JPH0615437B2 - 薄膜成長装置 - Google Patents
薄膜成長装置Info
- Publication number
- JPH0615437B2 JPH0615437B2 JP60101503A JP10150385A JPH0615437B2 JP H0615437 B2 JPH0615437 B2 JP H0615437B2 JP 60101503 A JP60101503 A JP 60101503A JP 10150385 A JP10150385 A JP 10150385A JP H0615437 B2 JPH0615437 B2 JP H0615437B2
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- Japan
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- shutter
- film material
- substrate
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に分子線エピタキシヤル成長法によつ
て薄膜結晶を成長させる薄膜成長装置、いわゆる分子線
エピタキシヤル装置に関し、特にその分子線発生源とし
ての薄膜材料蒸発装置の改良に関するものである。
て薄膜結晶を成長させる薄膜成長装置、いわゆる分子線
エピタキシヤル装置に関し、特にその分子線発生源とし
ての薄膜材料蒸発装置の改良に関するものである。
分子線エピタキシヤル装置は、超高真空中で薄膜を構成
する薄膜材料を加熱蒸発して、その材料を分子線の形で
基板上に飛着させて薄膜結晶を成長させる薄膜成長装置
であり、従来、基板上に分子線エピタキシヤル成長法に
よつて薄膜結晶を成長させる方法として、次に述べる方
法が提案されている。すなわち、この種装置に用いられ
ている薄膜材料蒸発装置を第６図および第７図に示して
説明する。この薄膜材料蒸発装置は、薄膜材料１を充填
する充填室としてのるつぼ２と、このるつぼ２の周囲に
設けられた薄膜材料加熱用ヒータ３と、温度制御用熱電
対４と、薄膜材料の基板への飛着を制御するシヤツタ５
と、このシヤツタ５の回転動作を行なう軸６とから構成
され、この軸６が回転駆動手段（図示せず）に連結され
ている。
する薄膜材料を加熱蒸発して、その材料を分子線の形で
基板上に飛着させて薄膜結晶を成長させる薄膜成長装置
であり、従来、基板上に分子線エピタキシヤル成長法に
よつて薄膜結晶を成長させる方法として、次に述べる方
法が提案されている。すなわち、この種装置に用いられ
ている薄膜材料蒸発装置を第６図および第７図に示して
説明する。この薄膜材料蒸発装置は、薄膜材料１を充填
する充填室としてのるつぼ２と、このるつぼ２の周囲に
設けられた薄膜材料加熱用ヒータ３と、温度制御用熱電
対４と、薄膜材料の基板への飛着を制御するシヤツタ５
と、このシヤツタ５の回転動作を行なう軸６とから構成
され、この軸６が回転駆動手段（図示せず）に連結され
ている。
かかる構成の薄膜材料蒸発装置を用いて基板上に薄膜結
晶を成長させるには、通常、シヤツタ５を閉じた状態で
薄膜材料加熱用ヒータ３に通電し、薄膜材料１を所望の
蒸発温度になるまで昇温する。この温度は熱電対４から
得られる電圧信号を基に加熱用ヒータ３に通電する電力
によつて制御される。薄膜材料１が所望の蒸発温度に達
した後、シヤツタ５の開動作により、蒸発した薄膜材料
が薄膜材料蒸発装置と対向して設けられた基板（図示せ
ず）に向けて飛び、基板表面に堆積する。このようにし
て基板表面に薄膜結晶が成長する。そして、基板上の薄
膜が所望の膜厚に達した時、シヤツタ５を閉じ、薄膜材
料の基板への飛着をしや断する。薄膜成長後、薄膜材料
は降温され、シヤツタ５を閉じた状態で所望の温度に保
持されることになる。
晶を成長させるには、通常、シヤツタ５を閉じた状態で
薄膜材料加熱用ヒータ３に通電し、薄膜材料１を所望の
蒸発温度になるまで昇温する。この温度は熱電対４から
得られる電圧信号を基に加熱用ヒータ３に通電する電力
によつて制御される。薄膜材料１が所望の蒸発温度に達
した後、シヤツタ５の開動作により、蒸発した薄膜材料
が薄膜材料蒸発装置と対向して設けられた基板（図示せ
ず）に向けて飛び、基板表面に堆積する。このようにし
て基板表面に薄膜結晶が成長する。そして、基板上の薄
膜が所望の膜厚に達した時、シヤツタ５を閉じ、薄膜材
料の基板への飛着をしや断する。薄膜成長後、薄膜材料
は降温され、シヤツタ５を閉じた状態で所望の温度に保
持されることになる。
ところが、このような薄膜材料蒸発装置においては、シ
ヤツタ５は薄膜材料蒸発装置の開口部に接するか、ある
いは近接して設置された構成となつていたため、次に述
べる欠点がある。シヤツタ５が閉状態ではるつぼ２すな
わち薄膜材料充填室内は熱平衡状態に保持されている。
また密封状態に近いため充填室内と薄膜成長室内での圧
力差が大きい。シヤツタ５を開けた瞬間、薄膜材料充填
室内の圧力が急低下し熱平衡状態が崩れてしまう。そし
て再び平衡状態になるまでに数分間の時間を有する。そ
のため、充填室から飛び出る薄膜材料の分子線量は、第
８図に示すように時間と共に変化する。このような分子
線の変化は基板に成長させる薄膜の膜厚制御、あるいは
膜厚成長と同様の手段で加熱蒸発させて薄膜内に不純物
をドーピングする際のドーピング濃度の制御，ドーピン
グプロフアイルの急峻性を劣化させる。
ヤツタ５は薄膜材料蒸発装置の開口部に接するか、ある
いは近接して設置された構成となつていたため、次に述
べる欠点がある。シヤツタ５が閉状態ではるつぼ２すな
わち薄膜材料充填室内は熱平衡状態に保持されている。
また密封状態に近いため充填室内と薄膜成長室内での圧
力差が大きい。シヤツタ５を開けた瞬間、薄膜材料充填
室内の圧力が急低下し熱平衡状態が崩れてしまう。そし
て再び平衡状態になるまでに数分間の時間を有する。そ
のため、充填室から飛び出る薄膜材料の分子線量は、第
８図に示すように時間と共に変化する。このような分子
線の変化は基板に成長させる薄膜の膜厚制御、あるいは
膜厚成長と同様の手段で加熱蒸発させて薄膜内に不純物
をドーピングする際のドーピング濃度の制御，ドーピン
グプロフアイルの急峻性を劣化させる。
この他、例えば薄膜材料としてＧａとＡｓを用い、基板
上にGaAsの単結晶を成長させる場合においては、文献
Ｔ.Ito et al.Jpn.J.Appl.Phys. 23,L702(1984)に示さ
れているように、Ｃａ蒸発装置の充填室開口部に設けら
れたシヤツタを開いた瞬間、溶融Ｇａ表面に形成された
Ｇａの酸化物の解離によつて発生するＧａスピツテイン
グが基板に飛着し、オーバルデイフエクトと呼ばれる表
面欠陥が発生する。また、シヤツタを開けた瞬間、充填
室の出口近傍に付着していたＡｓやＣａＡｓなどの微粒
子が基板に向けて飛び、微小な表面欠陥が発生する。こ
れらの表面欠陥はほとんどがシヤツタを開けた瞬間に薄
膜材料充填室内あるいは充填室の出口近傍から飛来する
微粒子を核として発生するものである。
上にGaAsの単結晶を成長させる場合においては、文献
Ｔ.Ito et al.Jpn.J.Appl.Phys. 23,L702(1984)に示さ
れているように、Ｃａ蒸発装置の充填室開口部に設けら
れたシヤツタを開いた瞬間、溶融Ｇａ表面に形成された
Ｇａの酸化物の解離によつて発生するＧａスピツテイン
グが基板に飛着し、オーバルデイフエクトと呼ばれる表
面欠陥が発生する。また、シヤツタを開けた瞬間、充填
室の出口近傍に付着していたＡｓやＣａＡｓなどの微粒
子が基板に向けて飛び、微小な表面欠陥が発生する。こ
れらの表面欠陥はほとんどがシヤツタを開けた瞬間に薄
膜材料充填室内あるいは充填室の出口近傍から飛来する
微粒子を核として発生するものである。
以上の問題点を解消するために、薄膜材料蒸発装置の開
口部からある程度の距離をおいてシヤツタを設置するこ
とも考えられるが、この場合、薄膜成長後、薄膜材料を
所望の温度で保持しておく時に薄膜材料充填室内に不純
物が混入し、薄膜材料の純度の低下、ひいでは成長薄膜
の膜質低下を招く欠点がある。
口部からある程度の距離をおいてシヤツタを設置するこ
とも考えられるが、この場合、薄膜成長後、薄膜材料を
所望の温度で保持しておく時に薄膜材料充填室内に不純
物が混入し、薄膜材料の純度の低下、ひいでは成長薄膜
の膜質低下を招く欠点がある。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、欠陥の少ない膜質の優れた薄膜を成長させ、
かつ膜厚や不純物ドーピング濃度の制御性に優れた薄膜
成長装置を提供するものである。
たもので、欠陥の少ない膜質の優れた薄膜を成長させ、
かつ膜厚や不純物ドーピング濃度の制御性に優れた薄膜
成長装置を提供するものである。
本発明に係る薄膜成長装置は、薄膜を構成する薄膜材料
を加熱蒸発して、基板上に薄膜結晶を成長させる分子線
エピタキシヤル装置において、薄膜材料の基板への飛着
を制御するシヤツタを、薄膜材料蒸発装置の薄膜材料が
飛び出す開口部に接するかあるいは近接して設置された
第１のシヤツタと、核第１のシヤツタと同一の回転駆動
軸に連結され、かつ閉状態でも薄膜材料充填質からの薄
膜材料の漏洩が生じる程度に上記開口部より離れた位置
に設置された第２のシヤツタとから構成し、第１のシヤ
ツタの開閉動作により薄膜材料の充填質からの漏洩を制
御するとともに、該第１のシヤツタを開けた状態で第２
のシヤツタの開閉動作により薄膜材料の基板への飛着を
制御するようにしたものである。
を加熱蒸発して、基板上に薄膜結晶を成長させる分子線
エピタキシヤル装置において、薄膜材料の基板への飛着
を制御するシヤツタを、薄膜材料蒸発装置の薄膜材料が
飛び出す開口部に接するかあるいは近接して設置された
第１のシヤツタと、核第１のシヤツタと同一の回転駆動
軸に連結され、かつ閉状態でも薄膜材料充填質からの薄
膜材料の漏洩が生じる程度に上記開口部より離れた位置
に設置された第２のシヤツタとから構成し、第１のシヤ
ツタの開閉動作により薄膜材料の充填質からの漏洩を制
御するとともに、該第１のシヤツタを開けた状態で第２
のシヤツタの開閉動作により薄膜材料の基板への飛着を
制御するようにしたものである。
本発明においては、薄膜材料を所望の蒸発温度まで昇温
する時、あるいは蒸発温度から所望の薄膜材料保持温度
まで降温する時、さらにその保持温度で薄膜材料を保持
しておく時、薄膜材料蒸発装置の開口部に接するかある
いは近接して設置された第１のシヤツタを閉じることに
より、薄膜材料中への不純物の混入を防ぐ。そして、薄
膜材料が所望の蒸発温度に達してから、薄膜の基板上へ
の成長が終了するまで、前記第１のシヤツタを開いた状
態で、薄膜材料の漏洩が生じる程度に上記開口部より離
れた位置に設置された第２のシヤツタの開閉動作により
薄膜の基板上への飛着を制御することができる。
する時、あるいは蒸発温度から所望の薄膜材料保持温度
まで降温する時、さらにその保持温度で薄膜材料を保持
しておく時、薄膜材料蒸発装置の開口部に接するかある
いは近接して設置された第１のシヤツタを閉じることに
より、薄膜材料中への不純物の混入を防ぐ。そして、薄
膜材料が所望の蒸発温度に達してから、薄膜の基板上へ
の成長が終了するまで、前記第１のシヤツタを開いた状
態で、薄膜材料の漏洩が生じる程度に上記開口部より離
れた位置に設置された第２のシヤツタの開閉動作により
薄膜の基板上への飛着を制御することができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜材料蒸発装置を示
す概略断面図である。同図において、１１は薄膜材料、
１２はこの薄膜材料１１を充填する充填質としてのるつ
ぼ、１３はこのるつぼ１２の周囲に設けられた薄膜材料
加熱用ヒータ、１４は温度制御用熱電対、１５は薄膜材
料の基板への飛着を制御するために第１のシヤツタ15Ａ
と第２のシヤツタ15Ｂとから構成されたシヤツタ、１６
はこのシヤツタ１５の回転駆動を行なう回転軸であり、
この回転軸１６は回転駆動手段（図示せず）に連結され
ている。上記シヤツタ１５を、薄膜材料が飛び出するつ
ぼ１２つまり薄膜材料充填室の開口部側から見た図を第
２図に示す。この第２図に示すシヤツタ１５において、
第１のシヤツタ15Ａは上記開口部に接するかあるいは近
接して設置されるもので、閉の状態を示す。また、第２
のシヤツタ15Ｂは、上記開口部から閉状態時においても
薄膜材料が漏洩可能な程度に距離をはなして設置される
もので、開の状態を示す。そして、これらシヤツタ15Ａ
および15Ｂは同一の回転軸１６に連結されている。
す概略断面図である。同図において、１１は薄膜材料、
１２はこの薄膜材料１１を充填する充填質としてのるつ
ぼ、１３はこのるつぼ１２の周囲に設けられた薄膜材料
加熱用ヒータ、１４は温度制御用熱電対、１５は薄膜材
料の基板への飛着を制御するために第１のシヤツタ15Ａ
と第２のシヤツタ15Ｂとから構成されたシヤツタ、１６
はこのシヤツタ１５の回転駆動を行なう回転軸であり、
この回転軸１６は回転駆動手段（図示せず）に連結され
ている。上記シヤツタ１５を、薄膜材料が飛び出するつ
ぼ１２つまり薄膜材料充填室の開口部側から見た図を第
２図に示す。この第２図に示すシヤツタ１５において、
第１のシヤツタ15Ａは上記開口部に接するかあるいは近
接して設置されるもので、閉の状態を示す。また、第２
のシヤツタ15Ｂは、上記開口部から閉状態時においても
薄膜材料が漏洩可能な程度に距離をはなして設置される
もので、開の状態を示す。そして、これらシヤツタ15Ａ
および15Ｂは同一の回転軸１６に連結されている。
第３図は第２図に示すシヤツタ１５のＸ−Ｙ軸に垂直で
Ｙ点を通る断面を示すものであり、第２図で示したシヤ
ツタ１５を反時計回りに９０゜回転させた状態を第４図
に示す。これは第１図に対応しており、この時、第１の
シヤツタ15Ａが開状態を、第２のシヤツタ15Ｂが閉状態
を表わす。さらに、第４図で示したシヤツタ１５を反時
計回りに９０゜回転させた状態を第５図に示す。この
時、第１のシヤツタ15Ａ，第２のシヤツタ15Ｂとも開状
態を表わす。
Ｙ点を通る断面を示すものであり、第２図で示したシヤ
ツタ１５を反時計回りに９０゜回転させた状態を第４図
に示す。これは第１図に対応しており、この時、第１の
シヤツタ15Ａが開状態を、第２のシヤツタ15Ｂが閉状態
を表わす。さらに、第４図で示したシヤツタ１５を反時
計回りに９０゜回転させた状態を第５図に示す。この
時、第１のシヤツタ15Ａ，第２のシヤツタ15Ｂとも開状
態を表わす。
次に、上記実施例構成の薄膜材料蒸発装置を用いた薄膜
成長法について第２図〜第５図を参照して説明する。ま
ず、第２図で示すように第１のシヤツタ15Ａが閉の状態
で薄膜材料を所望の蒸発温度まで昇温する。次いで所望
の蒸発温度に達した後、第１のシヤツタ15Ａを開き、第
２のシヤツタ15Ｂを閉じる（第４図）。この状態で薄膜
材料温度（薄膜分子線量）が安定になるまで保持する。
次に薄膜を基板上に飛着させる時、第５図で示すように
第２のシヤツタ15Ｂを開ける。基板上の膜厚が所望の値
に達したら第４図のように第２のシヤツタ15Ｂを閉じ
る。そして、薄膜材料を所望の保持温度まで降温する
時、あるいは所望の保持温度に達した後、その温度で薄
膜材料を保持しておく時、第２図に示すように第１のシ
ヤツタ15Ａを閉じる。
成長法について第２図〜第５図を参照して説明する。ま
ず、第２図で示すように第１のシヤツタ15Ａが閉の状態
で薄膜材料を所望の蒸発温度まで昇温する。次いで所望
の蒸発温度に達した後、第１のシヤツタ15Ａを開き、第
２のシヤツタ15Ｂを閉じる（第４図）。この状態で薄膜
材料温度（薄膜分子線量）が安定になるまで保持する。
次に薄膜を基板上に飛着させる時、第５図で示すように
第２のシヤツタ15Ｂを開ける。基板上の膜厚が所望の値
に達したら第４図のように第２のシヤツタ15Ｂを閉じ
る。そして、薄膜材料を所望の保持温度まで降温する
時、あるいは所望の保持温度に達した後、その温度で薄
膜材料を保持しておく時、第２図に示すように第１のシ
ヤツタ15Ａを閉じる。
このように、薄膜材料の所望の蒸発温度までの昇温時、
蒸発温度から所望の保持温度までの降温時、また保持温
度での保持時に、薄膜材料が飛び出す開口部に接する
か、あるいは近接した位置に設置された第１のシヤツタ
15Ａを閉じることにより、真空チヤンバ内壁より出る不
純物の薄膜材料充填室内への混入を防ぐことができる。
また、第１のシヤツタ15Ａを開いた瞬間に薄膜材料充填
室内から飛び出てくる微粒子を第２のシヤツタ15Ｂでし
や断することにより、微粒子の基板上への飛着を防ぐこ
とができ、表面欠陥の少ない薄膜の成長が可能となる。
さらに第２のシヤツタ15Ｂを閉じた状態でも、上記開口
部と該シヤツタ15Ｂとのすき間（第３図で示したＬ）を
通して薄膜材料が蒸発するため、薄膜材料充填室内が密
封状態とならない。そのため、第２のシヤツタ15Ｂを開
けた後の充填室から基板へ向けて出る分子線量の時間的
な変化がなく、一定の安定した分子線量が得られる。そ
の結果、薄膜の膜厚制御や、薄膜内へのドーピング量と
ドーピングプロフアイルの制御が向上する。また、上記
実施例では、第１のシヤツタ15Ａと第２のシヤツタ15Ｂ
が１つの回転軸１６に連結されているため、回転駆動系
が従来の方法と同一数で済む利点も奏する。
蒸発温度から所望の保持温度までの降温時、また保持温
度での保持時に、薄膜材料が飛び出す開口部に接する
か、あるいは近接した位置に設置された第１のシヤツタ
15Ａを閉じることにより、真空チヤンバ内壁より出る不
純物の薄膜材料充填室内への混入を防ぐことができる。
また、第１のシヤツタ15Ａを開いた瞬間に薄膜材料充填
室内から飛び出てくる微粒子を第２のシヤツタ15Ｂでし
や断することにより、微粒子の基板上への飛着を防ぐこ
とができ、表面欠陥の少ない薄膜の成長が可能となる。
さらに第２のシヤツタ15Ｂを閉じた状態でも、上記開口
部と該シヤツタ15Ｂとのすき間（第３図で示したＬ）を
通して薄膜材料が蒸発するため、薄膜材料充填室内が密
封状態とならない。そのため、第２のシヤツタ15Ｂを開
けた後の充填室から基板へ向けて出る分子線量の時間的
な変化がなく、一定の安定した分子線量が得られる。そ
の結果、薄膜の膜厚制御や、薄膜内へのドーピング量と
ドーピングプロフアイルの制御が向上する。また、上記
実施例では、第１のシヤツタ15Ａと第２のシヤツタ15Ｂ
が１つの回転軸１６に連結されているため、回転駆動系
が従来の方法と同一数で済む利点も奏する。
なお、上記した実施例では薄膜材料の基板への飛着を制
御するシヤツタ１５として第１のシヤツタ15Ａと第２の
シヤツタ15ＢがＸ−Ｙ軸で連結された構造のものを用い
る場合であったが、それらのシヤツタが分離されていて
も、また各シヤツタの形状が円形や矩形などの任意の形
状でも、上記実施例と同様の効果が得られる。
御するシヤツタ１５として第１のシヤツタ15Ａと第２の
シヤツタ15ＢがＸ−Ｙ軸で連結された構造のものを用い
る場合であったが、それらのシヤツタが分離されていて
も、また各シヤツタの形状が円形や矩形などの任意の形
状でも、上記実施例と同様の効果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、薄膜材料蒸発装
置の薄膜材料が飛び出す開口部に接するかあるいは近接
して設置された第１のシヤツタと、該第１のシヤツタと
同一の回転駆動軸に連結されかつ上記開口部から閉状態
時においても薄膜材料が漏洩可能な程度に距離をなして
設置された第２のシヤツタから成る構造のシヤツタによ
つて薄膜材料の基板への飛着を制御することにより、従
来用いられている回転駆動系が適用できる。そして、欠
陥の少ない膜質の優れた薄膜を成長できると共に、膜厚
やドーピング量，ドーピングプロフアイルなどの制御性
が優れた薄膜成長が可能となる利点がある。
置の薄膜材料が飛び出す開口部に接するかあるいは近接
して設置された第１のシヤツタと、該第１のシヤツタと
同一の回転駆動軸に連結されかつ上記開口部から閉状態
時においても薄膜材料が漏洩可能な程度に距離をなして
設置された第２のシヤツタから成る構造のシヤツタによ
つて薄膜材料の基板への飛着を制御することにより、従
来用いられている回転駆動系が適用できる。そして、欠
陥の少ない膜質の優れた薄膜を成長できると共に、膜厚
やドーピング量，ドーピングプロフアイルなどの制御性
が優れた薄膜成長が可能となる利点がある。
第１図は本発明の一実施例による薄膜材料蒸発装置を示
す概略断面図、第２図は第１図の薄膜材料蒸発装置をそ
の充填室開口部側から見たシヤツタ部を示す図、第３図
は第６図のシヤツタをＸ−Ｙ軸に垂直でかつＹ点を通る
面で切つた時の断面図、第４図は第２図のシヤツタを反
時計回りに９０゜回転させた時の図、第５図は第２図の
シヤツタを反時計回りに180゜回転させた時の図、第６
図は従来の薄膜材料蒸発装置を示す概略断面図、第７図
は第６図の薄膜材料が飛び出す開口部側から見た図、第
８図は従来における薄膜材料蒸発装置の開口部から飛び
出る薄膜材料分子線量のシヤツタ開後の時間的変化を示
す図である。 １１……薄膜材料、１２……薄膜材料充填用るつぼ、１
３……薄膜材料加熱用ヒータ、１４……温度制御用熱電
対、１５……シヤツタ、15Ａ……第１のシヤツタ、15Ｂ
……第２のシヤツタ、１６……回転駆動軸。
す概略断面図、第２図は第１図の薄膜材料蒸発装置をそ
の充填室開口部側から見たシヤツタ部を示す図、第３図
は第６図のシヤツタをＸ−Ｙ軸に垂直でかつＹ点を通る
面で切つた時の断面図、第４図は第２図のシヤツタを反
時計回りに９０゜回転させた時の図、第５図は第２図の
シヤツタを反時計回りに180゜回転させた時の図、第６
図は従来の薄膜材料蒸発装置を示す概略断面図、第７図
は第６図の薄膜材料が飛び出す開口部側から見た図、第
８図は従来における薄膜材料蒸発装置の開口部から飛び
出る薄膜材料分子線量のシヤツタ開後の時間的変化を示
す図である。 １１……薄膜材料、１２……薄膜材料充填用るつぼ、１
３……薄膜材料加熱用ヒータ、１４……温度制御用熱電
対、１５……シヤツタ、15Ａ……第１のシヤツタ、15Ｂ
……第２のシヤツタ、１６……回転駆動軸。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−42815（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−191591（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−236688（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜を構成する薄膜材料を加熱蒸発して、
基板上に薄膜結晶を成長させる分子線エピタキシヤル装
置において、薄膜材料の基板への飛着を制御するシヤツ
タが、薄膜材料が飛び出る薄膜材料蒸発装置の開口部に
接するかあるいは近接して設置された第１のシヤツタ
と、該第１のシヤツタと同一の回転駆動軸に連結され、
かつ上記開口部から閉状態時においても薄膜材料が漏洩
可能な程度に距離をなして設置された第２のシヤツタか
ら成ることを特徴とする薄膜成長装置。 - 【請求項２】薄膜材料の基板への飛着を制御するシヤツ
タにおいて第１のシヤツタの開閉動作により薄膜材料の
薄膜材料蒸発装置からの漏洩を制御し、第１のシヤツタ
を開けた状態で第２のシヤツタの開閉動作により薄膜材
料の基板への堆積を制御することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101503A JPH0615437B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 薄膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101503A JPH0615437B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 薄膜成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261295A JPS61261295A (ja) | 1986-11-19 |
| JPH0615437B2 true JPH0615437B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14302418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101503A Expired - Lifetime JPH0615437B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 薄膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615437B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242486A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60101503A patent/JPH0615437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61261295A (ja) | 1986-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |