JPH06150391A

JPH06150391A - 光ディスク原盤の作製方法

Info

Publication number: JPH06150391A
Application number: JP4295620A
Authority: JP
Inventors: Fumiaki Ueno; 文章植野; Michiyoshi Nagashima; 道芳永島; Kenji Takamoto; 健治高本; Toshinori Kishi; 俊法貴志; Hisaki Miyamoto; 寿樹宮本; Shinya Abe; 伸也阿部
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-11-05
Filing date: 1992-11-05
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】高記録密度を達成するため、深さの異なった
二種類の信号ピットを安定して形成する。【構成】吸収端の異なる二種類のフォトレジスト２、
３を重ねて塗布した基板１に、波長の異なる二種類の光
を照射する事により、一方の光は一方のフォトレジスト
２のみを感光させ、もう一方の光は両方のフォトレジス
ト２、３を感光させるので、フォトレジスト２、３の厚
さに応じた深さの信号ピットを形成することができ、深
さの異なる二種類の信号ピットを安定して形成すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスク原盤の作製方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク原盤は、一般に表面を研摩し
た硝子基板にフォトレジストを塗布し、これを記録すべ
き情報信号により強度変調したレーザー光を用いて感光
させ、現像してその感光度に対応した凹凸状の信号もし
くは溝または凹凸状の信号及び溝を形成して作製され
る。以下この凹凸状の信号もしくは溝または凹凸状の信
号及び溝を一括して信号ピットと呼ぶことにする。

【０００３】高記録密度を達成するため、深さの異なっ
た二種類の信号ピットを形成した光ディスクが提案され
ている（例えば特開昭５４−１３６３０３号公報）。こ
の光ディスクでは、深さの異なる二種類の信号ピットの
深さが重要である。

【０００４】このような光ディスクを作製するため、信
号を記録する際の光強度を変化させることにより深さの
異なる二種類の信号ピットを得る方法が示されている。
つまり、浅い信号ピットを記録する場合は強度の弱い光
を、深い信号ピットを記録する場合には強度の強い光を
照射し現像することにより、深さの異なる二種類の信号
ピットを形成する。

【０００５】従来例の光ディスク原盤の作成方法の工程
を図８（ａ）〜（ｃ）に示す。（ａ）表面を研磨等の方
法で平坦にした硝子等からなる基板１にスピンコート法
等の方法でポジ型フォトレジストを塗布し、ベークして
フォトレジスト層１７を形成する。現像によってフォト
レジストは光を照射されていない部分も少し膜厚が減少
するので、現像後に光を照射されていない部分のフォト
レジスト膜厚が深い方の信号ピットの深さになるよう、
深い方の信号ピットの深さより少し厚く塗布する。
（ｂ）深い信号ピットを記録する場合にはフォトレジス
トが現像により全て取り除かれる強度の光を照射し、浅
い信号ピットを記録する場合には、フォトレジストが膜
厚の約半分だけ現像によって取り除かれる強度の光を照
射する。感光した部分を斜線部４で示す。（ｃ）現像す
ることにより感光した部分を取り除き深さの異なる二種
類の信号ピット５、６を形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】照射する光強度を調整
することによりフォトレジスト膜を途中まで現像によっ
て取り除く方法では、光強度のばらつきや現像条件のば
らつき等によって信号ピットの深さが変化してしまい、
安定して二種類の深さの信号ピットを形成することがで
きない。

【０００７】本発明は、上記の欠点を排除した深さの異
なる二種類の信号ピットを有する光ディスク原盤の作製
方法を提供することを目的としたものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を、
基板に吸収端の異なる二種類のフォトレジストを重ねて
塗布し、波長の異なる二種類の光を照射することにより
達成する。

【０００９】

【作用】吸収端の異なる二種類のフォトレジストを重ね
て塗布してあり、一方の光は一方のフォトレジストのみ
を感光させ、もう一方の光は両方のフォトレジストを感
光させるので、フォトレジストの厚さに応じた深さの信
号ピットを形成することができ、深さの異なる二種類の
信号ピットを安定して形成することができる。

【００１０】

【実施例】以下本発明を実施例によって詳細に説明す
る。

【００１１】（実施例１）以下、本発明の一実施例にお
ける光ディスク原盤の作成方法の工程を図１（ａ）〜
（ｃ）に示す。（ａ）表面を研磨等の方法で平坦にした
硝子等からなる基板１にスピンコート法等の方法で第一
のポジ型フォトレジスト２を塗布し、ベークして第一の
フォトレジスト層を形成する。次に、第一のフォトレジ
ストより吸収端が長波長側にある第二のポジ型フォトレ
ジストを第一のフォトレジスト層を形成した基板にスピ
ンコート法等の方法で重ねて塗布し、ベークして第二の
フォトレジスト層３を形成する。

【００１２】（ｂ）第一のフォトレジストの吸収端より
波長が長くかつ第二のフォトレジストの吸収端より波長
の短い第一の光と、第一のフォトレジストの吸収端より
波長が短い第二の光をそれぞれ記録したい信号に応じて
電気光学効果を利用した光変調器等で強度変調し、二層
のフォトレジストを塗布した基板に絞り込んで照射し、
第一の光で第二のフォトレジスト層を感光させ、第二の
光で第一・第二のフォトレジスト層を感光させる。感光
した部分を斜線部４で示す。（ｃ）現像することにより
第一の光を照射した部分は第二のフォトレジスト層のみ
が取り除かれ浅い信号ピット５が、第二の光を照射した
部分は第二のフォトレジスト層と第一のフォトレジスト
層がともに取り除かれ深い信号ピット６が形成される。

【００１３】浅い信号ピットと深い信号ピットの深さ
は、それぞれ第二のフォトレジスト層の膜厚と第一と第
二のフォトレジスト層の膜厚の和で決定されるため、本
発明の方法では信号ピットの深さが安定する。

【００１４】光ディスクは、上記方法によって作製され
た光ディスク原盤をもとにニッケル等の金属からなるス
タンパを作製し、インジェクション法等の方法で大量に
複製されて製造される。

【００１５】基板としては、硝子の他にニッケル・銅等
の金属や、アクリル樹脂等の合成樹脂など表面を平坦に
できる材料であればよい。

【００１６】第一のフォトレジスト層の厚さは、形成し
たい二種類の深さの信号ピットの深さの差を原盤から作
製した光ディスクの材料の屈折率で割った値と等しくな
るようにする。第二のフォトレジスト層の厚さは、浅い
方の信号ピットの深さを原盤から作製した光ディスクの
材料の屈折率で割った値に現像によって未露光部が膜べ
りする量を足した値と等しくなるようにする。

【００１７】λ／４とλ／８の深さの信号ピットを形成
する場合には、第一のフォトレジスト層の厚さはλ／８
ｎに、第二のフォトレジスト層の厚さはλ／８ｎに膜べ
り量を足した値にする。ここで、λは信号を読み取る光
の波長、ｎは原盤から作製した光ディスクの材料の屈折
率である。現像時の膜べり量は現像条件によって異なる
が通常の現像では５〜１５ｎｍ程度である。

【００１８】ポジ型フォトレジストとしては、キノンジ
アジド−ノボラック系レジストや化学増幅形レジストな
どを用いることができる。キノンジアジド−ノボラック
系レジストでは、水溶性のノボラック樹脂に対して感光
剤のキノンジアジドが溶解阻止剤となってノボラック樹
脂がアルカリ現像液に不溶となっているが、キノンジア
ジドが感光することにより溶解阻止機能を失いノボラッ
ク樹脂がアルカリ現像液に可溶となってパターンが形成
される。この場合、キノンジアジゾの種類を変えること
によって、感光する光波長を変化させることができ、第
一の光には感光せず第二の光に感光するフォトレジスト
や、第一の光にも第二の光にも感光するフォトレジスト
を得ることができる。

【００１９】化学増幅型フォトレジストでは、感光剤と
して酸発生剤を用い、感光することによって発生した酸
が触媒となって樹脂の分解が連鎖反応的に促進され現像
液に対する溶解性を高めることによりパターンを形成す
る。この場合は、酸発生剤の種類を変えることにより、
感光する光波長を変化させることができ、第一の光には
感光せず第二の光に感光するフォトレジストや、第一の
光にも第二の光にも感光するフォトレジストを得ること
ができる。

【００２０】これらのフォトレジスト以外のポジ型フォ
トレジストでも、感光剤を変えることにより感光する光
波長を変えることができ、本発明の方法に用いることが
できる。

【００２１】感光剤は、一般にある波長より短い波長の
光に感光する性質を持っている。本発明では、ある感光
剤が感光する最も長波長の光の波長を吸収端と呼んでい
る。

【００２２】信号を記録するための光は、アルゴンレー
ザー・クリプトンレーザー等のガスレーザーやＹＡＧレ
ーザー等の固体レーザーの高調波等を用いることができ
る。

【００２３】信号を記録するための光は、焦点制御用に
レンズの軸方向に駆動する手段を有する対物レンズによ
って基板上に絞り込まれる。波長の異なる二つの光、第
一のフォトレジストの吸収端より波長が長くかつ第二の
フォトレジストの吸収端より波長の短い第一の光と、第
一のフォトレジストの吸収端より波長が短い第二の光を
基板上に絞り込む場合、一般にレンズの焦点距離は波長
によって異なる。このため、波長の異なる二つの光のう
ち、一方の光を平行光で対物レンズに入射させ、もう一
方の光は平行光からずらして入射させることによって、
両方の光が同時に基板に焦点を結ぶように地盤に絞り込
んでいる。

【００２４】光ディスクでは信号はトラック状に記録さ
れる。対物レンズに入射する際に二つの光の間に一定の
角度を持たせることにより、基板上に一定の距離離れて
絞り込ませ、深さの異なる信号ピットを交互のトラック
状に一度の記録現像で形成することができる。

【００２５】本発明の方法では、深さの異なる二種類の
信号ピットを容易に安定して作製することができる。

【００２６】（実施例２）本発明の他の実施例における
光ディスク原盤の作成方法の工程を図２（ａ）〜（ｅ）
に示す。（ａ）表面を研磨等の方法で平坦にした金属等
からなる基板１にスピンコート法等の方法で第一のポジ
型フォトレジストを塗布し、ベークして第一のフォトレ
ジスト層２を形成する。次に、第一のフォトレジストよ
り吸収端が長波長側にある第二のポジ型フォトレジスト
を第一のフォトレジスト層を形成した基板にスピンコー
ト法等の方法で重ねて塗布し、ベークして第二のフォト
レジスト層３を形成する。

【００２７】（ｂ）第一のフォトレジストの吸収端より
波長が長くかつ第二のフォトレジストの吸収端より波長
の短い第一の光と、第一のフォトレジストの吸収端より
波長が短い第二の光をそれぞれ記録したい信号に応じて
電気光学効果を利用した光変調器等で強度変調し、二層
のフォトレジストを塗布した基板に絞り込んで照射し、
第一の光で第二のフォトレジスト層を感光させ、第二の
光で第一・第二のフォトレジスト層を感光させる。感光
した部分を斜線部４で示す。（ｃ）現像することにより
第一の光を照射した部分は第二のフォトレジスト層のみ
が取り除かれ浅い窪み７が、第二の光を照射した部分は
第二のフォトレジスト層と第一のフォトレジスト層がと
もに取り除かれ深い窪み８が形成される。

【００２８】（ｄ）二種類の深さの窪みが形成されたフ
ォトレジスト層をマスクにして、エッチングによって基
板を彫り込む。これにより、フォトレジスト層の窪みの
深さに応じた深さの信号ピット５、６が形成される。
（ｅ）最後に基板上に残ったフォトレジストをリムーバ
ー等の有機溶剤や酸素プラズマによる灰化等の方法で除
去して深さの異なる二種類の信号ピットを有する光ディ
スク原盤を得る。

【００２９】第一のフォトレジスト層の厚さは、形成し
たい二種類の深さの信号ピットの深さの差を原盤から作
製した光ディスクの材料の屈折率で割った値をフォトレ
ジストと基板のエッチレート比で割った値と等しくなる
ようにする。第二のフォトレジスト層の厚さは、浅い方
の信号ピットの深さを原盤から作製した光ディスクの材
料の屈折率で割った値に現像によって未露光部が膜べり
する量を足した値をフォトレジストと基板のエッチレー
ト比で割った値とより大きくなるようにする。

【００３０】基板としては、実施例１記載のものと同様
のものを用いることができるが、望ましくはフォトレジ
ストとエッチレートの異なる材料のものがよい。

【００３１】フォトレジストも、実施例１記載のものと
同様のものを用いることができる。エッチングは、イオ
ンビームエッチング・反応性イオンビームエッチング・
ウエットエッチング等の方法を用いることができる。望
ましくは、基板に垂直方向に彫り込むことのできる異方
性エッチング、例えばイオン銃を用いたＡｒイオンによ
るイオンビームエッチングが望ましい。

【００３２】フォトレジストの窪みをマスクとしてエッ
チングにより信号ピットを形成する本方法では、ピット
深さをエッチングの時間で制御することができ、第二の
フォトレジスト層の膜厚の変動や、現像によるフォトレ
ジストの膜べりの影響を受けずに安定した信号ピット深
さを得ることができる。また、エッチング条件を選べ
ば、信号ピットの形状も良くすることができる。

【００３３】（実施例３）本発明の一実施例における光
ディスク原盤の作成方法の工程を図３（ａ）〜（ｃ）に
示す。（ａ）表面を研磨等の方法で平坦にした硝子等か
らなる基板１にスピンコート法等の方法で第一のネガ型
フォトレジスト９を塗布し、ベークして第一のフォトレ
ジスト層を形成する。次に、第一のフォトレジストより
吸収端が短波長側にある第二のネガ型フォトレジストを
第一のフォトレジスト層を形成した基板にスピンコート
法等の方法で重ねて塗布し、ベークして第二のフォトレ
ジスト層１０を形成する。

【００３４】（ｂ）第一のフォトレジストの吸収端より
波長が短くかつ第二のフォトレジストの吸収端より波長
の長い第一の光と、第二のフォトレジストの吸収端より
波長が短い第二の光をそれぞれ記録したい信号に応じて
電気光学効果を利用した光変調器等で強度変調し、二層
のフォトレジストを塗布した基板に絞り込んで照射し、
第一の光で第一のフォトレジスト層を感光させ、第二の
光で第一・第二のフォトレジスト層を感光させる。
（ｃ）現像することにより第一の光を照射した部分は第
一のフォトレジスト層のみが残り低い突起１１が、第二
の光を照射した部分は第二のフォトレジスト層と第一の
フォトレジスト層がともに残り高い突起１２が形成され
る。

【００３５】信号ピットは基板に対して窪みでも突起で
も同じである。本実施例の場合は、浅い信号ピットと深
い信号ピットに対応して、低い信号ピットと高い信号ピ
ットが形成される。それぞれの信号ピットの高さは、そ
れぞれ第一のフォトレジスト層の膜厚と第一と第二のフ
ォトレジスト層の膜厚の和で決定されるため、本発明の
方法では信号ピットの高さが安定する。

【００３６】基板としては、硝子の他にニッケル・銅等
の金属や、アクリル樹脂等の合成樹脂など表面が平坦に
できる材料であればよい。

【００３７】第二のフォトレジスト層の厚さは、形成し
たい二種類の深さの信号ピットの深さの差を原盤から作
製した光ディスクの材料の屈折率で割った値と等しくな
るようにする。第一のフォトレジスト層の厚さは、浅い
方の信号ピットの深さを原盤から作製した光ディスクの
材料の屈折率で割った値と等しくなるようにする。

【００３８】ネガ型フォトレジストとしては、樹脂・酸
発生剤・架橋剤からなる化学増幅型フォトレジスト等を
用いることができる。化学増幅型フォトレジストでは、
感光剤として酸発生剤を用い、感光することによって発
生した酸が触媒となって樹脂の架橋が連鎖反応的に促進
され現像液に対する溶解性を低下させることによりパタ
ーンを形成する。この場合は、酸発生剤の種類を変える
ことにより、感光する光波長を変化させることができ、
第一の光には感光せず第二の光に感光するフォトレジス
トや、第一の光にも第二の光にも感光するフォトレジス
トを得ることができる。

【００３９】化学増幅型フォトレジスト以外のネガ型フ
ォトレジストでも、感光剤を変えることにより感光する
光波長を変えることができ、本実施例の方法に用いるこ
とができる。

【００４０】（実施例４）本発明の一実施例における光
ディスク原盤の作成方法の工程を図４（ａ）〜（ｄ）に
示す。（ａ）表面を研磨等の方法で平坦にした硝子等か
らなる基板１にスピンコート法等の方法で第一のポジ型
フォトレジストを塗布し、ベークして第一のフォトレジ
スト層１３を形成する。次に、第一のフォトレジストよ
り吸収端が短波長側にある第二のポジ型フォトレジスト
を第一のフォトレジスト層を形成した基板にスピンコー
ト法等の方法で重ねて塗布し、ベークして第二のフォト
レジスト層１４を形成する。

【００４１】（ｂ）第二のフォトレジストの吸収端より
波長が短い光を記録したい信号に応じて電気光学効果を
利用した光変調器で強度変調し、二層のフォトレジスト
を塗布した基板に絞り込んで照射し、第二のフォトレジ
スト層を感光させる。照射する光出力を調整することに
より、第一のフォトレジスト層は感光しないようにす
る。感光した部分４を斜線で示す。（ｃ）次に、深い信
号ピットを形成したい部分に、第二のフォトレジストの
吸収端より波長が長く第一のフォトレジスト層の吸収端
より波長の短い光を強度変調せずに絞り込んで照射し、
第一のフォトレジスト層を感光させる。この光では第二
のフォトレジスト層は感光しない。

【００４２】（ｄ）現像することにより、第二のフォト
レジストの強度変調した光を照射された部分は取り除か
れ浅い信号ピット５が形成される。第二のフォトレジス
トの吸収端より波長が長く第一のフォトレジスト層の吸
収端より波長の短い光を照射された部分のうち、第二の
フォトレジスト層が感光した部分は第二のフォトレジス
ト層が取り除かれるので現像液と触れ合って第一のフォ
トレジストも取り除かれ深い信号ピット６が形成され
る。図５に示すように、第二のフォトレジストの吸収端
より波長が長く第一のフォトレジスト層の吸収端より波
長の短い光を照射された部分のうち、第二のフォトレジ
スト層が感光していない部分は、第一のフォトレジスト
層は現像液と触れ合わないので感光していても取り除か
れない。

【００４３】浅い信号ピットと深い信号ピットの深さ
は、それぞれ第二のフォトレジスト層の膜厚と第一と第
二のフォトレジスト層の膜厚の和で決定されるため、本
発明の方法では信号ピットの深さが安定する。

【００４４】フォトレジストの厚さは実施例１と同様で
あり、第一のフォトレジスト層の厚さは、形成したい二
種類の深さの信号ピットの深さの差を原盤から作製した
光ディスクの材料の屈折率で割った値と等しくなるよう
にする。第二のフォトレジスト層の厚さは、浅い方の信
号ピットの深さを原盤から作製した光ディスクの材料の
屈折率で割った値に現像によって未露光部が膜べりする
量を足した値と等しくなるようにする。また、基板やフ
ォトレジストの材料は実施例１と同様でよい。

【００４５】光は一般に波長が短いほど小さく絞り込む
ことができる。本実施例の方法では、信号を記録する光
は、浅い信号ピットも深い信号ピットもともに短い方の
波長の光であり、どちらも小さな信号ピットを記録する
ことができる。深い信号ピットを形成するための波長の
長い方の光は小さく絞り込むことはできないが、信号ピ
ットの大きさは第二のフォトレジスト層に記録された信
号ピットの大きさで決定されるので、問題にならない。

【００４６】深い信号ピットを形成するために強度変調
した波長の短い光と強度変調していない波長の長い光を
同じ部分に重ねて照射する必要があるが、波長の長い光
は絞り込まれたときの光スポットが波長の長い光より大
きいので、波長の異なる二つの光の絞り込まれたスポッ
ト位置の調整精度に多少余裕があるという利点もある。

【００４７】波長の異なる光は、例えば図６に示すよう
に対物レンズで絞り込まれたスポット位置に調整して置
けば、同時に基板に照射することができる。ここで、１
５は強度変調された波長の短い方の光のスポット、１６
は強度変調していない波長の長い方の光のスポットを示
している。スポット位置の調整は、対物レンズに入射す
る際の各光のなす角を調整することにより調整できる。

【００４８】（実施例５）本発明の一実施例における光
ディスク原盤の作成方法の工程を図７（ａ）〜（ｆ）に
示す。（ａ）平坦にした硝子等からなる基板１にスピン
コート法等の方法で第一のポジ型フォトレジストを塗布
し、ベークして第一のフォトレジスト層１３を形成す
る。次に、第一のフォトレジストより吸収端が短波長側
にある第二のポジ型フォトレジストを第一のフォトレジ
スト層を形成した基板にスピンコート法等の方法で重ね
て塗布し、ベークして第二のフォトレジスト層１４を形
成する。

【００４９】（ｂ）第二のフォトレジストの吸収端より
波長が短い光を記録したい信号に応じて電気光学効果を
利用した光変調器で強度変調し、二層のフォトレジスト
を塗布した基板に絞り込んで照射し、第二のフォトレジ
スト層を感光させる。照射する光出力を調整することに
より、第一のフォトレジスト層は感光しないようにす
る。感光した部分４を斜線で示す。（ｃ）次に、深い信
号ピットを形成したい部分に、第二のフォトレジストの
吸収端より波長が長く第一のフォトレジスト層の吸収端
より波長の短い光を強度変調せずに絞り込んで照射し、
第一のフォトレジスト層を感光させる。この光では第二
のフォトレジスト層は感光しない。

【００５０】（ｄ）現像することにより、第二のフォト
レジストの強度変調した光を照射された部分は取り除か
れ浅い窪み７が形成される。第二のフォトレジストの吸
収端より波長が長く第一のフォトレジスト層の吸収端よ
り波長の短い光を照射された部分のうち、第二のフォト
レジスト層が感光した部分は第二のフォトレジスト層が
取り除かれるので現像液と触れ合って第一のフォトレジ
ストも取り除かれ深い窪み８が形成される。

【００５１】（ｅ）二種類の深さの窪みが形成されたフ
ォトレジスト層をマスクにして、エッチングによって基
板を彫り込む。これにより、フォトレジスト層の窪みの
深さに応じた深さの信号ピット５、６が形成される。
（ｆ）最後に基板上に残ったフォトレジストをリムーバ
ー等の有機溶剤や酸素プラズマによる灰化等の方法で除
去して深さの異なる二種類の信号ピットを有する光ディ
スク原盤を得る。

【００５２】フォトレジストの厚さは実施例２と同様で
ある。また、基板やフォトレジストの材料は実施例１と
同様でよい。エッチング方法も実施例２と同様でよい。

【００５３】フォトレジストの窪みをマスクとしてエッ
チングにより信号ピットを形成する本方法では、ピット
深さをエッチングの時間で制御することができ、第二の
フォトレジスト層の膜厚の変動や、現像によるフォトレ
ジストの膜べりの影響を受けずに安定した信号ピット深
さをえることができる。また、エッチング条件を選べ
ば、信号ピットの形状も良くすることができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明の光ディスク原盤の作製方法は、
吸収端の異なる二種類のフォトレジストを重ねて塗布し
た原盤に、波長の異なる二種類の光を照射する事によ
り、一方の光は一方のフォトレジストのみを感光させ、
もう一方の光は両方のフォトレジストを感光させるの
で、フォトレジストの厚さに応じた深さの信号ピットを
形成することができ、深さの異なる二種類の信号ピット
を安定して形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光ディスク原盤の作
製方法の工程図

【図２】本発明の他の実施例における光ディスク原盤の
作製方法の工程図

【図３】本発明の他の実施例における光ディスク原盤の
作製方法の工程図

【図４】本発明の他の実施例における光ディスク原盤の
作製方法の工程図

【図５】本発明の他の実施例における光ディスク原盤の
作製方法の工程図

【図６】本発明の他の実施例における光スポット位置を
示す説明図

【図７】本発明の他の実施例における光ディスク原盤の
作製方法の工程図

【図８】従来例における光ディスク原盤の作製方法の工
程図

【符号の説明】

１基板２第一のポジ型フォトレジスト３第二のポジ型フォトレジスト９第一のネガ型フォトレジスト１０第二のネガ型フォトレジスト１３第一のポジ型フォトレジスト１４第二のポジ型フォトレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者貴志俊法大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者宮本寿樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者阿部伸也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】吸収端の異なる二種類のフォトレジストを
重ねて塗布した基板を用い、波長の異なる二種類の光を
照射して深さの異なる二種類の信号ピットを形成するこ
とを特徴とする光ディスク原盤の作製方法。
【請求項２】第一のポジ型フォトレジストと、第一のフ
ォトレジストより吸収端が長波長側にある第二のポジ型
フォトレジストを第一のフォトレジストの上に重ねて塗
布した基板を用い、第一のフォトレジストの吸収端より
波長が長くかつ第二のフォトレジストの吸収端より波長
の短い光と、第一のフォトレジストの吸収端より波長が
短い光を照射して信号を記録することを特徴とする深さ
の異なる二種類の信号ピットを形成した光ディスク原盤
の作製方法。
【請求項３】第一のネガ型フォトレジストと、第一のフ
ォトレジストより吸収端が短波長側にある第二のネガ型
フォトレジストを第一のフォトレジストの上に重ねて塗
布した基板を用い、第二のフォトレジストの吸収端より
波長が長くかつ第一のフォトレジストの吸収端より波長
の短い光と、第二のフォトレジストの吸収端より波長が
短い光を照射して信号を記録することを特徴とする深さ
の異なる二種類の信号ピットを形成した光ディスク原盤
の作製方法。
【請求項４】第一のポジ型フォトレジストと、第一のフ
ォトレジストより吸収端が短波長側にある第二のポジ型
フォトレジストを第一のフォトレジストの上に重ねて塗
布した基板を用い、第二のフォトレジストの吸収端より
波長の短い光を照射して信号を記録し、深い信号ピット
を形成する部分に第一のフォトレジストの吸収端より波
長が短くかつ第二のフォトレジストの吸収端より波長の
長い光を重ねて照射することを特徴とする深さの異なる
二種類の信号ピットを形成した光ディスク原盤の作製方
法。
【請求項５】深さの異なる窪みを有するフォトレジスト
層をマスクとして基板をエッチングすることを特徴とす
る請求項２または４記載の光ディスク原盤の作製方法。