化珪素がむき出しにな
る面積が小さい点からも不純物の飛散が最小限に抑えや
すくなる利点がある。
面図である。図２（ｂ）はその４部の拡大図である。１
は炭化珪素，２はＶ字形状の溝で細かく区切られている
ＣＶＤコーティング膜である。ＣＶＤコーティング膜と
してはｐｏｌｙＳｉ膜ＳｉＣ膜等が使用できる。この実
施例によれば炭化珪素の表面に形成されているＣＶＤコ
ーティング膜がＶ字形状の溝によって細かく区切られて
いるため、炭化珪素と熱ストレスにより応力が生じても
部分的な応力となり、破損につながりにくい利点があ
る。また、Ｖ字の溝形状により炭化珪素がむき出しにな
る面積が小さい点からも不純物の飛散が最小限に抑えや
すくなる利点がある。
【００１２】製造については次の方法が一例として挙げ
られる。まず、最初に治工具の表面に全面的にＣＶＤコ
ーティング膜を形成する。次にＶ字型のカッターでＣＶ
Ｄコーティング膜を切削して、Ｖ字形状の溝を形成す
る。
られる。まず、最初に治工具の表面に全面的にＣＶＤコ
ーティング膜を形成する。次にＶ字型のカッターでＣＶ
Ｄコーティング膜を切削して、Ｖ字形状の溝を形成す
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、治具
表面にタイルを張るように部分的にＣＶＤコーティング
膜を形成することで、熱ストレスによる破損を低減で
き、今までより厚いＣＶＤコーティング膜を使用するこ
とにより、半導体材料を汚染する鉄，ニッケル，クロ
ム，銅等の重金属量を大幅に低減することができる。
表面にタイルを張るように部分的にＣＶＤコーティング
膜を形成することで、熱ストレスによる破損を低減で
き、今までより厚いＣＶＤコーティング膜を使用するこ
とにより、半導体材料を汚染する鉄，ニッケル，クロ
ム，銅等の重金属量を大幅に低減することができる。
【図１】 この発明の一実施例の半導体熱処理用治具の
一部断面図。
一部断面図。
【図２】 この発明の他の実施例の半導体熱処理用治具
の一部断面図。
の一部断面図。
【図３】 従来の半導体熱処理治具の一部断面図。
１ 炭化珪素 ２ ＣＶＤコーティング膜 ３ ＣＶＤコーティング膜の溝
Claims (4)
- 【請求項１】炭化珪素よりなる半導体熱処理用治具にお
いて、炭化珪素表面にＣＶＤコーティング膜が形成され
ており、前記ＣＶＤコーティング膜には小面積に分割す
る溝部が形成されていことを特徴とする半導体熱処理用
治具。 - 【請求項２】前記溝部はＣＶＤコーティング膜が薄いこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理用治具。 - 【請求項３】前記溝部が断面略方向に形成されたことを
特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理用治具。 - 【請求項４】前記溝部が断面Ｖ字形状に形成されたこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28821792A JPH06140349A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体熱処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28821792A JPH06140349A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体熱処理用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140349A true JPH06140349A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17727339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28821792A Pending JPH06140349A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体熱処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901152A1 (en) * | 1997-09-03 | 1999-03-10 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Semiconductor wafer holder with CVD silicon carbide film coating |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP28821792A patent/JPH06140349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901152A1 (en) * | 1997-09-03 | 1999-03-10 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Semiconductor wafer holder with CVD silicon carbide film coating |
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