JPH073819B2 - 高融点金属成長方法 - Google Patents

高融点金属成長方法

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Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は半導体装置の金属配線を形成する方法に関する
もので、特に金属配線を形成する時に高融点金属である
タングステンを成長させる方法に関する。
＜従来の技術＞ 半導体装置で金属配線を成長させる方法としては、ステ
ップカバリジ（step coverage）が良く、均質の膜が得
られる方法として化学蒸着（Chemical Vapar Depositio
n:CVD）方法がある。
これは真空蒸着法に比べて抵抗率も低いし真空蒸着膜で
生ずる影効果（shadow effect）がないので、表面の屈
曲が甚だしい場合でも良好なステップカバリジを得るこ
とが出来る。
上記CVDに依る金属膜蒸着が応用された技術の一つは、
耐熱性が高いタングステン等の金属を集積回路の配線物
質として使用することである。タングステン（Ｗ）は抵
抗率（5.3μΩ・cm）が低く耐熱性が高い金属で、タン
グステンフルオライド（WF6）を化学反応で分解するこ
とに依って成長させることができる。
第３図は従来の方法に依って選択的にタングステンを成
長させた結果を示す断面図である。
第３図を参照すると、従来はシリコン層１の所定領域に
イオンを注入して接合層２を形成した後、絶縁膜３を塗
布し、絶縁膜３を選択食刻してパタンを作り、タングス
テン４をCVDに依って成長させる。この時タングステン
４の成長初期段階で接合層２とタングステン４間の接着
性を良くするため、NF3或いはSF6ガス等を利用したプラ
ズマエッチングをして表面を粗くした後、タングステン
を成長させるか水素（H2）還元反応をした後、SiH4還元
反応を行いタングステンを成長させる。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら上記の従来の方法では、接着性を維持する
ため接合層２の表面をプラズマエッチングすると、接合
層２とタングステンが接触する接触領域５で相当な侵食
作用があり、接合層２にあるシリコンが多量に消耗さ
れ、接合層２の厚さが薄くなり、それに依る漏洩電流が
増加するという問題がある。
また接合層２をプラズマエッチング工程に依って破損さ
せずSiH4の還元反応に依ってタングステンを成長させる
場合には接着性が悪いのでタングステンが離れ落ちると
いう問題点が有る。
従って本発明の目的は、CVDに依ってタングステンを成
長させる高融点金属成長方法において、接合層に損傷を
与えず接着性を向上させる方法を提供することである。
本発明の他の目的は、半導体装置の金属配線を形成する
時、漏洩電流が発生しない様にする高融点金属成長方法
を提供することである。
＜課題を解決するための手段＞ 上記の目的を達成する為に本発明は、タングステンが接
触する領域にイオンを注入した後WF6及びSiH4混合ガス
の熱分解反応とアニリング（annealing）工程を所定厚
さのタングステンが成長するまで反復遂行する高融点金
属成長方法としたものである。
＜実施例＞ 以下本発明の好適な実施例を添付図面を参照して詳細に
説明する。
第１図は本発明の方法に依ってタングステンが成長した
結果を示す断面図である。
第１図を参照すると、シリコン基板10に２つの第１及び
第２イオン注入層11、13が形成されている。第２イオン
注入層13と絶縁膜12のパタンに依って成長したタングス
テン膜16との間には、薄い接触面14が介在する。
接触面14はイオン注入を依って損傷を受けた不規則的な
表面を持つ部分（欠陥部分）であり、タングステン膜16
とシリコン基板10を接着させる役割をする。
イオン注入に依って損傷された表面は、従来のプラズマ
エッチングに依って損傷された場合よりは微少である。
これは従来の方式に依る過大な損傷に基因して接合層が
薄くなるのを極度に減らすと同時に接合層表面の接着性
を良くすることが出来る。そして接触面14はSiH4とWF6
が反応した後アニリング工程に依って形成された部分で
ある。
第2A〜2E図は各々本発明に依る高融点金属成長方法を順
次示す工程図である。
第2A〜2E図を参照して本発明の実施例であるタングステ
ン成長方法を説明する。
先づ第2A図で、シリコン基板10にＰ型或いはＮ型不純物
を約５×1020ions/cm2の量でイオン注入した後、基板全
面にBPSG（Boro−Phosphorus Silicate Glass）の絶縁
膜12を形成する。この時イオン注入されたＰ型或いはＮ
型不純物が活性化して第１イオン注入層11（或いは第１
コレクト領域）を形成する。
次に第2B図で、絶縁膜12の上面に所定のフォトレジスト
パタン31を形成した後、絶縁膜12を選択的に食刻して第
１イオン注入層11の表面を露出させる接触開口32を形成
する。
次に、第2C図で、接触開口32の表面には、更に第２イオ
ン注入層13が形成され、２度に渡るイオン注入による結
合層14が約200〜500Åの厚さで存在する。イオン注入さ
れる物質としてはSi、As、Ｂ、Ｐ等を使用することが出
来る。結合層14は後のタングステン形成工程の時にタン
グステンと基板10との接着度を増加し得る粗い表面から
成っており、第１図の接触面14と同一な部分である。
次に第2D図で、フォトレジストパタン31を除去した後タ
ングステンフルオライド（WF6）をシリコン基板10と反
応させると、結合層14の表面で若干のシリコンが消耗さ
れながらタングステンが成長する下記の如きシリコン還
元反応が起る。
２WF6＋3Si→2W＋３SiF4 ここでタングステン（Ｗ）は結合層14の高い表面エネル
ギのためにシリコン基板10との接着力が増加する。その
後タングステンフルオライド（WF6）とシラン（Silane,
SiH4）の混合ガスを約3:2の混合比率で280〜300℃の温
度で45〜90秒間化学蒸着を行い、1500〜3000Å程度の初
期タングステン膜15を成長させる。この時の化学反応式
は次の様である。
ここでタングステンフルオライド（WF6）に対するシラ
ン（SiH4）ガスの混合比率を2:1或いは3:1にする場合は
タングステンシリサイド（SiW2）が形成されるので、最
少限タングステン（Ｗ）のみが成長するにはシラン（Si
H4）の比率を相対的に少なくしなければならない。
その次はシリコン基板10を約450℃の温度で約２分間ア
ニリング工程を行い、再びWF6とSiH4の混合ガスを利用
したタングステン成長工程を行った後、再び熱処理工程
を反復的に行うと第2E図で図示した如く所定厚さのタン
グステン膜16が成長する。
ここでWF6とSiH4の混合ガスに依って一度で形成される
タングステン膜の厚さは、所望の成長層をどれ位にする
かによって調節出来ることはこの分野で通常の知識を持
つ者には理解することが出来る。
＜発明の効果＞ 上述の如く本発明は２度に渡るイオン注入でシリコン基
板の表面に薄い結合層を形成した後シリコン還元反応で
タングステンの接着性を増加し、SiH4の還元反応とアニ
リング工程を反復遂行してタングステンを成長させるの
で、より良好な接着性と均一性を持つタングステン膜を
形成することが出来る。
また本発明によれば均一な高融点金属配線を形成し得る
ので、ステップカバリジが良く金属配線の漏洩現象を防
止することが出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る高融点金属成長方法にて形成され
た金属配線の断面図、 第2A〜2E図は各々本発明に係る高融点金属成長方法を順
次示す工程図、そして 第３図は従来の方法に係る第１図相当の断面図である。 10……シリコン基板 11……第１イオン注入層 12……絶縁膜 13……第２イオン注入層 14……接触面（結合層） 15……初期タングステン膜 16……所望厚さのタングステン膜

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記各工程からなり、第３工程及び第４工
    程が反復的に行われる、高融点金属を成長させる高融点
    金属成長方法。 シリコン基板の所定領域に第１イオン注入層を形成し、
    該第１イオン注入層内に第２イオン注入層を形成する第
    １工程 第２イオン注入層の表面に高融点金属フルオライドガス
    を接触させて高融点金属を第２イオン注入層の表面に接
    着させる第２工程 高融点金属フルオライドとシランガスの混合ガスを化学
    反応させて所定厚さの高融点金属膜を成長させる第３工
    程 シリコン基板を所定温度で熱処理する第４工程
  2. 【請求項２】第１工程で第１及び第２イオン注入層を構
    成するイオン注入不純物がSi、As、Ｂ、Ｐであることを
    特徴とする請求項１に記載の高融点金属成長方法。
  3. 【請求項３】第２イオン注入層の表面に200〜500Å程度
    のイオン注入に依る結合層が形成されることを特徴とす
    る請求項１に記載の高融点金属成長方法。
  4. 【請求項４】第３工程で高融点金属フルオライドガスと
    シランガスの混合比率を3:2程度にして260〜320℃で45
    〜90秒間上記イオン注入層の上部で1500〜3000Å程度の
    厚さで高融点金属を成長させることを特徴とする請求項
    １に記載の高融点金属成長方法。
  5. 【請求項５】第４工程が450℃程度の温度で約２分間行
    われることを特徴とする請求項１に記載の高融点金属成
    長方法。
  6. 【請求項６】下記各工程からなり、第５工程と第６工程
    が反復的に行われる、シリコン基板の所定領域に化学蒸
    着法に依って高融点金属を成長させる高融点金属成長方
    法。 シリコン基板の所定領域に第１イオン注入層を形成した
    後、基板上に絶縁膜を塗布する第１工程 絶縁膜を選択的に食刻して第１イオン注入層の表面の一
    部を露出させる接触開口を形成する第２工程 接触開口を通じて所定の不純物をイオン注入して第１イ
    オン注入層内で表面に欠陥が有る第２イオン注入層を形
    成する第３工程 接触開口を通じてタングステンフルオライドガスを接触
    させ、第２イオン注入層の表面でシリコンを還元させる
    第４工程 接触開口を通じてタングステンフルオライドガスとシラ
    ンガスを約3:2の比率で280〜300℃で45〜90秒間化学反
    応させて1500〜3000Åの厚さのタングステン膜を成長さ
    せる第５工程 シリコン基板を450℃程度の温度で約２分間熱処理する
    第６工程
  7. 【請求項７】イオン注入される不純物がSi、As、Ｂ、Ｐ
    であることを特徴とする請求項６に記載の高融点金属成
    長方法。
  8. 【請求項８】第３工程で第２イオン注入層の表面に200
    〜500Åの欠陥部分が形成されることを特徴とする請求
    項６に記載の高融点金属成長方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930002673B1 (ko) * 1990-07-05 1993-04-07 삼성전자 주식회사 고융점금속 성장방법
US5306666A (en) * 1992-07-24 1994-04-26 Nippon Steel Corporation Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition
JP2636755B2 (ja) * 1994-11-09 1997-07-30 日本電気株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
GB9512089D0 (en) * 1995-06-14 1995-08-09 Evans Jonathan L Semiconductor device fabrication
US5700717A (en) * 1995-11-13 1997-12-23 Vlsi Technology, Inc. Method of reducing contact resistance for semiconductor manufacturing processes using tungsten plugs
GB2316224B (en) * 1996-06-14 2000-10-04 Applied Materials Inc Ion implantation method
US5915181A (en) * 1996-07-22 1999-06-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for forming a deep submicron MOSFET device using a silicidation process
DE19637438A1 (de) * 1996-09-13 1998-03-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Metallisierungsschicht
KR100464393B1 (ko) * 1997-09-02 2005-02-28 삼성전자주식회사 반도체소자의금속배선형성방법
CN103489787B (zh) * 2013-09-22 2016-04-13 上海华力微电子有限公司 提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180596A (en) * 1977-06-30 1979-12-25 International Business Machines Corporation Method for providing a metal silicide layer on a substrate
US4565157A (en) * 1983-03-29 1986-01-21 Genus, Inc. Method and apparatus for deposition of tungsten silicides
JPS6072272A (ja) * 1983-09-28 1985-04-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS6177324A (ja) * 1984-09-21 1986-04-19 Toshiba Corp 金属薄膜の形成方法
US4595608A (en) * 1984-11-09 1986-06-17 Harris Corporation Method for selective deposition of tungsten on silicon
US4741928A (en) * 1985-12-27 1988-05-03 General Electric Company Method for selective deposition of tungsten by chemical vapor deposition onto metal and semiconductor surfaces
JPS62216224A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Fujitsu Ltd タングステンの選択成長方法
US4766006A (en) * 1986-05-15 1988-08-23 Varian Associates, Inc. Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide
EP0254651B1 (en) * 1986-06-28 1991-09-04 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method and apparatus for chemical vapor deposition
EP0252667B1 (en) * 1986-06-30 1996-03-27 Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Chemical vapour deposition methods
US4800105A (en) * 1986-07-22 1989-01-24 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of forming a thin film by chemical vapor deposition
US4902533A (en) * 1987-06-19 1990-02-20 Motorola, Inc. Method for selectively depositing tungsten on a substrate by using a spin-on metal oxide
US5223455A (en) * 1987-07-10 1993-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming refractory metal film
JP2694950B2 (ja) * 1987-07-10 1997-12-24 株式会社東芝 高融点金属膜の形成方法
JPS6421074A (en) * 1987-07-17 1989-01-24 Hitachi Ltd Method for selectively growing thin metallic film
JPS6429969A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Fujitsu Ltd System for controlling guidance of operation by customer
EP0305143B1 (en) * 1987-08-24 1993-12-08 Fujitsu Limited Method of selectively forming a conductor layer
JPS6482620A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
US4749597A (en) * 1987-10-19 1988-06-07 Spectrum Cvd, Inc. Process for CVD of tungsten
FR2622052B1 (fr) * 1987-10-19 1990-02-16 Air Liquide Procede de depot de siliciure de metal refractaire pour la fabrication de circuits integres
JPH01110767A (ja) * 1987-10-23 1989-04-27 Nec Corp 固体撮像装置
NL8800221A (nl) * 1988-01-29 1989-08-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4847111A (en) * 1988-06-30 1989-07-11 Hughes Aircraft Company Plasma-nitridated self-aligned tungsten system for VLSI interconnections
JPH0258218A (ja) * 1988-08-23 1990-02-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0828473B2 (ja) * 1988-09-29 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH023523A (ja) * 1988-12-02 1990-01-09 Nissan Motor Co Ltd フルプレスドアのサッシュ部構造
KR930002673B1 (ko) * 1990-07-05 1993-04-07 삼성전자 주식회사 고융점금속 성장방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR930002673B1 (ko) 1993-04-07
KR920003414A (ko) 1992-02-29
JPH0467630A (ja) 1992-03-03
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