JPH06150408A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06150408A JPH06150408A JP4293193A JP29319392A JPH06150408A JP H06150408 A JPH06150408 A JP H06150408A JP 4293193 A JP4293193 A JP 4293193A JP 29319392 A JP29319392 A JP 29319392A JP H06150408 A JPH06150408 A JP H06150408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic layer
- layer
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 基板上に第１磁性層及び第２磁性層が積
層され、第１磁性層が希土類遷移金属系の垂直磁化膜で
構成され、その補償温度が室温とキュリ−温度との間に
あり、第２磁性層が少なくともＦｅとＳｉからなる磁性
膜で構成され、第１磁性層、第２磁性層それぞれのキュ
リ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２とすると、Ｔｃ１−５０℃＜
Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２５０℃である光磁気記録媒体。 【効果】 磁界感度が高く、磁界変調による高速記
録に適し、保磁力が大きい記録の安定性にすぐれた媒体
である。
層され、第１磁性層が希土類遷移金属系の垂直磁化膜で
構成され、その補償温度が室温とキュリ−温度との間に
あり、第２磁性層が少なくともＦｅとＳｉからなる磁性
膜で構成され、第１磁性層、第２磁性層それぞれのキュ
リ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２とすると、Ｔｃ１−５０℃＜
Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２５０℃である光磁気記録媒体。 【効果】 磁界感度が高く、磁界変調による高速記
録に適し、保磁力が大きい記録の安定性にすぐれた媒体
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換えが可能な光磁
気記録媒体に関する。更に詳しくは、磁界変調オ−バ−
ライトに適した光磁気記録媒体に関し、高い磁界感度と
記録安定性を両立を可能とするものである。
気記録媒体に関する。更に詳しくは、磁界変調オ−バ−
ライトに適した光磁気記録媒体に関し、高い磁界感度と
記録安定性を両立を可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体に記録する場合、従来、レ
−ザ−の連続光を照射しながら一定の値の消去磁界をか
けて消去した後、レ−ザ−パワ−を記録パタ−ンに従っ
て変調しながら一定の値の記録磁界をかけて記録する方
式がとられていた。この方式では、消去した後、記録す
るため記録に時間がかかる。
−ザ−の連続光を照射しながら一定の値の消去磁界をか
けて消去した後、レ−ザ−パワ−を記録パタ−ンに従っ
て変調しながら一定の値の記録磁界をかけて記録する方
式がとられていた。この方式では、消去した後、記録す
るため記録に時間がかかる。
【０００４】この問題を解決する為、近年、レ−ザ−の
連続光を照射しながら磁界に記録パタ−ンに従った変調
をかけて消去と記録を同時に行なう、つまり先の記録上
に重ね書き（オ−バ−ライト）を行なう方式が開発さ
れ、磁界変調オ−バ−ライト方式とよばれている。ま
た、さらに記録時間を短縮するために媒体の回転数を大
きくすることも試みられているが、記録周波数も同時に
あげる必要があり、磁界変調オ−バ−ライト方式では、
磁気ヘッドの電流のスイッチング速度を向上させる必要
がある。ピ−ク電流が小さいほどスイッチング速度を向
上させることは容易になるので、より小さな記録変調磁
界でオ−バ−ライトできる光磁気記録媒体が求められて
いる。
連続光を照射しながら磁界に記録パタ−ンに従った変調
をかけて消去と記録を同時に行なう、つまり先の記録上
に重ね書き（オ−バ−ライト）を行なう方式が開発さ
れ、磁界変調オ−バ−ライト方式とよばれている。ま
た、さらに記録時間を短縮するために媒体の回転数を大
きくすることも試みられているが、記録周波数も同時に
あげる必要があり、磁界変調オ−バ−ライト方式では、
磁気ヘッドの電流のスイッチング速度を向上させる必要
がある。ピ−ク電流が小さいほどスイッチング速度を向
上させることは容易になるので、より小さな記録変調磁
界でオ−バ−ライトできる光磁気記録媒体が求められて
いる。
【０００５】一方、光磁気記録媒体の磁界感度の向上に
関しては、例えば、第１５回日本学術講演概要集（１９
９１年）第４３０〜４４０頁に報告されているように、
反射型構造の媒体で磁性膜をＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣ
ｏの積層とした媒体や、同講演概要集の第３０６頁に報
告されているように、ＴｂＦｅＣｏにＰｔＣｏの面内膜
を積層とした媒体が知られいる。また、特開平３−９５
７４１号公報でＴｂＦｅＣｏの一部を酸化してＴｂＦｅ
Ｃｏ／ＴｂＦｅＣｏ：Ｏ面内膜の構造で磁界感度が向上
することが開示されている。いずれも磁性層に積層膜を
用いたものである。
関しては、例えば、第１５回日本学術講演概要集（１９
９１年）第４３０〜４４０頁に報告されているように、
反射型構造の媒体で磁性膜をＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣ
ｏの積層とした媒体や、同講演概要集の第３０６頁に報
告されているように、ＴｂＦｅＣｏにＰｔＣｏの面内膜
を積層とした媒体が知られいる。また、特開平３−９５
７４１号公報でＴｂＦｅＣｏの一部を酸化してＴｂＦｅ
Ｃｏ／ＴｂＦｅＣｏ：Ｏ面内膜の構造で磁界感度が向上
することが開示されている。いずれも磁性層に積層膜を
用いたものである。
【０００６】これらの積層媒体は、磁気異方性の小さな
ＧｄＦｅＣｏやＰｔＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ：Ｏ面内膜のス
ピンが外部磁界方向に向きやすいことを利用している
が、記録のためにＴｂＦｅＣｏに交換結合をしていると
いう特徴を有する。磁気異方性の小さな層はＴｂＦｅＣ
ｏと十分な交換結合をするためにいずれもＧｄ，Ｔｂ，
Ｆｅ，Ｃｏのような磁性原子あるいは磁気モ−メントが
誘起されやすい貴金属のＰｔなどが主成分であった。
ＧｄＦｅＣｏやＰｔＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ：Ｏ面内膜のス
ピンが外部磁界方向に向きやすいことを利用している
が、記録のためにＴｂＦｅＣｏに交換結合をしていると
いう特徴を有する。磁気異方性の小さな層はＴｂＦｅＣ
ｏと十分な交換結合をするためにいずれもＧｄ，Ｔｂ，
Ｆｅ，Ｃｏのような磁性原子あるいは磁気モ−メントが
誘起されやすい貴金属のＰｔなどが主成分であった。
【０００７】複雑な組成の磁性膜を積層していくとき、
それぞれの層に対して合金タ−ゲットを用いてスパッタ
すると装置が簡単になり望ましいが、希土類遷移金属系
の膜は希土類遷移金属合金タ−ゲットの組成と膜の組成
が一致しなかったり、合金タ−ゲットの製法に特別な工
夫をする必要があったりと難しく、装置が複雑になる同
時スパッタを用いることが多い。そのため、積層膜のう
ち希土類遷移金属系のものを減らすことが望まれてい
る。
それぞれの層に対して合金タ−ゲットを用いてスパッタ
すると装置が簡単になり望ましいが、希土類遷移金属系
の膜は希土類遷移金属合金タ−ゲットの組成と膜の組成
が一致しなかったり、合金タ−ゲットの製法に特別な工
夫をする必要があったりと難しく、装置が複雑になる同
時スパッタを用いることが多い。そのため、積層膜のう
ち希土類遷移金属系のものを減らすことが望まれてい
る。
【０００８】ＰｔＣｏは合金タ−ゲットでのスパッタに
よる製造は容易であるが、貴金属のＰｔが８０ａｔ％以
上の成分であることが実用上問題である。
よる製造は容易であるが、貴金属のＰｔが８０ａｔ％以
上の成分であることが実用上問題である。
【０００９】ＴｂＦｅＣｏの一部を酸化する方法は簡単
ではあるが、最適特性を得るための微妙な組成の調整が
難しく、再現性にも乏しかった。
ではあるが、最適特性を得るための微妙な組成の調整が
難しく、再現性にも乏しかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、外部磁界方向に向きやすい磁気異方性の小
さな層の主成分が貴金属のＰｔ，Ａｕや希土類を含まな
いように構成しても、磁気異方性の大きな垂直磁化膜で
あるＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏなどに十分な交換結合
をして、その結果高い磁界感度をもつ新規光磁気記録媒
体を得ることである。
する課題は、外部磁界方向に向きやすい磁気異方性の小
さな層の主成分が貴金属のＰｔ，Ａｕや希土類を含まな
いように構成しても、磁気異方性の大きな垂直磁化膜で
あるＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏなどに十分な交換結合
をして、その結果高い磁界感度をもつ新規光磁気記録媒
体を得ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を重ねた結果、磁気異方性の小さな層の主成分を、Ｆｅ
のような磁性原子のほかに非磁性であるＳｉで構成し、
磁気異方性の大きな垂直磁化膜と積層することにより、
高い磁界依存特性が得られることを見出した。すなわ
ち、本発明は、少なくとも基板上に磁気記録層を積層し
てなる光磁気記録媒体において、前記磁気記録層が、第
１磁性層、第２磁性層からなり、各磁性層として、第１
磁性層が希土類遷移金属系の垂直磁化膜で構成され、そ
の補償温度が室温とキュリ−温度との間にあり、第２磁
性層が少なくともＦｅとＳｉからなる磁性膜で、第１磁
性層、第２磁性層それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔ
ｃ２とすると、 Ｔｃ１−５０℃＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２５０℃ であることを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
を重ねた結果、磁気異方性の小さな層の主成分を、Ｆｅ
のような磁性原子のほかに非磁性であるＳｉで構成し、
磁気異方性の大きな垂直磁化膜と積層することにより、
高い磁界依存特性が得られることを見出した。すなわ
ち、本発明は、少なくとも基板上に磁気記録層を積層し
てなる光磁気記録媒体において、前記磁気記録層が、第
１磁性層、第２磁性層からなり、各磁性層として、第１
磁性層が希土類遷移金属系の垂直磁化膜で構成され、そ
の補償温度が室温とキュリ−温度との間にあり、第２磁
性層が少なくともＦｅとＳｉからなる磁性膜で、第１磁
性層、第２磁性層それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔ
ｃ２とすると、 Ｔｃ１−５０℃＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２５０℃ であることを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の光磁気記録媒体の一例であ
り、基板１上に誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層
４、誘電体層５及び反射膜６をこの順に積層した状態を
示している。
り、基板１上に誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層
４、誘電体層５及び反射膜６をこの順に積層した状態を
示している。
【００１４】基板１の材料としては、ポリカ−ボネ−ト
等の透明樹脂、ガラス等の透明材料を例示することがで
きる。誘電体層２の材料としては、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム等を例示することができ、膜厚としては、５
００オングストローム以上１５００オングストローム以
下が好ましい。また、もう一方の誘電体層５の材料とし
ては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等を例示すること
ができ、膜厚としては１５０オングストローム以上１０
００オングストローム以下が好ましい。反射膜６として
は、アルミニウム、アルミニウムと、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ
等との合金、プラチナ等を例示することができ、膜厚と
しては、３００オングストローム以上１０００オングス
トローム以下が好ましい。ただし、磁性層全体の膜厚が
６００オングストローム以上の場合は反射膜６の膜厚は
３００オングストローム未満あるいは無くてもよい。
等の透明樹脂、ガラス等の透明材料を例示することがで
きる。誘電体層２の材料としては、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム等を例示することができ、膜厚としては、５
００オングストローム以上１５００オングストローム以
下が好ましい。また、もう一方の誘電体層５の材料とし
ては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等を例示すること
ができ、膜厚としては１５０オングストローム以上１０
００オングストローム以下が好ましい。反射膜６として
は、アルミニウム、アルミニウムと、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ
等との合金、プラチナ等を例示することができ、膜厚と
しては、３００オングストローム以上１０００オングス
トローム以下が好ましい。ただし、磁性層全体の膜厚が
６００オングストローム以上の場合は反射膜６の膜厚は
３００オングストローム未満あるいは無くてもよい。
【００１５】又、第１磁性層は、補償温度が室温とキュ
リ−温度の間にある希土類遷移金属系の垂直磁化膜で、
具体的には、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏあるいは他の希土類をさらに含んだ、Ｔｂあるい
はＤｙとＦｅとＣｏとを主成分とした希土類遷移金属系
の垂直磁化膜である。十分な垂直磁気異方性を得るため
に、第１磁性層を構成する希土類成分の５０ａｔ％以上
がＴｂ及び／又はＤｙで構成されることが好ましい。
リ−温度の間にある希土類遷移金属系の垂直磁化膜で、
具体的には、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏあるいは他の希土類をさらに含んだ、Ｔｂあるい
はＤｙとＦｅとＣｏとを主成分とした希土類遷移金属系
の垂直磁化膜である。十分な垂直磁気異方性を得るため
に、第１磁性層を構成する希土類成分の５０ａｔ％以上
がＴｂ及び／又はＤｙで構成されることが好ましい。
【００１６】第２磁性層は、少なくともＦｅとＳｉから
なる磁性膜である。この層はＦｅとＳｉのみの合金で構
成してもよいし、Ｆｅに対してＣｏ、Ｎｉなどの磁性元
素を３０ａｔ％以下含んでいてもよい。
なる磁性膜である。この層はＦｅとＳｉのみの合金で構
成してもよいし、Ｆｅに対してＣｏ、Ｎｉなどの磁性元
素を３０ａｔ％以下含んでいてもよい。
【００１７】特にＦｅ、ＳｉにさらにＣｏを含んだ系で
は、組成式を（Ｆｅ1-x2Ｃｏx2）1-y2Ｓｉy2とした場
合、Ｔｃ１が約２００℃であれば、０．２５＋ｘ２／２
＜ｙ２＜０．３９＋ｘ２／２を満たすことが好ましい。
は、組成式を（Ｆｅ1-x2Ｃｏx2）1-y2Ｓｉy2とした場
合、Ｔｃ１が約２００℃であれば、０．２５＋ｘ２／２
＜ｙ２＜０．３９＋ｘ２／２を満たすことが好ましい。
【００１８】Ｔｃ２の範囲についてさらに好ましくはＴ
ｃ１＋２０℃＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２００℃である。
ｃ１＋２０℃＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２００℃である。
【００１９】第１、第２磁性層の積層の順番は基板側か
らこの順であってもよいし、あるいは反射膜側からこの
順であっても良い。また第１磁性層を第２磁性層ではさ
んだり、第１、第２磁性層の積層を多数回くりかえした
ような構造も本発明に含まれる。
らこの順であってもよいし、あるいは反射膜側からこの
順であっても良い。また第１磁性層を第２磁性層ではさ
んだり、第１、第２磁性層の積層を多数回くりかえした
ような構造も本発明に含まれる。
【００２０】上述の誘電体層２から反射膜６までの各層
は、例えば、スパッタリング法により形成するのが好ま
しい。例えば、第１磁性層は、Ｔｂスパッタリングター
ゲットとＦｅＣｏスパッタリングターゲットなどから形
成することができる。
は、例えば、スパッタリング法により形成するのが好ま
しい。例えば、第１磁性層は、Ｔｂスパッタリングター
ゲットとＦｅＣｏスパッタリングターゲットなどから形
成することができる。
【００２１】第２磁性層の製法としては、ＦｅＳｉ主成
分の合金ターゲットから形成することも容易であるし、
あるいは第１磁性層と共通のＦｅＣｏタ−ゲットとＳｉ
の同時スパッタで形成することも可能である。実施例１
〜４では、同時スパッタを用いた。
分の合金ターゲットから形成することも容易であるし、
あるいは第１磁性層と共通のＦｅＣｏタ−ゲットとＳｉ
の同時スパッタで形成することも可能である。実施例１
〜４では、同時スパッタを用いた。
【００２２】なお、上記した各磁性層の成分に、耐久性
向上等を目的として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの他の成分
を１５ａｔ％以下添加してもよい。第２磁性層について
はＣｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの添加でキュリ−温度が下がる
のでＴｃ１、Ｔｃ２の関係が請求項１の条件を満たすよ
うに組成を決める必要がある。
向上等を目的として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの他の成分
を１５ａｔ％以下添加してもよい。第２磁性層について
はＣｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの添加でキュリ−温度が下がる
のでＴｃ１、Ｔｃ２の関係が請求項１の条件を満たすよ
うに組成を決める必要がある。
【００２３】たとえばＣｒの場合、Ｔｃ１が約２００℃
であれば （Ｆｅ1-x2Ｃｏx2）1-y2Ｓｉy2Ｃｒz2 とすると、０．２５＋ｘ２／２−ｚ２／３＜ｙ２＜０．
３９＋ｘ２／２−ｚ２／３が、Ｔｃ１−５０℃＜Ｔｃ２
＜Ｔｃ１＋２５０℃を満たす範囲である。
であれば （Ｆｅ1-x2Ｃｏx2）1-y2Ｓｉy2Ｃｒz2 とすると、０．２５＋ｘ２／２−ｚ２／３＜ｙ２＜０．
３９＋ｘ２／２−ｚ２／３が、Ｔｃ１−５０℃＜Ｔｃ２
＜Ｔｃ１＋２５０℃を満たす範囲である。
【００２４】磁性層全体の厚みは、１６０オングストロ
ーム以上１０００オングストローム以下が好ましく、各
層の厚さは、それぞれ第１磁性層を１５０オングストロ
ーム以上８００オングストローム以下、第２磁性層を１
０オングストローム以上５００オングストローム以下と
するのが、高磁界感度を発現させる上で好ましい。
ーム以上１０００オングストローム以下が好ましく、各
層の厚さは、それぞれ第１磁性層を１５０オングストロ
ーム以上８００オングストローム以下、第２磁性層を１
０オングストローム以上５００オングストローム以下と
するのが、高磁界感度を発現させる上で好ましい。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】光磁気記録媒体の構造としては、図１に示
したような構造とした。即ち、ポリカ−ボネ−ト基板１
上に、膜厚９００オングストロームの窒化ケイ素よりな
る誘電体層２、ＴｂＦｅＣｏあるいはＤｙＦｅＣｏから
なる第１磁性層３、ＦｅＣｏＳｉからなる第２磁性層
４、膜厚３００オングストロームの窒化ケイ素よりなる
誘電体層５及び膜厚５００オングストロームのアルミニ
ウムからなる反射膜６をこの順に積層した。なお、各層
はすべてスパッタリング法により形成した。以下、この
構造で、磁性層の組成、膜厚などを変化させた。
したような構造とした。即ち、ポリカ−ボネ−ト基板１
上に、膜厚９００オングストロームの窒化ケイ素よりな
る誘電体層２、ＴｂＦｅＣｏあるいはＤｙＦｅＣｏから
なる第１磁性層３、ＦｅＣｏＳｉからなる第２磁性層
４、膜厚３００オングストロームの窒化ケイ素よりなる
誘電体層５及び膜厚５００オングストロームのアルミニ
ウムからなる反射膜６をこの順に積層した。なお、各層
はすべてスパッタリング法により形成した。以下、この
構造で、磁性層の組成、膜厚などを変化させた。
【００２７】実施例１ 第１磁性層をＴｂ0.23（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.77（Ｔｃ
１＝２１０℃、補償温度＝８０℃）で膜厚を２００オン
グストローム、第２磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）1-y2
Ｓｉy2（キュリ−温度：Ｔｃ２）で膜厚を２５オングス
トロームとした。
１＝２１０℃、補償温度＝８０℃）で膜厚を２００オン
グストローム、第２磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）1-y2
Ｓｉy2（キュリ−温度：Ｔｃ２）で膜厚を２５オングス
トロームとした。
【００２８】この媒体を８ｍ／ｓｅｃの線速度で回転さ
せながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を８ｍＷのパワ−で
連続照射し、浮上型磁気ヘッドからの磁界を５０％のデ
ュ−ティ−で４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を３００、１００Ｏｅと変化させて記録した後、
１．５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ
／Ｎを測定した。
せながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を８ｍＷのパワ−で
連続照射し、浮上型磁気ヘッドからの磁界を５０％のデ
ュ−ティ−で４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を３００、１００Ｏｅと変化させて記録した後、
１．５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ
／Ｎを測定した。
【００２９】図２にＳｉ濃度ｙ２に対するＣ／Ｎの変化
を示す。
を示す。
【００３０】０．３０≦ｙ２≦０．４１の範囲でいずれ
も１００ＯｅでのＣ／Ｎが第１磁性層だけのときと比較
して改善され、とくに０．３３≦ｙ２≦０．３８で効果
が最大となった。なお、０．３０≦ｙ２≦０．４１のと
き、Ｔｃ２は、１７０℃≦Ｔｃ２≦４５０℃であった。
も１００ＯｅでのＣ／Ｎが第１磁性層だけのときと比較
して改善され、とくに０．３３≦ｙ２≦０．３８で効果
が最大となった。なお、０．３０≦ｙ２≦０．４１のと
き、Ｔｃ２は、１７０℃≦Ｔｃ２≦４５０℃であった。
【００３１】また、Ｓｉ濃度ｙ２＝０．３４のときの第
１磁性層と第２磁性層との交換結合エネルギーをＶＳＭ
で測定したところ、約２．６ｅｒｇ／ｃｃであった。Ｔ
ｂＦｅＣｏ／ＧｄＦｅＣｏの交換結合エネルギ−が、２
〜３ｅｒｇ／ｃｃであることと比較して同程度の良好な
交換結合をしていることが確認された。
１磁性層と第２磁性層との交換結合エネルギーをＶＳＭ
で測定したところ、約２．６ｅｒｇ／ｃｃであった。Ｔ
ｂＦｅＣｏ／ＧｄＦｅＣｏの交換結合エネルギ−が、２
〜３ｅｒｇ／ｃｃであることと比較して同程度の良好な
交換結合をしていることが確認された。
【００３２】実施例２ 第１磁性層をＴｂx1（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）1-x1（Ｔｃ１
＝２２０〜２００℃）で膜厚を２００オングストロー
ム、第２磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.65Ｓｉ
0.35（Ｔｃ２＝３００℃）で膜厚を２５オングストロー
ムとした。ここで、第１磁性層の補償温度が、室温とＴ
ｃ１との間に入っているｘ１の範囲は、０．２１＜ｘ１
＜０．２７である。
＝２２０〜２００℃）で膜厚を２００オングストロー
ム、第２磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.65Ｓｉ
0.35（Ｔｃ２＝３００℃）で膜厚を２５オングストロー
ムとした。ここで、第１磁性層の補償温度が、室温とＴ
ｃ１との間に入っているｘ１の範囲は、０．２１＜ｘ１
＜０．２７である。
【００３３】記録再生の評価は実施例１と全く同じ条件
で行なった。
で行なった。
【００３４】図３にＴｂ濃度ｘ１に対するＣ／Ｎの変化
を示す。第１磁性層だけのときはｘ１＝０．１９で最も
Ｃ／Ｎがよいが、積層膜ではｘ１＝０．２２〜０．２５
のときが最もＣ／Ｎがよく、１００ＯｅでのＣ／Ｎの最
大値は積層膜が優れている。積層膜の場合、Ｃ／Ｎが良
好な領域で第１磁性層の補償温度は４０〜１８０℃であ
った。
を示す。第１磁性層だけのときはｘ１＝０．１９で最も
Ｃ／Ｎがよいが、積層膜ではｘ１＝０．２２〜０．２５
のときが最もＣ／Ｎがよく、１００ＯｅでのＣ／Ｎの最
大値は積層膜が優れている。積層膜の場合、Ｃ／Ｎが良
好な領域で第１磁性層の補償温度は４０〜１８０℃であ
った。
【００３５】さらに１００ＯｅでのＣ／Ｎがもっとも高
い組成で積層膜と単層膜で保磁力を比較すると積層膜で
１５ｋＯｅ以上、単層膜で６ｋＯｅと明らかに記録の保
存性は積層膜が優れる。
い組成で積層膜と単層膜で保磁力を比較すると積層膜で
１５ｋＯｅ以上、単層膜で６ｋＯｅと明らかに記録の保
存性は積層膜が優れる。
【００３６】実施例３ 第１磁性層をＴｂ0.23（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.77（Ｔｃ
１＝２１０℃）で膜厚を２００オングストローム、第２
磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.65Ｓｉ0.35（Ｔｃ２＝
３００℃）で膜厚を０〜１００オングストロームで変化
させた。
１＝２１０℃）で膜厚を２００オングストローム、第２
磁性層を（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.65Ｓｉ0.35（Ｔｃ２＝
３００℃）で膜厚を０〜１００オングストロームで変化
させた。
【００３７】この一連の媒体は磁性層の膜厚が異なるの
で光学的なエンハンス効果がことなるために光変調の磁
界依存性で比較した。
で光学的なエンハンス効果がことなるために光変調の磁
界依存性で比較した。
【００３８】すなわち、この媒体を５．５ｍ／ｓｅｃの
線速度で回転させながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を
３．７ＭＨｚ（デュ−ティ−比３３％）で変調させなが
ら５〜６ｍＷの最適パワ−で照射し、記録磁界の値を−
５００〜＋５００Ｏｅまで変化させて記録した後、１．
５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ／Ｎ
を測定した。
線速度で回転させながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を
３．７ＭＨｚ（デュ−ティ−比３３％）で変調させなが
ら５〜６ｍＷの最適パワ−で照射し、記録磁界の値を−
５００〜＋５００Ｏｅまで変化させて記録した後、１．
５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ／Ｎ
を測定した。
【００３９】結果を図４に示すがＦｅＣｏＳｉ膜厚１５
〜１００オングストロームで消去磁界、飽和磁界の値は
変わらず磁界依存性がＦｅＣｏＳｉ膜厚１５オングスト
ローム以上で変わらないことを示す。
〜１００オングストロームで消去磁界、飽和磁界の値は
変わらず磁界依存性がＦｅＣｏＳｉ膜厚１５オングスト
ローム以上で変わらないことを示す。
【００４０】実施例４ 第１磁性層をＤｙ0.26（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.74（Ｔｃ
１＝２００℃、補償温度＝１００℃）で膜厚を２００オ
ングストローム、第２磁性層を（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）
0.60Ｓｉ0.40（Ｔｃ２＝３００℃）で２５オングストロ
ームとした。
１＝２００℃、補償温度＝１００℃）で膜厚を２００オ
ングストローム、第２磁性層を（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）
0.60Ｓｉ0.40（Ｔｃ２＝３００℃）で２５オングストロ
ームとした。
【００４１】記録再生の評価は実施例３と全く同じ条件
で行なった。
で行なった。
【００４２】結果を図５に示す。比較のために第１磁性
層単層の結果も示すが、ＤｙＦｅＣｏは単層でもＴｂＦ
ｅＣｏより磁界依存性は良好であるが、ＦｅＣｏＳｉの
積層により、消去、飽和磁界ともに１００Ｏｅ以下とな
り、さらに良好な結果が得られた。
層単層の結果も示すが、ＤｙＦｅＣｏは単層でもＴｂＦ
ｅＣｏより磁界依存性は良好であるが、ＦｅＣｏＳｉの
積層により、消去、飽和磁界ともに１００Ｏｅ以下とな
り、さらに良好な結果が得られた。
【００４３】実施例５ 第１磁性層を、Ｔｂ0.23（Ｆｅ0.92Ｃｏ0.08）0.77（Ｔ
ｃ１＝２１０℃、補償温度＝８０℃）で膜厚を２００オ
ングストローム、第２磁性層をＦｅ0.70Ｓｉ0.30（Ｔｃ
２＝２９０℃）で膜厚を２５オングストロームとした。
この第２磁性層は、ＦｅＳｉの合金ターゲットより形成
した。
ｃ１＝２１０℃、補償温度＝８０℃）で膜厚を２００オ
ングストローム、第２磁性層をＦｅ0.70Ｓｉ0.30（Ｔｃ
２＝２９０℃）で膜厚を２５オングストロームとした。
この第２磁性層は、ＦｅＳｉの合金ターゲットより形成
した。
【００４４】実施例１と同様の条件で、３００Ｏｅと１
００Ｏｅの変調磁界で磁界変調により書き込みを行って
Ｃ／Ｎを測定したところ、３００Ｏｅでは４８ｄＢ、１
００Ｏｅでは４７ｄＢとなり、良好な磁界感度が得られ
た。
００Ｏｅの変調磁界で磁界変調により書き込みを行って
Ｃ／Ｎを測定したところ、３００Ｏｅでは４８ｄＢ、１
００Ｏｅでは４７ｄＢとなり、良好な磁界感度が得られ
た。
【００４５】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体により、磁界感
度が高く、磁界変調による高速記録に適した媒体を得る
ことができる。この媒体は保磁力が大きく記録の安定性
にすぐれている。また、ＦｅとＳｉを主成分とした第２
磁性層は製法として、ＦｅＳｉ主成分の合金ターゲット
から形成することも容易であるし、あるいは第１磁性層
と共通のＦｅＣｏタ−ゲットとＳｉの同時スパッタで形
成することも可能であるなど積層膜形成のためのスパッ
タリングタ−ゲットの個数を減らし、装置を簡単化す
る。さらに、ＦｅとＳｉを主成分とした第２磁性層は貴
金属を含まず、資源としてありふれたＦｅ、Ｓｉで磁界
感度を高める効果が得られることも特徴である。
度が高く、磁界変調による高速記録に適した媒体を得る
ことができる。この媒体は保磁力が大きく記録の安定性
にすぐれている。また、ＦｅとＳｉを主成分とした第２
磁性層は製法として、ＦｅＳｉ主成分の合金ターゲット
から形成することも容易であるし、あるいは第１磁性層
と共通のＦｅＣｏタ−ゲットとＳｉの同時スパッタで形
成することも可能であるなど積層膜形成のためのスパッ
タリングタ−ゲットの個数を減らし、装置を簡単化す
る。さらに、ＦｅとＳｉを主成分とした第２磁性層は貴
金属を含まず、資源としてありふれたＦｅ、Ｓｉで磁界
感度を高める効果が得られることも特徴である。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 実施例１における光磁気記録媒体の第２磁性
層のＳｉ濃度とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図であ
る。
層のＳｉ濃度とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図であ
る。
【図３】 実施例２における光磁気記録媒体の第１磁性
層のＴｂ濃度とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図であ
る。
層のＴｂ濃度とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図であ
る。
【図４】 実施例３における光磁気記録媒体の第２磁性
層の膜厚とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図である。
層の膜厚とＣ／Ｎ（ｄＢ）との関係を示す図である。
【図５】 実施例４における光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
（ｄＢ）と磁界依存性との関係を示す図である。
（ｄＢ）と磁界依存性との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも基板上に磁気記録層を積層し
てなる光磁気記録媒体において、前記磁気記録層が、第
１磁性層、第２磁性層からなり、各磁性層として、 第１磁性層が、希土類遷移金属系の垂直磁化膜で構成さ
れ、その補償温度が室温とキュリ−温度との間にあり、 第２磁性層が、少なくともＦｅとＳｉからなる磁性膜
で、第１磁性層、第２磁性層それぞれのキュリ−温度を
Ｔｃ１、Ｔｃ２とすると、 Ｔｃ１−５０℃＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１＋２５０℃ であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293193A JPH06150408A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293193A JPH06150408A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150408A true JPH06150408A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17791624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4293193A Pending JPH06150408A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150408A (ja) |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4293193A patent/JPH06150408A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0690976B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06162589A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPS62119760A (ja) | 光磁気記録材料 | |
| US5100741A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPS61246946A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06150409A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06150408A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5547773A (en) | Magnetooptic recording medium | |
| US5529854A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPH06150410A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2542148B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05325283A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2910287B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH09288853A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2647958B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05342657A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3237977B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3395189B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2707796B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61243977A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3446297B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04186545A (ja) | 光磁気記録膜の構造 | |
| JPH05342661A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08315435A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000339788A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |