JPH06144998A - インジウムアンチモン単結晶の製造方法 - Google Patents
インジウムアンチモン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH06144998A JPH06144998A JP29419092A JP29419092A JPH06144998A JP H06144998 A JPH06144998 A JP H06144998A JP 29419092 A JP29419092 A JP 29419092A JP 29419092 A JP29419092 A JP 29419092A JP H06144998 A JPH06144998 A JP H06144998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- single crystal
- pits
- melt
- indium antimony
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インジウムアンチモン単結晶の製造におい
て、転位を含む結晶欠陥を低減し、かつ高い歩留りで単
結晶を製造する。 【構成】 結晶中で電気的に中性な不純物となる元素で
構成されたガスの雰囲気中でインジウムアンチモン多結
晶体を合成する工程と、前記インジウムアンチモン多結
晶融液にガリウムまたはガリウムとＶ族元素との化合物
を添加して単結晶化する工程を含むインジウムアンチモ
ン単結晶の製造方法。
て、転位を含む結晶欠陥を低減し、かつ高い歩留りで単
結晶を製造する。 【構成】 結晶中で電気的に中性な不純物となる元素で
構成されたガスの雰囲気中でインジウムアンチモン多結
晶体を合成する工程と、前記インジウムアンチモン多結
晶融液にガリウムまたはガリウムとＶ族元素との化合物
を添加して単結晶化する工程を含むインジウムアンチモ
ン単結晶の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジウムアンチモン単
結晶の製造方法に係り、特にチョコラルスキー法による
インジウムアンチモン単結晶引上方法に関する。
結晶の製造方法に係り、特にチョコラルスキー法による
インジウムアンチモン単結晶引上方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、結晶欠陥がデバイス特性に与える
影響が明確になり、結晶欠陥を減少させることが重要な
問題となっている。例えば半導体単結晶内の転位密度が
大になると結晶内に形成されたＰ／Ｎ接合の逆方向リー
ク電流が増加するなど半導体素子特性が低下するととも
に信頼性にも悪影響を及ぼすことが知られている。最近
では半導体素子の高集積化にともなって半導体単結晶の
転位や微少欠陥の低減化の要求がますます強くなりつつ
ある。
影響が明確になり、結晶欠陥を減少させることが重要な
問題となっている。例えば半導体単結晶内の転位密度が
大になると結晶内に形成されたＰ／Ｎ接合の逆方向リー
ク電流が増加するなど半導体素子特性が低下するととも
に信頼性にも悪影響を及ぼすことが知られている。最近
では半導体素子の高集積化にともなって半導体単結晶の
転位や微少欠陥の低減化の要求がますます強くなりつつ
ある。
【０００３】従来、結晶欠陥低減化の有効な方法として
電気的に中性である不純物を添加する方法がある。この
方法は添加すべき不純物と引上げるべき原料とをるつぼ
に入れ、その後、加熱溶融して融液を形成し、単結晶を
引上げる方法である。ＩｎＳｂ結晶においては不純物と
してＶ族元素の窒素を窒化インジウム（ＩｎＮ，粉末
状）として添加すると有効であることが特開昭５４−１
２２６８１号で報告されている。
電気的に中性である不純物を添加する方法がある。この
方法は添加すべき不純物と引上げるべき原料とをるつぼ
に入れ、その後、加熱溶融して融液を形成し、単結晶を
引上げる方法である。ＩｎＳｂ結晶においては不純物と
してＶ族元素の窒素を窒化インジウム（ＩｎＮ，粉末
状）として添加すると有効であることが特開昭５４−１
２２６８１号で報告されている。
【０００４】しかし、ＩｎＮでは次のような問題点があ
る。確かにＩｎＮの添加は微少欠陥に対応するＳ−ｐｉ
ｔｓ（Ｓａｕｃｅｒ−ｌｉｋｅ−ｐｉｔｓ）、及び不純
物の析出あるいは欠陥があってこれを中心に〔１１０〕
方向にＳ−ｐｉｔｓが発生したＰ−ｐｉｔｓ（Ｐｕｎｃ
ｈｉｎｇ−ｏｕｔ−ｐｉｔｓ）に対しては顕著な低減効
果を示すが、転位に対応するＤ−ｐｉｔｓ（Ｄｉｓｌｏ
ｃａｔｉｏｎ−ｐｉｔｓ）に関しては残念ながら低減効
果は全く認められない。従って半導体素子特性及び信頼
性の向上には前記のＳ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓのみな
らずＤ−ｐｉｔｓをも同時低減させる方法を見出すこと
が重要な問題となる。
る。確かにＩｎＮの添加は微少欠陥に対応するＳ−ｐｉ
ｔｓ（Ｓａｕｃｅｒ−ｌｉｋｅ−ｐｉｔｓ）、及び不純
物の析出あるいは欠陥があってこれを中心に〔１１０〕
方向にＳ−ｐｉｔｓが発生したＰ−ｐｉｔｓ（Ｐｕｎｃ
ｈｉｎｇ−ｏｕｔ−ｐｉｔｓ）に対しては顕著な低減効
果を示すが、転位に対応するＤ−ｐｉｔｓ（Ｄｉｓｌｏ
ｃａｔｉｏｎ−ｐｉｔｓ）に関しては残念ながら低減効
果は全く認められない。従って半導体素子特性及び信頼
性の向上には前記のＳ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓのみな
らずＤ−ｐｉｔｓをも同時低減させる方法を見出すこと
が重要な問題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上、述べたように電
気的に中性であるＩｎＮ（粉末状）添加法は転位（Ｄ−
ｐｉｔｓ）以外の結晶欠陥低減化に有効な方法である
が、転位の低減化には全く無力と云う問題点があった。
気的に中性であるＩｎＮ（粉末状）添加法は転位（Ｄ−
ｐｉｔｓ）以外の結晶欠陥低減化に有効な方法である
が、転位の低減化には全く無力と云う問題点があった。
【０００６】本発明の目的は上記の欠点を除去するもの
で、転位を含めて全ての結晶欠陥を低減し、かつ単結晶
を高い歩留りで製造する方法を提供するものである。
で、転位を含めて全ての結晶欠陥を低減し、かつ単結晶
を高い歩留りで製造する方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のＩｎＳｂ単結晶の製造方法ではダブルドーピ
ング法を採用する。すなわち転位（Ｄ−ｐｉｔｓ）以外
の結晶欠陥（Ｓ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）低減には従
来から有効な方法である窒素（Ｎ）を添加する。但し、
窒素添加方法としてＩｎＮ（粉末状）としてではなく、
ＩｎＳｂ多結晶合成の際に雰囲気ガスとしてＮ2ガスを
用いることによりガスによるＮドーピングを行なう。一
方、転位の低減化に関してはガリウム（Ｇａ）単体，あ
るいはガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）等のようにＶ族
元素をガリウムの化合物としてＩｎＳｂ融液中に添加し
てＩｎＳｂ単結晶を引上げるものである。
に本発明のＩｎＳｂ単結晶の製造方法ではダブルドーピ
ング法を採用する。すなわち転位（Ｄ−ｐｉｔｓ）以外
の結晶欠陥（Ｓ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）低減には従
来から有効な方法である窒素（Ｎ）を添加する。但し、
窒素添加方法としてＩｎＮ（粉末状）としてではなく、
ＩｎＳｂ多結晶合成の際に雰囲気ガスとしてＮ2ガスを
用いることによりガスによるＮドーピングを行なう。一
方、転位の低減化に関してはガリウム（Ｇａ）単体，あ
るいはガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）等のようにＶ族
元素をガリウムの化合物としてＩｎＳｂ融液中に添加し
てＩｎＳｂ単結晶を引上げるものである。
【０００８】要するに本発明に係るインジウムアンチモ
ン単結晶の製造方法は、結晶中で電気的に中性な不純物
となる元素で構成されたガスの雰囲気中でインジウムア
ンチモン多結晶体を合成する工程と、前記インジウムア
ンチモン多結晶融液にガリウムまたはガリウムとＶ族元
素との化合物を添加して単結晶化する工程を含む特徴を
有する。
ン単結晶の製造方法は、結晶中で電気的に中性な不純物
となる元素で構成されたガスの雰囲気中でインジウムア
ンチモン多結晶体を合成する工程と、前記インジウムア
ンチモン多結晶融液にガリウムまたはガリウムとＶ族元
素との化合物を添加して単結晶化する工程を含む特徴を
有する。
【０００９】
【作用】結晶欠陥低減のためにＮとＧａ（含むＧａＳ
ｂ）のダブルドーピング法を採用しているのは、上記の
ようにＮのみの添加では転位は減少しないためである。
一方、Ｇａのみの添加では転位は顕著に減少するが、他
のピット（Ｓ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）は減少しな
い。
ｂ）のダブルドーピング法を採用しているのは、上記の
ようにＮのみの添加では転位は減少しないためである。
一方、Ｇａのみの添加では転位は顕著に減少するが、他
のピット（Ｓ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）は減少しな
い。
【００１０】以上の結果からダブルドーピングを行なう
ことにより、これらのピットを減少させることが可能に
なり、このダブルドーピング法により極端に結晶欠陥の
少ない単結晶が得られる。
ことにより、これらのピットを減少させることが可能に
なり、このダブルドーピング法により極端に結晶欠陥の
少ない単結晶が得られる。
【００１１】なお、上記製造方法では窒素の添加方法と
してＩｎＮの粉末ではなく、ガスによるＮドーピングを
採用している。この理由は二点ある。
してＩｎＮの粉末ではなく、ガスによるＮドーピングを
採用している。この理由は二点ある。
【００１２】その一つはＧａとＩｎＮ（粉末）のダブル
ドーピングを試みると引上げた単結晶表面に上記添加不
純物が析出するためである。そして、固溶しないので、
結晶欠陥低減効果は認められない。しかし、ガスドーピ
ング法ではこの点は回避される。
ドーピングを試みると引上げた単結晶表面に上記添加不
純物が析出するためである。そして、固溶しないので、
結晶欠陥低減効果は認められない。しかし、ガスドーピ
ング法ではこの点は回避される。
【００１３】他の一つの粉末状のＩｎＮを用いることで
融液中での溶融を容易にし、秤量の精度を上げる等のメ
リットがあるが、バルクに比し表面積が大になるので自
然酸化膜が形成され易い。このため、融液中でＩｎＮが
分解したのち融液面上に酸化物のスカム（ｓｃｕｍ）を
形成し、単結晶引上げに種々の悪影響を及ぼす。例え
ば、種付けや、結晶成長を阻害し、また、双晶発生の原
因の一つでもある。一方、ガスによるドーピング法で
は、ドーパントに自然酸化膜は形成されない。この結
果、融液面上に酸化物のスカムが発生せず、スカムの影
響を受けずに単結晶の引上げができ、単結晶化率が著る
しく向上するという利点がある。
融液中での溶融を容易にし、秤量の精度を上げる等のメ
リットがあるが、バルクに比し表面積が大になるので自
然酸化膜が形成され易い。このため、融液中でＩｎＮが
分解したのち融液面上に酸化物のスカム（ｓｃｕｍ）を
形成し、単結晶引上げに種々の悪影響を及ぼす。例え
ば、種付けや、結晶成長を阻害し、また、双晶発生の原
因の一つでもある。一方、ガスによるドーピング法で
は、ドーパントに自然酸化膜は形成されない。この結
果、融液面上に酸化物のスカムが発生せず、スカムの影
響を受けずに単結晶の引上げができ、単結晶化率が著る
しく向上するという利点がある。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一つの実施例について図面を
参照して説明する。図１（ａ）に本実施例に使用した多
結晶合成炉（ノーマルフリージング炉）の断面図を示
す。多結晶合成に用いる高純度のＩｎ原料２００ｇとＳ
ｂ原料２２０ｇ（純度はそれぞれ９９．９９９９％）を
石英ボート１に入れ、反応管２にセットする。次に反応
管２内を真空度１０-7Ｔｏｒｒになるまで排気する。そ
の後、反応管２を取り囲むヒータ３で７５０℃まで加熱
し、Ｉｎ，Ｓｂ原料を融解してＩｎＳｂの融液４を形成
する。形成後、この状態（真空中、７５０℃）で１時間
保持する。この理由は高温真空中でＺｎ（亜鉛），Ｃｄ
（カドミウム）等のＰ型不純物を融液４から蒸発させて
除去するためである。その後、純度９９．９９９９％の
高純度Ｎ2（窒素）ガスで反応管２を満たし、ヒータ３
を１２ｍｍ／ｈのスピードで移動させＩｎＳｂ多結晶を
ノーマルフリージング法（融液の一端からゆっくりと固
化させる方法）で形成する。ちなみに多結晶合成に要す
る時間は約２４時間で、この間に流すＮ2ガスの流量は
０．５ ｌ／ｍｉｎである。この工程でＮがＩｎＳｂ多
結晶にドーピングされる。
参照して説明する。図１（ａ）に本実施例に使用した多
結晶合成炉（ノーマルフリージング炉）の断面図を示
す。多結晶合成に用いる高純度のＩｎ原料２００ｇとＳ
ｂ原料２２０ｇ（純度はそれぞれ９９．９９９９％）を
石英ボート１に入れ、反応管２にセットする。次に反応
管２内を真空度１０-7Ｔｏｒｒになるまで排気する。そ
の後、反応管２を取り囲むヒータ３で７５０℃まで加熱
し、Ｉｎ，Ｓｂ原料を融解してＩｎＳｂの融液４を形成
する。形成後、この状態（真空中、７５０℃）で１時間
保持する。この理由は高温真空中でＺｎ（亜鉛），Ｃｄ
（カドミウム）等のＰ型不純物を融液４から蒸発させて
除去するためである。その後、純度９９．９９９９％の
高純度Ｎ2（窒素）ガスで反応管２を満たし、ヒータ３
を１２ｍｍ／ｈのスピードで移動させＩｎＳｂ多結晶を
ノーマルフリージング法（融液の一端からゆっくりと固
化させる方法）で形成する。ちなみに多結晶合成に要す
る時間は約２４時間で、この間に流すＮ2ガスの流量は
０．５ ｌ／ｍｉｎである。この工程でＮがＩｎＳｂ多
結晶にドーピングされる。
【００１５】図１（ｂ）に本実施例に使用した引上げ装
置の断面図を示す。ＩｎＳｂ単結晶の引上げに用いる前
記高純度ＩｎＳｂ多結晶を例えば７００ｇと高純度Ｇａ
（純度９９．９９９９９％）６０ｍｇをチャンバ５内の
石英るつぼ６に入れ、そして〈２１１〉方位に切り出し
た種子結晶７を種子結晶取付け治具８に取付け、チャン
バ５で密封する。次にこの密封されたチャンバ５内を真
空度１０-4Ｔｏｒｒまで排気して窒素９０％と水素１０
％からなるフォーミングガスで満たす。続いて上記るつ
ぼ６を取り囲むヒータ９で６００℃に加熱し、ＩｎＳｂ
多結晶を融解してＩｎＳｂ融液１０を作る。前記融液１
０面上には本発明のＮ2ガスによるドーピングを試みて
いるので、粉末状ＩｎＮを用いる場合と異なって酸化物
のスカムは存在していない。その後図１（ｂ）に示すよ
うに例えば引上げ速度１０ｍｍ／ｈ，回転数１０ｒｐ
ｍ，融液温度５５５℃で引上げを施してＩｎＳｂ単結晶
体１１を製造する。
置の断面図を示す。ＩｎＳｂ単結晶の引上げに用いる前
記高純度ＩｎＳｂ多結晶を例えば７００ｇと高純度Ｇａ
（純度９９．９９９９９％）６０ｍｇをチャンバ５内の
石英るつぼ６に入れ、そして〈２１１〉方位に切り出し
た種子結晶７を種子結晶取付け治具８に取付け、チャン
バ５で密封する。次にこの密封されたチャンバ５内を真
空度１０-4Ｔｏｒｒまで排気して窒素９０％と水素１０
％からなるフォーミングガスで満たす。続いて上記るつ
ぼ６を取り囲むヒータ９で６００℃に加熱し、ＩｎＳｂ
多結晶を融解してＩｎＳｂ融液１０を作る。前記融液１
０面上には本発明のＮ2ガスによるドーピングを試みて
いるので、粉末状ＩｎＮを用いる場合と異なって酸化物
のスカムは存在していない。その後図１（ｂ）に示すよ
うに例えば引上げ速度１０ｍｍ／ｈ，回転数１０ｒｐ
ｍ，融液温度５５５℃で引上げを施してＩｎＳｂ単結晶
体１１を製造する。
【００１６】次に本発明においては窒素の添加方法とし
てガスによるＮ2ドーピングを行なっているが、このよ
うにガスによるドーピング方法でも結晶欠陥（Ｓ−ｐｉ
ｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）低減効果があるかどうか、又転位
（Ｄ−ｐｉｔｓ）の低減にはＧａの添加が有効かどうか
チェックする為、本発明法により引上げられたＩｎＳｂ
単結晶の結晶欠陥評価を以下の手順で行なった。この評
価はエッチング法を用い、まず〈２１１〉方向に成長さ
せたＩｎＳｂ単結晶インゴットから（１１１）面のウエ
ハを切り出し、この（１１１）Ｉｎ面を粒径１６μｍの
Ａｌ2Ｏ3粉末から０．０５μｍに至るまで順次研磨して
鏡面に仕上げた。次に研磨傷を取り除くために、組成比
がＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ：ＨＮＯ3＝６：１のエッ
チング液を用いて２０℃で５分間エッチングを施した。
その後、さらにエッチピットを検出するために組成比が
４９％ＨＦ：３５％Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：２：２のエッ
チング液を用いて２０℃で１分間エッチングを施した。
てガスによるＮ2ドーピングを行なっているが、このよ
うにガスによるドーピング方法でも結晶欠陥（Ｓ−ｐｉ
ｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓ）低減効果があるかどうか、又転位
（Ｄ−ｐｉｔｓ）の低減にはＧａの添加が有効かどうか
チェックする為、本発明法により引上げられたＩｎＳｂ
単結晶の結晶欠陥評価を以下の手順で行なった。この評
価はエッチング法を用い、まず〈２１１〉方向に成長さ
せたＩｎＳｂ単結晶インゴットから（１１１）面のウエ
ハを切り出し、この（１１１）Ｉｎ面を粒径１６μｍの
Ａｌ2Ｏ3粉末から０．０５μｍに至るまで順次研磨して
鏡面に仕上げた。次に研磨傷を取り除くために、組成比
がＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ：ＨＮＯ3＝６：１のエッ
チング液を用いて２０℃で５分間エッチングを施した。
その後、さらにエッチピットを検出するために組成比が
４９％ＨＦ：３５％Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：２：２のエッ
チング液を用いて２０℃で１分間エッチングを施した。
【００１７】その結果、まず微少欠陥に対応するＳ−ｐ
ｉｔｓ，及び中心となる部分に不純物の析出あるいは欠
陥があって、これを中心に〔１１０〕方向にＳ−ｐｉｔ
ｓが発生したＰ−ｐｉｔｓは観察されず、ガスによるＮ
ドーピングが有効であることがわかった。次に転位に対
応するＤ−ｐｉｔｓが従来の転位密度１０3ｃｍ-2オー
ダから１０0ｃｍ-2オーダと顕著に減少し、Ｇａドープ
が低転位に有効なドーパントであることが判明した。
ｉｔｓ，及び中心となる部分に不純物の析出あるいは欠
陥があって、これを中心に〔１１０〕方向にＳ−ｐｉｔ
ｓが発生したＰ−ｐｉｔｓは観察されず、ガスによるＮ
ドーピングが有効であることがわかった。次に転位に対
応するＤ−ｐｉｔｓが従来の転位密度１０3ｃｍ-2オー
ダから１０0ｃｍ-2オーダと顕著に減少し、Ｇａドープ
が低転位に有効なドーパントであることが判明した。
【００１８】以上の結果から本発明のダブルドーピング
法は転位を含めて全てのピットをゼロあるいは減少させ
る効果があり、ＩｎＳｂ単結晶引上げには本発明は極め
て有効な方法であることがわかった。
法は転位を含めて全てのピットをゼロあるいは減少させ
る効果があり、ＩｎＳｂ単結晶引上げには本発明は極め
て有効な方法であることがわかった。
【００１９】上記実施例では転位の低減化の手段として
Ｇａ単体を添加する場合について述べたがＧａ単体に限
定する必要はなく、例えばＧａＳｂ等のようにＧａとの
Ｖ族元素化合物を添加する場合にも有効である。
Ｇａ単体を添加する場合について述べたがＧａ単体に限
定する必要はなく、例えばＧａＳｂ等のようにＧａとの
Ｖ族元素化合物を添加する場合にも有効である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明のＮとＧａのダ
ブルドーピング法を用いることにより、初めて転位を含
め全ての結晶欠陥を低減させることが出来た（転位密度
は従来法の１０3ｃｍ-2オーダから１０0ｃｍ-2オーダと
激減し、転位以外のＳ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓは存在
しない）。又、ガスによるＮドーピング法を採用した結
果、ＮとＧａのダブルドーピングが初めて可能になると
ともに、ＩｎＮ（粉末）に基因する酸化物のスカムが融
液面上に存在しないため、種付けや、結晶成長が容易に
なり、その結果、双晶発生が抑制され単結晶化率（双晶
なしで引上がる歩留り）が従来の２０％から８０％と大
幅に向上した。
ブルドーピング法を用いることにより、初めて転位を含
め全ての結晶欠陥を低減させることが出来た（転位密度
は従来法の１０3ｃｍ-2オーダから１０0ｃｍ-2オーダと
激減し、転位以外のＳ−ｐｉｔｓ，Ｐ−ｐｉｔｓは存在
しない）。又、ガスによるＮドーピング法を採用した結
果、ＮとＧａのダブルドーピングが初めて可能になると
ともに、ＩｎＮ（粉末）に基因する酸化物のスカムが融
液面上に存在しないため、種付けや、結晶成長が容易に
なり、その結果、双晶発生が抑制され単結晶化率（双晶
なしで引上がる歩留り）が従来の２０％から８０％と大
幅に向上した。
【００２１】叙上の如く本発明により低結晶欠陥の単結
晶を歩留りよく製造することが可能になり、経済的効果
が著しく増大する。
晶を歩留りよく製造することが可能になり、経済的効果
が著しく増大する。
【図１】本発明の実施例に使用される、（ａ）は多結晶
合成炉（ノーマルフリージング炉）を説明するための断
面図、（ｂ）は単結晶引上装置の断面図。
合成炉（ノーマルフリージング炉）を説明するための断
面図、（ｂ）は単結晶引上装置の断面図。
１ 石英ボート ２ 反応管 ３ ヒータ ４ 融液 ５ チャンバ ６ 石英るつぼ ７ 種子結晶 ８ 種子結晶取付け治具 ９ ヒータ １０ 融液 １１ ＩｎＳｂ単結晶
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶中で電気的に中性な不純物となる元
素で構成されたガスの雰囲気中でインジウムアンチモン
多結晶体を合成する工程と、前記インジウムアンチモン
多結晶融液にガリウムまたはガリウムとＶ族元素との化
合物を添加して単結晶化する工程を含むインジウムアン
チモン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419092A JPH06144998A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419092A JPH06144998A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06144998A true JPH06144998A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=17804484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29419092A Pending JPH06144998A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06144998A (ja) |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP29419092A patent/JPH06144998A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6289621B2 (ja) | チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出 | |
| JPH11189495A (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法 | |
| CN107532325A (zh) | 硅外延晶圆及其制造方法 | |
| US4447393A (en) | Oxide-free CdTe synthesis | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH06144998A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| JPH08319197A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| JP3818023B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH11292699A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| JPH0733582A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3237408B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2002255697A (ja) | ガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
| JPH09255497A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| Razzokov et al. | Morphological Studies of (Ge2) 1-X (ZnSe) X Solid Solutions | |
| JPH08165189A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH05121319A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH10152393A (ja) | バルク結晶の成長方法及びバルク結晶成長用種結晶 | |
| JPH02229796A (ja) | ｐ型低転位密度ＩｎＰ単結晶基板材料 | |
| FR2548689A1 (fr) | Procede de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth a fort rendement de scintillation | |
| JPH061700A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| Inoue | TriPyramid Growth of Epitaxial Silicon | |
| JP4200690B2 (ja) | ＧａＡｓウェハの製造方法 | |
| JPS6126591A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH0660401B2 (ja) | シリコン薄膜製造方法 | |
| JPS63236787A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 |