JPH09288853A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH09288853A JPH09288853A JP8100053A JP10005396A JPH09288853A JP H09288853 A JPH09288853 A JP H09288853A JP 8100053 A JP8100053 A JP 8100053A JP 10005396 A JP10005396 A JP 10005396A JP H09288853 A JPH09288853 A JP H09288853A
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- recording layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマ
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生できるとともに、より低い
レーザパワーでの記録を実現することのできる記録媒体
を提供する。 【解決手段】 透明誘電体層２、室温において面内磁化
状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再生
層３、非磁性中間層４、垂直磁化膜からなる記録層５、
保護層６が順次形成された光磁気記録媒体において、記
録層５が、希土類金属と遷移金属との合金からなり、希
土類金属がＧｄを含有する２種類以上の希土類金属元素
から構成されている。
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生できるとともに、より低い
レーザパワーでの記録を実現することのできる記録媒体
を提供する。 【解決手段】 透明誘電体層２、室温において面内磁化
状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再生
層３、非磁性中間層４、垂直磁化膜からなる記録層５、
保護層６が順次形成された光磁気記録媒体において、記
録層５が、希土類金属と遷移金属との合金からなり、希
土類金属がＧｄを含有する２種類以上の希土類金属元素
から構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点が生じている。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点が生じている。
【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
【０００４】上記の欠点を解消する光磁気記録媒体とし
て、室温において面内磁化状態であり温度上昇と共に垂
直磁化状態となる再生層と、記録層と、の間に非磁性中
間層を設け、再生層と記録層とが静磁結合した構造の光
磁気記録媒体が知られている（特開平６−１５０４１８
号公報）。
て、室温において面内磁化状態であり温度上昇と共に垂
直磁化状態となる再生層と、記録層と、の間に非磁性中
間層を設け、再生層と記録層とが静磁結合した構造の光
磁気記録媒体が知られている（特開平６−１５０４１８
号公報）。
【０００５】この光磁気記録媒体では、温度が充分に上
昇しておらず面内磁化状態のままである再生層には記録
磁区情報が転写されず、温度が上昇した部分の再生層の
みが垂直磁化状態となり記録磁区情報が転写されて極カ
ー効果を有するようになる。したがって、面内磁化状態
にある部分の記録磁区情報がマスクされることとなり、
集光された光ビームのビーム径内に隣接記録ビットが入
る場合においても、個々の記録ビットを分離して再生す
ることが可能となる。
昇しておらず面内磁化状態のままである再生層には記録
磁区情報が転写されず、温度が上昇した部分の再生層の
みが垂直磁化状態となり記録磁区情報が転写されて極カ
ー効果を有するようになる。したがって、面内磁化状態
にある部分の記録磁区情報がマスクされることとなり、
集光された光ビームのビーム径内に隣接記録ビットが入
る場合においても、個々の記録ビットを分離して再生す
ることが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平６−１５０４１８号公報に記載された光磁気記録
媒体において、さらに小さい記録ビット径及びさらに小
さい記録ビット間隔での再生を安定して行うためには、
記録層から発生する漏洩磁界を大きくし、再生層と記録
層との静磁結合を強くする必要のあることが確認され
た。記録層から発生する漏洩磁界の増大は、記録層のキ
ュリー温度を高くすることにより実現することが可能で
あるが、記録層のキュリー温度を高くすると、記録時の
動作温度が高くなり、記録のためにより大きなレーザパ
ワーが必要となるという問題が発生する。
特開平６−１５０４１８号公報に記載された光磁気記録
媒体において、さらに小さい記録ビット径及びさらに小
さい記録ビット間隔での再生を安定して行うためには、
記録層から発生する漏洩磁界を大きくし、再生層と記録
層との静磁結合を強くする必要のあることが確認され
た。記録層から発生する漏洩磁界の増大は、記録層のキ
ュリー温度を高くすることにより実現することが可能で
あるが、記録層のキュリー温度を高くすると、記録時の
動作温度が高くなり、記録のためにより大きなレーザパ
ワーが必要となるという問題が発生する。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、小さい記録ビッ
ト径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、記録層から十分な大きさの漏洩磁界
が発生し、安定した再生が可能な光磁気記録媒体を得る
とともに、小さなレーザパワーでも記録可能な光磁気記
録媒体を得ることにある。
めになされたものであり、その目的は、小さい記録ビッ
ト径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、記録層から十分な大きさの漏洩磁界
が発生し、安定した再生が可能な光磁気記録媒体を得る
とともに、小さなレーザパワーでも記録可能な光磁気記
録媒体を得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温において面内磁
化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再
生層と、垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合した光
磁気記録媒体において、記録層が一般式（Ｉ１）、及
び、条件（Ｉ２）を満足する組成であるものである。
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温において面内磁
化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再
生層と、垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合した光
磁気記録媒体において、記録層が一般式（Ｉ１）、及
び、条件（Ｉ２）を満足する組成であるものである。
【０００９】 （ＧｄX1Ｄｙ1-X1）Y1（ＦｅZ1Ｃｏ1-Z1）1-Y1 ・・・（Ｉ１） ０．１０≦Ｘ１≦０．７５ ０．２０≦Ｙ１≦０．２８ ０．６０≦Ｚ１≦０．９０ ・・・（Ｉ２） また、記録層が一般式（II１）、及び、条件（II２）を
満足する組成であるものである。
満足する組成であるものである。
【００１０】 （ＧｄX2Ｔｂ1-X2）Y2（ＦｅZ2Ｃｏ1-Z2）1-Y2 ・・・（II１） ０．１０≦Ｘ２≦０．８５ ０．２０≦Ｙ２≦０．２８ ０．７０≦Ｚ２≦１．００ ・・・（II２） また、記録層が一般式（III１）、及び、条件（III２）
を満足する組成であるものである。
を満足する組成であるものである。
【００１１】 ｛ＧｄX3（ＤｙW3Ｔｂ1-W3）1-X3｝Y3（ＦｅZ3Ｃｏ1-Z3）1-Y3・・・（III１） ０．１０≦Ｘ３≦０．８５ ０．２０≦Ｙ３≦０．２８ ０．６０≦Ｚ３≦１．００ ０．００＜Ｗ３＜１．００ ・・・（III２）
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体について
図１に基づいて説明すれば以下の通りである。ここで
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
図１に基づいて説明すれば以下の通りである。ここで
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
【００１３】本光磁気ディスクは、図１に示すように、
基板１、透明誘電体層２、再生層３、非磁性中間層４、
記録層５、保護層６、オーバーコート層７が、この順に
て積層されたディスク本体８を有している。
基板１、透明誘電体層２、再生層３、非磁性中間層４、
記録層５、保護層６、オーバーコート層７が、この順に
て積層されたディスク本体８を有している。
【００１４】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム９が対物レンズ１０
により再生層３に絞り込まれ、極カー効果として知られ
ている光磁気効果によって情報が記録再生されるように
なっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁
化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向
になる現象である。
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム９が対物レンズ１０
により再生層３に絞り込まれ、極カー効果として知られ
ている光磁気効果によって情報が記録再生されるように
なっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁
化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向
になる現象である。
【００１５】基板１は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００１６】透明誘電体層２は、半導体レーザ光を透過
する必要があり、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，ＴａＯ
2，ＺｎＳ等の誘電体を用いることができる。またその
膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が
実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要
があり、再生層の波長をλ、透明誘電体層の屈折率をｎ
とした場合、第１の透明誘電体層２の膜厚は（λ／４
ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８
０ｎｍとした場合、第１の透明誘電体層２の膜厚を４０
ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
する必要があり、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，ＴａＯ
2，ＺｎＳ等の誘電体を用いることができる。またその
膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が
実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要
があり、再生層の波長をλ、透明誘電体層の屈折率をｎ
とした場合、第１の透明誘電体層２の膜厚は（λ／４
ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８
０ｎｍとした場合、第１の透明誘電体層２の膜厚を４０
ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００１７】再生層３は、希土類遷移金属合金からなる
磁性膜であるＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の磁性膜を用い、その磁気特性が、室温において面
内磁化状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態と
なる（以下、この状態変化が生じる温度を臨界温度と記
す）ように組成調整され、その膜厚が５〜６０ｎｍの範
囲に設定されている。再生層３の膜厚が５ｎｍより薄く
なると、再生層３を透過するレーザ光が多くなり、良好
なマスキングが困難となる。一方、再生層３の膜厚が６
０ｎｍより厚くなると、トータルの熱容量が大きくな
り、記録に必要なレーザパワーが大きくなるため不適切
である。
磁性膜であるＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の磁性膜を用い、その磁気特性が、室温において面
内磁化状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態と
なる（以下、この状態変化が生じる温度を臨界温度と記
す）ように組成調整され、その膜厚が５〜６０ｎｍの範
囲に設定されている。再生層３の膜厚が５ｎｍより薄く
なると、再生層３を透過するレーザ光が多くなり、良好
なマスキングが困難となる。一方、再生層３の膜厚が６
０ｎｍより厚くなると、トータルの熱容量が大きくな
り、記録に必要なレーザパワーが大きくなるため不適切
である。
【００１８】非磁性中間層４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の
非磁性金属、又は、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の誘電体からな
り、その膜厚が６〜４０ｎｍに設定されている。ここ
で、該非磁性中間層４は、再生層と記録層との間に働く
交換結合を遮断することが可能であれば良く、ＡｌＦ
ｅ，ＡｌＣｏ，ＡｌＮｉ，ＡｌＦｅＮ，ＳｉＦｅＮのよ
うに磁性金属を含む合金であっても良い。
非磁性金属、又は、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の誘電体からな
り、その膜厚が６〜４０ｎｍに設定されている。ここ
で、該非磁性中間層４は、再生層と記録層との間に働く
交換結合を遮断することが可能であれば良く、ＡｌＦ
ｅ，ＡｌＣｏ，ＡｌＮｉ，ＡｌＦｅＮ，ＳｉＦｅＮのよ
うに磁性金属を含む合金であっても良い。
【００１９】記録層５は、希土類遷移金属合金の垂直磁
化膜からなり、該希土類金属がＧｄを含有する２種類以
上の希土類金属元素から構成されており、具体的には、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＴｂＦ
ｅＣｏが用いられ、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲
に設定されている。記録層５の膜厚が２０ｎｍより小さ
くなると、記録層５から発生する漏洩磁界が小さくなる
ことにより、再生層３と記録層５との静磁結合力が小さ
くなり、安定した再生動作を実現することが困難とな
る。一方、記録層の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、ト
ータルの熱容量が大きくなり、記録に必要なレーザパワ
ーが大きくなるため不適切である。
化膜からなり、該希土類金属がＧｄを含有する２種類以
上の希土類金属元素から構成されており、具体的には、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＴｂＦ
ｅＣｏが用いられ、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲
に設定されている。記録層５の膜厚が２０ｎｍより小さ
くなると、記録層５から発生する漏洩磁界が小さくなる
ことにより、再生層３と記録層５との静磁結合力が小さ
くなり、安定した再生動作を実現することが困難とな
る。一方、記録層の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、ト
ータルの熱容量が大きくなり、記録に必要なレーザパワ
ーが大きくなるため不適切である。
【００２０】保護層６は、記録層５を酸化等の腐食から
保護することが可能であればよく、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＮ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ等の酸素が透過し難
い薄膜を用いることができる、良好な保護を実現するた
めには、その膜厚が５ｎｍ以上であることが望ましい。
保護することが可能であればよく、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＮ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ等の酸素が透過し難
い薄膜を用いることができる、良好な保護を実現するた
めには、その膜厚が５ｎｍ以上であることが望ましい。
【００２１】オーバーコート層７は、上記保護層６上
に、紫外線硬化樹脂、または熱硬化樹脂をスピンコート
により塗布して、紫外線を照射するか、加熱するかによ
って形成される。
に、紫外線硬化樹脂、または熱硬化樹脂をスピンコート
により塗布して、紫外線を照射するか、加熱するかによ
って形成される。
【００２２】次に、本発明の光ディスクの動作を説明す
る。
る。
【００２３】再生動作時には、基板１の側から集光レン
ズ１０により集光された再生光ビーム９が再生層３に照
射される。再生光ビームが照射された再生層３の部位
は、その中心部近傍Ｘの温度が周辺部の温度よりも高く
なる。そして、中心部近傍Ｘの温度が上記の臨界温度以
上となると、その部分に記録層５の磁化の向きが転写さ
れる。このとき、周辺部では、その温度が上記の臨界温
度よりも低いため、面内磁化状態が保持される。この結
果、再生光ビーム９の中心部近傍Ｘのみが極カー効果を
示すようになり、その部分からの反射光に基づいて記録
層に記録された情報が再生されることとなる。以上のよ
うに、本光ディスクでは、隣接する記録ビットの影響を
受けずに、再生光ビーム９の径よりも小さい記録ビット
の再生を行うことが可能である。
ズ１０により集光された再生光ビーム９が再生層３に照
射される。再生光ビームが照射された再生層３の部位
は、その中心部近傍Ｘの温度が周辺部の温度よりも高く
なる。そして、中心部近傍Ｘの温度が上記の臨界温度以
上となると、その部分に記録層５の磁化の向きが転写さ
れる。このとき、周辺部では、その温度が上記の臨界温
度よりも低いため、面内磁化状態が保持される。この結
果、再生光ビーム９の中心部近傍Ｘのみが極カー効果を
示すようになり、その部分からの反射光に基づいて記録
層に記録された情報が再生されることとなる。以上のよ
うに、本光ディスクでは、隣接する記録ビットの影響を
受けずに、再生光ビーム９の径よりも小さい記録ビット
の再生を行うことが可能である。
【００２４】記録動作時には、例えば、基板１の側から
集光した光ビームを照射して、記録層５の温度を上昇さ
せ、その保持力を略０とした上で、記録すべき情報に応
じて上向きと下向きとに反転する磁界を印加する。これ
により、記録層５に情報が記録される。
集光した光ビームを照射して、記録層５の温度を上昇さ
せ、その保持力を略０とした上で、記録すべき情報に応
じて上向きと下向きとに反転する磁界を印加する。これ
により、記録層５に情報が記録される。
【００２５】（第１の実施の形態）以下、第１の実施の
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
【００２６】（１）形成方法 本実施の形態の光磁気ディスクは、例えば、以下のよう
に形成する。
に形成する。
【００２７】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板１を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板１にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層２を膜厚８０ｎｍで形成した。
金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板１を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板１にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層２を膜厚８０ｎｍで形成した。
【００２８】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記第１の透明誘電体層２上
に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる再生層
３を膜厚２０ｎｍで形成した。その再生層３は、室温に
おいて面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化
状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃、その
キュリー温度が３６０℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記第１の透明誘電体層２上
に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる再生層
３を膜厚２０ｎｍで形成した。その再生層３は、室温に
おいて面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化
状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃、その
キュリー温度が３６０℃であった。
【００２９】続いて、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層３上にＡｌＮからなる非磁
性中間層４を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層３上にＡｌＮからなる非磁
性中間層４を膜厚２０ｎｍで形成した。
【００３０】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記第２の透明誘電体層
４上に、(Ｇｄ0.5Ｄｙ0.5)0.24（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.76からなる記録層５を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層５は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が
２７５℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記第２の透明誘電体層
４上に、(Ｇｄ0.5Ｄｙ0.5)0.24（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.76からなる記録層５を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層５は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が
２７５℃であった。
【００３１】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層５上にＡｌＮからなる保護
層６を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層５上にＡｌＮからなる保護
層６を膜厚２０ｎｍで形成した。
【００３２】最後に、上記保護層６上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層７を形成した。
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層７を形成した。
【００３３】（２）記録層の特性 次に、上記（１）で説明した記録層５の特性について、
比較例と比較しながら説明する。
比較例と比較しながら説明する。
【００３４】ここでは、比較例として、上記記録層５の
替わりに、Ｄｙ0.24（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.76からなる
Ｇｄを含有しない記録層５’を膜厚４０ｎｍで形成した
比較ディスク（ａ２）を用いる。比較ディスク（ａ２）
の記録層５’は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温
度が２７５℃であった。
替わりに、Ｄｙ0.24（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.76からなる
Ｇｄを含有しない記録層５’を膜厚４０ｎｍで形成した
比較ディスク（ａ２）を用いる。比較ディスク（ａ２）
の記録層５’は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温
度が２７５℃であった。
【００３５】図２は、上記（１）で形成した本実施の形
態に係る光磁気ディスク（ａ１）と比較ディスク（ａ
２）の、記録層５，５’の保磁力の温度依存性を示すも
のである。いずれの記録層５，５’も５０℃に補償温度
を有し、キュリー温度が２７５℃であるが、それらの保
磁力の温度依存性が異なっていることがわかる。すなわ
ち、本実施の形態に係る光磁気ディスク（ａ１）の場
合、キュリー温度より低い温度で保磁力がほとんど無く
なるのに対して、比較ディスク（ａ２）の場合、キュリ
ー温度近傍まで保磁力を有していることがわかる。
態に係る光磁気ディスク（ａ１）と比較ディスク（ａ
２）の、記録層５，５’の保磁力の温度依存性を示すも
のである。いずれの記録層５，５’も５０℃に補償温度
を有し、キュリー温度が２７５℃であるが、それらの保
磁力の温度依存性が異なっていることがわかる。すなわ
ち、本実施の形態に係る光磁気ディスク（ａ１）の場
合、キュリー温度より低い温度で保磁力がほとんど無く
なるのに対して、比較ディスク（ａ２）の場合、キュリ
ー温度近傍まで保磁力を有していることがわかる。
【００３６】本発明の光ディスクにおいて、良好な再生
特性を得るためには、再生層３が面内磁化状態にある温
度範囲、すなわち、温度上昇していない部分において、
記録層５の磁化が小さく、再生層３が垂直磁化状態にあ
る温度範囲、すなわち、レーザ照射により温度上昇した
部分において、記録層５の磁化が大きく、再生層３と記
録層５との間に働く静磁結合力が十分に強くなる必要が
ある。
特性を得るためには、再生層３が面内磁化状態にある温
度範囲、すなわち、温度上昇していない部分において、
記録層５の磁化が小さく、再生層３が垂直磁化状態にあ
る温度範囲、すなわち、レーザ照射により温度上昇した
部分において、記録層５の磁化が大きく、再生層３と記
録層５との間に働く静磁結合力が十分に強くなる必要が
ある。
【００３７】ここで、再生層３が温度上昇していない部
分において、記録層５の磁化を小さくするためには、記
録層５の補償温度を室温近傍に設定することにより実現
することが可能であり、本実施の形態においては、記録
層５の補償温度を５０℃に設定している。次に、レーザ
照射による温度上昇にともない、記録層５の磁化は増加
し、極大値を経た後、キュリー温度においてゼロとな
る。したがって、レーザ照射により温度上昇した部分に
おいて、記録層５の磁化を大きくし、再生層３と記録層
５との間に働く静磁結合力が十分に強くするためには、
記録層５のキュリー温度を高くすることが必要となる。
分において、記録層５の磁化を小さくするためには、記
録層５の補償温度を室温近傍に設定することにより実現
することが可能であり、本実施の形態においては、記録
層５の補償温度を５０℃に設定している。次に、レーザ
照射による温度上昇にともない、記録層５の磁化は増加
し、極大値を経た後、キュリー温度においてゼロとな
る。したがって、レーザ照射により温度上昇した部分に
おいて、記録層５の磁化を大きくし、再生層３と記録層
５との間に働く静磁結合力が十分に強くするためには、
記録層５のキュリー温度を高くすることが必要となる。
【００３８】また、光磁気記録においては、外部磁界を
加えた状態で、集光されたレーザ光を照射し、温度上昇
に伴い、保磁力が該外部磁界よりも小さくなった部分の
磁化を該外部磁界の方向にそろえることにより記録が行
われる。該外部磁界の大きさは、一般に２０ｋＡ／ｍ程
度に設定されており、比較ディスク（ａ２）の記録層
５’の場合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うため
には、記録層５’を２５５℃まで温度上昇させる必要が
あることがわかる。一方、本実施の形態の光磁気ディス
ク（ａ１）の記録層５の場合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度
で記録を行うためには、記録層５’を１９０℃まで温度
上昇させれば良いことがわかる。
加えた状態で、集光されたレーザ光を照射し、温度上昇
に伴い、保磁力が該外部磁界よりも小さくなった部分の
磁化を該外部磁界の方向にそろえることにより記録が行
われる。該外部磁界の大きさは、一般に２０ｋＡ／ｍ程
度に設定されており、比較ディスク（ａ２）の記録層
５’の場合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うため
には、記録層５’を２５５℃まで温度上昇させる必要が
あることがわかる。一方、本実施の形態の光磁気ディス
ク（ａ１）の記録層５の場合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度
で記録を行うためには、記録層５’を１９０℃まで温度
上昇させれば良いことがわかる。
【００３９】このように、本実施の形態に係る記録層５
を用いることにより、同じ補償温度及び同じキュリー温
度を有する、すなわち、再生動作時における記録層の磁
化が略同一である比較例の記録層５’と比べて、より低
い温度上昇で記録が実現し、それに伴い、より低いレー
ザパワーで記録を実現することが可能となる。従って、
発生する漏洩磁界が大きく（キュリー点を高く）するこ
とで、再生層３と記録層５との静磁結合を強力として、
記録ビット径が小さくかつ記録ビット間隔が小さい場合
においても安定な再生動作を実現することと、低いレー
ザパワーでの記録動作を実現することを両立できる。
を用いることにより、同じ補償温度及び同じキュリー温
度を有する、すなわち、再生動作時における記録層の磁
化が略同一である比較例の記録層５’と比べて、より低
い温度上昇で記録が実現し、それに伴い、より低いレー
ザパワーで記録を実現することが可能となる。従って、
発生する漏洩磁界が大きく（キュリー点を高く）するこ
とで、再生層３と記録層５との静磁結合を強力として、
記録ビット径が小さくかつ記録ビット間隔が小さい場合
においても安定な再生動作を実現することと、低いレー
ザパワーでの記録動作を実現することを両立できる。
【００４０】（３）記録再生特性 上記光磁気ディスク（ａ１）と比較ディスク（ａ２）
を、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップで、磁界変調記録方式により記録再生を行った。具
体的には、ディスクを回転することにより、光磁気記録
媒体を線速３ｍ／ｓで駆動し、半導体レーザ光を連続照
射し、３．７５ＭＨｚの周波数で駆動された±２０ｋＡ
／ｍの振幅の交流磁界を加えることにより、０．８ミク
ロンビットピッチで記録層に記録を行い、２．２ｍＷの
再生パワーで再生を行った。
を、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップで、磁界変調記録方式により記録再生を行った。具
体的には、ディスクを回転することにより、光磁気記録
媒体を線速３ｍ／ｓで駆動し、半導体レーザ光を連続照
射し、３．７５ＭＨｚの周波数で駆動された±２０ｋＡ
／ｍの振幅の交流磁界を加えることにより、０．８ミク
ロンビットピッチで記録層に記録を行い、２．２ｍＷの
再生パワーで再生を行った。
【００４１】記録に必要なレーザパワーを調査した結
果、いずれのディスクにおいても、４６ｄＢの信号対雑
音比（ＣＮＲ）が得られ、光磁気ディスクにおいて必要
とされる信号品質（４５ｄＢ）を得ることができた。こ
れは、両者のキュリー温度が同一であり、再生層と記録
層との間に働く静磁結合力が同じであることによる。
果、いずれのディスクにおいても、４６ｄＢの信号対雑
音比（ＣＮＲ）が得られ、光磁気ディスクにおいて必要
とされる信号品質（４５ｄＢ）を得ることができた。こ
れは、両者のキュリー温度が同一であり、再生層と記録
層との間に働く静磁結合力が同じであることによる。
【００４２】しかし、４６ｄＢの再生信号を得るために
必要な記録時のレーザパワーを調査した結果、本実施の
形態の光磁気ディスク（ａ１）では４．１ｍＷのレーザ
パワーで記録が行われているのに対して、比較ディスク
（ａ２）では５．１ｍＷのレーザパワーが記録に必要で
あることが確認された。これは、図２において説明した
ように、記録時の動作温度が、本実施の形態の光磁気デ
ィスク（ａ１）では１９０℃であり、比較ディスク（ａ
２）では２５５℃と異なっていることによる。
必要な記録時のレーザパワーを調査した結果、本実施の
形態の光磁気ディスク（ａ１）では４．１ｍＷのレーザ
パワーで記録が行われているのに対して、比較ディスク
（ａ２）では５．１ｍＷのレーザパワーが記録に必要で
あることが確認された。これは、図２において説明した
ように、記録時の動作温度が、本実施の形態の光磁気デ
ィスク（ａ１）では１９０℃であり、比較ディスク（ａ
２）では２５５℃と異なっていることによる。
【００４３】以下、本実施の形態に係る記録層５の組成
比を変え、同様にしてディスクを試作し、ＣＮＲ及び記
録時に必要とされるレーザパワーを調査した結果を表１
に示す。
比を変え、同様にしてディスクを試作し、ＣＮＲ及び記
録時に必要とされるレーザパワーを調査した結果を表１
に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１より、（ＧｄX1Ｄｙ1-X1）0.24（Ｆｅ
0.80Ｃｏ0.20）0.76なる組成式で表される記録層５にお
いて、０．１０≦Ｘ１≦０．７５の範囲で、比較ディス
クと比べて、より低いレーザパワーでの記録が実現し、
かつ、光磁気記録で必要とされる４５ｄＢのＣＮＲが得
られていることがわかる。ここで、Ｘ１＞０．７５の範
囲において、ＣＮＲが低下するのは、Ｇｄ含有量が多く
なること、及び、記録層の垂直磁気異方性が小さくなる
ことにより、良好な記録動作を維持できなくなったこと
が考えられる。
0.80Ｃｏ0.20）0.76なる組成式で表される記録層５にお
いて、０．１０≦Ｘ１≦０．７５の範囲で、比較ディス
クと比べて、より低いレーザパワーでの記録が実現し、
かつ、光磁気記録で必要とされる４５ｄＢのＣＮＲが得
られていることがわかる。ここで、Ｘ１＞０．７５の範
囲において、ＣＮＲが低下するのは、Ｇｄ含有量が多く
なること、及び、記録層の垂直磁気異方性が小さくなる
ことにより、良好な記録動作を維持できなくなったこと
が考えられる。
【００４６】本実施の形態において、記録層５の希土類
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、上
述したように、良好な再生動作を実現するためには、記
録層５の補償温度が−５０℃以上、１００℃以下になる
ように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれば良い。具体的
には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ１：１−Ｙ１）とすると、０．
２０≦Ｙ１≦０．２８が望ましい。
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、上
述したように、良好な再生動作を実現するためには、記
録層５の補償温度が−５０℃以上、１００℃以下になる
ように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれば良い。具体的
には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ１：１−Ｙ１）とすると、０．
２０≦Ｙ１≦０．２８が望ましい。
【００４７】またＦｅとＣｏの組成比を（Ｆｅ：Ｃｏ＝
０．８０：０．２０）として記載しているが、Ｃｏ含有
率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が高
くなり、より安定した再生動作を実現することが可能と
なる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記録
動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要と
なるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるように
Ｃｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ１：１−Ｚ１）とすると、０．６０≦
Ｚ１≦０．９０が望ましい。
０．８０：０．２０）として記載しているが、Ｃｏ含有
率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が高
くなり、より安定した再生動作を実現することが可能と
なる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記録
動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要と
なるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるように
Ｃｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ１：１−Ｚ１）とすると、０．６０≦
Ｚ１≦０．９０が望ましい。
【００４８】（第２の実施の形態）以下、第２の実施の
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
【００４９】（１）形成方法 本実施の形態の光磁気ディスク（ｂ１）は、第１の実施
の形態で説明した光磁気ディスクの形成方法において、
記録層５をＧｄＴｂＦｅＣｏからなる合金ターゲットを
用いて形成しており、該記録層の組成は、(Ｇｄ0.5Ｔｂ
0.5)0.24（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.76であり、膜厚４０ｎ
ｍで形成されている。その記録層５は、５０℃に補償温
度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
の形態で説明した光磁気ディスクの形成方法において、
記録層５をＧｄＴｂＦｅＣｏからなる合金ターゲットを
用いて形成しており、該記録層の組成は、(Ｇｄ0.5Ｔｂ
0.5)0.24（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.76であり、膜厚４０ｎ
ｍで形成されている。その記録層５は、５０℃に補償温
度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【００５０】記録層５以外は、第１の実施の形態の光磁
気ディスクの形成方法と全く同様にして形成した。
気ディスクの形成方法と全く同様にして形成した。
【００５１】（２）記録層の特性 ここでは、Ｔｂ0.24（Ｆｅ0.83Ｃｏ0.17）0.76からなる
Ｇｄを含有しない記録層５’を膜厚４０ｎｍで形成した
比較ディスク（ｂ２）と比較しながら本実施の形態の記
録層５の特性を説明する。比較ディスク（ｂ２）の記録
層５’は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２
７５℃であった。
Ｇｄを含有しない記録層５’を膜厚４０ｎｍで形成した
比較ディスク（ｂ２）と比較しながら本実施の形態の記
録層５の特性を説明する。比較ディスク（ｂ２）の記録
層５’は、５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２
７５℃であった。
【００５２】図３は、本実施の形態に係る光磁気ディス
ク（ｂ１）と比較ディスク（ｂ２）の記録層５，５’の
保磁力の温度依存性を示すものである。いずれの記録層
５，５’も５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２
７５℃であるが、それらの保磁力の温度依存性が異なっ
ていることがわかる。すなわち、本実施の形態に係る光
磁気ディスク（ｂ１）の場合、キュリー温度より低い温
度で保磁力がほとんど無くなるのに対して、比較ディス
ク（ｂ２）の場合、キュリー温度近傍まで保磁力を有し
ていることがわかる。
ク（ｂ１）と比較ディスク（ｂ２）の記録層５，５’の
保磁力の温度依存性を示すものである。いずれの記録層
５，５’も５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２
７５℃であるが、それらの保磁力の温度依存性が異なっ
ていることがわかる。すなわち、本実施の形態に係る光
磁気ディスク（ｂ１）の場合、キュリー温度より低い温
度で保磁力がほとんど無くなるのに対して、比較ディス
ク（ｂ２）の場合、キュリー温度近傍まで保磁力を有し
ていることがわかる。
【００５３】また、比較ディスク（ｂ２）の場合、２０
ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記録層５’
を２６５℃まで温度上昇させる必要があるが、一方、本
実施の形態の光磁気ディスク（ｂ１）の記録層５の場
合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記
録層５を２０５℃まで温度上昇させれば良いことがわか
る。
ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記録層５’
を２６５℃まで温度上昇させる必要があるが、一方、本
実施の形態の光磁気ディスク（ｂ１）の記録層５の場
合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記
録層５を２０５℃まで温度上昇させれば良いことがわか
る。
【００５４】このように、本実施の形態の記録層５を用
いることにより、同じキュリー温度を有する比較例の記
録層５’と比べて、より低い温度上昇で記録が実現し、
それに伴い、より低いレーザパワーで記録を実現するこ
とが可能となる。従って、発生する漏洩磁界を大きく
（キュリー点を高く）することで、再生層３と記録層５
との静磁結合を強力として、記録ビット径が小さくかつ
記録ビット間隔が小さい場合においても安定な再生動作
を実現することと、低いレーザパワーでの記録動作を実
現することを両立できる。
いることにより、同じキュリー温度を有する比較例の記
録層５’と比べて、より低い温度上昇で記録が実現し、
それに伴い、より低いレーザパワーで記録を実現するこ
とが可能となる。従って、発生する漏洩磁界を大きく
（キュリー点を高く）することで、再生層３と記録層５
との静磁結合を強力として、記録ビット径が小さくかつ
記録ビット間隔が小さい場合においても安定な再生動作
を実現することと、低いレーザパワーでの記録動作を実
現することを両立できる。
【００５５】（３）記録再生特性 上記光磁気ディスク（ｂ１）、及び、本実施の形態に係
る記録層５の組成比を変え、同様にして作製したディス
クと比較ディスク（ｂ２）の記録再生特性を第１の実施
の形態と同様の方法で調査した結果を表２に示す。
る記録層５の組成比を変え、同様にして作製したディス
クと比較ディスク（ｂ２）の記録再生特性を第１の実施
の形態と同様の方法で調査した結果を表２に示す。
【００５６】
【表２】
【００５７】表２より、（ＧｄX2Ｔｂ1-X2）0.24（Ｆｅ
0.84Ｃｏ0.16）0.76なる組成式で表される記録層５にお
いて、０．１０≦Ｘ３≦０．８５の範囲で、比較ディス
クと比べて、より低いレーザパワーでの記録が実現し、
かつ、光磁気記録で必要とされる４５ｄＢのＣＮＲが得
られていることがわかる。ここで、Ｘ２＞０．８５の範
囲において、ＣＮＲが低下するのは、Ｇｄ含有量が多く
なること、及び、記録層の垂直磁気異方性が小さくなる
ことにより、良好な記録動作を維持できなくなったこと
が考えられる。
0.84Ｃｏ0.16）0.76なる組成式で表される記録層５にお
いて、０．１０≦Ｘ３≦０．８５の範囲で、比較ディス
クと比べて、より低いレーザパワーでの記録が実現し、
かつ、光磁気記録で必要とされる４５ｄＢのＣＮＲが得
られていることがわかる。ここで、Ｘ２＞０．８５の範
囲において、ＣＮＲが低下するのは、Ｇｄ含有量が多く
なること、及び、記録層の垂直磁気異方性が小さくなる
ことにより、良好な記録動作を維持できなくなったこと
が考えられる。
【００５８】本実施の形態において、記録層５の希土類
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、第
１の実施の形態の場合と同様に、良好な再生動作を実現
するためには、記録層５の補償温度が−５０℃以上１０
０℃以下になるように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれ
ば良い。具体的には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ２：１−Ｙ２）
とすると、０．２０≦Ｙ２≦０．２８が望ましい。
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、第
１の実施の形態の場合と同様に、良好な再生動作を実現
するためには、記録層５の補償温度が−５０℃以上１０
０℃以下になるように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれ
ば良い。具体的には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ２：１−Ｙ２）
とすると、０．２０≦Ｙ２≦０．２８が望ましい。
【００５９】またＦｅとＣｏの組成比を（Ｆｅ：Ｃｏ＝
０．８４：０．１６）として記載しているが、Ｃｏ含有
率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が高
くなり、より安定した再生動作を実現することが可能と
なる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記録
動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要と
なるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるように
Ｃｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ２：１−Ｚ２）とすると、０．７０≦
Ｚ２≦１．００が望ましい。
０．８４：０．１６）として記載しているが、Ｃｏ含有
率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が高
くなり、より安定した再生動作を実現することが可能と
なる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記録
動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要と
なるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるように
Ｃｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ２：１−Ｚ２）とすると、０．７０≦
Ｚ２≦１．００が望ましい。
【００６０】（第３の実施の形態）以下、第３の実施の
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
形態の光ディスクについて、（１）形成方法、（２）本
発明の特徴である記録層の特性、（３）記録再生特性に
分けて、具体的に説明する。
【００６１】（１）形成方法 本実施の形態の光磁気ディスク（ｃ１）は、第１の実施
の形態の光磁気ディスクの形成方法において、記録層５
をＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏからなる合金ターゲットを用い
て形成しており、該記録層の組成は、｛Ｇｄ0.5（Ｄｙ
0.5Ｔｂ0.5）0.5｝0.24（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.76であ
り、膜厚４０ｎｍで形成されている。その記録層５は、
５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であ
った。
の形態の光磁気ディスクの形成方法において、記録層５
をＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏからなる合金ターゲットを用い
て形成しており、該記録層の組成は、｛Ｇｄ0.5（Ｄｙ
0.5Ｔｂ0.5）0.5｝0.24（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.76であ
り、膜厚４０ｎｍで形成されている。その記録層５は、
５０℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であ
った。
【００６２】記録層５以外は、第１の実施の形態の光磁
気ディスクの形成方法と全く同様にして形成した。
気ディスクの形成方法と全く同様にして形成した。
【００６３】（２）記録層の特性 ここでは、（Ｄｙ0.5Ｔｂ0.5）0.24（Ｆｅ0.79Ｃ
ｏ0.21）0.76からなるＧｄを含有しない記録層５’を膜
厚４０ｎｍで形成した比較ディスク（ｃ２）と比較する
ことにより、本実施の形態の記録層５の特性を説明す
る。尚、比較ディスク（ｃ２）の記録層５’は、５０℃
に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
ｏ0.21）0.76からなるＧｄを含有しない記録層５’を膜
厚４０ｎｍで形成した比較ディスク（ｃ２）と比較する
ことにより、本実施の形態の記録層５の特性を説明す
る。尚、比較ディスク（ｃ２）の記録層５’は、５０℃
に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【００６４】図４は、上記本実施の形態に係る光磁気デ
ィスク（ｃ１）と比較ディスク（ｃ２）について記録層
５，５’の保磁力の温度依存性を示すものである。いず
れの記録層５，５’も５０℃に補償温度を有し、キュリ
ー温度が２７５℃であるが、それらの保磁力の温度依存
性が異なっていることがわかる。すなわち、本実施の形
態に係る光磁気ディスク（ｃ１）の場合、キュリー温度
より低い温度で保磁力がほとんど無くなるのに対して、
比較ディスク（ｃ２）の場合、キュリー温度近傍まで保
磁力を有していることがわかる。
ィスク（ｃ１）と比較ディスク（ｃ２）について記録層
５，５’の保磁力の温度依存性を示すものである。いず
れの記録層５，５’も５０℃に補償温度を有し、キュリ
ー温度が２７５℃であるが、それらの保磁力の温度依存
性が異なっていることがわかる。すなわち、本実施の形
態に係る光磁気ディスク（ｃ１）の場合、キュリー温度
より低い温度で保磁力がほとんど無くなるのに対して、
比較ディスク（ｃ２）の場合、キュリー温度近傍まで保
磁力を有していることがわかる。
【００６５】また、比較ディスク（ｃ２）の場合、２０
ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記録層５’
を２６０℃まで温度上昇させる必要があるが、一方、本
実施の形態の光磁気ディスク（ｃ１）の記録層５の場
合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記
録層５を１９５℃まで温度上昇させれば良いことがわか
る。
ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記録層５’
を２６０℃まで温度上昇させる必要があるが、一方、本
実施の形態の光磁気ディスク（ｃ１）の記録層５の場
合、２０ｋＡ／ｍの磁界強度で記録を行うためには、記
録層５を１９５℃まで温度上昇させれば良いことがわか
る。
【００６６】このように、本実施の形態の記録層５で
は、同じキュリー温度を有するため発生する漏洩磁界が
略同一である比較例の記録層５’と比べて、より低い温
度上昇での記録、つまり、より低いレーザパワーでの記
録が実現される。
は、同じキュリー温度を有するため発生する漏洩磁界が
略同一である比較例の記録層５’と比べて、より低い温
度上昇での記録、つまり、より低いレーザパワーでの記
録が実現される。
【００６７】従って、本実施の形態の記録層５を用いた
光磁気ディスク（ｃ１）によれば、以下の２点を両立す
ることが可能である。発生する漏洩磁界を大きくし、
再生層と記録層との静磁結合を強力にして、記録ビット
径が小さくかつ記録ビット間隔が小さい場合でも安定な
再生動作を行う。低レーザパワーで記録動作を行う。
光磁気ディスク（ｃ１）によれば、以下の２点を両立す
ることが可能である。発生する漏洩磁界を大きくし、
再生層と記録層との静磁結合を強力にして、記録ビット
径が小さくかつ記録ビット間隔が小さい場合でも安定な
再生動作を行う。低レーザパワーで記録動作を行う。
【００６８】（３）記録再生特性 上記光磁気ディスク（ｃ１）、及び、本実施の形態に係
る記録層５の組成比を変え、同様にして作製したディス
クと比較ディスク（ｃ２）の記録再生特性を第１の実施
の形態と同様の方法で調査した結果を表３に示す。
る記録層５の組成比を変え、同様にして作製したディス
クと比較ディスク（ｃ２）の記録再生特性を第１の実施
の形態と同様の方法で調査した結果を表３に示す。
【００６９】
【表３】
【００７０】表３より、｛ＧｄX3（Ｄｙ0.5Ｔｂ0.5）
1-X3｝0.24（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.76なる組成式で表さ
れる記録層５において、０．１０≦Ｘ３≦０．８０の範
囲で、比較ディスクと比べて、より低いレーザパワーで
の記録が実現し、かつ、光磁気記録で必要とされる４５
ｄＢのＣＮＲが得られていることがわかる。ここで、Ｘ
３＞０．８５の範囲において、ＣＮＲが低下するのは、
Ｇｄ含有量が多くなること、及び、記録層の垂直磁気異
方性が小さくなることにより、良好な記録動作を維持で
きなくなったことが考えられる。
1-X3｝0.24（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.76なる組成式で表さ
れる記録層５において、０．１０≦Ｘ３≦０．８０の範
囲で、比較ディスクと比べて、より低いレーザパワーで
の記録が実現し、かつ、光磁気記録で必要とされる４５
ｄＢのＣＮＲが得られていることがわかる。ここで、Ｘ
３＞０．８５の範囲において、ＣＮＲが低下するのは、
Ｇｄ含有量が多くなること、及び、記録層の垂直磁気異
方性が小さくなることにより、良好な記録動作を維持で
きなくなったことが考えられる。
【００７１】本実施の形態において、記録層５の希土類
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、第
１の実施の形態の場合と同様に、良好な再生動作を実現
するためには、記録層５の補償温度が−５０℃以上１０
０℃以下になるように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれ
ば良い。具体的には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ３：１−Ｙ３）
とすると、０．２０≦Ｙ３≦０．２８が望ましい。
金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）との組成比を（ＲＥ：
ＴＭ＝０．２４：０．７６）として記載しているが、第
１の実施の形態の場合と同様に、良好な再生動作を実現
するためには、記録層５の補償温度が−５０℃以上１０
０℃以下になるように、ＲＥとＴＭの組成比を決定すれ
ば良い。具体的には、（ＲＥ：ＴＭ＝Ｙ３：１−Ｙ３）
とすると、０．２０≦Ｙ３≦０．２８が望ましい。
【００７２】また、ＦｅとＣｏの組成比を（Ｆｅ：Ｃｏ
＝０．８２：０．１８）として記載しているが、Ｃｏ含
有率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が
高くなり、より安定した再生動作を実現することが可能
となる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記
録動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要
となるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるよう
にＣｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ３：１−Ｚ３）とすると、０．６５≦
Ｚ３≦０．９５が望ましい。
＝０．８２：０．１８）として記載しているが、Ｃｏ含
有率を高くすることにより、記録層５のキュリー温度が
高くなり、より安定した再生動作を実現することが可能
となる。しかし、同時にキュリー温度の上昇に伴い、記
録動作温度も高くなり、より大きなレーザパワーが必要
となるため、記録動作温度が、２４０℃以下になるよう
にＣｏ含有率を決定することが望ましい。具体的には、
（Ｆｅ：Ｃｏ＝Ｚ３：１−Ｚ３）とすると、０．６５≦
Ｚ３≦０．９５が望ましい。
【００７３】尚、本実施の形態で（Ｄｙ：Ｔｂ＝０．
５：０．５）の場合について示したが、ここで用いる記
録層は、（Ｄｙ：Ｔｂ）が第１の実施の形態（Ｄｙ：Ｔ
ｂ＝１．０：０．０）と第２の実施の形態（Ｄｙ：Ｔｂ
＝０．０：１．０）の間にあるものであるため、Ｄｙと
Ｔｂの比を変化させた場合には、第１の実施の形態及び
第２の実施の形態から明らかなように、｛ＧｄX3（Ｄｙ
W3Ｔｂ1-W3）1-X3｝Y3（ＦｅZ3Ｃｏ1-Z3）1-Y3におい
て、０．１０≦Ｘ３≦０．８５，０．２０≦Ｙ３≦０．
２８，０．６０≦Ｚ３≦１．００，０．００＜Ｗ３＜
１．００であることが望ましい。
５：０．５）の場合について示したが、ここで用いる記
録層は、（Ｄｙ：Ｔｂ）が第１の実施の形態（Ｄｙ：Ｔ
ｂ＝１．０：０．０）と第２の実施の形態（Ｄｙ：Ｔｂ
＝０．０：１．０）の間にあるものであるため、Ｄｙと
Ｔｂの比を変化させた場合には、第１の実施の形態及び
第２の実施の形態から明らかなように、｛ＧｄX3（Ｄｙ
W3Ｔｂ1-W3）1-X3｝Y3（ＦｅZ3Ｃｏ1-Z3）1-Y3におい
て、０．１０≦Ｘ３≦０．８５，０．２０≦Ｙ３≦０．
２８，０．６０≦Ｚ３≦１．００，０．００＜Ｗ３＜
１．００であることが望ましい。
【００７４】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
は、室温において面内磁化状態であり温度上昇にともな
い垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜からなる記
録層とが静磁結合した光磁気記録媒体において、記録層
が、希土類金属と遷移金属との合金からなり、希土類金
属がＧｄを含有する２種類以上の希土類金属元素から構
成されている。このため、記録層から発生する漏洩磁界
が大きくなって、再生層と記録層との静磁結合が強力に
なるため、記録ビット径が小さくかつ記録ビット間隔が
小さい場合においても安定な再生動作を実現できるとと
もに、低レーザパワーでの記録動作が可能となる。
は、室温において面内磁化状態であり温度上昇にともな
い垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜からなる記
録層とが静磁結合した光磁気記録媒体において、記録層
が、希土類金属と遷移金属との合金からなり、希土類金
属がＧｄを含有する２種類以上の希土類金属元素から構
成されている。このため、記録層から発生する漏洩磁界
が大きくなって、再生層と記録層との静磁結合が強力に
なるため、記録ビット径が小さくかつ記録ビット間隔が
小さい場合においても安定な再生動作を実現できるとと
もに、低レーザパワーでの記録動作が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態に係る光磁気ディスクの記
録媒体の構成を示す模式図である。
録媒体の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の記録層と従来の記録層の磁気特性を比
較する図である。
較する図である。
【図３】本発明の記録層と従来の記録層の磁気特性を比
較する図である。
較する図である。
【図４】本発明の記録層と従来の記録層の磁気特性を比
較する図である。
較する図である。
１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 再生層 ４ 非磁性中間層 ５ 記録層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ８ ディスク本体 ９ 光ビーム １０ 対物レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇にともない垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜
からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層は、一般式（Ｉ１）、及び、条件（Ｉ２）を
満足する組成であることを特徴とする光磁気記録媒体。 （ＧｄX1Ｄｙ1-X1）Y1（ＦｅZ1Ｃｏ1-Z1）1-Y1 ・・・（Ｉ１） ０．１０≦Ｘ１≦０．７５ ０．２０≦Ｙ１≦０．２８ ０．６０≦Ｚ１≦０．９０ ・・・（Ｉ２） - 【請求項２】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇にともない垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜
からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層は、一般式（II２）、及び、条件（II２）を
満足する組成であることを特徴とする光磁気記録媒体。 （ＧｄX2Ｔｂ1-X2）Y2（ＦｅZ2Ｃｏ1-Z2）1-Y2 ・・・（II１） ０．１０≦Ｘ２≦０．８５ ０．２０≦Ｙ２≦０．２８ ０．７０≦Ｚ２≦１．００ ・・・（II２） - 【請求項３】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇にともない垂直磁化状態となる再生層と、垂直磁化膜
からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録おいて、 前記記録層は、一般式（III１）、及び、条件（III２）
を満足する組成であることを特徴とする光磁気記録媒
体。 ｛ＧｄX3（ＤｙW3Ｔｂ1-W3）1-X3｝Y3（ＦｅZ3Ｃｏ1-Z3）1-Y3・・・（III１） ０．１０≦Ｘ３≦０．８５ ０．２０≦Ｙ３≦０．２８ ０．６０≦Ｚ３≦１．００ ０．００＜Ｗ３＜１．００ ・・・（III２）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005396A JP3539531B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光磁気記録媒体 |
| US08/844,270 US6042954A (en) | 1996-04-22 | 1997-04-18 | Magneto-optical recording medium |
| DE69739806T DE69739806D1 (de) | 1996-04-22 | 1997-04-21 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
| EP97106555A EP0803870B1 (en) | 1996-04-22 | 1997-04-21 | Magneto-optical recording medium |
| KR1019970014793A KR100228969B1 (ko) | 1996-04-22 | 1997-04-21 | 광자기 기록 매체 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005396A JP3539531B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288853A true JPH09288853A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3539531B2 JP3539531B2 (ja) | 2004-07-07 |
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ID=14263753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0803870B1 (ja) |
| JP (1) | JP3539531B2 (ja) |
| KR (1) | KR100228969B1 (ja) |
| DE (1) | DE69739806D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102943A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Fujitsu Limited | Optical recording medium, and optical storage device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3545133B2 (ja) | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| US6504797B1 (en) | 1999-06-25 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers and reproducing method thereof |
| JP2002170292A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6032331B2 (ja) * | 1980-03-12 | 1985-07-27 | ケイディディ株式会社 | 磁気光学記録媒体 |
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS61144742A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0782670B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
| JP2839783B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1998-12-16 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法 |
| US6261707B1 (en) * | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| JP3230388B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| US5644566A (en) * | 1994-05-24 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3400251B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-04-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
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1996
- 1996-04-22 JP JP10005396A patent/JP3539531B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-18 US US08/844,270 patent/US6042954A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-21 EP EP97106555A patent/EP0803870B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-21 KR KR1019970014793A patent/KR100228969B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-21 DE DE69739806T patent/DE69739806D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102943A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Fujitsu Limited | Optical recording medium, and optical storage device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0803870B1 (en) | 2010-03-17 |
| US6042954A (en) | 2000-03-28 |
| KR970071568A (ko) | 1997-11-07 |
| EP0803870A2 (en) | 1997-10-29 |
| EP0803870A3 (en) | 1998-08-12 |
| KR100228969B1 (ko) | 1999-11-01 |
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| DE69739806D1 (de) | 2010-04-29 |
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