JPH0614542B2 - 長尺原稿読み取り素子 - Google Patents
長尺原稿読み取り素子Info
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- JPH0614542B2 JPH0614542B2 JP62267770A JP26777087A JPH0614542B2 JP H0614542 B2 JPH0614542 B2 JP H0614542B2 JP 62267770 A JP62267770 A JP 62267770A JP 26777087 A JP26777087 A JP 26777087A JP H0614542 B2 JPH0614542 B2 JP H0614542B2
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- JP
- Japan
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- upper electrode
- photoelectric conversion
- layer
- reading element
- sensor area
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、長尺原稿読み取り素子に係り、特にその構造
に関する。
に関する。
最近、ファクシミリの入力部等に用いられる画像読み取
り装置には、縮小光学系を必要とせず、装置の小形化お
よび装置コストが低廉であることから、原稿とほぼ同一
幅を有する長尺原稿読み取り素子が使用されるようにな
ってきている。
り装置には、縮小光学系を必要とせず、装置の小形化お
よび装置コストが低廉であることから、原稿とほぼ同一
幅を有する長尺原稿読み取り素子が使用されるようにな
ってきている。
長尺原稿読み取り素子は、下部電極と透光性の上部電極
とによって光導電体層を挟んだサンドイッチ型センサを
基本構造とし、長尺の絶縁性基板上にこのサンドイッチ
型センサからなる光電変換部が所定数（例えば、８ドッ
ト／mmの場合、日本工業規格Ａ列４番用としては１７２
８個、同規格Ｂ列４番用としては２０４８個）並設され
るように構成されている。
とによって光導電体層を挟んだサンドイッチ型センサを
基本構造とし、長尺の絶縁性基板上にこのサンドイッチ
型センサからなる光電変換部が所定数（例えば、８ドッ
ト／mmの場合、日本工業規格Ａ列４番用としては１７２
８個、同規格Ｂ列４番用としては２０４８個）並設され
るように構成されている。
そして正確な読み取りを可能とするためにはこれらの各
センサは互いに完全に独立であると共に受光（センサ）
部の面積も同一でなければならない。
センサは互いに完全に独立であると共に受光（センサ）
部の面積も同一でなければならない。
例えば、最も基本的な長尺薄膜読み取り素子では第５図
に示す如く下部電極１０２も光導電体層１０４も各セン
サ毎に分割形成されると共に、透光性の上部電極１０３
も要部では分割形成されて、下部電極１０２と透光性の
上部電極１０３とによって光導電体層が挟まれた領域を
受光面積（センサ面積）として規定し、各センサを分離
形成している。
に示す如く下部電極１０２も光導電体層１０４も各セン
サ毎に分割形成されると共に、透光性の上部電極１０３
も要部では分割形成されて、下部電極１０２と透光性の
上部電極１０３とによって光導電体層が挟まれた領域を
受光面積（センサ面積）として規定し、各センサを分離
形成している。
この構成では、下部電極の形成、光導電体層の形成、上
部電極の形成、これらすべてにフォトリソエッチングプ
ロセスを用いなければならず製造工程が繁雑である上、
パターンのずれ等により、各センサの受光面積にばらつ
きが生じる等の不都合があった。また、上部電極形成の
ためのフォトリソエッチングプロセス等において、マス
クとの境界にあたる部分で光導電体層の端部が汚染され
損傷を受けて信頼性の低下、歩留りの低下を生じるとい
う問題もあった。
部電極の形成、これらすべてにフォトリソエッチングプ
ロセスを用いなければならず製造工程が繁雑である上、
パターンのずれ等により、各センサの受光面積にばらつ
きが生じる等の不都合があった。また、上部電極形成の
ためのフォトリソエッチングプロセス等において、マス
クとの境界にあたる部分で光導電体層の端部が汚染され
損傷を受けて信頼性の低下、歩留りの低下を生じるとい
う問題もあった。
また、ノンドープのアモルファスシリコンを光導電体層
として用いた長尺薄膜読み取り素子ではアモルファスシ
リコン自体が高抵抗（暗時の抵抗率〜１０９Ωcm）であ
ることを利用して隣接ビット間（隣接する各センサ間）
の分離（アイソレーション）を省略し、下部電極のみを
分割形成し、光導電体層および上部電極は１体的に形成
したものも提案されている。
として用いた長尺薄膜読み取り素子ではアモルファスシ
リコン自体が高抵抗（暗時の抵抗率〜１０９Ωcm）であ
ることを利用して隣接ビット間（隣接する各センサ間）
の分離（アイソレーション）を省略し、下部電極のみを
分割形成し、光導電体層および上部電極は１体的に形成
したものも提案されている。
例えば、第６図(a)および第６図(b)にこの１例を示す如
く、この長尺薄膜読み取り素子は、１列にｎ個の光電変
換部ＬＥ１，ＬＥ２，…，ＬＥｎを配列してなるもの
で、絶縁性基板１の上に所定の間隔で並設された下部電
極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎと、この電極Ｓ
Ｅ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎの一端部に重なるよ
うに形成された光導電体層としての水素化アモルファス
シリコン層２と、さらに該水素化アモルファスシリコン
層２の上に形成された透光性の上部電極３とから構成さ
れている。
く、この長尺薄膜読み取り素子は、１列にｎ個の光電変
換部ＬＥ１，ＬＥ２，…，ＬＥｎを配列してなるもの
で、絶縁性基板１の上に所定の間隔で並設された下部電
極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎと、この電極Ｓ
Ｅ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎの一端部に重なるよ
うに形成された光導電体層としての水素化アモルファス
シリコン層２と、さらに該水素化アモルファスシリコン
層２の上に形成された透光性の上部電極３とから構成さ
れている。
そして、このような長尺薄膜原稿読み取り素子の動作
は、例えば第６図に示した光電変換部ＬＥ２に適宜の大
きさのバイアス電圧を印加しておき、センサエリアＬ２
に適当な波長の光を照射すると、該センサエリアＬ２内
には電子および正孔が生成され、該電子および正孔はそ
れぞれ下部電極ＳＥ２および上部透光性電極３に向かっ
て移動することにより、照射された光の強さに対応して
流れる光電流を読み取り信号としてとり出すようにした
ものである。
は、例えば第６図に示した光電変換部ＬＥ２に適宜の大
きさのバイアス電圧を印加しておき、センサエリアＬ２
に適当な波長の光を照射すると、該センサエリアＬ２内
には電子および正孔が生成され、該電子および正孔はそ
れぞれ下部電極ＳＥ２および上部透光性電極３に向かっ
て移動することにより、照射された光の強さに対応して
流れる光電流を読み取り信号としてとり出すようにした
ものである。
この光電変換部ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，…，ＬＥｎに
おいて、センサとして、機能を果たす部分（以下、セン
サエリアという）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｎは下部電
極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎと上部電極３と
が交差する領域である。
おいて、センサとして、機能を果たす部分（以下、セン
サエリアという）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｎは下部電
極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎと上部電極３と
が交差する領域である。
ところで、このような長尺薄膜読み取り素子の製造は次
のようにしてなされる。
のようにしてなされる。
(1)第１工程 絶縁性基板１の全面にわたって導体層を形成し、この導
体層に対してフォトリソエッチングを施すことにより適
宜の形状および大きさの下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ
３，…，ＳＥｎを形成する（第７図(a)参照）。
体層に対してフォトリソエッチングを施すことにより適
宜の形状および大きさの下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ
３，…，ＳＥｎを形成する（第７図(a)参照）。
(2)第２工程 前記下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎの一
端部に重ねてプラズマＣＶＤ法により適宜の厚さ（例え
ば１μｍ）に水素化アモルファスシリコン層２を堆積す
る（第７図(b)参照）。
端部に重ねてプラズマＣＶＤ法により適宜の厚さ（例え
ば１μｍ）に水素化アモルファスシリコン層２を堆積す
る（第７図(b)参照）。
(3)第３工程 水素化アモルファスシリコン層２の形成された基板１に
適宜形状の開口部を有するメタルマスク（図示せず）を
装着し、反応性真空蒸着法あるいは反応性スパッタリン
グ法などの方法によって帯状に透光性の上部電極３を形
成する（第７図(c)参照）。
適宜形状の開口部を有するメタルマスク（図示せず）を
装着し、反応性真空蒸着法あるいは反応性スパッタリン
グ法などの方法によって帯状に透光性の上部電極３を形
成する（第７図(c)参照）。
なお、センサエリアＬ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｎはその
大きさが同一であることが必要であるが、前記上部電極
３形成時のメタルマスクの位置合わせの誤差を見込ん
で、マスクの位置がずれてもセンサエリアＬ１，Ｌ２，
Ｌ３，…，Ｌｎの大きさがほぼ同一となるように、下部
電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎのうち光信号
取出部分ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎ以外の部
分の幅をできるだけ狭くするようにしている（第６図
(a)参照）。かかる構成においても上部電極と下部電極
との重なりによってセンサエリアの面積が規定され、フ
ォトリソエッチングプロセスは、下部電極の形成時に用
いられるのみで、上部電極の着膜は、メタルマスク等を
介してスパッタリング法等により選択的に行なわれ、製
造工程は簡略化されるが、メタルマスクの端部にあたる
部分で下地の光導電体層が損傷を受け、これが製造歩留
りの低下につながっていた。
大きさが同一であることが必要であるが、前記上部電極
３形成時のメタルマスクの位置合わせの誤差を見込ん
で、マスクの位置がずれてもセンサエリアＬ１，Ｌ２，
Ｌ３，…，Ｌｎの大きさがほぼ同一となるように、下部
電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎのうち光信号
取出部分ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎ以外の部
分の幅をできるだけ狭くするようにしている（第６図
(a)参照）。かかる構成においても上部電極と下部電極
との重なりによってセンサエリアの面積が規定され、フ
ォトリソエッチングプロセスは、下部電極の形成時に用
いられるのみで、上部電極の着膜は、メタルマスク等を
介してスパッタリング法等により選択的に行なわれ、製
造工程は簡略化されるが、メタルマスクの端部にあたる
部分で下地の光導電体層が損傷を受け、これが製造歩留
りの低下につながっていた。
ところで、長尺薄膜原稿読み取り素子の解像度（分解
能）の向上を計るためには光電変換部の配列密度を大き
くすると共に各光電変換部の長さすなわちセンサエリア
の長さを小さくすることが考えられる。例えば、２次元
画像の読み取りに際し解像度を２倍にするには長尺薄膜
原稿読み取り素子を構成する光電変換部の配列密度を２
倍にすると共に光電変換部の幅も1/2にしなければなら
なくなり受光部の大きさは約1/4に減少し、上部電極形
成時のメタルマスクの位置合わせは困難となり、フォト
リソグラフィおよびエッチングによって上部電極を作製
する必要が生じる。
能）の向上を計るためには光電変換部の配列密度を大き
くすると共に各光電変換部の長さすなわちセンサエリア
の長さを小さくすることが考えられる。例えば、２次元
画像の読み取りに際し解像度を２倍にするには長尺薄膜
原稿読み取り素子を構成する光電変換部の配列密度を２
倍にすると共に光電変換部の幅も1/2にしなければなら
なくなり受光部の大きさは約1/4に減少し、上部電極形
成時のメタルマスクの位置合わせは困難となり、フォト
リソグラフィおよびエッチングによって上部電極を作製
する必要が生じる。
しかし、光電変換部の配列密度の増加と共に上部電極の
幅も狭くしなければならず（例えば１６本／mmの配列密
度で５０μｍ以下）、相対的に上部電極の長さは長くな
る。このため、各光電変換部にバイアス電圧を印加する
と、前記上部電極の抵抗によって所望のバイアス電圧が
印加されない光電変換部が生じるという問題があった。
また、光電変換部の配列密度の増加に伴い前記したよう
に下部電極のうち光信号取出部分以外の部分の幅をでき
るだけ狭くするため、断線する可能性が多くなるという
問題があった。
幅も狭くしなければならず（例えば１６本／mmの配列密
度で５０μｍ以下）、相対的に上部電極の長さは長くな
る。このため、各光電変換部にバイアス電圧を印加する
と、前記上部電極の抵抗によって所望のバイアス電圧が
印加されない光電変換部が生じるという問題があった。
また、光電変換部の配列密度の増加に伴い前記したよう
に下部電極のうち光信号取出部分以外の部分の幅をでき
るだけ狭くするため、断線する可能性が多くなるという
問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、特性が均
一で信頼性の高い長尺薄膜読み取り素子を提供すること
を目的とする。
一で信頼性の高い長尺薄膜読み取り素子を提供すること
を目的とする。
そこで本発明では、基板上に、所定の配列された複数の
下部電極と、光電変換層と、透光性の上部電極とが順次
積層せしめられてなる長尺読み取り素子において、前記
下部電極と前記光電変換層との間に、センサエリアを規
定する開口窓を有すると共にその開口窓の周縁を覆う絶
縁層を介在せしめるようにしている。
下部電極と、光電変換層と、透光性の上部電極とが順次
積層せしめられてなる長尺読み取り素子において、前記
下部電極と前記光電変換層との間に、センサエリアを規
定する開口窓を有すると共にその開口窓の周縁を覆う絶
縁層を介在せしめるようにしている。
上記構成によれば、センサエリアが下部電極上に形成さ
れた絶縁層によって規定されているため、各センサのセ
ンサエリア面積が高精度に規定され、極めて均一な特性
を呈するものとなる。
れた絶縁層によって規定されているため、各センサのセ
ンサエリア面積が高精度に規定され、極めて均一な特性
を呈するものとなる。
また、センサエリアは上部電極のパターンに左右される
ことなく、前記絶縁層に形成される開口窓によってのみ
決定されるため、上部電極のパターン精度は要求されな
い。従って、メタルマスク等によって大きめに形成すれ
ばよいため、フォトリソグラフィーも不要であり、製造
が容易でかつ光電変換層が汚染されることもない。ま
た、メタルマスクを用いて上部電極を形成する際に、メ
タルマスクを用いて上部電極を形成する際に、メタマス
クの端部にあたる部分で下地の光導電体層が損傷を受け
ても、センサエリアの周縁は絶縁膜で規定されるためそ
の部分は、センサエリア外とすることができるため、歩
留りも向上し、信頼性の高いものとなる。
ことなく、前記絶縁層に形成される開口窓によってのみ
決定されるため、上部電極のパターン精度は要求されな
い。従って、メタルマスク等によって大きめに形成すれ
ばよいため、フォトリソグラフィーも不要であり、製造
が容易でかつ光電変換層が汚染されることもない。ま
た、メタルマスクを用いて上部電極を形成する際に、メ
タルマスクを用いて上部電極を形成する際に、メタマス
クの端部にあたる部分で下地の光導電体層が損傷を受け
ても、センサエリアの周縁は絶縁膜で規定されるためそ
の部分は、センサエリア外とすることができるため、歩
留りも向上し、信頼性の高いものとなる。
また、絶縁層が開口窓の周縁を覆うようにし、高密度に
配置した場合、最大限にセンサエリアを大きくとること
ができ、その結果最大限に大きな出力を得ることができ
る。
配置した場合、最大限にセンサエリアを大きくとること
ができ、その結果最大限に大きな出力を得ることができ
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
第１図(a)および(b)は、本発明実施例の長尺薄膜読み取
り素子を示す図である。（第１図(b)は第１図(a)のＡ−
Ａ´断面を示す図である。） この長尺薄膜読み取り素子は、所定の間隔で１列に配列
されたｎ個の幅Ｔのクロム膜パターンからなる下部電極
ＬＳ１，ＬＳ２，…，ＬＳｎとこの下部電極上でセンサ
エリアを規定するように基板表面全体に選択的に形成さ
れた絶縁層としての窒化シリコン膜４と、センサエリア
となる部分を覆うように形成された光電変換層としての
帯状の水素化アモルファスシリコン層２と、更に、この
上層でセンサエリアとなる部分を覆うように形成された
帯状の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）層からなる透光性の
上部電極３とが順次積層せしめられてなるもので、セン
サエリアＬ１〜Ｌｎが均一で１列に配列されたｎ個の光
電変換部ＬＥ１，…，ＬＥｎを構成している。
り素子を示す図である。（第１図(b)は第１図(a)のＡ−
Ａ´断面を示す図である。） この長尺薄膜読み取り素子は、所定の間隔で１列に配列
されたｎ個の幅Ｔのクロム膜パターンからなる下部電極
ＬＳ１，ＬＳ２，…，ＬＳｎとこの下部電極上でセンサ
エリアを規定するように基板表面全体に選択的に形成さ
れた絶縁層としての窒化シリコン膜４と、センサエリア
となる部分を覆うように形成された光電変換層としての
帯状の水素化アモルファスシリコン層２と、更に、この
上層でセンサエリアとなる部分を覆うように形成された
帯状の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）層からなる透光性の
上部電極３とが順次積層せしめられてなるもので、セン
サエリアＬ１〜Ｌｎが均一で１列に配列されたｎ個の光
電変換部ＬＥ１，…，ＬＥｎを構成している。
次に、この長尺薄膜読み取り素子の製造工程について説
明する。
明する。
(1)第１工程 絶縁性基板１の表面にクロム膜を約３０００Åの厚さで
着膜し、フォトリソグラフィおよびエッチング処理を施
して下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎを形
成する（第２図(a)参照）。
着膜し、フォトリソグラフィおよびエッチング処理を施
して下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎを形
成する（第２図(a)参照）。
(2)第２工程 下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎの形成さ
れた基板１にプラズマＣＶＤ法によって窒化シリコンを
約６０００Åの厚さに堆積して、窒化シリコン膜４を形
成する（第２図(b)参照）。
れた基板１にプラズマＣＶＤ法によって窒化シリコンを
約６０００Åの厚さに堆積して、窒化シリコン膜４を形
成する（第２図(b)参照）。
(3)第３工程 窒化シリコン膜４に対してフォトリソグラフィおよびエ
ッチング処理を施し、下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，Ｓ
Ｅ３，…，ＳＥｎのうち光信号取出部分ＬＳ１，Ｌ
Ｓ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎ上の窒化シリコン膜４を除去
し、センサエリアとなる窓を形成する（第２図(c)参
照）。これは、第３工程終了時点における当該基板１の
平面図（第３図参照）に示すように各光信号取出部分Ｌ
Ｓ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎの大きさを同一にす
る必要があるが、上述のフォトリソグラフィおよびエッ
チングにより行なうことができる。
ッチング処理を施し、下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，Ｓ
Ｅ３，…，ＳＥｎのうち光信号取出部分ＬＳ１，Ｌ
Ｓ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎ上の窒化シリコン膜４を除去
し、センサエリアとなる窓を形成する（第２図(c)参
照）。これは、第３工程終了時点における当該基板１の
平面図（第３図参照）に示すように各光信号取出部分Ｌ
Ｓ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎの大きさを同一にす
る必要があるが、上述のフォトリソグラフィおよびエッ
チングにより行なうことができる。
なお、本実施例では窒化シリコン膜４を絶縁層として用
いたが、これに限らず次の第４工程で水素化アモルファ
スシリコン膜の形成時の温度領域２００℃乃至３００℃
において変質しないものであれば、用いることができこ
れにはＰＳＧ（リンをドープした酸化シリコン）、シリ
コンオキシナイトライド、およびポリイミドなどの材料
を用いてもよい。
いたが、これに限らず次の第４工程で水素化アモルファ
スシリコン膜の形成時の温度領域２００℃乃至３００℃
において変質しないものであれば、用いることができこ
れにはＰＳＧ（リンをドープした酸化シリコン）、シリ
コンオキシナイトライド、およびポリイミドなどの材料
を用いてもよい。
(4)第４工程 光信号取出部分ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎす
なわち、センサエリアを形成するための窓を覆うように
水素化アモルファスシリコンを約１００００Åの厚さに
堆積して、水素化アモルファスシリコン層２を形成する
（第２図(d)参照）。
なわち、センサエリアを形成するための窓を覆うように
水素化アモルファスシリコンを約１００００Åの厚さに
堆積して、水素化アモルファスシリコン層２を形成する
（第２図(d)参照）。
(5)第５工程 光信号取出部分ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３，…，ＬＳｎ上
の水素化アモルファスシリコン層２、すなわちセンサエ
リアＬ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｎの部分を覆うようにＩ
ＴＯを約２０００Åの厚さに堆積して上部電極３を形成
し、長尺薄膜原稿読み取り素子が完成する（第１図(b)
参照）。
の水素化アモルファスシリコン層２、すなわちセンサエ
リアＬ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｎの部分を覆うようにＩ
ＴＯを約２０００Åの厚さに堆積して上部電極３を形成
し、長尺薄膜原稿読み取り素子が完成する（第１図(b)
参照）。
以上のようにして製造した長尺薄膜読み取り素子の性能
は、従来の方法で作製した場合に比べ各光電変換部の特
性は均一なものとなっている。
は、従来の方法で作製した場合に比べ各光電変換部の特
性は均一なものとなっている。
また、水素化アモルファスシリコン層の形成後にフォト
リソ工程を経ることなく形成できるため、エッチング工
程における水素化アモルファスシリコン層の劣化もなく
信頼性の高いものとなる。
リソ工程を経ることなく形成できるため、エッチング工
程における水素化アモルファスシリコン層の劣化もなく
信頼性の高いものとなる。
更に、高密度化に際しても上部電極は、その幅を狭める
必要はなく、絶縁層でセンサエリアが規定されるため、
上部電極の幅は大きめにとることができ、上部電極の抵
抗の増大によるセンサの読み取り特性のばらつきの発生
が防止される。
必要はなく、絶縁層でセンサエリアが規定されるため、
上部電極の幅は大きめにとることができ、上部電極の抵
抗の増大によるセンサの読み取り特性のばらつきの発生
が防止される。
また、下部電極は、従来のようにセンサエリア以外でも
その幅を狭める必要はなくなり、センサエリアと同一幅
で形成されているため、上層の水素化アモルファスシリ
コン層、上部電極の形成に際してメタルマスクとの接触
によって、断線したりするようなこともない。
その幅を狭める必要はなくなり、センサエリアと同一幅
で形成されているため、上層の水素化アモルファスシリ
コン層、上部電極の形成に際してメタルマスクとの接触
によって、断線したりするようなこともない。
下部電極ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎの段差部
は窒化シリコン膜で覆われておりセンサエリアではない
ため、従来のように段差上で薄くなった光電変換層に電
界集中が起り絶縁破壊を生じたりすることもなくなり特
性の劣った光電変換部の発生する確率はより小さいもの
となる。
は窒化シリコン膜で覆われておりセンサエリアではない
ため、従来のように段差上で薄くなった光電変換層に電
界集中が起り絶縁破壊を生じたりすることもなくなり特
性の劣った光電変換部の発生する確率はより小さいもの
となる。
なお、当該長尺薄膜原稿読み取り素子に用いる窒化シリ
コン膜等の絶縁層と同一の材料によって該素子のパッシ
ベーション膜を形成することで、熱ストレスに対して安
定した素子を製造することができる。
コン膜等の絶縁層と同一の材料によって該素子のパッシ
ベーション膜を形成することで、熱ストレスに対して安
定した素子を製造することができる。
以上説明してきたように、本発明によれば、下部電極上
に形成される絶縁層によって、センサエリア（光信号取
出部分）を規定しているため、光電変換層および上部電
極は、高精度のパターニングを要することなく各センサ
の特性の均一な長尺薄膜読み取り素子を得ることができ
る。また、光電変換層および上部電極はセンサエリアに
相当する領域を覆うように形成すればよいため、フォト
リソ工程を経ることなく、容易に形成され光電変換層と
してのアモルファスシリコン層の劣化および接合特性の
劣化を生じることもなく信頼性も向上する。
に形成される絶縁層によって、センサエリア（光信号取
出部分）を規定しているため、光電変換層および上部電
極は、高精度のパターニングを要することなく各センサ
の特性の均一な長尺薄膜読み取り素子を得ることができ
る。また、光電変換層および上部電極はセンサエリアに
相当する領域を覆うように形成すればよいため、フォト
リソ工程を経ることなく、容易に形成され光電変換層と
してのアモルファスシリコン層の劣化および接合特性の
劣化を生じることもなく信頼性も向上する。
特に、上部電極はその幅を狭める必要はなくなるため、
上部電極の抵抗によるセンサ読み取り特性のばらつきの
発生が防止される。
上部電極の抵抗によるセンサ読み取り特性のばらつきの
発生が防止される。
また、下部電極は、センサエリアに当る部分以外は絶縁
層で被覆されているため、セアサエリア以外でその幅を
狭める必要はなくなり、上層の光電変換層、上部電極等
の形成時における機械的接触および摩耗等に起因する断
線も防止される。
層で被覆されているため、セアサエリア以外でその幅を
狭める必要はなくなり、上層の光電変換層、上部電極等
の形成時における機械的接触および摩耗等に起因する断
線も防止される。
第１図(a)および第１図(b)は、本発明実施例の長尺原稿
読み取り素子を示す図、第２図(a)乃至第２図(d)および
第３図は、同素子の製造工程図、第４図(a)および第４
図(b)は本発明の他の実施例を示す図、第５図、第６図
(a)および第６図(b)は従来例の長尺原稿読み取り素子を
示す図、第７図(a)乃至第７図(c)は第６図(a)および第
６図(b)に示した素子の製造工程図である。 １……絶縁性基板、２……水素化アモルファスシリコン
膜、３……上部電極、４……窒化シリコン膜、ＳＥ１，
ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎ……下部電極。
読み取り素子を示す図、第２図(a)乃至第２図(d)および
第３図は、同素子の製造工程図、第４図(a)および第４
図(b)は本発明の他の実施例を示す図、第５図、第６図
(a)および第６図(b)は従来例の長尺原稿読み取り素子を
示す図、第７図(a)乃至第７図(c)は第６図(a)および第
６図(b)に示した素子の製造工程図である。 １……絶縁性基板、２……水素化アモルファスシリコン
膜、３……上部電極、４……窒化シリコン膜、ＳＥ１，
ＳＥ２，ＳＥ３，…，ＳＥｎ……下部電極。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に 所定の間隔で配列された複数の下部電極と、 光電変換層と、 透光性の上部電極とが順次積層せしめられてなる長尺原
稿読み取り素子において、 前記各下部電極と前記光電変換層との間に、前記下部電
極の周辺を覆い、前記下部電極上面のみを開口した開口
部を具備した絶縁層を介在せしめ、 前記光電変換層と前記上部電極は、前記開口部および開
口部周囲の絶縁層をも覆うように形成されていることを
特徴とする長尺原稿読み取り素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267770A JPH0614542B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 長尺原稿読み取り素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267770A JPH0614542B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 長尺原稿読み取り素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58036819A Division JPS59161862A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 長尺原稿読み取り素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119262A JPS63119262A (ja) | 1988-05-23 |
| JPH0614542B2 true JPH0614542B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=17449346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267770A Expired - Lifetime JPH0614542B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 長尺原稿読み取り素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614542B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP62267770A patent/JPH0614542B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63119262A (ja) | 1988-05-23 |
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