JPH06150078A

JPH06150078A - 非接触型ｉｃメモリカードシステム

Info

Publication number: JPH06150078A
Application number: JP4303697A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Masuno; 浩幸増野
Original assignee: PFU Ltd
Current assignee: PFU Ltd
Priority date: 1992-11-13
Filing date: 1992-11-13
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】光を利用して本体装置とデータの受け渡しを
行う非接触型ＩＣメモリカードに関し，伝送する光信号
が散乱光の影響を受けず確実に伝送されるようにし，ま
た，伝送する光信号を多値としてデータに対応付け，情
報伝送量を多くすることを目的とする。【構成】発光素子２，１２と受光素子（Ａ）６，１０
を備えた本体装置に挿入し，受光素子（Ｂ）５，１５と
液晶４，１４を備えて光により本体装置とデータの受け
渡しを行う非接触型ＩＣメモリカード１において，非接
触型ＩＣメモリカード１の受光素子（Ｂ）５，１５は本
体装置の発光素子２，１２からの制御信号もしくは書き
込みデータの光信号を受信するものであって, 非接触型
ＩＣメモリカード１は, 該受光素子（Ｂ) ５，１５上部
を覆い外部からの散乱光を遮光する遮光部３，１３備え
る構成を持つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，光を利用して本体装置
とデータの受け渡しを行う非接触型ＩＣメモリカードに
関する。

【０００２】通常のＩＣカードは，電気的接点を本体装
置のソケットに挿入し，電気的接点を介してデータの受
け渡しを行うようにしている。電気的接点を持つＩＣカ
ードは工場等で腐食性雰囲気の中で使用されたりすると
接点が腐食し短期間でＩＣカードが使用不能になること
がある。そのため，電気的接点を介さずに本体装置とデ
ータの受け渡しを行う非接触型ＩＣメモリカードが開発
されている。

【０００３】

【従来の技術】図９は従来の非接触型ＩＣメモリカード
であって，光学的にデータの書き込み読み出しを行うも
のである。

【０００４】(a)は書き込みのための構成を示す。図に
おいて，２００は本体装置，２０１は非接触型ＩＣメモ
リカードである。該本体装置２００において，２１１は
制御用発光素子であって，書き込み指示および書き込み
アドレスを指定する等の制御信号，および書き込みデー
タを光信号として出力するものである。２１０は制御部
であって，本体装置２００の制御を行うものである。

【０００５】非接触型ＩＣメモリカード２０１におい
て，２２０は受光素子（Ｂ）である。２２１は書き込み
制御部であって，受光素子（Ｂ）２２０が受信した書き
込みデータをメモリ２２２に書き込む制御をするもので
ある。２２２はデータを格納するメモリである。

【０００６】図の構成の動作を説明する。制御部２１０
から書き込みデータを表す信号が送られてくる。制御用
発光素子２１１は書き込みデータを表す信号に基づいて
点滅し，光信号を受光素子（Ｂ）２２０に送信する。

【０００７】非接触型ＩＣメモリカード２０１におい
て，受光素子（Ｂ）２２０は制御用発光素子２１１から
送られてくる光信号を受光する。受光素子（Ｂ）２２０
は光信号を電気信号に変換する。そして，書き込み制御
部２２１は制御データで指定されたアドレスに受信した
書き込みデータを書き込む。

【０００８】(b)は読み出しのための構成を示す。図に
おいて，２００は本体装置，２０１は非接触型ＩＣメモ
リカードである。本体装置２００において，２１０は制
御部，２１１は制御用発光素子，２１２は読み出し用発
光素子である。２１３は受光素子（Ａ）であって，読み
出された信号を受光するものである。

【０００９】非接触型ＩＣメモリカード２０１におい
て，２２０は受光素子（Ｂ），２２２はメモリ，２２３
は読み出し制御部であって，受光素子（Ｂ）２２０から
出力される制御信号（読み出し指示とメモリ２２２のア
ドレス等）に基づいてメモリ２２２に格納されているデ
ータを読み出すものである。２２４は液晶制御部であっ
て，読み出されたデータに応じたパターン（バーコー
ド，文字等）を液晶に表示するように液晶を駆動するも
のである。２２５は液晶であって，読み出されたデータ
の表すパターンを表示するものである。

【００１０】図の構成の動作を説明する。制御用発光素
子２１１は，制御部２１０から送信されてくる制御信号
（読み出し指示，読み出しアドレス等）に基づいて点滅
し，受光素子（Ｂ）２２０に制御信号を送る。

【００１１】非接触型ＩＣメモリカード２０１におい
て，受光素子（Ｂ）２２０は光による制御信号を受光
し，電気信号に変換する。読み出し制御部２２３は受光
素子（Ｂ）２２０で電気信号に変換された制御信号に基
づいて，メモリ２２２からデータを読み出す。液晶制御
部２３４は，液晶２２５を駆動し読み出されたデータに
対応するパターン（バーコード，文字等）を表示する。

【００１２】本体側の読み出し用発光素子２１２が発光
し，その光は液晶２２５を透過して受光素子（Ａ）２１
３で受光される。受光素子（Ａ）２１３は，液晶を透過
した光を受光し，液晶に表示されているパターンに応じ
た電気信号に変換して出力する。制御部２１０は受光素
子（Ａ）２１３で変換された電気信号を入力して，読み
出されたデータの処理を行う。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】光学的に本体装置と信
号の受け渡しを行う非接触型ＩＣメモリカードは，光信
号が正確に伝送され外部からの散乱光等により光信号が
乱されることがないようにする必要がある。従来の非接
触型ＩＣメモリカードは，そのための配慮が十分になさ
れてなく，信号光以外の散乱光が入射され誤動作の原因
になることがあった。また，従来の光による信号伝送は
２値であったので転送できる情報量が少なかった。

【００１４】本発明は，伝送する光信号が散乱光の影響
を受けず確実に伝送される非接触型ＩＣメモリカードを
提供する。また，伝送する光信号を光量に対応付けて多
値としてデータに対応付け，情報伝送量を多くした非接
触型ＩＣメモリカードを提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の基本構成
(1) および(2) ，図２は本発明の基本構成(3) および
(4) ，図３は本発明の基本構成(5) および(6) を示す。

【００１６】図１ (a)は本発明の基本構成(1) （透過
型）を示す（請求項１に対応する）。図において，１は
非接触型ＩＣメモリカード，２は発光素子であって，本
体装置に備えられたものであり，制御用の光信号を発光
して受光素子（Ｂ）５に入射させるとともに，液晶４を
透過して受光素子（Ａ）６に入射する光を発光するもの
である。３は遮光部であって，受光素子（Ｂ）５の上部
を覆い外部の散乱光が入射しないようにするものであ
る。４は液晶である。５は受光素子（Ｂ）であって，発
光素子２から出力される光による制御信号を入射し，電
気信号に変換するものである。６は受光素子（Ａ）であ
って，本体装置側のものであり，発光素子２で発光して
液晶４を透過する光を入射するものである。

【００１７】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。図１ (b)は本発明の基本構成(2) （反射型）を示
す。図において，１０は受光素子（Ａ）であって，本体
装置に備えられ，液晶を透過して反射板１６で反射する
光を受光するものである。１１は非接触型ＩＣメモリカ
ードである。１２は発光素子であって，本体装置に備え
られ，制御用の光信号を発光して受光素子（Ｂ）１５に
入射するとともに，液晶１４を透過して反射板１６で反
射され受光素子（Ａ）１０に入射される光を発光するも
のである。１３は遮光部であって，受光素子（Ｂ）５の
上部を覆い外部の散乱光を遮光するものである。１４は
液晶である。１５は受光素子（Ｂ）であって，発光素子
１２から出力される光による制御信号および書き込みデ
ータを受光し，電気信号に変換するものである。１６は
反射板であって，発光素子２を光源として液晶１４を透
過する光を受光素子（Ａ）１０の方向に反射するもので
ある。

【００１８】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。図２ (a)は本発明の基本構成(3) （反射板を集光
型とする構成）を示す（請求項２に対応する）。

【００１９】図において，１０は受光素子（Ａ）であっ
て，本体装置側のものである。１１は非接触型ＩＣメモ
リカードである。１２は発光素子であって，本体装置に
備えられたものである。１４は液晶，１５は受光素子
（Ｂ）である。１６は反射板であって，発光素子１２を
光源とし液晶１４を透過して入射される光を反射させ，
集光して受光素子（Ａ）１０に入射するようにするもの
である。

【００２０】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。図２ (b)は本発明の基本構成(4) （液晶自体をス
リットとする構成）を示す（請求項３に対応する）。

【００２１】図は，液晶４を液晶自体をスリットとして
複数領域に分割し，透過光を並列処理することによりデ
ータ処理の高速化を計ったものである。図において，１
は非接触型ＩＣメモリカード，２は発光素子であって，
本体装置に備えられるものである。４は液晶，５は受光
素子（Ｂ）である。６，６’は受光素子（Ａ）であっ
て，本体装置に備えられるものである。受光素子６，
６’は液晶４の透過光を並列に処理するために複数設け
たものである。１８は液晶スリットであって，液晶自体
でスリットを構成するようにし，液晶を複数領域に分割
して信号を複数並列処理するようにしたものである。黒
い斜線部分は液晶の色を濃く（黒くする等）とし，光が
透過しないようにし，光を透過させる部分は透明となる
ようにしたものでである。

【００２２】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。図３ (a)は本発明の基本構成(5) （書き込み制
御）である（請求項４，５に対応する）。

【００２３】図は複数の異なる光量に対して書き込みデ
ータの光信号，読み出しデータの光信号を割り当て，光
量を制御して光量に応じた光信号の伝送を行うようにし
た場合のデータの書き込みのための構成を示す。

【００２４】図において，１は非接触型ＩＣメモリカー
ド，１’は本体装置である。本体装置１’において，２
は発光素子，２０は発光制御部であって，書き込むべき
データとそのデータに対応する光量で発光素子２が発光
するように発光制御し，データを伝送するものである。
２１は書き込みデータであって，英数字，文字等のデジ
タルデータを表す。２２はデータと光量の対応テーブル
であり，書き込みデータ２１と発光素子２の発光光量を
対応付けたデータを格納するテーブルである。

【００２５】非接触型ＩＣメモリカード１において，５
は受光素子（Ｂ），３０はデータ判定部（Ｂ）であっ
て，受光素子（Ｂ）５の受光光量に基づく信号値につい
てデータと光量の対応テーブル３３を参照し書き込みデ
ータを判定するものである。３１は書き込み制御部であ
って，データ判定部（Ｂ）３０の判定した書き込みデー
タをメモリ３２に書き込む制御を行うものである。３２
はメモリ，３３はデータと光量の対応テーブルであっ
て，データと光量を対応付けたデータを格納するテーブ
ルである。

【００２６】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。図３ (b)は本発明の基本構成(6) （読み出し制
御）である（請求項４，５に対応する）。

【００２７】図は複数の異なる光量に対して書き込みデ
ータの光信号，読み出しデータの光信号をデータに対し
て割り当て，光量を制御して光信号を伝送するようにし
た場合のデータの読み出しのための構成を示す。

【００２８】１は非接触型ＩＣメモリカードである。
１’，１”は本体装置である。本体装置１，１”におい
て，２は発光素子，６は受光素子（Ａ）である。２２’
はデータと光量の対応テーブルである（図３ (a)参照符
号２２に同じ）。４２はデータ判定部（Ａ）であって，
受光素子（Ａ）６の受光光量に基づく信号値についてデ
ータと光量の対応テーブル２２’を参照し読み出しデー
タを判定するものである。

【００２９】非接触型ＩＣメモリカード１において，４
は液晶，４０は液晶制御部であって，発光素子２を光源
とする光が液晶４を透過した後に，読み出しデータに対
応する光量の光が受光素子（Ａ）６に入射されるような
透明度が得られるように液晶を駆動するものである。４
１は読み出し制御部であって，メモリ３２から指定され
たアドレスのデータを読み出すものである。

【００３０】図の構成の動作は後述する（作用の項参
照）。なお，上記の各基本構成において，制御信号の発
光素子（発光素子２）と，液晶４に表示された読み出し
データのパターン（バーコード，文字等のパターンのみ
でなく，データに対応する透過する光量を制御する場合
の液晶表示濃度を含む）を読み取るための光源となる発
光素子（発光素子２）を同一の発光素子で行う場合の構
成について示したが，従来の非接触型ＩＣメモリカード
（図９参照）のように，異なる発光素子により構成する
ようにしても良い。

【００３１】また，基本構成(4) ，基本構成(5) ，基本
構成(6) は透過型の場合について説明したが，反射型と
しても良い。

【００３２】

【作用】図１の (a)基本構成(1) （透過型）の動作を説
明する。まず，非接触型ＩＣメモリカード１のメモリの
データを読み出す場合を説明する。

【００３３】発光素子２は制御信号（読み出しの指示，
読み出しアドレス等）に基づいて点滅し，光による制御
信号を受光素子（Ｂ）５に伝送する。受光素子（Ｂ）５
は受光した信号を電気信号に変換し，非接触型ＩＣメモ
リカード１の制御部（図示せず）に転送する。そして，
非接触型ＩＣメモリカード１において，メモリ（図示せ
ず）から指定されたアドレスのデータが読み出され，液
晶４は読み出されたデータに対応するパターンを表示す
る。発光素子２を光源として液晶４を透過した光は液晶
４の表示パターンを表す光信号となって受光素子（Ａ）
６で受光される。受光素子（Ａ）６は受光した信号光を
電気信号に変換し，本体装置の制御部（図示せず）の側
に転送する。

【００３４】次に，非接触型ＩＣメモリカード１のメモ
リにデータを書き込む場合を説明する。発光素子２は制
御信号（書き込みの指示，書き込みアドレス等）に基づ
いて点滅し，光信号として受光素子（Ｂ）５に伝送す
る。受光素子（Ｂ）５は光信号を電気信号に変換し，非
接触型ＩＣメモリカード１の制御部（図示せず）の側に
転送する。そして，発光素子２は書き込みデータを光信
号に変換して受光素子（Ｂ）５に転送する。受光素子
（Ｂ）５は伝送されてくる光信号を電気信号に変換し，
制御部（図示せず）の側に送り，メモリの指定されたア
ドレスにデータが書き込まれる。

【００３５】図の構成において，受光素子（Ｂ）５は遮
光部３で遮光でされているので，発光素子２からの光に
よる制御信号，データが外部からの散乱光により乱され
ることがない。そのため，本発明によれば受光素子
（Ｂ）５の受信信号の精度が高くなり，本体装置の誤動
作がなくなって信頼性が向上する。

【００３６】図１の (b)基本構成(2) （反射型）の動作
を説明する。まず，非接触型ＩＣメモリカード１１のメ
モリのデータを読み出す場合を説明する。

【００３７】発光素子１２は制御信号（読み出しの指
示，読み出しアドレス等）に基づいて点滅し，光による
制御信号として受光素子（Ｂ）１５に伝送される。受光
素子（Ｂ）１５は光による制御信号を電気信号に変換
し，非接触型ＩＣメモリカード１１の制御部（図示せ
ず）に転送され，メモリ（図示せず）から指定されたア
ドレスのデータが読み出される。そして，液晶１４は読
み出されたデータを表すパターンを表示する。発光素子
１２を光源として液晶１４を透過し，反射板１６で反射
して光信号となった反射光は受光素子（Ａ）１０で受光
される。受光素子（Ａ）１０は光信号を電気信号に変換
し，制御部（図示せず）の側に転送する。

【００３８】次に，非接触型ＩＣメモリカード１のメモ
リにデータを書き込む場合を説明する。発光素子１２は
制御信号（書き込みの指示，書き込みアドレス等）に基
づいて点滅し，光による制御信号を受光素子（Ｂ）１５
に伝送する。受光素子（Ｂ）１５は光信号を電気信号に
変換し，非接触型ＩＣメモリカード１１の制御部（図示
せず）の側に伝送する。そして，発光素子１２は書き込
みデータを光信号に変換して受光素子（Ｂ）１５に伝送
する。受光素子（Ｂ）１５は発光素子１２から伝送され
る光信号を電気信号に変換し，制御部（図示せず）にお
くる。そして，本体装置から伝送されてきたデータがメ
モリに書き込まれる。

【００３９】図の構成において，受光素子（Ｂ）１５は
遮光部３で遮光でされているので，発光素子１２からの
制御信号，データ信号が外部からの散乱光により乱され
ることがない。そのため，本発明によれば受光素子
（Ｂ）１５の受信信号の精度が高くなり，本体装置の誤
動作がなくなり，信頼性が向上する。

【００４０】図２の (a)基本構成(3) （反射板を集光型
とした構成）の動作を説明する。図の構成は，反射板１
６を集光型として，発行素子１２を光源として反射板１
６で反射した光を集光して受光素子（Ａ）１０に伝送す
るようにしたものである。信号の受渡し動作は前述の反
射型の場合と同様であるので説明は省略する。

【００４１】図の構成において，反射板１６は凹面鏡の
ように構成されているので反射光は集光されて受光素子
（Ａ）１０に入射される。そのため，本発明によれば，
光信号が効率良く受光素子（Ａ）１０に集められ，信号
精度（ＳＮ比等）が良くなり，信頼性が向上する。

【００４２】図２の (b)基本構成(4) （液晶自体をスリ
ットとする構成）の動作を説明する。非接触型ＩＣメモ
リカードにおいて，読み出し，書き込みデータを複数並
列して転送すれば，動作を高速化することができる。

【００４３】そのような場合，液晶を複数領域に分割し
て，並列して駆動する必要がある。図は，そのために液
晶を分割するスリットを液晶自身で構成したものであ
る。信号の受け渡しの動作は透過型の場合と同様である
ので説明は省略する。

【００４４】液晶スリット１８は，液晶の駆動により光
を透過する部分と光を遮る部分を液晶自身で構成してス
リットとする。図の構成において，液晶スリット１８の
スリットで分割された透明領域を透過した光は受光素子
（Ａ）６，受光素子（Ａ）６’で受光され，それぞれ電
気信号に変換されて並列信号として制御部（図示せず）
に転送される。

【００４５】本発明よれば，入射光，反射光の入射領域
を分割するスリットを液晶自体で構成するようにしたの
で，非接触型ＩＣメモリカードの構成が簡単化される。
図３ (a)基本構成(5) （書き込み制御）の動作を説明す
る。

【００４６】発光制御部２０は書き込み制御信号（２
値）に従って発光素子を点滅制御し，光により制御信号
を伝送する。次いで，発光制御部２０はデータと光量の
対応テーブル２２を参照し，書き込みデータをデータに
対応する光量で発光するように発光素子２の発光制御を
行う。発光素子２は書き込みデータに対応する光量で発
光し書き込みデータの光信号を出力する。受光素子
（Ｂ）５は受信した光信号を電気信号に変換する。受光
量は書き込みデータに対応して定められた光量であるの
で，書き込みデータに応じた電気信号（電圧値もしくは
電流値）が受光素子（Ｂ）５から出力される。そこで，
データ判定部（Ｂ）３０はデータと光量の対応テーブル
３３を参照し，受信信号の表す書き込みデータを判定す
る。書き込み制御部３１は書き込みデータをメモリ３２
に書き込む。

【００４７】図３ (b)基本構成(6) （読み出し制御）の
動作説明をする。発光素子２から光により制御信号が与
えられる。（この動作は図３ (a)の書き込み動作におけ
る制御信号の受け渡し動作と同じである）。読み出し制
御部４１は指定されたアドレスのデータをメモリ３２か
ら読み出す。液晶制御部４０は読み出されたデータにつ
いてデータと光量の対応テーブル３３を参照し，データ
に対応する光量で光が透過するように液晶４を駆動す
る。

【００４８】液晶４はデータに応じた光量で光が透過さ
れるようなパターン表示（発光する色の濃度を変える
等）を行う。そして，発光素子２を光源とする光は液晶
４を透過し，読み出しデータに応じて定められる光量と
なって受光素子（Ａ）６で受光される。

【００４９】受光素子（Ａ）６は受光された光量に応じ
た電気信号に変換する。そてし，本体装置のデータと光
量の対応テーブル２２’を参照して，受信データを判定
する。

【００５０】本発明によれば，アナログ制御できる液晶
の光透過量に応じて定める多値の光量に対応してデータ
を対応付けるので処理する情報量を大幅に増やすことが
できる。

【００５１】

【実施例】図４は本発明の実施例(1) を示す。図は，本
発明の基本構成(2) の実施例である。

【００５２】図において，５１は非接触型ＩＣメモリカ
ード，５２は発光素子であって，本体装置に備えられる
ものである。５３は遮光部である。５４は液晶，５５は
受光素子（Ｂ）である。

【００５３】図の構成は，受光素子（Ｂ）５５をできる
だけ，発光素子５２に近づけて位置できるように反射板
と反対側に配置し，液晶も図示のように斜部を設けたも
のである。

【００５４】図の構成により，発光素子５２からの信号
光が有効に受光素子（Ｂ）５５に入射される。また，受
光素子（Ｂ）５５は遮光部５３に完全に遮光されるの
で，外部の散乱光により受光素子（Ｂ）５５が乱される
ことがない。

【００５５】図５は本発明の実施例(2) である。(a)は
本発明の基本構成(1) の実施例であり，液晶に外部スリ
ット６６を設けることにより，液晶を複数領域に分割し
てデータを並列処理して高速化するとともに，遮蔽部６
３，外部スリット６６により外部からの散乱光および信
号光どうしの干渉で光信号が乱さないようにしたもので
ある。

【００５６】図において，６１は非接触型ＩＣメモリカ
ード，６２は発光素子アレイであって，複数の受光素子
６２’よりなるものである。６３は遮光部であって，制
御用受光素子６７に対する外部の散乱光を遮光するもの
である。６４は液晶，６５は受光素子（Ａ）アレイであ
って，複数の受光素子（Ａ）６５’よりなるものであ
る。６６は外部スリットであって，発光素子アレイ６２
の各発光素子６２’に対応して，液晶領域分割するもの
である。６７は制御用受光素子である。

【００５７】図の構成により，液晶を分割して，並列動
作させる場合，透過光が散乱して，隣接領域と信号が干
渉することがなくなる。また，外部からの散乱光による
干渉も遮光部６３，外部スリット６６により遮光されて
いるので並列動作の信頼性が高くなる。

【００５８】図５(b) は本発明の基本構成(1) ，基本構
成(2) ，基本構成(4) の実施例である。図は液晶自体に
よりスリットを構成するとともに，液晶自体で制御用発
光素子６７の遮光部６３を設けた場合を示す。

【００５９】図において，６１は非接触型ＩＣメモリカ
ード，６２は発光素子アレイであって，複数の受光素子
６２’よりなるものである。６３は遮光部であって，液
晶の一部を光を透過しないようにして制御用受光素子６
７に対する外部の散乱光を遮光するものである。６４は
液晶，６５は受光素子（Ａ）アレイであって，複数の受
光素子（Ａ）６５’よりなるものである。６６’は液晶
スリットであって，発光素子アレイ６２の各発光素子６
２’に対応する領域を光が透過するようにし，隣接領域
間は光が透過しないように液晶領域分割するものであ
る。６７は制御用受光素子である。

【００６０】図の構成は液晶の分割するスリットおよび
遮光部６３を液晶自身で構成したので，ＩＣカードの構
成が簡単になる。また，並列動作において，透過光が散
乱して隣接領域と信号が干渉することがなくなり，制御
用受光素子６７も遮光部６３で遮光されるので並列動作
の信頼性が高くなる等は (a)の場合と同様である。

【００６１】図６は本発明の実施例(3) であって，本発
明の基本構成(3) の実施例である。(a)は反射板を集光
型とすることにより反射光の散乱を防止する場合を示
す。図において，７１は非接触型ＩＣメモリカードであ
る。７２は発光素子・受光素子アレイであって，複数の
発光素子７２’と複数の受光素子（Ａ）７２”よりなる
ものである。７４は液晶，７５は反射板であって，発光
素子７２’を光源として液晶を通過する光を反射するも
のある。反射板７５は発光素子７２’からの光を集め
て，受光素子（Ａ）７２”に有効に入射されるようにす
る。

【００６２】図において，制御用信号を受光する受光素
子（Ｂ）は省略されている。図の構成において，発光素
子７２’を光源とする光は液晶７４を透過して反射板７
５で反射し，液晶７４を透過して受光素子（Ａ）７２”
に入射する。反射板７５は凹面に形成され，発光素子７
２’から入射された光は反射板７５で反射され，受光素
子７２”の側に集光するように反射される。

【００６３】そのため，図の構成によれば，受光素子
（Ａ）７２”に有効に光が集められので，光信号に対す
る精度が高くなる。(b)は半円筒型の形状であり７５は
反射板の断面図，７５’は反射板の平面図である。

【００６４】(c)は凹面型の構成であり，７５は反射板
の断面図，７５’は反射板の平面図である。図７は，本
発明の光量に応じてデータを書き込む場合の実施例を示
す。

【００６５】図は，発光素子の発光光量を連続的（アナ
ログ的）に制御できることを利用し，発光光量に応じた
書き込みデータを定め，データの書き込みを行う場合の
実施例を示す。

【００６６】図において，８０は本体装置，８１は非接
触型ＩＣメモリカードである。本体装置８０において，
８２は発光制御部であって，入力される書き込みデータ
をデータと光量の対応テーブル８５を参照して書き込み
データに対応する光量を求め，発光素子（Ａ）８４が対
応する光量で発光されるように制御するものである。８
６はプロセッサであって，本体装置８０を制御するもの
である。８７は発光電源部であって，発光素子（Ａ）８
４の発光電源である。

【００６７】非接触型ＩＣメモリカード８１において，
９０は受光素子（Ｂ）である。９１はデータ判定部
（Ｂ）であって，データと光量の対応テーブル９３を参
照して受光素子（Ｂ）９０が受光した光量に応じて書き
込みデータを判定するものである。９２は書き込み制御
部であって，データ判定部（Ｂ）９１の判定した書き込
みデータをメモリ９４に書き込むものである。９３はデ
ータと光量の対応テーブルである。９４はメモリであ
る。９５は非接触型ＩＣメモリカード８１を制御するプ
ロセッサである。

【００６８】図の構成の動作を説明する。書き込みデー
タ入力部８３より英数字，文字等のコードの書き込みデ
ータが入力される。発光制御部８２はプロセッサ８６に
制御されて，データの光量の対応テーブル８５を参照
し，入力された書き込みデータに対応する発光素子
（Ａ）８４の発光光量を求める。そして，発光制御部８
２は，発光光量が入力された書き込みに対応するように
発光素子（Ａ）８４に印加される電圧を制御する。

【００６９】非接触型ＩＣメモリカード８１において，
受光素子（Ｂ）９０は発光素子（Ａ）８４が発光する書
き込みデータに対応する光量の光を受光し，電気信号に
（電圧値もしくは電流値）に変換する。データ判定部
（Ｂ）９１はデータと光量の対応テーブル９３を参照
し，受光した光量に対応する書き込みデータ判定する。
書き込み制御部９４はデータ判定部（Ｂ）９１が判定し
た書き込みデータをメモリ９４に書き込む。

【００７０】図８は光量に応じてデータを読み出す場合
の実施例を示す。図は液晶を透過する光量を連続的（ア
ナログ的）に制御できることを利用し，液晶を透過して
受光される光量に対応して読み出しデータを対応付け
て，非接触型ＩＣメモリカードに書き込まれているデー
タを読み出す場合の構成である。

【００７１】図において，８０，８０’は本体装置，８
１は非接触型ＩＣメモリカードである。非接触型ＩＣメ
モリカード８１において，１００は液晶，１００’は受
光素子（Ｂ）であって，本体装置から送られてくる制御
信号を受信するものである。１０２は液晶制御部であっ
て，データと光量の対応テーブル１０４を参照して読み
出し制御部１０３がメモリ１０５から読み出したデータ
に対応する光量を求め，液晶を透過する光が読み出した
データに対応する光量で受光素子（Ａ）９１で受光され
るように液晶１００を駆動するものである。１０３は読
み出し制御部であって，制御用データ（読み出し指示と
アドレス等）に基づいて，メモリ１０５から指定された
アドレスのデータを読み出すものである。１０４はデー
タと光量の対応テーブル，１０５はメモリ，１０６はプ
ロセッサであって，非接触型ＩＣメモリカード８１を制
御するものである。

【００７２】本体装置８０，８０’において，９０は発
光素子，９１は受光素子（Ａ），９２はデータ判定部
（Ａ）であって，受光素子（Ａ）９１で受光された光に
基づく電気信号からデータと光量の対応テーブル９４を
参照して伝送されてきた読み出しデータを求めるもので
ある。９３はデータ処理部であって，データ判定部
（Ａ）９２の判定した読み出しデータの処理を行うもの
である。９４はデータと光量の対応テーブルである。９
５はプロセッサであって，本体装置を制御するものであ
る。

【００７３】図の構成の動作を説明する。受光素子９０
は，光により送信されてきた制御信号を受光し，電気信
号に変換する。読み出し制御部１０３は読み出し指示と
アドレスに基づいて，メモリ１０５から指定されたアド
レスのデータを読み出す。液晶制御部１０２はデータと
光量の対等テーブル１０４を参照し，読み出されたデー
タに対応する光量を求める。そして，液晶を透過する光
が読み出されたデータに対応する光量で受光素子（Ａ）
９１に入射されるように液晶を駆動する（液晶の表示濃
度等を制御する）。対応するアナログ値で駆動する。

【００７４】一方，発光素子９０を光源とする光は液晶
１００を透過する。この時，液晶の発光する状態（表示
濃度等）に応じて，透過光は減衰し，受光素子（Ａ）９
１において，読み出されたデータに対応する光量として
受光される。受光素子（Ａ）９１は受光光量に応じたア
ナログの電気信号（電圧値もしくは電流値）に変換して
出力する。データ判定部（Ａ）９２はデータと光量の対
応テーブル９４を参照し，受信した読み出しデータを判
定する。データ処理部９３は求められた読み出しデータ
によりデータ処理を行う。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば，ＩＣカードは本体装置
と非接触でデータの受け渡しができるため本体装置との
接続端子を必要としない。そのため，端子が腐食されて
ＩＣカードが使用できなくなるようなことがなくなり，
長期間の使用に耐えるＩＣカードを実現することができ
る。また，信号を受け取る受光部は外部の散乱光を遮蔽
する構造となっているので，信号の伝送精度が良い。ま
た，反射型の場合には反射板が反射光を集光する構造に
なっているので，光信号が有効に受光素子に集められ，
データ精度が向上する。液晶自体で液晶スリットを構成
した場合には簡単な構成で並列伝送できるようになる。
さらに，光のアナログ量に対応してデータを対応付けた
ので，伝送できるデータの種類および伝送速度も早くな
る。できる情報量を大幅に増大することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本構成(1) および(2) を示す図であ
る。

【図２】本発明の基本構成(3) および(4) を示す図であ
る。

【図３】本発明の基本構成(5) および(6) を示す図であ
る。

【図４】本発明の実施例(1) を示す図である。

【図５】本発明の実施例(2) を示す図である。

【図６】本発明の実施例(3) を示す図である。

【図７】本発明の実施例(4) （光量に応じたデータを書
き込む場合）を示す図である。

【図８】本発明の実施例(5) （光量に応じたデータを読
み出す場合）を示す図である。

【図９】従来の非接触型ＩＣメモリカードを示す図であ
る。

【符号の説明】

１：非接触型ＩＣメモリカード２：発光素子（本体装置側）３：遮光部４：液晶５：受光素子（Ｂ）６：受光素子（Ａ）（本体装置側）１０：受光素子（Ａ）（本体装置側）１１：非接触型ＩＣメモリカード１２：発光素子（本体装置側）１３：遮光部１４：液晶１５：受光素子（Ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子(2,12)と受光素子（Ａ）（6,1
0) を備えた本体装置に挿入し，受光素子（Ｂ）(5,15)
と液晶(4,14)を備えて光により本体装置とデータの受け
渡しを行う非接触型ＩＣメモリカードシステムにおい
て，非接触型ＩＣメモリカード(1) の受光素子（Ｂ）
（5,15) は本体装置の発光素子(2) からの制御信号もし
くは書き込みデータの光信号を受信するものであって,
非接触型ＩＣメモリカード(1) は, 該受光素子（Ｂ)
(5,15)の上部を覆い外部からの散乱光を遮光する遮光部
(3,13)を備えることを特徴とする非接触型ＩＣメモリカ
ードシステム。
【請求項２】発光素子(2,12)と受光素子（Ａ）（10)
を備えた本体装置に挿入し，受光素子（Ｂ）(15)と液晶
(14)を備えて光により本体装置とデータの受け渡しを行
う非接触型ＩＣメモリカードシステムにおいて，液晶(1
4)に対して発光素子(12)と反対側に反射板(16)を備え,
反射板(16)は発光素子(12)を光源として液晶(14)を透過
する光を反射し, 該受光素子（Ａ）(10)は反射板(16)で
反射した光信号を受光し，本体装置は液晶(14)の表示に
基づいてデータを受け取る反射型の非接触型ＩＣメモリ
カードであり，反射板(16)は発光素子(12)を光源とする
反射光を該受光素子（Ａ）(10)の側にに集光する構造の
ものであることを特徴とする非接触型ＩＣメモリカード
システム。
【請求項３】発光素子(12)と受光素子（Ａ）（10) を
備えた本体装置に挿入し，受光素子（Ｂ）(15)と液晶(1
4)を備えて光により本体装置とデータの受け渡しを行う
非接触型ＩＣメモリカード(1) において，液晶(4,14)は
発光素子(2) を光源とする光の入射領域を分割するスリ
ットを備えるものであり,該スリットは光を透過する領
域と光を透過しない領域に液晶自身の色を制御して構成
するものであることを特徴とする非接触型ＩＣカードメ
モリカードシステム。
【請求項４】発光素子(12)と受光素子（Ａ）（10) を
備えた本体装置に挿入し，受光素子（Ｂ）(15)と液晶(1
4)を備えて光により本体装置とデータの受け渡しを行う
非接触型ＩＣメモリカード(1) において，非接触型メモ
リカード(1) に書き込むもしくは読み出すデータに対し
て液晶（4)の多値の透過光量を対応付けたことを特徴と
する非接触型ＩＣカードメモリカードシステム。
【請求項５】請求項４において，本体装置はデータと
光量の対応テーブル（22 )と書き込みにおいて，データ
と光量の対応テーブル(22)を参照して書き込みデータに
対して発光素子(2) の発光光量を多値に制御する発光制
御部(20)と，読み出しにおいて受光素子（Ａ) (6) の受
光した多値の受光信号をデータと光量の対応テーブル(2
2)を参照してデータ値を判定するデータ判定部（Ａ)(4
2) を備え,非接触型ＩＣメモリカード(1) は書き込みに
おいて発光素子(2) から送信される受光光量に応じたデ
ータの内容を判定するデータ判定部（Ｂ) (30)と, 読み
出しにおいてメモリ(32)から読み出されたデータをデー
タと光量の対応テーブル(33)を参照して対応する光量の
透過光量が得られるように液晶を駆動する液晶駆動部(4
0)とを備えたことを特徴とする非接触型ＩＣメモリカー
ドシステム。