JPH06144867A - ガラス膜形成方法 - Google Patents
ガラス膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06144867A JPH06144867A JP29707192A JP29707192A JPH06144867A JP H06144867 A JPH06144867 A JP H06144867A JP 29707192 A JP29707192 A JP 29707192A JP 29707192 A JP29707192 A JP 29707192A JP H06144867 A JPH06144867 A JP H06144867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- glass film
- tablet
- forming
- controlling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 屈折率の面内均一性の良い低損失なコア用ガ
ラス膜を形成し、低損失な光導波路を製造する。 【構成】 屈折率制御用材料を含むＳｉＯ2 タブレット
１，２を電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板６上に
ガラス膜を形成する。タブレット１，２として、粒径が
１μｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形
成されたタブレットを使用する。タブレット１，２は、
屈折率制御用材料およびＳｉ０2 粉末を混合しホットプ
レスにより焼き固めて形成し、その焼結密度は９０％以
上とする。屈折率制御用材料には、Ｔｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａ
ｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物、乃至Ｅｒ、Ｎ
ｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなどの希土類
元素酸化物を少なくとも１種含んだものを使用する。
ラス膜を形成し、低損失な光導波路を製造する。 【構成】 屈折率制御用材料を含むＳｉＯ2 タブレット
１，２を電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板６上に
ガラス膜を形成する。タブレット１，２として、粒径が
１μｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形
成されたタブレットを使用する。タブレット１，２は、
屈折率制御用材料およびＳｉ０2 粉末を混合しホットプ
レスにより焼き固めて形成し、その焼結密度は９０％以
上とする。屈折率制御用材料には、Ｔｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａ
ｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物、乃至Ｅｒ、Ｎ
ｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなどの希土類
元素酸化物を少なくとも１種含んだものを使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光導波路の製造技術に
関し、とくに光の伝搬領域となるコア用のガラス膜を低
損失に形成するための方法及びこの方法によって形成し
た低損失ガラス膜をもとに光導波路を製造する方法に関
するものである。
関し、とくに光の伝搬領域となるコア用のガラス膜を低
損失に形成するための方法及びこの方法によって形成し
た低損失ガラス膜をもとに光導波路を製造する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまで、本発明者らは、光導波路のコ
ア膜形成方法として、電子ビーム蒸着法を提案してき
た。この方法は、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 やＧｅＯ2 などの
屈折率制御用酸化物材料を混合し、これをホットプレス
により焼き固めて混合タブレットを形成し、そのタブレ
ットを蒸着材料として、低屈折率層を有する基盤上に、
電子ビーム蒸着法によって光導波路コア用のガラス膜を
形成するというものである。この方法により形成したガ
ラス膜は、フォトリソグラフィ及びドライエッチング工
程を経て、略矩形状のコアに加工される。最後にそのコ
ア部表面にクラッド膜が被覆されて光導波路が形成され
る。
ア膜形成方法として、電子ビーム蒸着法を提案してき
た。この方法は、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 やＧｅＯ2 などの
屈折率制御用酸化物材料を混合し、これをホットプレス
により焼き固めて混合タブレットを形成し、そのタブレ
ットを蒸着材料として、低屈折率層を有する基盤上に、
電子ビーム蒸着法によって光導波路コア用のガラス膜を
形成するというものである。この方法により形成したガ
ラス膜は、フォトリソグラフィ及びドライエッチング工
程を経て、略矩形状のコアに加工される。最後にそのコ
ア部表面にクラッド膜が被覆されて光導波路が形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子ビ
ーム蒸着法により３”φのＳｉ基板上に屈折率制御用材
料の添加されたガラス膜を形成した場合、基板面内の屈
折率のばらつきが大きくなるという問題があった。この
屈折率のばらつきは、ガラス膜を導波路に加工した後の
損失ばらつきの原因となる。また、この導波路により合
分波器など光回路を構成した場合には、中心波長のずれ
を招くことになる。
ーム蒸着法により３”φのＳｉ基板上に屈折率制御用材
料の添加されたガラス膜を形成した場合、基板面内の屈
折率のばらつきが大きくなるという問題があった。この
屈折率のばらつきは、ガラス膜を導波路に加工した後の
損失ばらつきの原因となる。また、この導波路により合
分波器など光回路を構成した場合には、中心波長のずれ
を招くことになる。
【０００４】この発明の目的は、前記した従来技術の欠
点を解消し、屈折率の面内均一性の良い低損失ガラス膜
を形成し低損失な光導波路を製造するための方法を提供
することにある。
点を解消し、屈折率の面内均一性の良い低損失ガラス膜
を形成し低損失な光導波路を製造するための方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
この発明のガラス膜形成方法は、屈折率制御用材料を含
むＳｉ０2 タブレットを電子ビーム蒸着法により蒸発さ
せて基板の低屈折率層上にガラス膜を形成する方法にお
いて、粒径が１μｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉
末を用いて形成されたタブレットを使用するようにした
ことを特徴としている。
この発明のガラス膜形成方法は、屈折率制御用材料を含
むＳｉ０2 タブレットを電子ビーム蒸着法により蒸発さ
せて基板の低屈折率層上にガラス膜を形成する方法にお
いて、粒径が１μｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉
末を用いて形成されたタブレットを使用するようにした
ことを特徴としている。
【０００６】上記タブレットは、屈折率制御用材料粉末
とＳｉ０2 粉末とを混合しホットプレスにより焼き固め
て形成されたものであることが好ましい。さらに、上記
タブレットは、その焼結密度が９０％以上であることが
好ましい。
とＳｉ０2 粉末とを混合しホットプレスにより焼き固め
て形成されたものであることが好ましい。さらに、上記
タブレットは、その焼結密度が９０％以上であることが
好ましい。
【０００７】また、上記屈折率制御用材料は、Ｔｉ、
Ｐ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物であ
ることが好ましい。さらに、上記屈折率制御用材料は、
Ｅｒ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなど
の希土類元素酸化物を少なくとも１種含んでいることが
好ましい。
Ｐ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物であ
ることが好ましい。さらに、上記屈折率制御用材料は、
Ｅｒ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなど
の希土類元素酸化物を少なくとも１種含んでいることが
好ましい。
【０００８】
【作用】上記技術的手段によれば、タブレットに電子ビ
ームを照射して基板上にガラス膜を形成する際、そのタ
ブレットが、粒径が１μｍで、かつ粒径が揃った原材料
を用いて形成されているので、粒子が基板表面に均一に
蒸着され、屈折率の面内均一性の良いガラス膜が形成さ
れる。このようにして形成されたガラス膜をもとにして
光導波路を製造することにより、屈折率歪みに起因する
散乱損失を抑えた低損失な光導波路を得ることができ
る。
ームを照射して基板上にガラス膜を形成する際、そのタ
ブレットが、粒径が１μｍで、かつ粒径が揃った原材料
を用いて形成されているので、粒子が基板表面に均一に
蒸着され、屈折率の面内均一性の良いガラス膜が形成さ
れる。このようにして形成されたガラス膜をもとにして
光導波路を製造することにより、屈折率歪みに起因する
散乱損失を抑えた低損失な光導波路を得ることができ
る。
【０００９】
【実施例】次に、この発明のガラス膜形成方法の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１０】[実施例１]図１にはガラス膜形成に使用し
た電子ビーム蒸着装置の概略が示されている。
た電子ビーム蒸着装置の概略が示されている。
【００１１】まず、真空容器４内の上方に配置された基
板ホルダ５に３”φの石英基板６を複数枚セットする。
蒸着材料として、屈折率制御用酸化物材料であるＧｅＯ
2 粉末とＳｉＯ2 粉末とを所望の比率で分散性良く混合
しホットプレスにより焼き固めた直径18ｍｍ、直径10ｍ
ｍの円柱形のタブレットを複数個準備する。このとき、
それぞれの原材料粉末の粒径は、形成される膜の屈折率
の均一性を向上させるため、1 μｍ以下（従来は10〜10
0 μｍ程度）に揃えたものを用いる。
板ホルダ５に３”φの石英基板６を複数枚セットする。
蒸着材料として、屈折率制御用酸化物材料であるＧｅＯ
2 粉末とＳｉＯ2 粉末とを所望の比率で分散性良く混合
しホットプレスにより焼き固めた直径18ｍｍ、直径10ｍ
ｍの円柱形のタブレットを複数個準備する。このとき、
それぞれの原材料粉末の粒径は、形成される膜の屈折率
の均一性を向上させるため、1 μｍ以下（従来は10〜10
0 μｍ程度）に揃えたものを用いる。
【００１２】次に、上記タブレット１，２を真空容器４
内の蒸発源3-1,3-2 にセットし、真空容器４内を真空排
気系９によって１０-7Torrまで排気後、基板ホルダ５に
セットされた３”φのガラス基板６を加熱ヒータ７によ
って 375℃まで加熱する。次に、成膜中におこる膜の酸
素不足を補うため酸素ガス導入ポート８より流量調整さ
れた酸素ガスを導入し、真空度が 5×10-5Torrになるよ
うにし、この状態で蒸発源3-1,3-2 内のタブレット１に
電子ビームを照射する。
内の蒸発源3-1,3-2 にセットし、真空容器４内を真空排
気系９によって１０-7Torrまで排気後、基板ホルダ５に
セットされた３”φのガラス基板６を加熱ヒータ７によ
って 375℃まで加熱する。次に、成膜中におこる膜の酸
素不足を補うため酸素ガス導入ポート８より流量調整さ
れた酸素ガスを導入し、真空度が 5×10-5Torrになるよ
うにし、この状態で蒸発源3-1,3-2 内のタブレット１に
電子ビームを照射する。
【００１３】これにより、３”φの石英基板６の表面に
厚さ 8μｍのＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス９膜が形成され
た。なお、タブレット１の形状、大きさ並びに使用個数
は上記の値に限定されない。また、基板６もこの実施例
では３”φの石英基板を用いたが、その形状、材質、数
量は上記例に限定されない。例えば、石英基板のサイズ
は４インチ、５インチでもよく、材質も石英基板以外
に、表面にＳｉＯ2 膜、あるいはＳｉＯ2 にＰ、Ｂ、Ｆ
などの屈折率御用添加物を少なくとも１種含んだ膜を有
するＳｉ基板でもよい。
厚さ 8μｍのＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス９膜が形成され
た。なお、タブレット１の形状、大きさ並びに使用個数
は上記の値に限定されない。また、基板６もこの実施例
では３”φの石英基板を用いたが、その形状、材質、数
量は上記例に限定されない。例えば、石英基板のサイズ
は４インチ、５インチでもよく、材質も石英基板以外
に、表面にＳｉＯ2 膜、あるいはＳｉＯ2 にＰ、Ｂ、Ｆ
などの屈折率御用添加物を少なくとも１種含んだ膜を有
するＳｉ基板でもよい。
【００１４】図２には、上記電子ビーム蒸着法により形
成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率分布を示し
たものである（測定位置１〜４については図３を参
照）。同図には比較のため、従来のタブレットを使用し
て形成したガラス膜の屈折率分布も示されている。従来
のタブレットの原材料粉末の粒径は 10 〜100 μｍと大
きく、ばらつきも大きい。この従来のタブレットを使用
して形成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばら
つきは、屈折率1.4700に対して± 5×10-4程度であっ
た。これに対して、粒径を1 μｍ以外に揃えた原材料粉
末を用いてタブレットを作成し、これを使用して形成し
たＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばらつきは、屈
折率1.4700に対して± 5×10-4以下と従来タブレットを
用いた場合に比して屈折率の均一性が著しく改善され
た。また、屈折率を1.4700に設定しているにもかかわら
ず、従来のタブレットを用いた場合には、設定値に対し
て最大− 5×10-4のずれが生ずるのに対し、この発明に
よる改良を加えたタブレットを使用することで設定値か
らのずれが±1 ×10-4以内に低減された。
成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率分布を示し
たものである（測定位置１〜４については図３を参
照）。同図には比較のため、従来のタブレットを使用し
て形成したガラス膜の屈折率分布も示されている。従来
のタブレットの原材料粉末の粒径は 10 〜100 μｍと大
きく、ばらつきも大きい。この従来のタブレットを使用
して形成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばら
つきは、屈折率1.4700に対して± 5×10-4程度であっ
た。これに対して、粒径を1 μｍ以外に揃えた原材料粉
末を用いてタブレットを作成し、これを使用して形成し
たＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばらつきは、屈
折率1.4700に対して± 5×10-4以下と従来タブレットを
用いた場合に比して屈折率の均一性が著しく改善され
た。また、屈折率を1.4700に設定しているにもかかわら
ず、従来のタブレットを用いた場合には、設定値に対し
て最大− 5×10-4のずれが生ずるのに対し、この発明に
よる改良を加えたタブレットを使用することで設定値か
らのずれが±1 ×10-4以内に低減された。
【００１５】また、粒径を 1μｍ以下で、かつ粒径が良
く揃った原材料粉末を用いているため、焼結密度90％以
上の高密度タブレットを再現性良く作ることができた。
く揃った原材料粉末を用いているため、焼結密度90％以
上の高密度タブレットを再現性良く作ることができた。
【００１６】なお、膜の屈折率は、タブレット中の屈折
率御用材料粉末とＳｉＯ2 粉末の混合比を変えることに
より、容易に調整することができる。
率御用材料粉末とＳｉＯ2 粉末の混合比を変えることに
より、容易に調整することができる。
【００１７】[実施例２]次に、以上のようにして形成し
た基板面内の屈折率均一性の良いガラス膜をもとに光導
波路を作製する方法について説明する。
た基板面内の屈折率均一性の良いガラス膜をもとに光導
波路を作製する方法について説明する。
【００１８】図４に、この発明による光導波路の製造プ
ロセスの一例を示す。
ロセスの一例を示す。
【００１９】基板６に形成された低屈折率層９の表面
に、上記実施例１で示した成膜方法によりコア用のＳｉ
Ｏ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜１０を形成する(a) 。ガラス膜
１０の成膜後、基板全体を1000℃以上の温度で高温熱処
理することにより、緻密かつ屈折率安定性の良いコア用
ガラス膜１１を得る(b) 。その後、このコア用ガラス膜
１１上にコアを矩形状に加工するためのマスクとなるＷ
Ｓｉ膜１２をスパッタリング法により1 μｍ厚で形成す
る(c) 。そのＷＳｉ膜１２の表面にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１３
のパターニングを行う(d) 。次いで、ＮＦ3 ガスを用い
た反応性イオンエッチングによりＷＳｉ膜１２のパタ−
ニングを行う(e) 。次いで、フォトレジスト膜１３及び
ＷＳｉ膜１２をマスクにしてＣＨＦ3 ガスを用いた反応
性イオンエッチングによりコア１４を形成する(f) 。次
いで、フォトレジスト膜１３及びＷＳｉ膜１２を除去す
る(g) 。最後に、ＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 系の低
屈折率クラッドガラス膜１５でコア全体を覆い、埋込型
の光導波路とする(h) 。
に、上記実施例１で示した成膜方法によりコア用のＳｉ
Ｏ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜１０を形成する(a) 。ガラス膜
１０の成膜後、基板全体を1000℃以上の温度で高温熱処
理することにより、緻密かつ屈折率安定性の良いコア用
ガラス膜１１を得る(b) 。その後、このコア用ガラス膜
１１上にコアを矩形状に加工するためのマスクとなるＷ
Ｓｉ膜１２をスパッタリング法により1 μｍ厚で形成す
る(c) 。そのＷＳｉ膜１２の表面にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１３
のパターニングを行う(d) 。次いで、ＮＦ3 ガスを用い
た反応性イオンエッチングによりＷＳｉ膜１２のパタ−
ニングを行う(e) 。次いで、フォトレジスト膜１３及び
ＷＳｉ膜１２をマスクにしてＣＨＦ3 ガスを用いた反応
性イオンエッチングによりコア１４を形成する(f) 。次
いで、フォトレジスト膜１３及びＷＳｉ膜１２を除去す
る(g) 。最後に、ＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 系の低
屈折率クラッドガラス膜１５でコア全体を覆い、埋込型
の光導波路とする(h) 。
【００２０】かかる光導波路の製造方法によれば、タブ
レット原材料粉末の粒径が 1μｍ以下でかつ粒径が揃っ
ているため、屈折率制御用材料が均一に分散された膜を
形成できる。このため、屈折率制御用材料が膜内で集中
することによる屈折率の歪みを低減することができ、ひ
いては、屈折率歪みに起因する散乱損失を抑えた光導波
路を形成することができる。上記方法により実際に光導
波路を作成した結果、波長1.3 μｍにおいて伝送損失0.
1 dB/cm 以下の低損失な導波路を得ることができた。
レット原材料粉末の粒径が 1μｍ以下でかつ粒径が揃っ
ているため、屈折率制御用材料が均一に分散された膜を
形成できる。このため、屈折率制御用材料が膜内で集中
することによる屈折率の歪みを低減することができ、ひ
いては、屈折率歪みに起因する散乱損失を抑えた光導波
路を形成することができる。上記方法により実際に光導
波路を作成した結果、波長1.3 μｍにおいて伝送損失0.
1 dB/cm 以下の低損失な導波路を得ることができた。
【００２１】[実施例３]次に、上記実施例２のコアガラ
ス膜部分に希土類元素を添加して、レ−ザあるいは増幅
器用の導波路を作成する場合の実施例について説明す
る。
ス膜部分に希土類元素を添加して、レ−ザあるいは増幅
器用の導波路を作成する場合の実施例について説明す
る。
【００２２】蒸着材として、粒径1 μｍ以下のＳｉＯ2
及びＧｅＯ2 （屈折率制御用材料）粉末を混合し、これ
をホットプレスにより焼き固めたタブレット１、ならび
に、粒径1 μｍ以下の希土類元素化合物であるＥｒ2 Ｏ
3 粉末をホットプレスにより焼き固めたタブレット２を
準備する。これら２つの蒸着材料を図１に示す二つの蒸
発源3-1,3-2 にセットし、同時に蒸着することにより
３”φの石英基板６の表面に厚さ 8μｍのＥｒＯ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜を形成し、実施例２に示した
方法により光導波路を作成する。
及びＧｅＯ2 （屈折率制御用材料）粉末を混合し、これ
をホットプレスにより焼き固めたタブレット１、ならび
に、粒径1 μｍ以下の希土類元素化合物であるＥｒ2 Ｏ
3 粉末をホットプレスにより焼き固めたタブレット２を
準備する。これら２つの蒸着材料を図１に示す二つの蒸
発源3-1,3-2 にセットし、同時に蒸着することにより
３”φの石英基板６の表面に厚さ 8μｍのＥｒＯ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜を形成し、実施例２に示した
方法により光導波路を作成する。
【００２３】この方法により導波路を試作したところ、
波長0.98μｍの光励起により、波長1.535 μｍおよび1.
553 μｍにおいて蛍光を確認した。また、上記波長の信
号光を増幅できることも確認できた。このときの伝搬損
失は0.15dB/cmであった。
波長0.98μｍの光励起により、波長1.535 μｍおよび1.
553 μｍにおいて蛍光を確認した。また、上記波長の信
号光を増幅できることも確認できた。このときの伝搬損
失は0.15dB/cmであった。
【００２４】なお、この実施例では希土類元素としてＥ
ｒを用いたが、これに限定されるものではなく、他に、
Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍ、Ｐｒなどを用い
てもよい。また、これらのタブレット原材料としては、
酸化物以外にＥｒＦ2 あるいはＥｒＣｌ3 といったフッ
化物、塩化物などを用いてもよい。
ｒを用いたが、これに限定されるものではなく、他に、
Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍ、Ｐｒなどを用い
てもよい。また、これらのタブレット原材料としては、
酸化物以外にＥｒＦ2 あるいはＥｒＣｌ3 といったフッ
化物、塩化物などを用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上要するに、この発明によれば次のよ
うな効果が発揮できる。
うな効果が発揮できる。
【００２６】１）粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 粉末と屈折
率制御用材料（ＧｅＯ2 など）粉末を混合しホットプレ
スにより固化したタブレットを用い、これを電子ビ−ム
照射によって蒸発させて基板上にガラス膜を形成させる
方法の採用により、屈折率の面内均一性の良い低損失な
ガラス膜が得られ、伝搬損失の小さい光導波路を製造す
ることができる。
率制御用材料（ＧｅＯ2 など）粉末を混合しホットプレ
スにより固化したタブレットを用い、これを電子ビ−ム
照射によって蒸発させて基板上にガラス膜を形成させる
方法の採用により、屈折率の面内均一性の良い低損失な
ガラス膜が得られ、伝搬損失の小さい光導波路を製造す
ることができる。
【００２７】２）タブレットの原材料の粒径を１μｍ以
下とすることにより、再現性良く密度90以上の高密度タ
ブレットを形成することができ、蒸着によって形成され
る膜の再現性が向上する。
下とすることにより、再現性良く密度90以上の高密度タ
ブレットを形成することができ、蒸着によって形成され
る膜の再現性が向上する。
【図１】この発明の方法によるガラス膜形成に使用され
る電子ビーム蒸着装置を示す概略図である。
る電子ビーム蒸着装置を示す概略図である。
【図２】この発明の方法により形成したＳｉＯ2 −Ｇｅ
Ｏ2 ガラス膜の屈折率の面内分布の測定値を従来のもの
と対比して示す図である。
Ｏ2 ガラス膜の屈折率の面内分布の測定値を従来のもの
と対比して示す図である。
【図３】図２の測定位置を示す平面図である。
【図４】この発明の方法による光導波路の製造プロセス
を示す図である。
を示す図である。
１ Ｓｉ０2 タブレット ２ Ｓｉ０2 タブレット ６ 基板 ９ 低屈折率層 １０ ガラス膜 １１ 焼結後のガラス膜 １２ ＷＳｉ膜 １３ フォトレジスト膜 １４ コア １５ 低屈折のガラス膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫村 誠一 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 井本 克之 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内
Claims (6)
- 【請求項１】 屈折率制御用材料を含むＳｉ０2 タブレ
ットを電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板の低屈折
率層上にガラス膜を形成する方法において、粒径が１μ
ｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形成さ
れたタブレットを使用するようにしたことを特徴とする
ガラス膜形成方法。 - 【請求項２】 上記タブレットは、屈折率制御用材料粉
末とＳｉ０2 粉末とを混合しホットプレスにより焼き固
めて形成されたものであることを特徴とする請求項１記
載のガラス膜形成方法。 - 【請求項３】 上記タブレットは、その焼結密度が９０
％以上であることを特徴とする請求項２記載のガラス膜
形成方法。 - 【請求項４】 上記屈折率制御用材料は、Ｔｉ、Ｐ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物であること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のガラス
膜形成方法。 - 【請求項５】 上記屈折率制御用材料は、Ｅｒ、Ｎｄ、
Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなどの希土類元素
の酸化物を少なくとも１種含んでいることを特徴とする
請求項１乃至４のいずれかに記載のガラス膜形成方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の方法
によりガラス膜を基板の低屈折率層上に形成する工程
と、そのガラス膜をフォトリソグラフィ及びドライエッ
チングにより略矩形状に加工して光の伝搬領域であるコ
アを形成する工程と、そのコアに低屈折率のガラス膜を
被覆する工程とを含んでいることを特徴とする光導波路
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29707192A JPH06144867A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ガラス膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29707192A JPH06144867A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ガラス膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06144867A true JPH06144867A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=17841839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29707192A Pending JPH06144867A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ガラス膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06144867A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09156950A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外光照射により体積変化するガラス材料 |
| US7306845B2 (en) | 2001-08-17 | 2007-12-11 | Neophotonics Corporation | Optical materials and optical devices |
| EP1333935A4 (en) * | 2000-10-17 | 2008-04-02 | Nanogram Corp | PREPARATION OF A COAT BY REACTIVE DEPOSITION |
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP29707192A patent/JPH06144867A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09156950A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外光照射により体積変化するガラス材料 |
| EP1333935A4 (en) * | 2000-10-17 | 2008-04-02 | Nanogram Corp | PREPARATION OF A COAT BY REACTIVE DEPOSITION |
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
| US9163308B2 (en) | 2000-10-17 | 2015-10-20 | Nanogram Corporation | Apparatus for coating formation by light reactive deposition |
| US7306845B2 (en) | 2001-08-17 | 2007-12-11 | Neophotonics Corporation | Optical materials and optical devices |
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