JPH11311579A - 半導体圧力センサのダイアフラム形成方法 - Google Patents
半導体圧力センサのダイアフラム形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定の感度を有する半導体圧力センサを低コ
ストで得ることのできる半導体圧力センサのダイアフラ
ムの形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１をエッチングすることによ
り凹部を形成し、ダイアフラム１１とする半導体圧力セ
ンサのダイアフラム形成方法において、半導体基板１に
対して、前記凹部を形成したい部分のみ開口したマスク
９を介して、微粒子１０を高速でマスク９面の方から吹
き付けることにより、前記凹部を形成するようにした。
ストで得ることのできる半導体圧力センサのダイアフラ
ムの形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１をエッチングすることによ
り凹部を形成し、ダイアフラム１１とする半導体圧力セ
ンサのダイアフラム形成方法において、半導体基板１に
対して、前記凹部を形成したい部分のみ開口したマスク
９を介して、微粒子１０を高速でマスク９面の方から吹
き付けることにより、前記凹部を形成するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板をエッ
チングすることにより凹部を形成し、ダイアフラムとす
る半導体圧力センサのダイアフラムの形成方法に関する
ものである。
チングすることにより凹部を形成し、ダイアフラムとす
る半導体圧力センサのダイアフラムの形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＫＯＨによる異方性エッチングを
用いた半導体圧力センサのダイアフラムの形成方法を図
３に示す。まず、図３（ａ）に示すように、ピエゾ抵
抗、拡散抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶シリ
コン基板１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリコン
窒化膜４を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、
さらにその上にレジスト５を塗布し、適当なマスクを用
いて露光・現像を行うことにより、ダイアフラム形成位
置のレジスト５を除去する。次に、図３（ｃ）に示すよ
うに、前記レジスト５のパターンをマスクとして、ＣＦ
４−Ｈ２系のガスを用いたドライエッチングを行い、ダ
イアフラム形成部分のシリコン酸化膜３及びシリコン窒
化膜４を除去したの後、発煙硝酸等を用いてレジスト５
を除去する。次に、図３（ｄ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１を、７０℃〜８０℃に加熱したＫＯＨ水溶
液８に浸すことにより、単結晶シリコン基板１のむき出
しになった部分６が異方性エッチングされ、ダイアフラ
ム７が形成される。
用いた半導体圧力センサのダイアフラムの形成方法を図
３に示す。まず、図３（ａ）に示すように、ピエゾ抵
抗、拡散抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶シリ
コン基板１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリコン
窒化膜４を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、
さらにその上にレジスト５を塗布し、適当なマスクを用
いて露光・現像を行うことにより、ダイアフラム形成位
置のレジスト５を除去する。次に、図３（ｃ）に示すよ
うに、前記レジスト５のパターンをマスクとして、ＣＦ
４−Ｈ２系のガスを用いたドライエッチングを行い、ダ
イアフラム形成部分のシリコン酸化膜３及びシリコン窒
化膜４を除去したの後、発煙硝酸等を用いてレジスト５
を除去する。次に、図３（ｄ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１を、７０℃〜８０℃に加熱したＫＯＨ水溶
液８に浸すことにより、単結晶シリコン基板１のむき出
しになった部分６が異方性エッチングされ、ダイアフラ
ム７が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなＫＯＨによる異方性エッチングを用いた半導体圧
力センサのダイアフラムの形成方法では、ダイアフラム
７の側壁が大きな順テーパ角を持ち、チップ面積に対し
てダイアフラムの面積が小さくなり、圧力センサとして
の感度が低下してしまう。例えば、面方位１００のシリ
コンウエハを用いた場合、ダイアフラム７の側壁はウエ
ハ面に対して３５．３°の角度を持つ。この場合、感度
を大きくしようとすると、ダイアフラム開口部のマスク
上の寸法を大きく設計しなければならず、チップ面積が
増大しコストアップになってしまう。
ようなＫＯＨによる異方性エッチングを用いた半導体圧
力センサのダイアフラムの形成方法では、ダイアフラム
７の側壁が大きな順テーパ角を持ち、チップ面積に対し
てダイアフラムの面積が小さくなり、圧力センサとして
の感度が低下してしまう。例えば、面方位１００のシリ
コンウエハを用いた場合、ダイアフラム７の側壁はウエ
ハ面に対して３５．３°の角度を持つ。この場合、感度
を大きくしようとすると、ダイアフラム開口部のマスク
上の寸法を大きく設計しなければならず、チップ面積が
増大しコストアップになってしまう。
【０００４】また、ＲＩＥによるシリコンのドライエッ
チングによりダイアフラムを形成する方法は、ダイアフ
ラムの側壁は基板に対して略垂直に立つが、エッチング
レートが１μｍ／分に満たず、１００μｍ以上の深いエ
ッチングが必要となるダイアフラム形成工程に使用する
ことは、スループットの点から現実的でない。
チングによりダイアフラムを形成する方法は、ダイアフ
ラムの側壁は基板に対して略垂直に立つが、エッチング
レートが１μｍ／分に満たず、１００μｍ以上の深いエ
ッチングが必要となるダイアフラム形成工程に使用する
ことは、スループットの点から現実的でない。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、所定の感度を有する半
導体圧力センサを低コストで得ることのできる半導体圧
力センサのダイアフラムの形成方法を提供することにあ
る。
あり、その目的とするところは、所定の感度を有する半
導体圧力センサを低コストで得ることのできる半導体圧
力センサのダイアフラムの形成方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体基板をエッチングすることにより凹部を形成し、
ダイアフラムとする半導体圧力センサのダイアフラム形
成方法において、半導体基板に対して、前記凹部を形成
したい部分のみ開口したマスクを介して、微粒子を高速
でマスク面の方から吹き付けることにより、前記凹部を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
半導体基板をエッチングすることにより凹部を形成し、
ダイアフラムとする半導体圧力センサのダイアフラム形
成方法において、半導体基板に対して、前記凹部を形成
したい部分のみ開口したマスクを介して、微粒子を高速
でマスク面の方から吹き付けることにより、前記凹部を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記微粒子を吹き付ける角度を時間的に変
化させることにより、ダイアフラムの側壁に逆テーパ角
をつけるようにしたことを特徴とするものである。
明において、前記微粒子を吹き付ける角度を時間的に変
化させることにより、ダイアフラムの側壁に逆テーパ角
をつけるようにしたことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形
態に係る半導体圧力センサのダイアフラム形成方法を示
す工程図である。まず、図１（ａ）に示すように、ピエ
ゾ抵抗、拡散抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶
シリコン基板１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリ
コン窒化膜４を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、単結晶シリコン基板１の裏面（不純物拡散層２の形
成していない面）に、感光性ドライフィルム９をラミネ
ートし、適当なマスクを用いて露光・現像を行うことに
より、感光性ドライフィルム９のダイアフラム形成位置
の部分を除去する。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形
態に係る半導体圧力センサのダイアフラム形成方法を示
す工程図である。まず、図１（ａ）に示すように、ピエ
ゾ抵抗、拡散抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶
シリコン基板１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリ
コン窒化膜４を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、単結晶シリコン基板１の裏面（不純物拡散層２の形
成していない面）に、感光性ドライフィルム９をラミネ
ートし、適当なマスクを用いて露光・現像を行うことに
より、感光性ドライフィルム９のダイアフラム形成位置
の部分を除去する。
【０００９】次に、図１（ｃ）に示すように、感光性ド
ライフィルム９のパターンをマスクとして、サンドブラ
スター（図示せず）により、シリコンカーバイドやアル
ミナ等の微粒子１０を、高圧エアーとともに、単結晶シ
リコン基板１の裏面に吹き付け凹部を形成することによ
りダイアフラム１１を形成する。
ライフィルム９のパターンをマスクとして、サンドブラ
スター（図示せず）により、シリコンカーバイドやアル
ミナ等の微粒子１０を、高圧エアーとともに、単結晶シ
リコン基板１の裏面に吹き付け凹部を形成することによ
りダイアフラム１１を形成する。
【００１０】本実施形態によれば、ダイアフラム１１の
側壁は、単結晶シリコン基板１に対して垂直に近い角度
で立ち上がり、一定の感度を有する半導体圧力センサが
低コストで製造できる。また、エッチングレートは２０
μｍ／分程度と大きく、生産性にも優れている。さら
に、シリコン酸化膜３及びシリコン窒化膜４も微粒子１
０の吹き付けの１回の工程でエッチングされるので、工
程の削減がなされる。
側壁は、単結晶シリコン基板１に対して垂直に近い角度
で立ち上がり、一定の感度を有する半導体圧力センサが
低コストで製造できる。また、エッチングレートは２０
μｍ／分程度と大きく、生産性にも優れている。さら
に、シリコン酸化膜３及びシリコン窒化膜４も微粒子１
０の吹き付けの１回の工程でエッチングされるので、工
程の削減がなされる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施形態に係る半導
体圧力センサのダイアフラム形成方法を示す工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ピエゾ抵抗、拡散
抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶シリコン基板
１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリコン窒化膜４
を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１の裏面（不純物拡散層２の形成していない
面）に、感光性ドライフィルム９をラミネートし、適当
なマスクを用いて露光・現像を行うことにより、感光性
ドライフィルム９のダイアフラム形成位置の部分を除去
する。
体圧力センサのダイアフラム形成方法を示す工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ピエゾ抵抗、拡散
抵抗等の不純物拡散層２を形成した単結晶シリコン基板
１の両面に、シリコン酸化膜３、及びシリコン窒化膜４
を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１の裏面（不純物拡散層２の形成していない
面）に、感光性ドライフィルム９をラミネートし、適当
なマスクを用いて露光・現像を行うことにより、感光性
ドライフィルム９のダイアフラム形成位置の部分を除去
する。
【００１２】次に、図２（ｃ）に示すように、感光性ド
ライフィルム９のパターンをマスクとして、サンドブラ
スター（図示せず）により、シリコンカーバイドやアル
ミナ等の微粒子１０を、高圧エアーとともに、単結晶シ
リコン基板１の裏面に吹き付け凹部を形成することによ
りダイアフラム１１を形成する。本実施形態では、ここ
で、サンドブラスターのノズル（図示せず）を単結晶シ
リコン基板１に対して所定角度傾けることにより、微粒
子１０が単結晶シリコン基板１に対して所定角度を持っ
て吹き付けられるようにしている。さらに、単結晶シリ
コン基板１自体を回転させることにより、微粒子１０が
吹き付けられる角度が時間的に変化するようにすること
により、図２（ｄ）に示すように、ダイアフラム１２の
側壁は全体的に逆テーパを持つようになる。
ライフィルム９のパターンをマスクとして、サンドブラ
スター（図示せず）により、シリコンカーバイドやアル
ミナ等の微粒子１０を、高圧エアーとともに、単結晶シ
リコン基板１の裏面に吹き付け凹部を形成することによ
りダイアフラム１１を形成する。本実施形態では、ここ
で、サンドブラスターのノズル（図示せず）を単結晶シ
リコン基板１に対して所定角度傾けることにより、微粒
子１０が単結晶シリコン基板１に対して所定角度を持っ
て吹き付けられるようにしている。さらに、単結晶シリ
コン基板１自体を回転させることにより、微粒子１０が
吹き付けられる角度が時間的に変化するようにすること
により、図２（ｄ）に示すように、ダイアフラム１２の
側壁は全体的に逆テーパを持つようになる。
【００１３】本実施形態によれば、ダイアフラム１２の
側壁が逆テーパを持つので、チップ面積に占めるダイア
フラム１２の面積の割合がさらに大きくなり、さらに、
感度向上とコスト低減を図ることができる。
側壁が逆テーパを持つので、チップ面積に占めるダイア
フラム１２の面積の割合がさらに大きくなり、さらに、
感度向上とコスト低減を図ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、半導体基板をエッチングすることにより凹部を形
成し、ダイアフラムとする半導体圧力センサのダイアフ
ラム形成方法において、半導体基板に対して、前記凹部
を形成したい部分のみ開口したマスクを介して、微粒子
を高速でマスク面の方から吹き付けることにより、前記
凹部を形成するようにしたので、ダイアフラムの側壁
は、半導体基板に対して垂直に近い角度で立ち上がり、
一定の感度を有する半導体圧力センサが低コストで製造
でき、また、エッチングレートが大きく、生産性にも優
れている。さらに、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜
も微粒子の吹き付けの１回の工程でエッチングされるの
で、工程の削減がなされる。
れば、半導体基板をエッチングすることにより凹部を形
成し、ダイアフラムとする半導体圧力センサのダイアフ
ラム形成方法において、半導体基板に対して、前記凹部
を形成したい部分のみ開口したマスクを介して、微粒子
を高速でマスク面の方から吹き付けることにより、前記
凹部を形成するようにしたので、ダイアフラムの側壁
は、半導体基板に対して垂直に近い角度で立ち上がり、
一定の感度を有する半導体圧力センサが低コストで製造
でき、また、エッチングレートが大きく、生産性にも優
れている。さらに、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜
も微粒子の吹き付けの１回の工程でエッチングされるの
で、工程の削減がなされる。
【００１５】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明において、前記微粒子を吹き付ける角度を時間
的に変化させることにより、ダイアフラムの側壁に逆テ
ーパ角をつけるようにすれば、ダイアフラムの側壁が逆
テーパを持ち、チップ面積に占めるダイアフラムの面積
の割合がさらに大きくなり、さらに、感度向上とコスト
低減を図ることができる。
載の発明において、前記微粒子を吹き付ける角度を時間
的に変化させることにより、ダイアフラムの側壁に逆テ
ーパ角をつけるようにすれば、ダイアフラムの側壁が逆
テーパを持ち、チップ面積に占めるダイアフラムの面積
の割合がさらに大きくなり、さらに、感度向上とコスト
低減を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体圧力セン
サのダイアフラム形成方法を示す工程図である。
サのダイアフラム形成方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体圧力セン
サのダイアフラム形成方法を示す工程図である。
サのダイアフラム形成方法を示す工程図である。
【図３】従来例に係る半導体圧力センサのダイアフラム
形成方法を示す工程図である。
形成方法を示す工程図である。
１ 単結晶シリコン基板 ２ 不純物拡散層 ３ シリコン酸化膜 ４ シリコン窒化膜 ５ レジスト ６ むき出しになった部分 ７ ダイアフラム ８ ＫＯＨ水溶液 ９ 感光性ドライフィルム １０ 微粒子 １１ ダイアフラム １２ ダイアフラム
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板をエッチングすることにより
凹部を形成し、ダイアフラムとする半導体圧力センサの
ダイアフラム形成方法において、半導体基板に対して、
前記凹部を形成したい部分のみ開口したマスクを介し
て、微粒子を高速でマスク面の方から吹き付けることに
より、前記凹部を形成するようにしたことを特徴とする
半導体圧力センサのダイアフラム形成方法。 - 【請求項２】 前記微粒子を吹き付ける角度を時間的に
変化させることにより、ダイアフラムの側壁に逆テーパ
角をつけるようにしたことを特徴とする請求項１記載の
半導体圧力センサのダイアフラム形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11913098A JPH11311579A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体圧力センサのダイアフラム形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11913098A JPH11311579A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体圧力センサのダイアフラム形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11311579A true JPH11311579A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14753691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11913098A Pending JPH11311579A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体圧力センサのダイアフラム形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11311579A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005214668A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2006010537A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Saginomiya Seisakusho Inc | 薬液用圧力センサ |
| JP2007017254A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JP2009506323A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-02-12 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 圧力センサ及び製造方法 |
| JP2010256281A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yamatake Corp | 圧力センサ及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP11913098A patent/JPH11311579A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005214668A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2006010537A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Saginomiya Seisakusho Inc | 薬液用圧力センサ |
| JP2007017254A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JP2009506323A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-02-12 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 圧力センサ及び製造方法 |
| JP2010256281A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yamatake Corp | 圧力センサ及びその製造方法 |
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