JPH06140714A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH06140714A JPH06140714A JP29103992A JP29103992A JPH06140714A JP H06140714 A JPH06140714 A JP H06140714A JP 29103992 A JP29103992 A JP 29103992A JP 29103992 A JP29103992 A JP 29103992A JP H06140714 A JPH06140714 A JP H06140714A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3077—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure plane dependent doping
- H01S5/3081—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure plane dependent doping using amphoteric doping
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体発光装置、特に、可視光領域半導体レ
ーザに関し、より簡便な方法で製造できる半導体発光装
置を提供する。 【構成】 ２つのクラッド層に挟まれた発光活性領域層
を有するダブルヘテロ構造をもち、このダブルヘテロ構
造が、平坦な（１００）主面上に部分的に（ｈ１１）Ａ
面（ｈ≧１）斜面が形成された基板の上に形成され、こ
の基板上に形成されたｎ型クラッド層に酸素とｎ型不純
物であるＳｉが同時にドープされて、ｎ型クラッド層の
主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低くされて
いる。またこの場合、酸素とｐ型不純物であるＺｎまた
はＭｇを同時にドープして、ｐ型クラッド層の主面上の
正孔濃度を斜面上の正孔濃度よりも低くし、また、斜面
に（ｈ１１）Ｂ面（ｈ≧１）が現れている基板を用い、
酸素とｐ型不純物であるＺｎを同時にドープしてｐ型ク
ラッド層の主面上の正孔濃度を斜面の正孔濃度より高く
することができる。
ーザに関し、より簡便な方法で製造できる半導体発光装
置を提供する。 【構成】 ２つのクラッド層に挟まれた発光活性領域層
を有するダブルヘテロ構造をもち、このダブルヘテロ構
造が、平坦な（１００）主面上に部分的に（ｈ１１）Ａ
面（ｈ≧１）斜面が形成された基板の上に形成され、こ
の基板上に形成されたｎ型クラッド層に酸素とｎ型不純
物であるＳｉが同時にドープされて、ｎ型クラッド層の
主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低くされて
いる。またこの場合、酸素とｐ型不純物であるＺｎまた
はＭｇを同時にドープして、ｐ型クラッド層の主面上の
正孔濃度を斜面上の正孔濃度よりも低くし、また、斜面
に（ｈ１１）Ｂ面（ｈ≧１）が現れている基板を用い、
酸素とｐ型不純物であるＺｎを同時にドープしてｐ型ク
ラッド層の主面上の正孔濃度を斜面の正孔濃度より高く
することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置、特
に、波長６００〜８００ｎｍ帯の可視光領域半導体レー
ザに関する。近年、高密度情報記録用光ディスクの読み
取り、書込み用光源、ＰＯＳ用光源、プリンタ用光源等
として、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた可視光レーザ等
の半導体発光装置の要求が高まっている。
に、波長６００〜８００ｎｍ帯の可視光領域半導体レー
ザに関する。近年、高密度情報記録用光ディスクの読み
取り、書込み用光源、ＰＯＳ用光源、プリンタ用光源等
として、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた可視光レーザ等
の半導体発光装置の要求が高まっている。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来の最も一般的な可視光レ
ーザの構成説明図である。この構造の可視光レーザは、
ロスガイド型と呼ばれる屈折率導波型のレーザである。
この図において、１１はＧａＡｓ基板、１２はｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層、１３はＧａＩｎＰ活性層、１４
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１５はｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層、１６はｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、１７はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層である。
ーザの構成説明図である。この構造の可視光レーザは、
ロスガイド型と呼ばれる屈折率導波型のレーザである。
この図において、１１はＧａＡｓ基板、１２はｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層、１３はＧａＩｎＰ活性層、１４
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１５はｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層、１６はｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、１７はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層である。
【０００３】この従来の可視光レーザは、ＧａＡｓ基板
１１の平坦な（１００）面の上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１２、ＧａＩｎＰ活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４からなるＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎ
Ｐダブルヘテロ（ＤＨ）構造、および、ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層１５を連続的に成長し（第１回目の成長）、ｐ型
ＧａＩｎＰ中間層１５の上に＜０１−１＞方向（この
「−１」は通常は「１」の上にバーを付して表現するも
のを意味する）のＳｉＯ2 ストライプ形成し、このＳｉ
Ｏ2 ストライプをマスクにして、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の一部を選択
的にエッチング除去してリッジ型構造を形成し、リッジ
型構造の上のＳｉＯ2 ストライプをマスクにしてｎ型Ｇ
ａＡｓ電流阻止層１６を成長し（第２回目の成長）、こ
のＳｉＯ2 ストライプを除去し、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１５とｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１６の上に、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１７を成長する（第３回目の成長）こと
によって構成される。
１１の平坦な（１００）面の上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１２、ＧａＩｎＰ活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４からなるＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎ
Ｐダブルヘテロ（ＤＨ）構造、および、ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層１５を連続的に成長し（第１回目の成長）、ｐ型
ＧａＩｎＰ中間層１５の上に＜０１−１＞方向（この
「−１」は通常は「１」の上にバーを付して表現するも
のを意味する）のＳｉＯ2 ストライプ形成し、このＳｉ
Ｏ2 ストライプをマスクにして、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の一部を選択
的にエッチング除去してリッジ型構造を形成し、リッジ
型構造の上のＳｉＯ2 ストライプをマスクにしてｎ型Ｇ
ａＡｓ電流阻止層１６を成長し（第２回目の成長）、こ
のＳｉＯ2 ストライプを除去し、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１５とｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１６の上に、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１７を成長する（第３回目の成長）こと
によって構成される。
【０００４】このようにして構成された従来の可視光レ
ーザは、比較的容易に良好な特性が得られるという長所
を有している。
ーザは、比較的容易に良好な特性が得られるという長所
を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の可視光レー
ザは、前記のように、比較的容易に良好な特性が得られ
るという長所があるが、結晶成長が３回にもわたるとい
う煩雑さがある。したがって、本発明は、より簡便な方
法で製造できる可視光の半導体発光装置を提供すること
を目的とする。
ザは、前記のように、比較的容易に良好な特性が得られ
るという長所があるが、結晶成長が３回にもわたるとい
う煩雑さがある。したがって、本発明は、より簡便な方
法で製造できる可視光の半導体発光装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体発
光装置においては、第１および第２クラッド層と、該第
１クラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域
層とを有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ
構造が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板
の上に形成されており、該基板の主面方位が（１００）
面で、該斜面に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れてお
り、該基板上に形成されたｎ型クラッド層に酸素とｎ型
不純物であるＳｉが同時にドープされて、該ｎ型クラッ
ド層の主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低く
なっている構成を採用した。
光装置においては、第１および第２クラッド層と、該第
１クラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域
層とを有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ
構造が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板
の上に形成されており、該基板の主面方位が（１００）
面で、該斜面に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れてお
り、該基板上に形成されたｎ型クラッド層に酸素とｎ型
不純物であるＳｉが同時にドープされて、該ｎ型クラッ
ド層の主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低く
なっている構成を採用した。
【０００７】この場合、主面方位が（１００）で、斜面
に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れている基板上に形成
されたｐ型クラッド層に、酸素とｐ型不純物であるＺｎ
またはＭｇを同時にドープして、ｐ型クラッド層の主面
上の正孔濃度を斜面上の正孔濃度よりも低くすることが
でき、また、主面方位が（１００）面で、斜面に（ｈ１
１）Ｂ面（ｈ≧１）が現れている基板上に形成されたｐ
型クラッド層に酸素とｐ型不純物であるＺｎを同時にド
ープして、ｐ型クラッド層の主面上の正孔濃度を斜面上
の正孔濃度よりも高くすることができる。
に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れている基板上に形成
されたｐ型クラッド層に、酸素とｐ型不純物であるＺｎ
またはＭｇを同時にドープして、ｐ型クラッド層の主面
上の正孔濃度を斜面上の正孔濃度よりも低くすることが
でき、また、主面方位が（１００）面で、斜面に（ｈ１
１）Ｂ面（ｈ≧１）が現れている基板上に形成されたｐ
型クラッド層に酸素とｐ型不純物であるＺｎを同時にド
ープして、ｐ型クラッド層の主面上の正孔濃度を斜面上
の正孔濃度よりも高くすることができる。
【０００８】これらの場合、目的とする発光波長を得る
ために、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層をＡｌＧ
ａＩｎＰで構成し、あるいは、基板をＧａＡｓ、クラッ
ド層、活性層をＡｌＧａＡｓで構成することができる。
ために、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層をＡｌＧ
ａＩｎＰで構成し、あるいは、基板をＧａＡｓ、クラッ
ド層、活性層をＡｌＧａＡｓで構成することができる。
【０００９】
【作用】本発明によると、酸素をドープした半絶縁性の
電流阻止層を、溝、リッジ等の斜面を有する形状基板の
上に選択的に形成して、１回の成長で自己整合的に屈折
率導波型可視光レーザを構成することができる。
電流阻止層を、溝、リッジ等の斜面を有する形状基板の
上に選択的に形成して、１回の成長で自己整合的に屈折
率導波型可視光レーザを構成することができる。
【００１０】図２は、酸素ドーピング量とキャリア濃度
の関係図であり、（Ａ）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ、（Ｂ）
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰに酸素をドープした場合のキャリ
ア濃度を示している。この図から、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
についても、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰについても酸素のドー
ピング量の増加とともに、キャリア濃度が低下し、つい
には結晶が高抵抗化、ないしは半絶縁性化することがわ
かる。
の関係図であり、（Ａ）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ、（Ｂ）
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰに酸素をドープした場合のキャリ
ア濃度を示している。この図から、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
についても、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰについても酸素のドー
ピング量の増加とともに、キャリア濃度が低下し、つい
には結晶が高抵抗化、ないしは半絶縁性化することがわ
かる。
【００１１】これは、先に、本発明の発明者らが明らか
にしたように、酸素がＡｌＧａＩｎＰ中に深い準位をつ
くり、この準位が、電子および正孔をトラップする効果
があるためである（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏ
ｌ．７０，ｐ．４９４６（１９９１）参照）。したがっ
て、酸素ドープ半絶縁性ＡｌＧａＩｎＰはレーザ素子の
電流阻止層として非常に有効である。
にしたように、酸素がＡｌＧａＩｎＰ中に深い準位をつ
くり、この準位が、電子および正孔をトラップする効果
があるためである（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏ
ｌ．７０，ｐ．４９４６（１９９１）参照）。したがっ
て、酸素ドープ半絶縁性ＡｌＧａＩｎＰはレーザ素子の
電流阻止層として非常に有効である。
【００１２】さて、先に、本発明の発明者等は、例えば
可視光レーザを製造するための結晶成長で用いられるＭ
ＯＶＰＥ法では、不純物（Ｓｉ，Ｓｅ，Ｚｎ，Ｍｇ等）
の、結晶への取込み量が面方位に著しく依存することを
明らかにしたが（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，
印刷中）、さらに、最近、酸素の結晶中への取込み量
も、結晶の面方位に著しく依存することを見出した。
可視光レーザを製造するための結晶成長で用いられるＭ
ＯＶＰＥ法では、不純物（Ｓｉ，Ｓｅ，Ｚｎ，Ｍｇ等）
の、結晶への取込み量が面方位に著しく依存することを
明らかにしたが（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，
印刷中）、さらに、最近、酸素の結晶中への取込み量
も、結晶の面方位に著しく依存することを見出した。
【００１３】図３は、ＡｌＧａＩｎＰにおける酸素濃度
の面方位依存特性図である。この図は、ＡｌＧａＩｎＰ
基板に酸素をドープした場合の、基板の（１００）面か
らの傾斜角（度）と、（１００）面の酸素濃度を１とし
て規格化された酸素濃度の関係を表している。なお、
（１１１）Ａ面方向データでは、ＳＩＭＳの検出限界の
ため、減少の程度が少なく見えているが、酸素に起因し
た深い準位密度の測定から実際には点線で示すように減
少していると考えられる（１９９２年固体素子コンファ
レンスアブストラクトｐ．３００参照）。
の面方位依存特性図である。この図は、ＡｌＧａＩｎＰ
基板に酸素をドープした場合の、基板の（１００）面か
らの傾斜角（度）と、（１００）面の酸素濃度を１とし
て規格化された酸素濃度の関係を表している。なお、
（１１１）Ａ面方向データでは、ＳＩＭＳの検出限界の
ため、減少の程度が少なく見えているが、酸素に起因し
た深い準位密度の測定から実際には点線で示すように減
少していると考えられる（１９９２年固体素子コンファ
レンスアブストラクトｐ．３００参照）。
【００１４】この図から、酸素濃度は（１００）面の酸
素濃度を基準にすると、（１１１）Ａ面方向への基板の
傾斜角が大きくなると著しく減少し、（１１１）Ｂ方向
への基板の傾斜角によっては大きく変化しないことがわ
かる。これは、他のＶＩ族不純物（Ｓｅ，Ｓ，Ｔｅ）等
をドープする場合の基板の傾斜角と取込み量の関係と同
様の特性である。
素濃度を基準にすると、（１１１）Ａ面方向への基板の
傾斜角が大きくなると著しく減少し、（１１１）Ｂ方向
への基板の傾斜角によっては大きく変化しないことがわ
かる。これは、他のＶＩ族不純物（Ｓｅ，Ｓ，Ｔｅ）等
をドープする場合の基板の傾斜角と取込み量の関係と同
様の特性である。
【００１５】また、他の不純物についても、不純物の取
込み量が基板の傾斜角に依存することが知られている。
その例を、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｍｇについて以下検討する。
込み量が基板の傾斜角に依存することが知られている。
その例を、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｍｇについて以下検討する。
【００１６】図４は、ＡｌＧａＩｎＰにおけるＳｉ濃度
の面方位依存特性図である。この図は、ＡｌＧａＩｎＰ
基板にシリコン（Ｓｉ）をドープした場合の、基板の
（１００）面からの傾斜角（度）と、相対的シリコン濃
度と相対的キャリア濃度の関係を表している。
の面方位依存特性図である。この図は、ＡｌＧａＩｎＰ
基板にシリコン（Ｓｉ）をドープした場合の、基板の
（１００）面からの傾斜角（度）と、相対的シリコン濃
度と相対的キャリア濃度の関係を表している。
【００１７】この図には、ＳｉＨ4 を用いてシリコンを
ドープした場合と、Ｓｉ2 Ｈ6 を用いてシリコンをドー
プした場合を、成長温度が６９０℃である場合と７３０
℃である場合について示されている。この図から、相対
的Ｓｉ濃度、相対的キャリア濃度ともに、面方位依存性
がほとんど存在しないことがわかる。
ドープした場合と、Ｓｉ2 Ｈ6 を用いてシリコンをドー
プした場合を、成長温度が６９０℃である場合と７３０
℃である場合について示されている。この図から、相対
的Ｓｉ濃度、相対的キャリア濃度ともに、面方位依存性
がほとんど存在しないことがわかる。
【００１８】図５は、ＡｌＧａＩｎＰにおけるＺｎおよ
びＭｇ濃度の面方位依存特性図である。この図は、Ａｌ
ＧａＩｎＰ基板にＺｎおよびＭｇをドープした場合の、
基板の（１００）面からの傾斜角（度）と、Ｚｎおよび
Ｍｇの濃度と、キャリア濃度の関係を表している。
びＭｇ濃度の面方位依存特性図である。この図は、Ａｌ
ＧａＩｎＰ基板にＺｎおよびＭｇをドープした場合の、
基板の（１００）面からの傾斜角（度）と、Ｚｎおよび
Ｍｇの濃度と、キャリア濃度の関係を表している。
【００１９】この図から、Ｚｎ，Ｍｇともに、（１０
０）面から（１１１）Ａ面方向への基板の傾斜角が（３
１１）面まで大きくなると著しく増大し、（１１１）Ｂ
方向への基板の傾斜角によっては大きく変化しないこと
がわかる。したがって、酸素と他の不純物を、同時にド
ープすることにより、酸素と、他の不純物の取込み量の
面方位依存性の差を利用して、形状基板上のクラッド層
中に部分的に発光活性領域層と電流阻止層を作り込むこ
とができる。
０）面から（１１１）Ａ面方向への基板の傾斜角が（３
１１）面まで大きくなると著しく増大し、（１１１）Ｂ
方向への基板の傾斜角によっては大きく変化しないこと
がわかる。したがって、酸素と他の不純物を、同時にド
ープすることにより、酸素と、他の不純物の取込み量の
面方位依存性の差を利用して、形状基板上のクラッド層
中に部分的に発光活性領域層と電流阻止層を作り込むこ
とができる。
【００２０】図６は、酸素と不純物の同時ドープによる
電流阻止層形成方法原理説明図（１）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｎ型不純物であるＳｉと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｎ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
電流阻止層形成方法原理説明図（１）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｎ型不純物であるＳｉと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｎ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
【００２１】この原理を用いると、第１および第２クラ
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、この基板
の主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ａ
面（ｈ≧１）が現れており、ｎ型クラッド層の斜面上の
電子濃度よりも、主面上の電子濃度の方が低くなってい
る、斜面上に発光活性領域層を有する半導体発光装置を
構成することができる。
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、この基板
の主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ａ
面（ｈ≧１）が現れており、ｎ型クラッド層の斜面上の
電子濃度よりも、主面上の電子濃度の方が低くなってい
る、斜面上に発光活性領域層を有する半導体発光装置を
構成することができる。
【００２２】図７は、酸素と不純物の同時ドープによる
電流阻止層形成方法原理説明図（２）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し，（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＺｎと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｐ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
電流阻止層形成方法原理説明図（２）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し，（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＺｎと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｐ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
【００２３】この原理を用いると、第１および第２クラ
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、該基板の
主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ａ面
（ｈ≧１）が現れており、ｐ型クラッド層の斜面上の正
孔濃度よりも、主面上の正孔濃度の方が低くなってい
る、斜面に発光活性領域層を有する半導体発光装置を構
成することができる。
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、該基板の
主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ａ面
（ｈ≧１）が現れており、ｐ型クラッド層の斜面上の正
孔濃度よりも、主面上の正孔濃度の方が低くなってい
る、斜面に発光活性領域層を有する半導体発光装置を構
成することができる。
【００２４】図８は、酸素と不純物の同時ドープによる
電流阻止層形成方法原理説明図（３）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＭｇと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｐ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
電流阻止層形成方法原理説明図（３）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ａ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＭｇと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、斜面にｐ型領域を形成し、主面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
【００２５】この原理を用いると、前記図７の原理によ
る場合と同様に、第１および第２クラッド層と、この第
１クラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域
層とを有するダブルヘテロ構造をもち、このダブルヘテ
ロ構造が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基
板の上に形成されており、該基板の主面方位が（１０
０）面で、この斜面（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れて
おり、ｐ型クラッド層の斜面上の正孔濃度よりも、主面
上の正孔濃度の方が低くなっている、斜面に発光活性領
域層を有する半導体発光装置を構成することができる。
る場合と同様に、第１および第２クラッド層と、この第
１クラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域
層とを有するダブルヘテロ構造をもち、このダブルヘテ
ロ構造が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基
板の上に形成されており、該基板の主面方位が（１０
０）面で、この斜面（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れて
おり、ｐ型クラッド層の斜面上の正孔濃度よりも、主面
上の正孔濃度の方が低くなっている、斜面に発光活性領
域層を有する半導体発光装置を構成することができる。
【００２６】図９は、酸素と不純物の同時ドープによる
電流阻止層形成方法原理説明図（４）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ｂ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＭｇと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、主面にｐ型領域を形成し、斜面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
電流阻止層形成方法原理説明図（４）であり、（Ａ）は
クラッド層の断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の
関係を概略的に示している。この電流阻止層形成方法に
よると、（１００）面を主面とし、（ｈ１１）Ｂ面（ｈ
≧１）を斜面とする基板上に、ｐ型不純物であるＭｇと
酸素を同時にドープしながらクラッド層を成長すること
によって、主面にｐ型領域を形成し、斜面に半絶縁性の
酸素濃度が高い領域（Ｓ．Ｉ）を形成することができ
る。
【００２７】この原理を用いると、第１および第２クラ
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、該基板の
主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ｂ面
（ｈ≧１）が現れており、ｐ型クラッド層の斜面上の正
孔濃度よりも、主面上の正孔濃度の方が高くなってい
る、主面に発光活性領域層を有する半導体発光装置を構
成することができる。
ッド層と、この第１クラッド層と第２クラッド層に挟ま
れた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をも
ち、このダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に
斜面が形成された基板の上に形成されており、該基板の
主面方位が（１００）面で、この斜面に（ｈ１１）Ｂ面
（ｈ≧１）が現れており、ｐ型クラッド層の斜面上の正
孔濃度よりも、主面上の正孔濃度の方が高くなってい
る、主面に発光活性領域層を有する半導体発光装置を構
成することができる。
【００２８】上記の実施例において、所望の発光波長に
応じ、５５０〜７００ｎｍの半導体発光装置に対して
は、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層をＡｌＧａＩ
ｎＰで構成し、また、７５０〜８５０ｎｍの半導体発光
装置に対しては、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層
をＡｌＧａＡｓで構成することができる。
応じ、５５０〜７００ｎｍの半導体発光装置に対して
は、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層をＡｌＧａＩ
ｎＰで構成し、また、７５０〜８５０ｎｍの半導体発光
装置に対しては、基板をＧａＡｓ、クラッド層、活性層
をＡｌＧａＡｓで構成することができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。図１
は、本発明の一実施例の半導体発光装置の構成説明図で
ある。この実施例の半導体発光装置は、本発明を、先に
提案した（３１１）Ａ斜面に発光領域を有する斜面レー
ザ（特願平４−１３２３０４号明細書参照）に適用した
場合を示している。
は、本発明の一実施例の半導体発光装置の構成説明図で
ある。この実施例の半導体発光装置は、本発明を、先に
提案した（３１１）Ａ斜面に発光領域を有する斜面レー
ザ（特願平４−１３２３０４号明細書参照）に適用した
場合を示している。
【００３０】この図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、
２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層、４1 はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４
2 はＳ．Ｉ−ＡｌＧａＩｎＰ電流阻止層、５はＧａＩｎ
Ｐ活性層、６はｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７1 は
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７2 はｎ−ＡｌＧａＩ
ｎＰ電流阻止層、８はｐ−ＧａＩｎＰ中間層、９はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層である。
２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層、４1 はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４
2 はＳ．Ｉ−ＡｌＧａＩｎＰ電流阻止層、５はＧａＩｎ
Ｐ活性層、６はｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７1 は
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７2 はｎ−ＡｌＧａＩ
ｎＰ電流阻止層、８はｐ−ＧａＩｎＰ中間層、９はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層である。
【００３１】この実施例の半導体発光装置の構成の説明
を兼ねて、その製造方法の一例を説明する。
を兼ねて、その製造方法の一例を説明する。
【００３２】（１）（１００）面または（１００）面か
ら６°（１１１）Ａ面側に傾斜した主面を有するｎ−Ｇ
ａＡｓ基板（Ｓｉドープ）１を選択的にエッチングする
ことによって、（３１１）Ａ面を有する斜面を形成す
る。
ら６°（１１１）Ａ面側に傾斜した主面を有するｎ−Ｇ
ａＡｓ基板（Ｓｉドープ）１を選択的にエッチングする
ことによって、（３１１）Ａ面を有する斜面を形成す
る。
【００３３】（２）その上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層
（Ｓｉドープ、不純物濃度ｎ＝１×１０18ｃｍ-3、層厚
０．５μｍ）２と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（Ｓ
ｉドープ、ｎ＝５×１０17ｃｍ-3，１〜２μｍ）３を成
長し、その上に、ＳｉとＯを同時にドープしてＡｌＧａ
ＩｎＰ層を成長し、斜面の上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層（Ｓｉドープ、ｎ＝５×１０17ｃｍ-3，１〜２μ
ｍ）４1 を形成し、主面の上にＳ．Ｉ−ＡｌＧａＩｎＰ
電流阻止層（Ｏドープ）４2 を形成する。
（Ｓｉドープ、不純物濃度ｎ＝１×１０18ｃｍ-3、層厚
０．５μｍ）２と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（Ｓ
ｉドープ、ｎ＝５×１０17ｃｍ-3，１〜２μｍ）３を成
長し、その上に、ＳｉとＯを同時にドープしてＡｌＧａ
ＩｎＰ層を成長し、斜面の上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層（Ｓｉドープ、ｎ＝５×１０17ｃｍ-3，１〜２μ
ｍ）４1 を形成し、主面の上にＳ．Ｉ−ＡｌＧａＩｎＰ
電流阻止層（Ｏドープ）４2 を形成する。
【００３４】（３）その上に、ＧａＩｎＰ活性層（アン
ドープ、０．０１５〜０．１μｍ）５、ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃｍ-3，
０．５μｍ）６を形成する。
ドープ、０．０１５〜０．１μｍ）５、ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃｍ-3，
０．５μｍ）６を形成する。
【００３５】（４）その上に、ＺｎとＳｅを同時にドー
プしてＡｌＧａＩｎＰ層を成長し、斜面の上にｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃ
ｍ-3，０．５μｍ）７1 を形成し、主面の上にｎ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流阻止層（Ｓｅドープ、ｎ＝５×１０17ｃ
ｍ-3，１〜１．５μｍ）を形成する。
プしてＡｌＧａＩｎＰ層を成長し、斜面の上にｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃ
ｍ-3，０．５μｍ）７1 を形成し、主面の上にｎ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流阻止層（Ｓｅドープ、ｎ＝５×１０17ｃ
ｍ-3，１〜１．５μｍ）を形成する。
【００３６】（５）その上に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層７1 と後に形成するｐ−ＧａＡｓコンタクト層９
の間に生じる電位のスパイクを低減するためのｐ−Ｇａ
ＩｎＰ中間層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃｍ-3，
０．１μｍ）８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドー
プ、ｐ＝１×１０19ｃｍ-3，５μｍ）９を形成する。
ッド層７1 と後に形成するｐ−ＧａＡｓコンタクト層９
の間に生じる電位のスパイクを低減するためのｐ−Ｇａ
ＩｎＰ中間層（Ｚｎドープ、ｐ＝１×１０18ｃｍ-3，
０．１μｍ）８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドー
プ、ｐ＝１×１０19ｃｍ-3，５μｍ）９を形成する。
【００３７】本発明、特にこの実施例においては、半導
体層のエピタキシャル成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用
い、半導体原料には、トリメチルインイジウム（ＴＭ
Ｉ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用い、ｎ型不純物とし
て用いるシリコンの原料にはシラン（ＳｉＨ4 ）また
は、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）を用い、ｐ型不純物として
用いるＭｇの原料にはシクロペンタジフェニルマグネシ
ウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を、Ｚｎの原料にはジメチル亜鉛
（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛等を用いることができる。
Ｓｅの原料にはセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を用いる。
体層のエピタキシャル成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用
い、半導体原料には、トリメチルインイジウム（ＴＭ
Ｉ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用い、ｎ型不純物とし
て用いるシリコンの原料にはシラン（ＳｉＨ4 ）また
は、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）を用い、ｐ型不純物として
用いるＭｇの原料にはシクロペンタジフェニルマグネシ
ウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を、Ｚｎの原料にはジメチル亜鉛
（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛等を用いることができる。
Ｓｅの原料にはセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を用いる。
【００３８】また、酸素の原料には水素で希釈した酸素
ガス、または、（ＣＨ3 ）2 ＡｌＯ（ＣＨ3 ）等の酸素
を含んだ有機金属Ａｌ原料を用いることができる。そし
てまた、キャリアガスには水素を用いることができる。
なお、成長温度は６７０℃〜７３０℃、圧力は５０〜７
６ｔｏｒｒ、キャリアガス流量は５〜９ＬＭである。
ガス、または、（ＣＨ3 ）2 ＡｌＯ（ＣＨ3 ）等の酸素
を含んだ有機金属Ａｌ原料を用いることができる。そし
てまた、キャリアガスには水素を用いることができる。
なお、成長温度は６７０℃〜７３０℃、圧力は５０〜７
６ｔｏｒｒ、キャリアガス流量は５〜９ＬＭである。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
結晶成長回数が少なく、簡便な方法で製造できる波長６
００〜８００ｎｍ帯の可視光半導体発光装置を提供する
ことができ、高密度情報記録用光ディスクの読み取り、
書込み用光源、ＰＯＳ用光源、プリンタ用光源等に係わ
る技術分野において寄与するところが大きい。
結晶成長回数が少なく、簡便な方法で製造できる波長６
００〜８００ｎｍ帯の可視光半導体発光装置を提供する
ことができ、高密度情報記録用光ディスクの読み取り、
書込み用光源、ＰＯＳ用光源、プリンタ用光源等に係わ
る技術分野において寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体発光装置の構成説明
図である。
図である。
【図２】酸素ドーピング量とキャリア濃度の関係図であ
り、（Ａ）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ、（Ｂ）はｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰに酸素をドーピングした場合のキャリア濃度を
示している。
り、（Ａ）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ、（Ｂ）はｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰに酸素をドーピングした場合のキャリア濃度を
示している。
【図３】ＡｌＧａＩｎＰにおける酸素濃度の面方位依存
特性図である。
特性図である。
【図４】ＡｌＧａＩｎＰにおけるＳｉ濃度の面方位依存
特性図である。
特性図である。
【図５】ＡｌＧａＩｎＰにおけるＺｎおよびＭｇ濃度の
面方位依存特性図である。
面方位依存特性図である。
【図６】酸素と不純物の同時ドープによる電流阻止層形
成方法原理説明図（１）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
成方法原理説明図（１）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
【図７】酸素と不純物の同時ドープによる電流阻止層形
成方法原理説明図（２）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
成方法原理説明図（２）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
【図８】酸素と不純物の同時ドープによる電流阻止層形
成方法原理説明図（３）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
成方法原理説明図（３）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
【図９】酸素と不純物の同時ドープによる電流阻止層形
成方法原理説明図（４）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
成方法原理説明図（４）であり、（Ａ）はクラッド層の
断面を示し、（Ｂ）は基板の方位と濃度の関係を概略的
に示している。
【図１０】従来の最も一般的な可視光レーザの構成説明
図である。
図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４1 ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４2 Ｓ．Ｉ−ＡｌＧａＩｎＰ電流阻止層 ５ ＧａＩｎＰ活性層 ６ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ７1 ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ７2 ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ電流阻止層 ８ ｐ−ＧａＩｎＰ中間層 ９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １１ ＧａＡｓ基板 １２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １３ ＧａＩｎＰ活性層 １４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １５ ｐ型ＧａＩｎＰ中間層 １６ ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層 １７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
Claims (6)
- 【請求項１】 第１および第２クラッド層と、該第１ク
ラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域層と
を有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ構造
が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板の上
に形成されており、該基板の主面方位が（１００）面
で、該斜面に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れており、
該基板上に形成されたｎ型クラッド層に酸素とｎ型不純
物であるＳｉが同時にドープされて、該ｎ型クラッド層
の主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低くなっ
ていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 第１および第２クラッド層と、該第１ク
ラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域層と
を有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ構造
が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板の上
に形成されており、該基板の主面方位が（１００）面
で、該斜面に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れており、
該基板上に形成されたｐ型クラッド層に酸素とｐ型不純
物であるＺｎが同時にドープされて、該ｐ型クラッド層
の主面上の正孔濃度が斜面上の正孔濃度よりも低くなっ
ていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】 第１および第２クラッド層と、該第１ク
ラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域層と
を有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ構造
が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板の上
に形成されており、該基板の主面方位が（１００）面
で、該斜面に（ｈ１１）Ａ面（ｈ≧１）が現れており、
該基板上に形成されたｐ型クラッド層に酸素とｐ型不純
物であるＭｇが同時にドープされて、該ｐ型クラッド層
の主面上の正孔濃度が斜面上の正孔濃度よりも低くなっ
ていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項４】 第１および第２クラッド層と、該第１ク
ラッド層と第２クラッド層に挟まれた発光活性領域層と
を有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ構造
が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板の上
に形成されており、該基板の主面方位が（１００）面
で、該斜面に（ｈ１１）Ｂ面（ｈ≧１）が現れており、
該基板上に形成されたｐ型クラッド層に酸素とｐ型不純
物であるＺｎが同時にドーピングされて、該ｐ型クラッ
ド層の主面上の正孔濃度が斜面上の正孔濃度よりも高く
なっていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項５】 基板がＧａＡｓ、クラッド層、活性層が
ＡｌＧａＩｎＰで構成されていることを特徴とする請求
項１から請求項４までのいずれか１項に記載された半導
体発光装置。 - 【請求項６】 基板がＧａＡｓ、クラッド層、活性層が
ＡｌＧａＡｓで構成されていることを特徴とする請求項
１から請求項４までのいずれか１項に記載された半導体
発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29103992A JPH06140714A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29103992A JPH06140714A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140714A true JPH06140714A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17763654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29103992A Withdrawn JPH06140714A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684818A (en) * | 1993-12-28 | 1997-11-04 | Fujitsu Limited | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| CN108336641A (zh) * | 2017-01-20 | 2018-07-27 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种图形衬底半导体激光器及其制备方法 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29103992A patent/JPH06140714A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684818A (en) * | 1993-12-28 | 1997-11-04 | Fujitsu Limited | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| US5799027A (en) * | 1993-12-28 | 1998-08-25 | Fujitsu Limited | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| CN108336641A (zh) * | 2017-01-20 | 2018-07-27 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种图形衬底半导体激光器及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |