JPH06140364A - 半導体のエッチング方法 - Google Patents
半導体のエッチング方法Info
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- JPH06140364A JPH06140364A JP32982392A JP32982392A JPH06140364A JP H06140364 A JPH06140364 A JP H06140364A JP 32982392 A JP32982392 A JP 32982392A JP 32982392 A JP32982392 A JP 32982392A JP H06140364 A JPH06140364 A JP H06140364A
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- Japan
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- etching
- semiconductor
- ring
- laser
- gas pressure
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 比較的簡便なリアクティブ・イオン・エッチ
ング法によって化合物半導体のエッチングを、オーバエ
ッチングを生ずることなく高品質に行わせる。 ［構成］ 化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッ
チング方法において、１Ｐａ以下のガス圧力にてエッチ
ングを行うようにする。
ング法によって化合物半導体のエッチングを、オーバエ
ッチングを生ずることなく高品質に行わせる。 ［構成］ 化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッ
チング方法において、１Ｐａ以下のガス圧力にてエッチ
ングを行うようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リアクティブ・イオン
・エッチング法（ＲＩＥ法）によって半導体をエッチン
グする方法に関する。
・エッチング法（ＲＩＥ法）によって半導体をエッチン
グする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓなどの化合物半導体のエ
ッチングを行わせる場合、ＲＩＥ法を用いて、特に異方
性を得るために、１０Ｐａ程度のガス圧力下でエッチン
グを行うようにしている。
ッチングを行わせる場合、ＲＩＥ法を用いて、特に異方
性を得るために、１０Ｐａ程度のガス圧力下でエッチン
グを行うようにしている。
【０００３】このような従来の半導体のエッチング方法
では、異方性が高いといっても限界があり、目的とする
パターンと差異を生じてエッチングのパターン精度が低
下したり、エッチング端面が荒れたりしてしまい、ま
た、アンダーカットを生じて垂直面が得られなくなって
いる。
では、異方性が高いといっても限界があり、目的とする
パターンと差異を生じてエッチングのパターン精度が低
下したり、エッチング端面が荒れたりしてしまい、ま
た、アンダーカットを生じて垂直面が得られなくなって
いる。
【０００４】最近、リングレーザ部に互いに異なる方向
にそれぞれレーザ光を伝播させておき、そのリングレー
ザ部に角速度が作用したときに、それに応じて各方向の
レーザ光の位相差が変化することに着目し、リングレー
ザ部から各方向のレーザ光をとり出して受光部に与える
ことにより各方向のレーザ光の位相差に応じた電気信号
を得て、リングレーザ部に作用する角速度を検出するよ
うにした光学式角速度検出器が開発されている。
にそれぞれレーザ光を伝播させておき、そのリングレー
ザ部に角速度が作用したときに、それに応じて各方向の
レーザ光の位相差が変化することに着目し、リングレー
ザ部から各方向のレーザ光をとり出して受光部に与える
ことにより各方向のレーザ光の位相差に応じた電気信号
を得て、リングレーザ部に作用する角速度を検出するよ
うにした光学式角速度検出器が開発されている。
【０００５】このような光学式角速度検出器にあって
は、そのリングレーザ部を半導体レーザ構造によるエピ
タキシャル層をＲＩＥ法によって矩形のリング状または
三角形のリング状になるようにエッチングして形成する
ようにしている。
は、そのリングレーザ部を半導体レーザ構造によるエピ
タキシャル層をＲＩＥ法によって矩形のリング状または
三角形のリング状になるようにエッチングして形成する
ようにしている。
【０００６】そして、その矩形状または三角形状による
リングレーザ部には、レーザ光の伝播を良好に行わせ、
また、光損失の低減化を図るためにコーナ部分にミラー
面をエッチングにより形成するようにしている。
リングレーザ部には、レーザ光の伝播を良好に行わせ、
また、光損失の低減化を図るためにコーナ部分にミラー
面をエッチングにより形成するようにしている。
【０００７】しかし、このようなリングレーザ部を従来
のＲＩＥによるエッチング方法によって形成するので
は、エッチングのパターン精度が低下し、また、エッチ
ング端面が荒れたり、アンダーカットが生じて垂直面が
得られなくなったりして、品質の良いものが得られなく
なっている。
のＲＩＥによるエッチング方法によって形成するので
は、エッチングのパターン精度が低下し、また、エッチ
ング端面が荒れたり、アンダーカットが生じて垂直面が
得られなくなったりして、品質の良いものが得られなく
なっている。
【０００８】また、従来、ＲＩＥより高い異方性が得ら
れるエッチングを行わせる方法として、ＲＩＢＥ法、イ
オンミリング法、ＣＡＩＢＥ法などが存在するが、それ
らは何れも実施に際して複雑な装置構成を必要とするも
のとなって、その保守に労力を要している。
れるエッチングを行わせる方法として、ＲＩＢＥ法、イ
オンミリング法、ＣＡＩＢＥ法などが存在するが、それ
らは何れも実施に際して複雑な装置構成を必要とするも
のとなって、その保守に労力を要している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、比較的簡便なＲＩＥ法を用いて、ＧａＡｓなどの
化合物半導体の異方性エッチングを１０Ｐａ程度のガス
圧力下で行わせるのでは、オーバエッチングが問題にな
ってエッチングのパターン精度が低下したり、エッチン
グ端面が荒れたりしてしまい、また、アンダーカットを
生じて垂直面が得られなくなってしまうことである。
点は、比較的簡便なＲＩＥ法を用いて、ＧａＡｓなどの
化合物半導体の異方性エッチングを１０Ｐａ程度のガス
圧力下で行わせるのでは、オーバエッチングが問題にな
ってエッチングのパターン精度が低下したり、エッチン
グ端面が荒れたりしてしまい、また、アンダーカットを
生じて垂直面が得られなくなってしまうことである。
【００１０】また、オーバエッチングがあまり問題にな
らない特殊な高異方性エッチング方法によるのでは、そ
の実施に際して複雑な装置構成を必要とすることであ
る。
らない特殊な高異方性エッチング方法によるのでは、そ
の実施に際して複雑な装置構成を必要とすることであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、比較的簡便な
ＲＩＥ法によって化合物半導体のエッチングを高品質に
行わせるべく、１Ｐａ以下の低いガス圧力下で、オーバ
エッチングを生ずることなく、ＲＩＥ法による化合物半
導体のエッチングを最適に行わせるようにしている。
ＲＩＥ法によって化合物半導体のエッチングを高品質に
行わせるべく、１Ｐａ以下の低いガス圧力下で、オーバ
エッチングを生ずることなく、ＲＩＥ法による化合物半
導体のエッチングを最適に行わせるようにしている。
【００１２】また、本発明では、１Ｐａ以下の安定した
ガス圧力を得るべく、エッチングガスとしてＳｉＣ１４
を用いるようにしたことを特徴としている。
ガス圧力を得るべく、エッチングガスとしてＳｉＣ１４
を用いるようにしたことを特徴としている。
【００１３】
【実施例】図１および図２は光学式角速度検出器におけ
るリングレーザ部の一構成例を示しており、ここでは半
導体レーザ構造によるエピタキシャル層をエッチングす
ることによって矩形のリング状に形成されたものが示さ
れている。
るリングレーザ部の一構成例を示しており、ここでは半
導体レーザ構造によるエピタキシャル層をエッチングす
ることによって矩形のリング状に形成されたものが示さ
れている。
【００１４】そのリングレーザ部１の各コーナの外側部
分には、リングレーザ部１の発振制御を行わせることに
よりその内部に生じさせた時計方向および反時計方向に
それぞれ伝播する各レーザ光ＬＢ１，ＬＢ２の伝播を良
好に行わせ、また、各方向に伝播するレーザ光の損失の
低減化を図るためのミラー面２が形成されている。
分には、リングレーザ部１の発振制御を行わせることに
よりその内部に生じさせた時計方向および反時計方向に
それぞれ伝播する各レーザ光ＬＢ１，ＬＢ２の伝播を良
好に行わせ、また、各方向に伝播するレーザ光の損失の
低減化を図るためのミラー面２が形成されている。
【００１５】このようなリングレーザ部１を形成する場
合、図３に示すように、ベース基板ｎ（＋）ＧａＡｓ上
に、バッファ層ｎ（＋）ＧａＡｓ，Ｎ層ｎＡｌＧａＡ
ｓ，発光層ＡｌＧａＡｓ，Ｐ層ｐＡｌＧａＡｓおよびコ
ンタクト層ｐ（＋）ＧａＡｓを順次エピタキシャル成長
によって積層した半導体レーザ構造によるものを、ＲＩ
Ｅ法による異方性エッチングによってリング状にエッチ
ングするようにしている。
合、図３に示すように、ベース基板ｎ（＋）ＧａＡｓ上
に、バッファ層ｎ（＋）ＧａＡｓ，Ｎ層ｎＡｌＧａＡ
ｓ，発光層ＡｌＧａＡｓ，Ｐ層ｐＡｌＧａＡｓおよびコ
ンタクト層ｐ（＋）ＧａＡｓを順次エピタキシャル成長
によって積層した半導体レーザ構造によるものを、ＲＩ
Ｅ法による異方性エッチングによってリング状にエッチ
ングするようにしている。
【００１６】本発明では、このような半導体レーザ構造
によるエピタキシャル層をＲＩＥ法によってエッチング
するに際して、特に、１Ｐａ（７．５ｍＴｏｒｒ）以下
のガス圧力にてエッチングを行うようにしている。
によるエピタキシャル層をＲＩＥ法によってエッチング
するに際して、特に、１Ｐａ（７．５ｍＴｏｒｒ）以下
のガス圧力にてエッチングを行うようにしている。
【００１７】通常、ＲＩＥ法の実施に際して使用される
１３．５６ＭＨｚ駆動のプラズマ生成装置（ＲＦ印加）
ではエッチングガスの圧力が１Ｐａ以下では発振状態が
不安定になってその使用が困難とされている。
１３．５６ＭＨｚ駆動のプラズマ生成装置（ＲＦ印加）
ではエッチングガスの圧力が１Ｐａ以下では発振状態が
不安定になってその使用が困難とされている。
【００１８】この点、エッチングガスに適当なものを選
択すれば通常のプラズマ生成装置にあっても１Ｐａ以下
のガス圧力で安定した発振状態が得られ、特に、エッチ
ングガスとしてＳｉＣｌ４を用いるのが最適であること
が判明した。
択すれば通常のプラズマ生成装置にあっても１Ｐａ以下
のガス圧力で安定した発振状態が得られ、特に、エッチ
ングガスとしてＳｉＣｌ４を用いるのが最適であること
が判明した。
【００１９】しかして、本発明によれば、低いガス圧力
の下でＲＩＥ法によるエッチングを行わせるためにオー
バエッチングがほとんど生ずることがなくなり、目的と
するパターンとの差異がなくなってエッチングのパター
ン精度が向上し、エッチング端面が荒れることなくきれ
いになり、また、アンダーカットが生ずることがなく垂
直面が得られるようになる。
の下でＲＩＥ法によるエッチングを行わせるためにオー
バエッチングがほとんど生ずることがなくなり、目的と
するパターンとの差異がなくなってエッチングのパター
ン精度が向上し、エッチング端面が荒れることなくきれ
いになり、また、アンダーカットが生ずることがなく垂
直面が得られるようになる。
【００２０】したがって、半導体レーザ構造によるエピ
タキシャル層をＲＩＥ法によってエッチングするに際し
て、エッチングガスとしてＳｉＣ１４を用いて、１Ｐａ
以下の低いガス圧力にてエッチングを行わせることによ
り高い異方性が得られ、リングレーザ部１として、エッ
チング面が垂直で荒れのない、かつ矩形状のリングとし
てパターン精度の良いものが得られる。
タキシャル層をＲＩＥ法によってエッチングするに際し
て、エッチングガスとしてＳｉＣ１４を用いて、１Ｐａ
以下の低いガス圧力にてエッチングを行わせることによ
り高い異方性が得られ、リングレーザ部１として、エッ
チング面が垂直で荒れのない、かつ矩形状のリングとし
てパターン精度の良いものが得られる。
【００２１】その際、特に、リングレーザ部１の各コー
ナの外側部分に形成されるミラー面２が良好なものとな
り、レングレーザ部１内におけるレーザ光の伝播を最適
に行わせ、また、光損失の低減化を有効に図ることがで
きるようになる。
ナの外側部分に形成されるミラー面２が良好なものとな
り、レングレーザ部１内におけるレーザ光の伝播を最適
に行わせ、また、光損失の低減化を有効に図ることがで
きるようになる。
【００２２】
【発明の効果】以上、本発明による半導体のエッチング
方法にあっては、１Ｐａ以下の低いガス圧力にて、アン
ダーカット、面荒れなどを生ずることなく、ＲＩＥ法に
よる化合物半導体のエッチングを最適に行わせることが
でき、高異方性エッチング方法の場合のように実施に際
して複雑な装置構成を必要とすることなく、比較的簡便
なＲＩＥ法によって化合物半導体のエッチングを高品質
に行わせることができるという利点を有している。
方法にあっては、１Ｐａ以下の低いガス圧力にて、アン
ダーカット、面荒れなどを生ずることなく、ＲＩＥ法に
よる化合物半導体のエッチングを最適に行わせることが
でき、高異方性エッチング方法の場合のように実施に際
して複雑な装置構成を必要とすることなく、比較的簡便
なＲＩＥ法によって化合物半導体のエッチングを高品質
に行わせることができるという利点を有している。
【図１】光学式角速度検出器におけるリングレーザ部の
一構成例を示す平面図である。
一構成例を示す平面図である。
【図２】光学式角速度検出器におけるリングレーザ部の
一構成例を示す斜視図である。
一構成例を示す斜視図である。
【図３】半導体レーザ構造によるエピタキシャル層の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１ リングレーザ部 ２ ミラー面
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体のリアクティブ・イオン・
エッチング方法において、１Ｐａ以下のガス圧力にてエ
ッチングを行うことを特徴とする半導体のエッチング方
法。 - 【請求項２】 エッチングガスとしてＳｉＣｌ４を用い
たことを特徴とする前記第１項の記載による半導体のエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32982392A JPH06140364A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32982392A JPH06140364A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140364A true JPH06140364A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18225632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32982392A Pending JPH06140364A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140364A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6275296B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser gyro with modulated driving power source |
| US6297883B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ring laser gas gyro with beat signal detection from current, voltage, or impedance of the ring laser |
| US6445454B1 (en) | 1998-10-19 | 2002-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro having modulated frequency driven laser |
| US6493089B2 (en) | 1998-10-19 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro and method of operating the same with a modulated frequency signal |
| US6559949B1 (en) | 1999-01-22 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro apparatus and gyroscope with multiple interfering laser beams affecting an electrical signal flowing therethrough |
| US6654126B1 (en) | 1999-12-01 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical gyro with specific clock/calculation circuit |
| US6665330B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a semiconductor ring laser with a circularly formed ridge optical waveguide |
| US6741354B2 (en) | 1999-01-18 | 2004-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser device having an optical waveguide for discerning movement of an optical gyroscope and an optical gyroscope utilizing same |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP32982392A patent/JPH06140364A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6275296B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser gyro with modulated driving power source |
| US6297883B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ring laser gas gyro with beat signal detection from current, voltage, or impedance of the ring laser |
| US6445454B1 (en) | 1998-10-19 | 2002-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro having modulated frequency driven laser |
| US6493089B2 (en) | 1998-10-19 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro and method of operating the same with a modulated frequency signal |
| US6741354B2 (en) | 1999-01-18 | 2004-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser device having an optical waveguide for discerning movement of an optical gyroscope and an optical gyroscope utilizing same |
| US6559949B1 (en) | 1999-01-22 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro apparatus and gyroscope with multiple interfering laser beams affecting an electrical signal flowing therethrough |
| US6665330B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a semiconductor ring laser with a circularly formed ridge optical waveguide |
| US6654126B1 (en) | 1999-12-01 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical gyro with specific clock/calculation circuit |
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