JPS60170045A - アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はユーザ書き込みのできる所謂追記型またはＩ）
　ＲＡ　Ｗ　（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅａｄ　ａｆｔｅｒ　
Ｗｒｊｔｅ　）と呼ばれる光ディスク、特にアドレス、
案内溝付光ディスクの製造方法に関する。

所謂追記型光ディスクの一例は公知の如く第１図の一部
断面で示すように構成されており、Ａはスペーサ、Ｂは
空間、Ｃは基板、Ｄは記録材料、Ｅはデータ情報部（ユ
ーザービット）、Ｆはトラックアドレス等の記録された
アドレス部であり、Ｊは案内溝部であり、アドレス部Ｆ
のピント　（アドレスピントと記す）と案内溝部とはメ
ーカ側で記録されており、ユーザビットはユーザにて追
記される。第１図においてはユーザビットにおいてＨは
未記録部を、Ｇは書き込まれたビットを示している。

しかるに、アドレス、案内溝付光ディスクにおいては、
トラッキング信号が最も大きくなるように、案内溝部の
深さをλ／８ｎ（λは記録再生光波長、ｎは基板の屈折
率）とし、アドレスビットの深さは反射光のコン１−ラ
ストが最大となるようにλ／　４　ｎとするのが普通で
ある。

従来、このような光ディスクを作るためには、第２図に
示す如く、フォトレジスト露光源としてのレーザ光源ｌ
からの光を電気／光変調器（以下、Ｅ１０変調器と記す
）２に供給して変調し、変調されたレーザ光を反射ミラ
ーで反射させフォーカスレンズ３に投射して集光させる
ように構成されている。

第２図において、４はよく研磨されたガラス等からなる
記録原盤、５はフォトレジストでλ／４ｎ程度の厚さに
塗布されている。６は記録原盤４を回転させるモータで
ある。

フォーカスレンズ３により生成された光スポットはフォ
トレジスト５上に集光させることにより露光している。

しかるにフォトレジスト５に対する露光量と残膜率（％
）との間に第３図に示す如き関係があり、露光量りで残
膜率は０％、露光量にで残膜率は５０％である。

いまＥ１０変開器２によって記録光すなわち光スポット
を第４図に示す如く、案内溝部Ｊに対して″に″に相当
する光出力に、アドレス部Ｆに対して“Ｌ”に相当する
光出力に変調して、回転中の記録原盤４を露光したとき
、案内溝深さがアドレス部・ノド深さの１／２であるア
ドレス、案内溝付光ディスクが作れる。

しかしながら、従来の上記した如き方法によるときは、
フォトレジスト５に対して残膜率が０％となる“Ｌ”の
露光量では第５図（ｂｌに示す如く平坦な底となるが、
光源にはガウス分布を有するレーザ光を用いるためスポ
ット中心では”Ｋ”の露光量であっても中心から離れる
にともなって露光量が減少するために、現像後の案内溝
部の断面は第５図＋ａｌに示す如く丸底になる欠点があ
った。

また、露光量が“Ｋ“から僅かに変化した場合、残膜率
が大きく変化し、案内溝深さを正確に制御することが困
難となる欠点があった。

またさらに、最大深さの１／２の深さにおける断面の幅
は、露光量“Ｋ”のときをＷｎ、露光量“Ｌ”のときを
Ｗｅ　とずれば必ずＷｏ＜ＷＩＩとなり、深さの浅い溝
部分の幅を深さの深い溝部分の幅より広くするといった
如き構造に製造することができない欠点があった。

本発明は上記にかんがみなされたもので、特性の異なる
２種類の感光材料を重ねて塗布し、それぞれ独立に露光
除去することによって、案内溝部とアドレスビットとの
深さおよび幅を自由に、かつ正確に設定できるアドレス
、案内溝イ」光ディスクの製造方法を提供することを目
的とする。

以下、本発明を実施例により説明する。

第６図に示す如く、記録環１４上に、フォトレジスト７
、中間層８を介してフォトレジスト７上にフォトレジス
ト９が塗布しである。

フォトレジスト７は記録光波長に対する感度がフォトレ
ジスト９の感度よりも低いものが選定してあり、たとえ
ばフォトレジスト７として東京応化工業社の０ＦＰＲＩ
Ｉ、フォトレジスト９として同じ＜０ＦＰＲ８００を用
いることができる。

また中間Ｎ８はフォトレジスト９をフォトレジスト７上
に塗布する際に、フォトレジスト９の溶剤でフォトレジ
スト７が冒されないように設けたものであって、案内溝
部、アドレス部記録時に中間層８は記録光が遮えぎられ
てフォトレジスト７に到達できなくならないように充分
な透光性を有するものでなければならない。そこでたと
えばＳ１０、または５ｉ０２を中間層８として用いるこ
とができる。この場合、中間層８は充分な耐溶剤性を有
し、またエツチングする際の等方性を確保するために２
０〜５００人、好ましくは５０〜３−００人の厚さにす
ることが望ましい。ＳｉＯ，５ｉＱ２はスパッタリング
法または真空蒸着法で付着することができる。

上記の如きフォトレジスト７．９の残膜率％は第７図に
示す如くであり、案内溝部、アドレス情報を記録するに
際して第８図に示す如く、案内溝部は”Ｍ”に相当する
光出力を、アドレスピット部は“Ｎ”に相当する光出力
で露光させる。ここでフォトレジスト９は“Ｍ”、Ｎ″
に相当する光出力で残膜率は０％、フォトレジスト７は
“Ｎ″に相当する光出力で残膜率は０％であり、Ｍ”に
相当する光出力で残膜率はほぼ１００％である。

そこで第８図に示す如く露光された記録原盤４を現像す
ると、フ第１・レジスト９ば“Ｎ”、Ｍ”に相当する先
出力では残膜率０％であるため、第９図に示す如くにフ
ォトレジスト９が除去された状態となる。

ついで、残されたフォトレジスト９をマスクとして中間
層８を除去する。たとえば中間層８がＳｉＯ膜であれば
、腐蝕力の比較的弱いフッ化アンモニュームなどを用い
て緩かにエツチングすることにより除去することができ
る。

この結果、第１０図に示す如く案内溝部およびアドレス
ビット深さは中間層８の厚さ分だけ深くなる。

さらに、もう一度現像すると、フォトレジスト７の内で
その残膜率が０％となる露光量“Ｎ”の光出力で照射さ
れたアドレスピット部だけが除去されて、第１１図に示
す如くアドレスピントの深さが案内溝部の深さよりも深
くなる。この深くなる量はフォトレジスト９の厚さと中
間層８の厚さとの和である。

そこでアドレス、案内溝付光ディスクが製造されること
になる。

フォトレジスト７の厚さをλ／８ｎとし、中間）司８の
厚さをフォトレジスト９の厚さとの和をλ／８ｎとなる
ように予め設定しておくことにより、前述の如くトラッ
キング情報およびアドレス情報読み取りに最適な光ディ
スクが得られる。

なお、上記した本発明の一実施例において、フォトレジ
スト７とフォトレジスト９との間に、中間層８を設けた
が、２種類のフォトレジスト７゜９の溶剤が異なり、フ
ォトレジスト９の溶剤がフォトレジスト７を冒さないも
のであれば、この中間層８は省略することができる。こ
の場合、さらに２種類のフォトレジストが同一現像液で
処理できるものであれば現像回数も１回ですみ工程が簡
素化できる。

また上記した本発明の一実施例においては２種類のフォ
トレジストの記録光の波長に対する感度の相違を利用し
たが、分光感度のずれを利用することもでき、この場合
を他の実施例として説明する。

本発明の他の実施例においては、フォトレジスト７に代
って分光感度が短波長側にあるフォトレジスト、たとえ
ばヘキスト社のＡＺ−１１１等のベンゾキノンジアジド
系フォトレジストを用い、フォトレジスト９に代って分
光感度が長波長側に伸びているフォトレジスト、たとえ
ば同社のＡＺ−１３５０等のナフトキノンジアジド系フ
ォトレジストを用い、第１３図に示す如き光学系からな
る記録装置で露光する。第１３図に示す記録装置は表波
長レーザ光源１０からの光をＥ１０変鋼器１２を介して
反射ミラーに投射し、ビームスプリッタ１４を通してフ
ォーカスレンズ３に導き、短波長レーザ光源１１からの
光をＥ１０変開器１３を介してビームスプリンタ１４に
投射し、ビームスプリンタ１４からの短波長レーザ光も
フォーカスレンズ３に導くように構成しである。

ここで長波長レーザ光により案内溝部を、短波長レーザ
光によりアドレスピントを形成させるべく、Ｅ１０変開
器１２，１３によりレーザ光を第１４図のような信号で
変調して、フォトレジストを露光する。

ナフトキノンジアジド系フォトレジストとペンゾキノン
ジアジト系フォトレジストに対する波長対分光感度は第
１２図に示す如くであり、たとえば長波長レーザ光源１
０からのレーザ光によりＱ波長を、短波長レーザ光源１
１からのレーザ光によりＰ波長を得るようにすれば、前
記した一実施例の場合と同様の現像、エツチングをする
ことにより、第９図、第１０図の状態を経て、第１１図
に示した如くにアドレス、案内溝細光ディスクを製造す
ることができる。

この実施例によればアドレスビットと案内溝部とを別に
の光源により露光しているため、光スポツト径を自由に
設定することができる。したがって、たとえば案内溝部
がアトレスビットより浅く、かつ幅が広いというような
構成にすることも可能である。仮にフォトレジストをＡ
Ｚ−１ｊｌとＡＺ−１３５０との組合せとした場合にお
いて、長波長レーザ光源１０にＡｒレーザー（λ−４５
８ｎｍ）を、短波長レーザ光源１１にＩ（ｅ、Ｃｄレー
ザ（λ−４４２ｎｍ）を用いると第１２図に示したＰ、
Ｑの波長が得られる。

上記した本発明により製造したアドレス、案内溝付光デ
ィスクはそのまま、上に直接Ｔｅ系金属薄膜などの光記
録材料を付着して光ディスクとすることも可能であるが
、一般には上記の原盤を母型としてニッケル等の金属ス
タンパ−を作り、このスタンパ−をさらに母型にして大
量の複製を射出成形などの方法によって作り、光記録材
料を付着して光ディスクとするのが普通である。

以上説明した如く本発明によれば、感光特性の異なる２
種類の感光材料を重ねて塗布し、それぞれ案内溝とアド
レスビットに適した条件で露光、除去することにより、
案内溝とアドレスピットの深さと幅を自由に正確に設定
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はアドレス、案内溝付追記型光ディスクの断面図
、第２図はアドレス部および案内溝部を記録する従来の
装置のブ１コック図、第３図はフォトレジストの残膜率
を示す図、第４図は従来方法によりアドレス、案内溝付
光ディスクにアドレス部、案内溝部を記録するときの光
出力を示す図、第５図は従来方法により製造したときに
おりるアドレスビット、案内溝の断面図、第６図は本発
明方法の一実施例による場合の記録用の原盤断面図、第
７図は本発明方法の一実施例に用いた２種類のフォトレ
ジス１の残１模率を示す図、第８図は本発明方法の一実
施例により記録するときの光出力を示す図、第９図、第
１０図および第１１図は本発明方法の一実施例により露
光、現像後の断面図、中間層を除去後の断面図および２
度「１の現像をして得られた光ディスクの断面図、第１
２図は本発明方法の他の実施例に用いる２種類のフォト
レジストの分光感度を示す図、第１３図は本発明方法の
他の実施例において用いる記録装置のブロック図、第１
４図は本発明方法の他の実施例により記録するときの光
出力を示す図である。 ■、■０および１１・・・レーザ光源、２．工２および
１３・・・Ｅ１０変調器、３・・・フォーカスレンズ、
４・・・記録原盤、７および９・・・ツメｉ・レジス］
・、８・・・中間層。 特許出願人　パイオニア株式会社 第３図 第４図 第５　口 （Ａ）（Ｂ） ］ト・ １５ｅ（１７ｔＬし： 雰Ｌ−１ 艷９図 泥１０図 スト 第１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１記録原盤に感光特性の異なる２種類の感光材料を
   重ねて塗布し、それぞれの感光材料に適した露光条件に
   より露光して、アドレスピットと案内溝に対応して感光
   材料を除去することを特徴とするアドレス、案内溝付光
   ディスク製造方法。 （２）２種類の感光材料は記録光波長に対して感度の異
   なるフメトレジストであり、かつ記録原盤側のフォトレ
   ジストより外表面側のフォトレジストを高感度フォトレ
   ジストとし、露光条件は案内溝部には高感度フォトレジ
   ストだけが残膜率０％になる光出力で露光し、がつアド
   レスピット部には両方のフォトレジストが残膜率０％に
   なる光出力で露光して、現像することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のアドレス、案内溝付光ディスク
   製造方法。 （３）２種類の感光材料は分光感度の異なるフォトレジ
   ストであり、かつ記録原盤側は有感波長域が短いフメト
   レジストとし、外表面倒は有感波長域が長いフォトレジ
   ストとし、露光条件は案内溝部には外表面側のフォトレ
   ジストのみが感度を有する波長の光で露光し、アドレス
   ピット部には両フォトレジストが感度を有する波長の光
   で露光し、現像することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のアドレス、案内溝付光ディスク製造方法。 ＋４）　Ｈｉｍの感光材料の間に中間層を設け、露光に
   より外表面側の感光材料を除去し、残された外表面側の
   感光材料をマスクして中間層を除去し、記録原盤側の感
   光材料を露光して除去することを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のアドレス、案内溝付光ディスク製造方
   法。 （５）　中間層はＳｉＯまたはＳｉＯ□であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のアドレス、案内溝
   付光ディスク製造方法。