JPH061564B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH061564B2 JPH061564B2 JP59031903A JP3190384A JPH061564B2 JP H061564 B2 JPH061564 B2 JP H061564B2 JP 59031903 A JP59031903 A JP 59031903A JP 3190384 A JP3190384 A JP 3190384A JP H061564 B2 JPH061564 B2 JP H061564B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- recording medium
- atomic
- optical recording
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は磁気カー効果を利用して読出しすることのでき
るキュリー点書込み光磁気記録媒体に関するものであ
る。
るキュリー点書込み光磁気記録媒体に関するものであ
る。
(発明の背景) 特開昭57−78652号公開によって、低いキュリー
点(TL)と高い保磁力(HH)を有する第1の層と相
対的に高いキュリー点(TH)と低い保磁力(HL)を
有する第2の層からなる2層構造垂直磁化膜を主体とす
るキュリー点書込み光磁気記録媒体が提案された。
点(TL)と高い保磁力(HH)を有する第1の層と相
対的に高いキュリー点(TH)と低い保磁力(HL)を
有する第2の層からなる2層構造垂直磁化膜を主体とす
るキュリー点書込み光磁気記録媒体が提案された。
提案された媒体では、レーザービームを照射して低いキ
ュリー点(TL)以上で高いキュリー点(TH)未満の
温度に加熱することにより、第1の層の保磁力をゼロと
し、保磁力が未だ残っているが相当に小さくなった第2
の層に対して、より大きな外部磁場を印加して、その磁
化の向きを反転させ(第2の層の書込み完了)、その上
でレーザービームの照射を止めて第1の層が冷えていく
過程で、第2の層の磁化を利用して第1の層に反転した
磁化を形成させ、(第1の層の書込み完了)、それによ
り書込み(キュリー点書込み)を行なうのであり、書込
み時にはTLが低いので、書込みレーザービームのパワ
ーは小さくて済む。
ュリー点(TL)以上で高いキュリー点(TH)未満の
温度に加熱することにより、第1の層の保磁力をゼロと
し、保磁力が未だ残っているが相当に小さくなった第2
の層に対して、より大きな外部磁場を印加して、その磁
化の向きを反転させ(第2の層の書込み完了)、その上
でレーザービームの照射を止めて第1の層が冷えていく
過程で、第2の層の磁化を利用して第1の層に反転した
磁化を形成させ、(第1の層の書込み完了)、それによ
り書込み(キュリー点書込み)を行なうのであり、書込
み時にはTLが低いので、書込みレーザービームのパワ
ーは小さくて済む。
そして、保存時にはHHが大きいので不用意に外部磁場
が近ずいても書込まれた情報が消える心配がない。
が近ずいても書込まれた情報が消える心配がない。
他方、再生時には、再生光の強度をIとすると、S/N
比は一般に√I又はIに比例するのでIを大きくすべき
である。しかし、逆に強度(I)を大きくするほど媒体
の温度が上昇し、温度がキュリー点に近ずくほどθkが
低下し、一般にS/N比はθkに比例するので、強度
(I)は余り強すぎてはいけない。特にTLになると第
1層の保磁力がゼロになるのでTLより低い温度
(TR)で再生しなければならないが、このとき第1層
のθkは低下するものの、第2層のキュリー点(TH)
は高いので第2層のθkはほとんど低下せず高い。従っ
て、第1層単層の媒体に比べて、この媒体では再生時の
温度(TR)をより高く設定してもθkの低下がなく、
それだけ高強度の再生光を使用できるので、結局S/N
比(∝√I×θk又はI×θk)は高くなる。
比は一般に√I又はIに比例するのでIを大きくすべき
である。しかし、逆に強度(I)を大きくするほど媒体
の温度が上昇し、温度がキュリー点に近ずくほどθkが
低下し、一般にS/N比はθkに比例するので、強度
(I)は余り強すぎてはいけない。特にTLになると第
1層の保磁力がゼロになるのでTLより低い温度
(TR)で再生しなければならないが、このとき第1層
のθkは低下するものの、第2層のキュリー点(TH)
は高いので第2層のθkはほとんど低下せず高い。従っ
て、第1層単層の媒体に比べて、この媒体では再生時の
温度(TR)をより高く設定してもθkの低下がなく、
それだけ高強度の再生光を使用できるので、結局S/N
比(∝√I×θk又はI×θk)は高くなる。
以上述べたように提案された記録媒体は非常に優れた特
徴を有する。
徴を有する。
従って、提案された媒体では情報は第2の層に記録さ
れ、第2の層から第2の層に転写(複写)されるので、
転写されるためには両層の間に大きな交換力δωが働く
ことが必要である。
れ、第2の層から第2の層に転写(複写)されるので、
転写されるためには両層の間に大きな交換力δωが働く
ことが必要である。
また、再生時に再生時には不要な外部磁場Hb(例えば
アクチュエーターからの漏れ磁界や記録時に永久磁石を
使用する記録再生兼用ピックアップの場合の永久磁石な
ど)がピットに近ずいたりすると、レーザービームが照
射されて温度が上昇しているので交換力δωが低下し、
そのため(イ)外部磁場Hbの向きがピットの向きと反対
の場合にはピットが消えたり、(b)外部磁場Hbの向き
がピットの向きと同一方向の場合にはピットの周囲(こ
こも相当に温度が上昇しているので)の磁化の向きが反
転するので、そのためピットが不正に拡大し、いずれに
してもS/N比が低下したり、誤って再生されたりする
危険がある。
アクチュエーターからの漏れ磁界や記録時に永久磁石を
使用する記録再生兼用ピックアップの場合の永久磁石な
ど)がピットに近ずいたりすると、レーザービームが照
射されて温度が上昇しているので交換力δωが低下し、
そのため(イ)外部磁場Hbの向きがピットの向きと反対
の場合にはピットが消えたり、(b)外部磁場Hbの向き
がピットの向きと同一方向の場合にはピットの周囲(こ
こも相当に温度が上昇しているので)の磁化の向きが反
転するので、そのためピットが不正に拡大し、いずれに
してもS/N比が低下したり、誤って再生されたりする
危険がある。
このような危険を避けるには、理論計算から第1の層の
磁化の向きと第2の層のそれとがパラレル 又は の場合には、 次式: を満足することが必要であり、第1の層の向きと第2の
層の向きがアンチパラレル の場合には、次式: を満足することが必要である。ここに於いて、δ′ωは
読出し時(TRに加熱された時)の交換力であり、Ms′
2は読出し時の第2層(読出し層)の飽和磁気モーメン
トであり、t2は第2層の膜厚であり、Hc′2は第2層
の読出し時の保磁力である。
磁化の向きと第2の層のそれとがパラレル 又は の場合には、 次式: を満足することが必要であり、第1の層の向きと第2の
層の向きがアンチパラレル の場合には、次式: を満足することが必要である。ここに於いて、δ′ωは
読出し時(TRに加熱された時)の交換力であり、Ms′
2は読出し時の第2層(読出し層)の飽和磁気モーメン
トであり、t2は第2層の膜厚であり、Hc′2は第2層
の読出し時の保磁力である。
いずれにせよ、式1及び2から危険を避けるには読出し
時の交換力δ′ωが大きい方がよいことが導かれるが、
一般に交換力は温度の上昇と共に低下するので常温に於
ける交換力δωも大きい方がよいことが導かれる。
時の交換力δ′ωが大きい方がよいことが導かれるが、
一般に交換力は温度の上昇と共に低下するので常温に於
ける交換力δωも大きい方がよいことが導かれる。
更に、保存時に不用意に近ずけた磁石などの外部磁場
H′bによってピットが消えたり、ピットが不正に拡大
してはならないが、このような危険を避けるためには、
第1の層の磁化の向きと第2の層の磁化の向きとがアン
チパラレル の場合、 であることが必要である。ここに於いて、δωは常温で
の交換力であり、MS1は常温での第1層(保存層)の飽
和磁気モーメントであり、t1は第1層の膜厚であり、
HC1は第1層の常温での保磁力である。
H′bによってピットが消えたり、ピットが不正に拡大
してはならないが、このような危険を避けるためには、
第1の層の磁化の向きと第2の層の磁化の向きとがアン
チパラレル の場合、 であることが必要である。ここに於いて、δωは常温で
の交換力であり、MS1は常温での第1層(保存層)の飽
和磁気モーメントであり、t1は第1層の膜厚であり、
HC1は第1層の常温での保磁力である。
この場合にも危険を避けるには式3から常温でのδωが
大きい方が望ましいことが判る。例えば、第1の層が膜
厚さ500ÅのTbFe、第2の層が膜厚500ÅのG
bFeの場合、TbFeのHC1=3000Oe、MS1=
117emn/cm3とすると、δω=0.4erg/cm2のとき
Hb′=3342Oe以上の外部磁場で危険になるのに
対して、δω=1.6erg/cm3のときにはHb′=43
68Oe以上の外部磁場のとき、はじめて危険になるに
すぎない。この例からも常温に於けるδωが大きい方が
好ましいことが理解されよう。
大きい方が望ましいことが判る。例えば、第1の層が膜
厚さ500ÅのTbFe、第2の層が膜厚500ÅのG
bFeの場合、TbFeのHC1=3000Oe、MS1=
117emn/cm3とすると、δω=0.4erg/cm2のとき
Hb′=3342Oe以上の外部磁場で危険になるのに
対して、δω=1.6erg/cm3のときにはHb′=43
68Oe以上の外部磁場のとき、はじめて危険になるに
すぎない。この例からも常温に於けるδωが大きい方が
好ましいことが理解されよう。
しかしながら、特開昭57−78652号公報に具体的
に開示された第1の層の材料例えばTbFe、DyFeと第
2の層の材料例えばGd−Fe、Gd−Coとの組み合
わせでは、δωが余り大きくないことが判った。
に開示された第1の層の材料例えばTbFe、DyFeと第
2の層の材料例えばGd−Fe、Gd−Coとの組み合
わせでは、δωが余り大きくないことが判った。
(発明の目的) 従って、本発明の目的は、特開昭57−78652号の
発明にかかる2層構造の光磁気記録媒体の交換力δωを
向上させることにある。
発明にかかる2層構造の光磁気記録媒体の交換力δωを
向上させることにある。
(発明の概要) 本発明者らは、鋭意研究の結果、偶然にも第1層及び第
2の層共にその材料をTb、Dy、Gd及びHoから選
択された1種の希土類金属(RE)−Fe−Co系合金
から選択することによってδωが向上することを見い出
し、本発明を成すに至った。
2の層共にその材料をTb、Dy、Gd及びHoから選
択された1種の希土類金属(RE)−Fe−Co系合金
から選択することによってδωが向上することを見い出
し、本発明を成すに至った。
よって、本発明は低いキュリー点(TL)と高い保磁力
(HH)を有する第1の層と相対的に高いキュリー点
(TH)と低い保磁力(HL)を有する第2の層からな
る2層構造の光磁気記録媒体に於いて、第1の層及び第
2の層を、Tb、Dy、Gd及びHoから選ばれる1種
の希土類金属−Fe−Co系非晶質合金の中から選択し
た三元系材料であることを特徴とする光磁気記録媒体を
提供する。
(HH)を有する第1の層と相対的に高いキュリー点
(TH)と低い保磁力(HL)を有する第2の層からな
る2層構造の光磁気記録媒体に於いて、第1の層及び第
2の層を、Tb、Dy、Gd及びHoから選ばれる1種
の希土類金属−Fe−Co系非晶質合金の中から選択し
た三元系材料であることを特徴とする光磁気記録媒体を
提供する。
本発明で使用する希土類金属(RE)−Fe−Co系非
晶質合金の中でも、組成を REα(Fe100−βCoβ)100−α で表わすとき、α=12〜38原子%、β=5〜90原
子%の組成合金の中から第1層及び第2層の材料を選択
すると特にδωが大きいので好ましい。
晶質合金の中でも、組成を REα(Fe100−βCoβ)100−α で表わすとき、α=12〜38原子%、β=5〜90原
子%の組成合金の中から第1層及び第2層の材料を選択
すると特にδωが大きいので好ましい。
RE−Fe−Co系合金の内でどれが第1の層に使用で
き、どれが第2の層に当るかは、予め選択した組成の合
金のTc及びHcを求め、比較することにより、決めら
れる。一般に希土類金属の種類についのみ比較すれば、
Gd>Tb>Dy>Hoの順にTcが小さく、Hcにつ
いてはDy≒Tb>Gdの順に小さい。また、FeとC
oとの相対的比率が変ってもTcが変化するがHcはほ
とんど変化しない。
き、どれが第2の層に当るかは、予め選択した組成の合
金のTc及びHcを求め、比較することにより、決めら
れる。一般に希土類金属の種類についのみ比較すれば、
Gd>Tb>Dy>Hoの順にTcが小さく、Hcにつ
いてはDy≒Tb>Gdの順に小さい。また、FeとC
oとの相対的比率が変ってもTcが変化するがHcはほ
とんど変化しない。
しかしながら、DyFeCo、GdFeCoの組み合わ
せについては、前者の組成を Dy α′(Fe 100-β′Coβ′)100-α′ で表わし、後者の組成を Gd α″(Fe 100-β″Coβ″)100-α″ で表わすとき、α′=15〜33原子%、β′=5〜3
0原子%、α″=16〜34原子%、β″=5〜90原
子%の組成範囲内であれば、DyFeCoはGdFeC
oよりもTcが低くHcが高い。
せについては、前者の組成を Dy α′(Fe 100-β′Coβ′)100-α′ で表わし、後者の組成を Gd α″(Fe 100-β″Coβ″)100-α″ で表わすとき、α′=15〜33原子%、β′=5〜3
0原子%、α″=16〜34原子%、β″=5〜90原
子%の組成範囲内であれば、DyFeCoはGdFeC
oよりもTcが低くHcが高い。
本発明の媒体に於いては、選択した材料によって第1の
層の磁化の向きと第2の層のそれとがパラレルの場合
と、マンチパラレルになる場合と2通りに分かれる。前
者の場合には上を第1の層、下を第2の層とすると0,1
の信号を とで区別し、後者の場合には とで区別する。
層の磁化の向きと第2の層のそれとがパラレルの場合
と、マンチパラレルになる場合と2通りに分かれる。前
者の場合には上を第1の層、下を第2の層とすると0,1
の信号を とで区別し、後者の場合には とで区別する。
第1の層、第2の層とも膜厚は100〜10000Å好まし
くは100〜1000Åが適当であり、従って真空薄膜
形成技術例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティングなどによって形成する。1層を形成したなら
ば真空状態を破らずに次の層を形成することが好まし
い。また第1の層と第2の層とは明確な境界を設けるの
を避けて両層間に第1の層から第2の層へと組成が徐々
に連続的に変化する不均質中間層を設けてもよい。
くは100〜1000Åが適当であり、従って真空薄膜
形成技術例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティングなどによって形成する。1層を形成したなら
ば真空状態を破らずに次の層を形成することが好まし
い。また第1の層と第2の層とは明確な境界を設けるの
を避けて両層間に第1の層から第2の層へと組成が徐々
に連続的に変化する不均質中間層を設けてもよい。
第1の層・第2の層からなる垂直磁化膜は、ガラス、プ
ラスチツクなどの基板の上に直接形成してもよいし、或
いは保護層例えばSiO2、SiO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、等の
酸化物、AlN、Si3N4等の窒化物、SiC、TiC等の炭化物、
更にはポリシロキサン系硬質皮膜等を予め形成した上に
形成してもよい。また、垂直磁化膜の上には、保護層、
反射層、保護層を介して反射層などを設けてもよい。
ラスチツクなどの基板の上に直接形成してもよいし、或
いは保護層例えばSiO2、SiO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、等の
酸化物、AlN、Si3N4等の窒化物、SiC、TiC等の炭化物、
更にはポリシロキサン系硬質皮膜等を予め形成した上に
形成してもよい。また、垂直磁化膜の上には、保護層、
反射層、保護層を介して反射層などを設けてもよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
(実施例) 2源の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用いて一方からF
eCo合金を、他方から希土類金属を蒸着速度3Å/Se
c真空度1〜2×10-6Torrの条件で、ガラス基板
の上に第2の層として のGd23(Fe70Co30)77層を形成し、続いて真空状態を
破らずに同様の条件で第1の層として のDy28(Fe89Co11)72層を形成することにより、2層構造
の垂直磁化膜を主体とする光磁気記録媒体を作成した。
eCo合金を、他方から希土類金属を蒸着速度3Å/Se
c真空度1〜2×10-6Torrの条件で、ガラス基板
の上に第2の層として のGd23(Fe70Co30)77層を形成し、続いて真空状態を
破らずに同様の条件で第1の層として のDy28(Fe89Co11)72層を形成することにより、2層構造
の垂直磁化膜を主体とする光磁気記録媒体を作成した。
第1の層:Dy28(Fe89Co11)72は、TbFeとほぼ同じ低いT
cを有しており、従来のTbFe/GdFe系の記録媒体と
ほぼ同一の条件でキュリー点書込みを行なうことができ
た。
cを有しており、従来のTbFe/GdFe系の記録媒体と
ほぼ同一の条件でキュリー点書込みを行なうことができ
た。
他方、試料振動型磁力計(VSM)を用いて各層の磁気
測定を行ない交換力(δω)を求めたところδω=1.60
erg/cm2であった。
測定を行ない交換力(δω)を求めたところδω=1.60
erg/cm2であった。
それに対して、同様に作成したDy28Fe72(膜厚500Å
/Gd23Fe77(膜厚さ500Å)からなる2層構造の垂直
磁化膜ではδω=0.4erg/cm2であった。そのほか、DyFe
/GdCoからなる垂直磁化膜ではδω=0.5erg/cm2TbFe/G
dFeからなる垂直磁化膜ではδω=0.4erg/cm2であっ
た。
/Gd23Fe77(膜厚さ500Å)からなる2層構造の垂直
磁化膜ではδω=0.4erg/cm2であった。そのほか、DyFe
/GdCoからなる垂直磁化膜ではδω=0.5erg/cm2TbFe/G
dFeからなる垂直磁化膜ではδω=0.4erg/cm2であっ
た。
(発明の効果) 以上の通り、Tcが低くHcが高い第1の層とTcが高
くHcが低い第2の層とからなる垂直磁化膜を主体とす
るキュリー点書込み光磁気記録媒体に於いて、本発明に
従い、両層の材料を前記RE−Fe−Co系非晶質合金の
中から選択することにより、両層間のδωが向上する。
くHcが低い第2の層とからなる垂直磁化膜を主体とす
るキュリー点書込み光磁気記録媒体に於いて、本発明に
従い、両層の材料を前記RE−Fe−Co系非晶質合金の
中から選択することにより、両層間のδωが向上する。
Claims (3)
- 【請求項1】低いキュリー点(TL)と高い保磁力(H
H)を有する第1の層と相対的に高いキュリー点
(TH)と低い保磁力(HL)を有する第2の層からな
る2層構造の光磁気記録媒体に於いて、第1の層及び第
2の層を、Tb、Dy、GdおよびHoから選ばれる1種の希土
類金属-Fe-Co系非晶質合金の中から選択した三元系材料
であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】前記第1の層及び第2の層が希土類金属R
Eα(Fe 100-βCoβ)100-αであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。但し、
α、βは、 α=12〜38原子% β= 5〜90原子% の数値範囲から選ばれる原子%を表す。 - 【請求項3】前記第1の層がDyα′(Fe100-β′Co
β′)100-α′であり、前記第2の層がGdα″(Fe100-
β″Coβ″)100-α″であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。但し、α′、
β′、α″及びβ″は、 α′=15〜33原子% β′= 5〜30原子% α″=16〜34原子% β″= 5〜90原子% の数値範囲から選ばれる原子%を表す。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031903A JPH061564B2 (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光磁気記録媒体 |
| US07/734,119 US5204193A (en) | 1984-02-22 | 1991-07-25 | Recording magnetooptical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031903A JPH061564B2 (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177455A JPS60177455A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH061564B2 true JPH061564B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=12343957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031903A Expired - Lifetime JPH061564B2 (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204193A (ja) |
| JP (1) | JPH061564B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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